JP2015146031A - 光学素子の製造方法、光学素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に形成された遮光膜がパターニングされてなる遮光部と、基板の一部
表面が露出してなる透光部と、基板の一部表面がエッチングされてなる位相シフタ部と、
を有する光学素子の製造方法であって、基板上に遮光膜と第1のレジスト膜とがこの順に
積層された光学素子ブランクを用意する工程と、第1のレジスト膜を描画して現像するこ
とにより、遮光部の形成予定領域を覆うと共に、位相シフタ部の形成予定領域を画定する
第1のレジストパターンを形成する工程と、を有する。
【選択図】図1
Description
された透過型位相シフトマスク等の光学素子、及びその製造方法に関する。
有する転写パターンが形成された透過型位相シフトマスク等の光学素子が知られている(
例えば特許文献1参照)。遮光部は、基板上に形成された遮光膜がパターニングされてな
り、光学素子に照射された光を遮断するように構成されている。透光部は、基板上の一部
表面が露出してなり、光学素子に照射された光を透過させるように構成されている。位相
シフタ部は、露出した基板の一部表面がエッチング等されてなり、光学素子に照射された
光の位相を所定の量だけシフトさせつつ透過させるように構成されている。
学素子ブランク100bを用意する(図1(a))。そして、フォトリソグラフィ技術を
用いて、位相シフタ部110の形成予定領域110’以外の領域(透光部111の形成予
定領域111’及び遮光部120の形成予定領域120’)を覆う第1のレジストパター
ン103pを形成する(図1(b))。そして、形成した第1のレジストパターン103
pをマスクとして、部分的に露出した遮光膜102をエッチングして除去した後、遮光膜
102がエッチングされることにより部分的に露出した基板101の表面を所定の深さだ
けエッチングして、位相シフタ部110を形成する(図1(c))。そして、第1のレジ
ストパターン103pを除去する(図1(d))。そして、透光部111の形成予定領域
111’、遮光部120の形成予定領域120’、及び位相シフタ部110の全面を覆う
ように第2のレジスト膜104を形成する(図1(e))。そして、フォトリソグラフィ
技術を用いて、遮光部120の形成予定領域120’を覆う第2のレジストパターン10
4pを形成する(図1(f))。そして、第2のレジストパターン104pをマスクとし
て、露出した遮光膜102をエッチングして除去し、基板101の表面を部分的に露出さ
せて透光部111を形成する(図1(g))。そして、第2のレジストパターン104p
を除去する(図1(h))。これにより、基板101上に遮光部120、透光部111、
および位相シフタ部110が形成された光学素子100が製造される。
れる。
学素子ブランク200bを用意する(図2(a))。そして、フォトリソグラフィ技術を
用いて、遮光部の形成予定領域220’を覆う第1のレジストパターン203pを形成す
る(図2(b))。そして、形成した第1のレジストパターン203pをマスクとして、
露出した遮光膜202をエッチングして除去する(図2(c))。そして、第1のレジス
トパターン203pを除去し、遮光部220を形成する(図2(d))。そして、透光部
の形成予定領域211’、遮光部220、及び位相シフタ部の形成予定領域210’の全
面を覆うように第2のレジスト膜204を形成する(図2(e))。そして、フォトリソ
グラフィ技術を用いて、位相シフタ部210の形成予定領域210’以外の領域(透光部
211の形成予定領域211’及び遮光部220)を覆う第2のレジストパターン204
pを形成する(図2(f))。そして、形成した第2のレジストパターン204pをマス
クとして、露出している基板201の表面を所定の深さだけエッチングして、位相シフタ
部210を形成する(図2(g))。そして、第2のレジストパターン204pを除去す
る(図2(h))。これにより、基板201上に遮光部220、透光部211、および位
相シフタ部210が形成された光学素子200が製造される。
遮光部、透光部、および位相シフタ部を画定する。例えば、図1に示す方法では、1回目
のフォトリソグラフィ工程(図1(b)に示す工程)を経て位相シフタ部110が画定さ
れ、その後、2回目のフォトリソグラフィ工程(図1(f)に示す工程)を経て遮光部1
20及び透光部111の境界を画定する。また、図2に示す方法では、1回目のフォトリ
ソグラフィ工程(図2(b)に示す工程)を経て遮光部220を画定し、その後、2回目
のフォトリソグラフィ工程(図2(f)に示す工程)を経て位相シフタ部210及び透光
部211の境界を画定する。
程を経ることで遮光部、透光部、および位相シフタ部をそれぞれ形成しようとすれば、例
えば遮光部と位相シフタ部との相対位置が意図せずにずれてしまう場合があった。すなわ
ち、上述の方法では、1回目のフォトリソグラフィ工程と2回目のフォトリソグラフィ工
程との間に、処理中のマスクブランクを描画装置から一旦取り外して第2のレジスト膜を
形成する工程(例えば図1(e)、図2(e)に示す工程)を実施する必要がある。しか
しながら、処理中のマスクブランクを描画装置から一旦取り外すと、光学素子ブランクを
再現性良く描画装置に設置することは困難である。その結果、1回目のフォトリソグラフ
ィ工程における描画結果と2回目のフォトリソグラフィ工程における描画結果との間にア
ライメントズレが生じることを完全に防止することはできなかった。すなわち、描画装置
に再設置したマスクブランクに位置ズレ等が生じると、図1に示す方法では、1回目のフ
ォトリソグラフィ工程で画定した遮光部120と、2回目のフォトリソグラフィ工程で画
定した位相シフタ部110との相対位置が(図5(b)におけるA,Bに対するCの位置
)が、設計上の相対位置に対して例えば10〜30nm程度ずれてしまう。同様に、図2
に示す方法でも、1回目のフォトリソグラフィ工程で画定した遮光部220と、2回目の
フォトリソグラフィ工程で画定した位相シフタ部210との相対位置(図5(c)におけ
るCに対するA,Bの位置)が、設計上の相対位置に対して例えば10〜30nm程度ず
れてしまう。
光学素子の製造方法、及び光学素子を提供することを目的とする。
光部と、前記基板の一部表面が露出してなる透光部と、前記基板の一部表面がエッチング
されてなる位相シフタ部と、を有し、かつ前記位相シフタ部と前記透光部とが隣接する部
分を有する光学素子の製造方法であって、前記基板上に前記遮光膜と第1のレジスト膜と
がこの順に積層された光学素子ブランクを用意する工程と、前記第1のレジスト膜に描画
と現像を施し、前記遮光部の形成予定領域を覆うと共に、前記位相シフタ部の形成予定領
域を画定する第1のレジストパターンを形成する工程と、を有する光学素子の製造方法で
ある。
光部と、前記基板の一部表面が露出してなる透光部と、前記基板の一部表面がエッチング
されてなる位相シフタ部と、を有する光学素子の製造方法であって、前記基板上に前記遮
光膜と第1のレジスト膜とがこの順に積層された光学素子ブランクを用意する工程と、前
記第1のレジスト膜に描画と現像を施し、前記遮光部の形成予定領域を覆うと共に、前記
位相シフタ部の形成予定領域を画定する第1のレジストパターンを形成する工程と、前記
第1のレジストパターンをマスクとして前記遮光膜を部分的にエッチングすることにより
、前記遮光部を形成すると共に、前記位相シフタ部の形成予定領域を画定する画定パター
ンを形成する工程と、少なくとも前記基板の露出面を覆う第2のレジスト膜を形成する工
程と、前記第2のレジスト膜に描画と現像を施し、少なくとも前記位相シフタ部の形成予
定領域を露出させる第2のレジストパターンを形成する工程と、前記画定パターン及び前
記第2のレジストパターンをマスクとして前記基板の露出面をエッチングすることにより
、前記位相シフタ部を形成する工程と、前記第2のレジストパターン及び前記画定パター
ンを除去することにより、前記基板の一部表面を露出させて前記透光部を形成する工程と
、を有する光学素子の製造方法である。
の態様に記載の光学素子の製造方法である。
領域の外周側を覆うことにより、前記位相シフタ部の形成予定領域を画定する第1から第
3のいずれかの態様に記載の光学素子の製造方法である。
フタ部の形成予定領域の寸法に、アライメントマージンを加えた寸法のパターンデータを
用いて前記基板を露出させ、前記位相シフタ部を形成する工程では、前記画定パターンに
おける前記位相シフタ部の形成予定領域側エッジ及び前記第2のレジストパターンをマス
クとして前記基板の露出面をエッチングする第1から第4のいずれかの態様に記載の光学
素子の製造方法である。
かの態様に記載の光学素子の製造方法である。
フタ膜とを備え、前記位相シフタ部を形成する工程では、前記画定パターン及び前記第2
のレジストパターンをマスクとして前記位相シフタ膜の露出面をエッチングする第1から
第5の態様に記載の光学素子の製造方法である。
る透過光の位相と、の差が45度以上200度以下である第1から第7のいずれかの態様
に記載の光学素子の製造方法である。
位置に対して±5nm以内にある第1から第8のいずれかの態様に記載の光学素子の製造
方法である。
遮光部と、前記基板の一部表面が露出してなる透光部と、前記基板の一部表面がエッチン
グされてなる位相シフタ部と、を有する光学素子であって、前記位相シフタ部と前記透光
部とが隣接する部分を有し、かつ前記遮光部と前記位相シフタ部とは、前記遮光膜をパタ
ーニングする工程により同時に画定されている光学素子である。
シフタ膜とを備え、前記透光部は、前記位相シフタ膜の一部表面が露出してなり、前記位
相シフタ部は、前記位相シフタ膜の少なくとも一部表面がエッチングされてなる第10の
態様に記載の光学素子である。
過光との位相差が45度以上200度以下である第10または11のいずれかの態様に記
載の光学素子である。
対位置に対して±5nm以内にある第10から第12のいずれかの態様に記載の光学素子
である。
光学素子の製造方法、及び光学素子を提供することができる。
以下に、本発明の一実施形態を、主に図3,図6(a)を参照しながら説明する。図3
は、本実施形態に係る光学素子300の製造方法のフロー図である。図6(a)は本実施
形態に係る光学素子300の部分断面図である。
図6(a)に示すように、光学素子300は、基板301上に形成された遮光膜302
がパターニングされてなる遮光部320と、基板301の一部表面が露出してなる透光部
311と、基板301の一部表面がエッチングされてなる位相シフタ部310と、を有す
る。なお、図6(a)は光学素子300の積層構造を例示するものであり、実際のパター
ンはこれと同一とは限らない。
RO,R2O等を含む低膨張ガラス等からなる平板として構成されている。基板301の
主面(表面及び裏面)は、研磨されるなどして平坦且つ平滑に構成されている。基板30
1は、例えば一辺が6インチ程度の方形とすることができる。基板301の厚さは例えば
0.25インチ程度とすることができる。
エッチング(ドライエッチング)することが可能なように構成されている。位相シフタ部
310は、基板301の一部表面を、得ようとする位相シフト量に応じて掘りこむことで
形成できる。例えば、ArF用の位相シフトマスクであれば、位相差180度を得るため
に、170nm程度の掘りこみとすることが可能である。
えばスパッタリング等の成膜方法により形成されている。遮光膜302の膜厚は、例えば
100nm程度とすることができる。なお、遮光膜302の表面にCr化合物(CrO、
CrC,CrN等)の層を設け、表面に反射抑制機能を持たせることが出来る。遮光膜3
02は、例えばCl2とO2との混合ガスをエッチングガスとして用いてエッチング(ド
ライエッチング)することが可能である。
により同時に画定されている。遮光部320及び位相シフタ部310を画定する様子につ
いては後述する。これにより、遮光部320と位相シフタ部310との相対位置を、設計
上の相対位置どおりとすることができる。例えば、遮光部320と位相シフタ部310と
の相対位置を、設計値に対して±5nm以内とすることができる。より好ましくは±3n
m以下である。なお、透光部311は、遮光部320と位相シフタ部310との間に設け
られており、透光部311と位相シフタ部310とは隣接する部分を有するように構成さ
れている。
とが好ましい。例えば、位相シフタ部310の光透過率は、透光部311の光透過率の8
0%以上100%以下、より好ましくは90%以上100%以下であるように構成されて
いる。尚、位相シフタ部310を基板301の掘り込みによって形成する場合には、掘り
込み側面の露光光の乱反射によって、位相シフタ部310の光透過率が、透光部311の
光透過率よりも小さくなる傾向があるが、この場合であっても、位相シフタ部310の光
透過率が、透光部311の光透過率の80%以上となることが好ましい。
が、45度以上200度以下であるように構成されている。なお、係る位相差は、位相シ
フタ部310における基板301の掘り込み量を選択することで調整できる。
続いて、本実施形態に係る光学素子300の製造方法について説明する。
まず、図3(a)に例示するような、基板301上に遮光膜302と第1のレジスト膜
303とがこの順に積層された光学素子ブランク300bを用意する。基板301及び遮
光膜302の構成は上述のとおりである。第1のレジスト膜303、後述する第2のレジ
スト膜304、及び後述する第3のレジスト膜305は、ポジ型レジスト材料或いはネガ
型レジスト材料により形成されている。以下では、第1のレジスト膜303、第2のレジ
スト膜304、及び第3のレジスト膜305が、それぞれポジ型レジスト材料より形成さ
れているものとして説明する。第1のレジスト膜303、第2のレジスト膜304、及び
第3のレジスト膜305は、例えばスピン塗布やスリットコータ等の手法を用いて塗布さ
れた後にベークされて形成され、その厚さは例えば500nm以下である。
次に、電子ビーム描画機やレーザ描画機等により描画露光を行い、第1のレジスト膜3
03の一部を感光させ、スプレー方式等の方法により第1のレジスト膜303に現像液を
供給して現像することにより、遮光部320の形成予定領域320’を覆うと共に、位相
シフタ部310の形成予定領域310’を画定する第1のレジストパターン303pを形
成する。
)に示すように、第1のレジストパターン303pは、遮光部320の形成予定領域32
0’を覆う部分303aと、位相シフタ部310の形成予定領域310’を画定する部分
303bと、を備えている。位相シフタ部310の形成予定領域310’を画定する部分
303bは、位相シフタ部310の形成予定領域310’を露出させつつ、その外周側を
所定の幅で覆うことにより、位相シフタ部310の形成予定領域310’を画定するよう
に形成されている。
領域320’を覆う部分303aと、位相シフタ部310の形成予定領域310’を画定
する部分303bと、を同時に画定する。すなわち、遮光部320の形成予定領域320
’と、位相シフタ部310の形成予定領域310’と、を1回の描画工程を行うことで同
時に画定する。これにより、複数回の描画工程に伴う、描画パターンのアライメントずれ
を完全に排除しつつパターニングを行うことが可能となり、遮光部320、透光部311
、および位相シフタ部310を正確に画定することが可能となる。例えば、遮光部320
に対して形成される位相シフタ部310の相対位置と、遮光部320に対する設計上の位
相シフタ部310の相対位置を精緻に制御できる。結果として、後述するように、マスク
上の位置と設計値上の位置との差異(例えば図5(a)〜(c)における位置Bと位置C
との実距離と設計距離との差)を±5nm以下とすることが可能となる。また、遮光部3
20と位相シフタ部310との間に形成される透光部311の幅や形状(図5(a)〜(
c)における位置Aと位置Bとの距離等)を、正確に制御することが可能となる。
次に、第1のレジストパターン303pをマスクとして、遮光膜302を部分的にエッ
チングし、遮光膜パターン302pとすることにより、遮光部320を形成すると共に、
位相シフタ部310の形成予定領域310’を画定する画定パターン302bを形成する
。
すように、遮光膜パターン302pは、遮光部320を形成する部分302aと、位相シ
フタ部310の形成予定領域310’を画定する画定パターン302bと、を備えている
。画定パターン302bは、位相シフタ部310の形成予定領域310’を露出させつつ
、その外周側を所定の幅で覆うことにより、位相シフタ部310の形成予定領域310’
を画定するように構成されている。
次に、少なくとも基板301の露出面、すなわち、少なくとも位相シフタ部310の形
成予定領域310’と、画定パターン302bに覆われていない透光部311の形成予定
領域311’と、をそれぞれ覆う第2のレジスト膜304を形成する。
図3(d)に例示するように第1のレジストパターン303pを除去した後、基板301
の露出面と、遮光膜パターン302pの上面(遮光部320の上面と画定パターン302
bの上面)を全面的に覆うように第2のレジスト膜304を形成している。
次に、上記同様の描画露光を行い、第2のレジスト膜304の一部を感光させ、現像す
ることにより、少なくとも位相シフタ部310の形成予定領域310’を露出させる第2
のレジストパターン304pを形成する。
2のレジストパターン304pを形成する工程では、位相シフタ部310の寸法に対して
、アライメントマージン(たとえば30nm以下)分、大きい寸法の描画データを用いて
、位相シフタ部310形成予定領域を描画する。これにより、形成されるレジストパター
ンは、位相シフタ部310の形成予定領域310’を露出させると共に、画定パターン3
02bにおける位相シフタ部310の形成予定領域310’側のエッジ部分を露出させる
ようにする。これにより、位相シフタ部310の形成予定領域310’のエッチングの際
、第2のレジストパターンと上記遮光膜パターンに対する位置ずれの影響を防止でき、エ
ッチング領域が正確に画定される上、エッチング経過によってレジストパターンがダメー
ジを受けても、位相シフタ部310のエッチング形状が影響を受けない。位相シフタ部3
10部のエッチングの際、エッチングマスクのエッジとして、レジストパターンのエッジ
でなく、画定パターンのエッジを使用できるからである。
次に、画定パターン302b及び第2のレジストパターン304pをマスクとして基板
301の露出面を部分的にエッチングすることにより、位相シフタ部310を形成する。
ここでは、露出させた画定パターン302b(特にその位相シフタ部310の形成予定領
域310’側エッジ)及び第2のレジストパターン304pをマスクとして、基板301
の露出面をエッチングする。
グにより行うことができる。位相シフタ部310の深さは、透光部311における透過光
と、位相シフタ部310における透過光との位相差を調整するように適宜設定されること
が好ましい。位相シフタ部310が形成された状態を図3(g)に例示する。
302bにおける位相シフタ部310の形成予定領域310’側(エッジ部分)を部分的
に露出させるようにしている。そして、位相シフタ部310を形成する工程では、画定パ
ターン302b及び第2のレジストパターン304pをマスクとして基板301の露出面
をエッチングするようにしている。
光膜302)の断面形状は、レジスト材料からなる第2のレジストパターン304pの断
面形状に較べてエッチングなどによりダメージを受け難い。また、実質的にクロム(Cr
)を主成分として形成される画定パターン302b(遮光膜302)は、レジスト材料か
らなる第2のレジストパターン304pの断面形状に較べて基板301表面への密着性が
高い。このため、露出させた画定パターン302bをマスクとして基板301の露出面を
エッチングすることにより、位相シフタ部310の外縁部(側壁部)を正確に形成するこ
とが可能となる。
02bにおける位相シフタ部310の形成予定領域310’側のエッジ部分を使用する。
これにより、位相シフタ部310を形成する工程では、基板301のエッチングを確実に
行うことが可能となり、位相シフタ部310の形状や深さを正確に制御することが可能と
なる。
次に、第2のレジストパターン304p及び画定パターン302bを除去することによ
り、基板301の一部表面を露出させて透光部311を形成する。
る。そして、図3(i)に例示するように、基板301の露出面と、遮光部320を形成
する部分302aと、遮光膜パターン302pの上面(遮光部320の上面と画定パター
ン302bの上面)と、位相シフタ部310の上面を全面的に覆うように第3のレジスト
膜305を形成している。そして、上記同様の描画露光及びを行い、第3のレジスト膜3
05の一部を感光させ、現像することにより、図3(j)に例示するように、少なくとも
画定パターン302b及びその周囲を露出させる第3のレジストパターン305pを形成
する。そして、図3(k)に例示するように、画定パターン302bをエッチングして除
去する。画定パターン302bのエッチング除去は、上述の、遮光膜302のエッチング
と同様の手段により行うことができる。ついで、レジストパターン305pを除去する。
本実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果を奏する。
310’を覆う部分303aと、位相シフタ部310の形成予定領域310’を画定する
部分303bと、を同時に画定するようにしている。すなわち、遮光部320の形成予定
領域320’と、位相シフタ部310の形成予定領域310’と、を1回の描画工程を行
うことで同時に画定するようにしている。これにより、複数回の描画工程に伴う、描画パ
ターンのアライメントずれ(これは描画機の精度によるずれ、および、描画機に基板を載
置するたびに生じる載置ずれを含む)を完全に排除しつつパターニングを行うことが可能
となり、遮光部320、透光部311、および位相シフタ部310を正確に画定すること
が可能となる。例えば、遮光部320と位相シフタ部310との相対位置を、設計上の相
対位置に対して±5nm以内、好ましくは±3nm以内とすることが可能となる。
び位相シフタ部を画定する図1,図2に示す方法では、上述したように、例えば遮光部と
位相シフタ部との相対位置を精緻に制御できない。例えば、処理中のマスクブランクを描
画装置から一旦取り外すと、光学素子ブランクを再現性良く描画装置に設置することは困
難だからである。これに対し本実施形態によれば、遮光部320の形成予定領域320’
と、位相シフタ部310の形成予定領域310’と、を1回の描画工程で同時に画定する
ようにしているため、2回のフォトリソグラフィ工程の間で生じるアライメントずれを解
消でき、遮光部320、透光部311、および位相シフタ部310の位置を設計値どおり
に正確に画定することが可能となる。
定パターン302bにおける位相シフタ部310の形成予定領域310’側エッジ部分を
露出させるようにしている。そして、本実施形態に係る位相シフタ部310を形成する工
程では、画定パターン302b及び第2のレジストパターン304pをマスクとして基板
301の露出面をエッチングするようにしている。これにより、位相シフタ部310の外
縁部(側壁部)を正確に形成することが可能となる。
遮光膜302)の断面形状は、レジスト材料からなる第2のレジストパターン304pの
断面形状に較べてエッチングなどによりダメージを受け難い。換言すれば、レジストパタ
ーンのエッジを使ってエッチング領域を画定しようとすれば、エッチング途中のレジスト
パターンのエッジ形状が劣化する不都合がある。また、実質的にクロム(Cr)を主成分
として形成される画定パターン302b(遮光膜302)は、レジスト材料からなる第2
のレジストパターン304pの断面形状に較べて基板301表面への密着性が高い。この
ため、露出させた画定パターン302bをマスクとして基板301の露出面をエッチング
することにより、位相シフタ部310の外縁部(側壁部)を正確に形成することが可能と
なるのである。
部310の寸法よりアライメントマージンを考慮した分だけ大きい寸法としたパターンデ
ータを用いて描画し、画定パターン302bにおける位相シフタ部310の形成予定領域
310’側エッジ部分を部分的に露出させるようにしている。これにより、位相シフタ部
310の形成予定領域310’内への第2のレジスト膜304の残留を確実に防止できる
。これにより、基板301のエッチングを確実に行うことが可能となり、位相シフタ部3
10の形状や深さを正確に制御することが可能となる。
パターンを被転写体上に転写する位相シフトマスクとして用いることができる。
体上の感光体に対して露光を行い、配列する複数の遮光部320の像を感光体上に転写す
る。ここで、上述したように、位相シフタ部310の光透過率は、透光部311の光透過
率の80%以上100%以下であるように構成されているため、必要な光量の露光光を被
転写体に照射することができる。また、透光部311と位相シフタ部310とは隣接する
部分を有するが、透光部311における透過光と、位相シフタ部310における透過光と
の位相差が、45度以上200度以下、より好ましくは160〜200°であるように構
成されているため、透光部311と位相シフタ部310との境界領域における露光光の反
転を生じさせ、光強度のコントラストを向上させることができる。尚、使用する露光光は
i線(365nm)、KrFエキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ(1
93nm)等を用いることができる。
また、遮光部320と位相シフタ部310との相対位置を、設計上の相対位置に対して
±5nm以内、好ましくは±3nm以内とすることが可能となるため、被転写体上に所定
の転写パターンを高精度に転写することができる。
0と遮光部320とが透光部311を挟んで隣り合う構成が周期的に配列する素子)は、
位相シフト効果を利用して露光装置のベストフォーカス位置を求めるフォーカスモニタと
して用いることができる。すなわち、フォトマスクに形成された転写パターンを被転写体
に転写する場合、フォトマスクを、露光装置が備える投影光学系のベストフォーカス面か
ら焦点深度の範囲内に配置する必要がある。しかしながら、投影光学系のベストフォーカ
ス位置を求めることは容易ではない。これに対して、図6(a)に示す光学素子300を
複数配列させたフォーカスモニタを用いれば、投影光学系のベストフォーカス面を容易に
求めることができる。この場合、位相シフタ部310における透過光との位相差を、例え
ば45度以上135度以下であるように構成することができる。
、被転写体上の感光体に対して露光を行い、配列する複数の遮光部320の像を感光体上
に転写する。ここで、上述したように、透光部311における透過光と、位相シフタ部3
10における透過光と、の位相差が45度以上135度以下であるように構成されている
ため、フォーカスモニタがベストフォーカス位置からずれた位置に配置されていれば(デ
フォーカスが生じていれば)、ずれ量に応じて遮光部320の像が移動する(遮光部32
0の像の間隔が変化する)。すなわち、遮光部320の像の移動量(遮光部320の像の
間隔の変化量)を調べることにより、ベストフォーカス位置を容易に算定することができ
る。また、遮光部320と位相シフタ部310との相対位置を、設計上の相対位置に対し
て±5nm以内、好ましくは±3nm以内とすることが可能となるため、ベストフォーカ
ス位置を正確に算定することができる。
続いて、本発明の他の実施形態を、主に図4,図6(b)を参照しながら説明する。図
4は、本実施形態に係る光学素子400の製造方法のフロー図である。図6(b)は本実
施形態に係る光学素子400の部分断面図である。
、透明基材301a上に形成された位相シフタ膜301bとを備える点が、上述の実施形
態とは異なる。
(図4(g)に示す)で、画定パターン302b及び第2のレジストパターン304pを
マスクとして位相シフタ膜301bの露出面をエッチングする点が、上述の実施形態とは
異なる。すなわち、位相シフタ部310は、位相シフタ膜301bがエッチングされるこ
とにより形成されている。また、透光部311は、位相シフタ膜301bの表面がエッチ
ングされることなく露出されることで形成されている。
例えば、SiO2(スパッタSiO2、CVDSiO2、TEOS−SiO2)、ハーフ
トーン型の位相シフタとして、MoSi化合物、Cr化合物(化合物とは酸化物、窒化物
、炭化物、それらの混合)、Ta化合物、SOG(スピンオングラス)などにより形成す
ることが可能である。位相シフタ膜301bは、素材の選択と膜厚により、所望の位相シ
フト量を与えるものとすることができる。例えば、160〜200度の位相シフトを与え
るものとすることができる。なお、位相シフタ部310の光透過率と、透光部311の光
透過率とは、ほぼ同等であることが好ましい。但し、位相シフタ膜301bの透過率によ
って、位相シフタ部310の光透過率が、透光部311の光透過率よりも小さくなってし
まう場合がある。この場合であっても、位相シフタ部310の光透過率が、透光部311
の光透過率の80%以上となるように、位相シフタ膜301bの材料等を選択することが
好ましい。また、位相シフタ膜301bがハーフトーン膜の場合は、位相シフタ膜の露光
光透過率を5〜30%とすることが好ましい。
トマスクの遮光帯(転写しようとする転写用パターンの領域外に配置し、露光時に不要光
が被転写体に届かないように遮光する部分)を、転写用パターンに対して、精緻に位置決
めすることが可能となる。
グガスに対して、透明基材301aが耐性を有するように構成されている場合、すなわち
透明基材301aが位相シフタ膜301bをエッチングする際のエッチングストッパとし
て機能する場合、位相シフタ部310の深さを正確に制御することが可能となる。その結
果、透光部311における透過光と、位相シフタ部310における透過光との位相差をよ
り正確に制御することが可能となる。一方、透明基材301aの上記耐性が十分に得られ
ない素材を用いて位相シフタ膜を形成する場合には、透明基材と位相シフタ膜の間にエッ
チングストッパ膜を介在させることもできる。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
フトマスクや、露光装置のベストフォーカス位置を得るためのフォーカスモニタとしてだ
けではなく、位相シフト効果を利用する他の素子に対しても好適に適用可能である。
特に有効である。元来、こうしたパターンには、境界を画する際に機能する遮光膜パター
ンが該境界に存在しないため、遮光パターンの端部(エッジ)を使ってパターンの外縁を
画定することが困難である。しかしながら、上述の実施形態に係る画定パターンを用いる
ことで、暫定的に該境界部に遮光パターンを設け、パターンの寸法精度、位置精度を高め
ることが可能となる。
300b 光学素子ブランク
301 基板
302 遮光膜
303 第1のレジスト膜
303p 第1のレジストパターン
310 位相シフタ部
311’ 位相シフタ部の形成予定領域
311 透光部
320 遮光部
320’ 遮光部の形成予定領域
Claims (18)
- 基板上に第1の膜が形成されてなる第1領域と、前記基板の一部表面が露出してなる第2領域と、前記基板の一部表面がエッチングされてなる第3領域と、を有し、かつ
前記第3領域と前記第2領域とが隣接する部分、及び、前記第2領域と前記第1領域が隣接する部分を有する光学素子の製造方法であって、
前記基板上に前記第1の膜と第1のレジスト膜が形成された光学素子ブランクを用意する工程と、
前記第1のレジスト膜に第1描画と現像を施すことにより、前記第1領域の形成予定領域を覆う第1レジストパターンであって、かつ、前記第2領域の形成予定領域において、隣接する前記第3領域の形成予定領域を画定する画定パターンを形成するための第1のレジストパターンを形成する工程と、
前記第1の膜をエッチングして、前記第1領域と前記画定パターンの領域を除いた領域の第1の膜を除去する工程と、
前記基板上に第2のレジスト膜を形成し、第2描画と現像を施すことによって、前記第3領域の形成予定領域を露出する第2のレジストパターンを形成する工程と、
前記画定パターン、及び前記第2のレジストパターンをマスクとして、前記基板表面をエッチングすることにより、前記第3領域を形成する工程と、
前記基板上に第3のレジスト膜を形成し、第3描画と現像を施すことによって、前記画定パターンを露出する第3のレジストパターンを形成する工程と、
前記画定パターンをエッチングにより除去する工程と
を有することを特徴とする光学素子の製造方法。 - 前記第1の膜が遮光膜であることを特徴とする、請求項1に記載の光学素子の製造方法。
- 前記第1領域が遮光部、前記第2領域が透光部、前記第3領域が位相シフタ部であることを特徴とする、請求項2に記載の光学素子の製造方法。
- 前記第1のレジストパターンは、前記第3領域の形成予定領域の外周側を覆うことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の光学素子の製造方法。
- 前記第2のレジストパターンを形成する工程では、前記第3領域の形成予定領域の寸法に、アライメントマージンを加えた寸法のパターンデータを用いて、前記基板の第3領域の形成領域と、前記画定パターンの前記第3領域の形成予定領域側のエッジとを露出させ、
前記第3領域を形成する工程では、前記画定パターンにおける前記第3領域の形成予定領域側エッジ及び前記第2のレジストパターンをマスクとして前記基板の露出面をエッチングすることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の光学素子の製造方法。 - 前記アライメントマージンは、30nm以下であることを特徴とする、請求項5に記載の光学素子の製造方法。
- 前記第1の膜はCrを含むことを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の光学素子の製造方法。
- 前記基板が石英からなる透明基材であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の光学素子の製造方法。
- 前記基板が、透明基材と、前記透明基材上に形成された位相シフタ膜とを備え、
前記第3領域を形成する工程では、前記画定パターン及び前記第2のレジストパターンをマスクとして前記位相シフタ膜の露出面をエッチングすることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の光学素子の製造方法。 - 前記第2領域における透過光の位相と、前記第3領域における透過光の位相と、の差が45度以上200度以下であることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の光学素子の製造方法。
- 前記第1領域と前記第3領域との相対位置につき、設計上の相対位置に対するズレが±5nm以内にあることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の光学素子の製造方法。
- 前記第1の膜のエッチング、及び、前記基板表面のエッチングは、ドライエッチングを適用することを特徴とする、請求項1〜11のいずれかに記載の光学素子の製造方法。
- 基板上に第1の膜が形成されてなる、第1領域と、
前記基板の一部表面が露出してなる第2領域と、
前記基板の一部表面がエッチングされてなる第3領域と、を有する光学素子であって、
前記第3領域と前記第2領域が隣接する部分、及び、前記第2領域と前記第1領域が隣接する部分を有し、かつ前記第1領域と前記第3領域とは、前記第1の膜をパターニングするための、1回の描画により同時に画定されていることを特徴とする光学素子。 - 前記第1の膜が遮光膜であることを特徴とする、請求項13に記載の光学素子。
- 前記第1領域が遮光部、前記第2領域が透光部、前記第3領域が位相シフタ部であることを特徴とする、請求項13又は14に記載の光学素子。
- 前記基板が、透明基材と、前記透明基材上に形成された位相シフタ膜とを備え、
前記透光部は、前記位相シフタ膜の一部表面が露出してなり、
前記位相シフタ部は、前記位相シフタ膜の少なくとも一部表面がエッチングされてなることを特徴とする請求項15に記載の光学素子。 - 前記第2領域を透過する光と、前記第3領域を透過する光の位相差が45度以上200度以下であることを特徴とする請求項13〜16のいずれかに記載の光学素子。
- 前記第1領域と前記第3領域の相対位置について、設計上の相対位置に対するズレが±5nm以内にあることを特徴とする請求項13〜17のいずれかに記載の光学素子。
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