KR20230020920A - 패턴 수정 방법 및 포토마스크 - Google Patents
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Abstract
한 번에 대규모의 패턴 수정을 실시하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 한 형태의 패턴 수정 방법은, 제 1 재료를 포함하는 제 1 차광막(11)에 의해 패턴이 이미 형성된 포토마스크(10)에 대해서 새롭게 패턴을 수정하는 패턴 수정 방법에 있어서, 상기 제 1 재료와는 상이한 제 2 재료를 포함하는 제 2 차광막(21)을 성막하는 성막 공정과, 제 2 차광막(21)의 전면을 덮도록 포토레지스트막(22)을 형성하는 포토레지스트막 형성 공정과, 포토레지스트 패턴을 형성하는 패턴 형성 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하고, 상기 제 1 재료를 용해하지 않고 상기 제 2 재료를 용해하는 에칭액을 이용하여, 제 2 차광막(21)의 일부를 제거하는 차광막 제거 공정을 포함한다.
Description
본 발명은 패턴이 이미 형성된 포토마스크의 패턴을 수정하는 패턴 수정 방법에 관한 것이다.
종래로부터 이미 사용되고 있는 예를 들면, 제작이 끝난 포토마스크(즉, 이미 패턴이 형성된 포토마스크)의 패턴을 수정하는 기술이 알려져 있다. 이미 패턴이 형성되어 있는 포토마스크의 패턴을 수정함으로써 새롭게 포토마스크를 제작하는 것보다 저렴하게 원하는 포토마스크를 제작할 수 있다. 이러한 기술로서 예를 들면 특허문헌 1에는, CVD(Chemical Vapor Deposition)를 이용해 포토마스크의 패턴을 수정하는 기술이 개시되어 있다.
하지만, 특허 문헌 1에 기재된 기술에서는, 한 번에 수정할 수 있는 면적이 수십μmХ수십μm로 작기 때문에, 대규모의 패턴을 수정하기 위해서는 시간을 요하는 문제가 있다.
본 발명의 한 형태는, 한 번에 대규모의 패턴 수정을 실시할 수 있는 패턴 수정 방법을 실현하는 것을 목적으로 한다.
상기의 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 한 형태에 따른 패턴 수정 방법은, 투명 기판 상에 제 1 재료를 포함하는 제 1 패턴 형성부에 의해 패턴이 이미 형성된 포토마스크에 대해서 새롭게 패턴을 수정하는 패턴 수정 방법에 있어서, 상기 포토마스크의 상기 패턴이 형성된 면에, 상기 제 1 재료와는 상이한 제 2 재료를 포함하는 제 2 패턴 형성부를 성막하는 성막 공정과, 상기 제 2 패턴 형성부의 전면을 덮도록 상기 포토마스크의 표면에 포토레지스트막을 형성하는 포토레지스트막 형성 공정과, 상기 포토레지스트막에 대해서 묘화 장치로 묘화해서 포토레지스트 패턴을 형성하는 패턴 형성 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하고, 상기 제 1 재료를 용해하지 않고 상기 제 2 재료를 용해하는 에칭액을 이용하여, 상기 제 2 패턴 형성부의 일부를 제거하는 제 1 제거 공정을 포함한다.
상기의 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 한 형태에 따른 패턴 수정 방법은, 투명 기판 상에 제 1 재료를 포함하는 제 1 패턴 형성부에 의해 패턴이 이미 형성된 포토마스크에 대해서 새롭게 패턴을 수정하는 패턴 수정 방법에 있어서, 상기 포토마스크의 상기 패턴이 형성된 면에 제 2 패턴 형성부를 성막하는 성막 공정과, 상기 제 2 패턴 형성부의 전면을 덮도록 상기 포토마스크의 표면에 포토레지스트막을 형성하는 포토레지스트막 형성 공정과, 상기 포토레지스트막에 대해서 묘화 장치로 묘화해서 포토레지스트 패턴을 형성하는 패턴 형성 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 제 2 패턴 형성부의 일부를 제거하는 제 1 제거 공정을 포함한다.
본 발명의 한 형태에 따르면, 한 번에 대규모의 패턴 수정을 실시할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정하는 대상의 포토마스크의 일례를 도시하는 평면도.
도 2는 도 1에 도시하는 영역(D1)의 확대도.
도 3은 본 발명의 실시예 1에 따른 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정하고 싶은 곳을 도시하는 도면.
도 4는 본 발명의 실시예 1에 따른 패턴 수정 방법의 일례를 도시하는 플로우챠트.
도 5는 본 발명의 실시예 1에 따른 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 6은 본 발명의 실시예 1에 따른 패턴 수정 방법에 의해 수정된 후의 패턴 형성 영역(A)를 도시하는 도면.
도 7은 실시예 1의 변형예에 있어서의 패턴 수정의 대상이 되는 포토마스크에 있어서의 1개의 패턴 형성 영역을 확대한 도면.
도 8은 도 7에 도시하는 A－A 화살표 선에 따른 단면도.
도 9는 상기 변형예의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정한 후의 패턴 형성 영역을 도시하는 도면.
도 10은 도 9에 도시하는 B－B 화살표선에 따른 단면도.
도 11은 상기 변형예의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정한 후의 패턴 형성 영역의 다른 일례를 도시하는 도면.
도 12는, 상기 변형예의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정한 후의 패턴 형성 영역의 또 다른 일례를 도시하는 도면.
도 13은 실시예 1의 다른 변형예에 있어서의 패턴 수정의 대상이 되는 포토마스크에 있어서의 1개의 패턴 형성 영역을 확대한 도면.
도 14는 도 13에 도시하는 C－C 화살표선에 따른 단면도.
도 15는 상기 변형예의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정한 후의 패턴 형성 영역을 도시하는 도면.
도 16은 도 15에 도시하는 E－E 화살표선에 따른 단면도.
도 17은 상기 변형예의 다른 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 18은 상기 변형예의 다른 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 19는 실시예 1의 다른 변형예에 있어서의 패턴 수정의 대상이 되는 포토마스크에 있어서의 1개의 패턴 형성 영역을 확대한 도면.
도 20은 도 19에 도시하는 F－F 화살표선에 따른 단면도.
도 21은 상기 변형예의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정한 후의 패턴 형성 영역을 도시하는 도면.
도 22는 도 21에 도시하는 G－G 화살표선에 따른 단면도.
도 23은 실시예 1의 다른 변형예에 있어서의 패턴 수정의 대상이 되는 포토마스크에 있어서의 1개의 패턴 형성 영역을 확대한 도면.
도 24는 상기 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 25는 상기 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 26은 상기 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법에 의해 수정한 후의 포토마스크의 평면도.
도 27은 실시예 1의 다른 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 28은 상기 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 29는 실시예 1의 다른 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 30은 상기 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 31은 실시예 1의 다른 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 32는 상기 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 33은 본 발명의 실시예 2에 따른 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정하는 대상의 포토마스크의 일례를 도시하는 평면도.
도 34는 도 33에 도시하는 영역(D4)의 확대도.
도 35는 본 발명의 실시예 2에 따른 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정하고 싶은 곳을 도시하는 도면.
도 36은 본 발명의 실시예 2에 따른 패턴 수정 방법의 일례를 도시하는 플로우챠트.
도 37은 본 발명의 실시예 2에 따른 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 38은 본 발명의 실시예 3에 따른 패턴 수정 방법의 일례를 도시하는 플로우챠트.
도 39는 본 발명의 실시예 3에 따른 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 40은 실시예 3의 변형예의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정한 후의 패턴 형성 영역을 도시하는 도면.
도 41은 도 40에 도시하는 B－B 화살표선에 따른 단면도.
도 42는 상기 변형예의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정한 후의 패턴 형성 영역의 다른 일례를 도시하는 도면.
도 43은 상기 변형예의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정한 후의 패턴 형성 영역의 또 다른 일례를 도시하는 도면.
도 44는 실시예 3의 다른 변형예의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정한 후의 패턴 형성 영역을 도시하는 도면.
도 45는 도 44에 도시하는 E－E 화살표선에 따른 단면도.
도 46은 상기 변형예의 다른 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 47은 상기 변형예의 다른 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 48은 실시예 3의 다른 변형예의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정한 후의 패턴 형성 영역을 도시하는 도면.
도 49는 도 48에 도시하는 G－G 화살표선에 따른 단면도.
도 50은 실시예 3의 다른 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 51은 상기 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 52는 상기 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법에 의해 수정한 후의 포토마스크의 평면도.
도 53은 실시예 3의 다른 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 54는 상기 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 55는 실시예 3의 다른 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 56은 상기 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 57은 실시예 3의 다른 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 58은 상기 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 2는 도 1에 도시하는 영역(D1)의 확대도.
도 3은 본 발명의 실시예 1에 따른 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정하고 싶은 곳을 도시하는 도면.
도 4는 본 발명의 실시예 1에 따른 패턴 수정 방법의 일례를 도시하는 플로우챠트.
도 5는 본 발명의 실시예 1에 따른 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 6은 본 발명의 실시예 1에 따른 패턴 수정 방법에 의해 수정된 후의 패턴 형성 영역(A)를 도시하는 도면.
도 7은 실시예 1의 변형예에 있어서의 패턴 수정의 대상이 되는 포토마스크에 있어서의 1개의 패턴 형성 영역을 확대한 도면.
도 8은 도 7에 도시하는 A－A 화살표 선에 따른 단면도.
도 9는 상기 변형예의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정한 후의 패턴 형성 영역을 도시하는 도면.
도 10은 도 9에 도시하는 B－B 화살표선에 따른 단면도.
도 11은 상기 변형예의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정한 후의 패턴 형성 영역의 다른 일례를 도시하는 도면.
도 12는, 상기 변형예의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정한 후의 패턴 형성 영역의 또 다른 일례를 도시하는 도면.
도 13은 실시예 1의 다른 변형예에 있어서의 패턴 수정의 대상이 되는 포토마스크에 있어서의 1개의 패턴 형성 영역을 확대한 도면.
도 14는 도 13에 도시하는 C－C 화살표선에 따른 단면도.
도 15는 상기 변형예의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정한 후의 패턴 형성 영역을 도시하는 도면.
도 16은 도 15에 도시하는 E－E 화살표선에 따른 단면도.
도 17은 상기 변형예의 다른 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 18은 상기 변형예의 다른 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 19는 실시예 1의 다른 변형예에 있어서의 패턴 수정의 대상이 되는 포토마스크에 있어서의 1개의 패턴 형성 영역을 확대한 도면.
도 20은 도 19에 도시하는 F－F 화살표선에 따른 단면도.
도 21은 상기 변형예의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정한 후의 패턴 형성 영역을 도시하는 도면.
도 22는 도 21에 도시하는 G－G 화살표선에 따른 단면도.
도 23은 실시예 1의 다른 변형예에 있어서의 패턴 수정의 대상이 되는 포토마스크에 있어서의 1개의 패턴 형성 영역을 확대한 도면.
도 24는 상기 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 25는 상기 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 26은 상기 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법에 의해 수정한 후의 포토마스크의 평면도.
도 27은 실시예 1의 다른 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 28은 상기 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 29는 실시예 1의 다른 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 30은 상기 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 31은 실시예 1의 다른 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 32는 상기 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 33은 본 발명의 실시예 2에 따른 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정하는 대상의 포토마스크의 일례를 도시하는 평면도.
도 34는 도 33에 도시하는 영역(D4)의 확대도.
도 35는 본 발명의 실시예 2에 따른 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정하고 싶은 곳을 도시하는 도면.
도 36은 본 발명의 실시예 2에 따른 패턴 수정 방법의 일례를 도시하는 플로우챠트.
도 37은 본 발명의 실시예 2에 따른 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 38은 본 발명의 실시예 3에 따른 패턴 수정 방법의 일례를 도시하는 플로우챠트.
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도 55는 실시예 3의 다른 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 56은 상기 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 57은 실시예 3의 다른 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
도 58은 상기 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면.
〔실시예 1〕
이하, 본 발명의 일 실시예에 대해 상세히 설명한다. 본 실시예에서는, 투명 기판 상에 차광막에 의해 패턴이 이미 형성된 포토마스크의 패턴을 수정하는 패턴 수정 방법의 일 실시예에 대해 설명한다. 본 명세서에 있어서, "패턴이 이미 형성된 포토마스크"란, 투명 기판 상에 패턴이 형성된 포토마스크로서, 일련의 제조 공정에 의해 일단 완성품으로서 제조된 포토마스크이며, 예를 들면, 이미 사용되고 있는 포토마스크이어도 괜찮다.
도 1은 본 실시예에 있어서의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정하는 대상의 포토마스크의 일례로서의 포토마스크(10)의 구성을 도시하는 평면도이다. 도 2는 도 1에 도시하는 영역(D1)의 확대도로서, 1개의 패턴 형성 영역(A)를 확대한 도면이다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 포토마스크(10)는 투명 기판(2) 상에 복수의 패턴 형성 영역(A)가 형성되어 있다. 투명 기판(2)은 합성 석영 유리 등의 기판에 의해 구성되어 있다. 투명 기판(2)은 노광 공정의 노광광에 포함되는 대표 파장에 대해 95% 이상의 투과율을 가진다. 상기 노광광의 대표 파장은, 예를 들면 i선, h선 또는 g선, 혹은 그들의 혼합광이어여도 무방하며, 이에 한정되지 않는다.
패턴 형성 영역(A)에는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 투명 기판(2) 상에 빛이 투과하지 않는(즉, 차광성을 가지는) 재료(이하에서는, 제 1 재료라고 호칭한다)를 포함하는 제 1 차광막(11)(제 1 패턴 형성부)에 의해 패턴(이후에서는, 제 1 패턴이라고도 칭한다)이 형성되어 있다. 제 1 차광막(11)은, 광학 농도(OD) 값은 2.7 이상이 적합하며, 예를 들어 크롬막을 사용할 수 있다. 한편, 노광시의 미광의 발생을 방지하기 위해서 제 1 차광막(11)의 양면에는 반사 방지막이 적층되어 형성되어 있어도 된다.
패턴 형성 영역(A)에서 제 1 차광막(11)이 형성되어 있지 않은 영역은 빛을 투과하는 투광부(12)로 되어 있다. 본 실시예에서는, 1개의 패턴 형성 영역(A)에 원형의 제 1 차광막(11)이 형성되어 있는 예에 대해 설명한다. 포토마스크(10)에는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 투명 기판(2)의 네 코너에, 포토마스크(10)에 제 1 차광막(11)을 패터닝할 때에 포토마스크(10)의 위치 결정의 기준으로서 설치된 얼라이먼트 마크(4)가 형성되어 있다.
도 3은 본 실시예에 있어서의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정하고 싶은 곳을 도시하는 도면이다. 본 실시예에서는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 제 1 차광막(11)에 의해 형성되는 원의 내측에 인접하는 영역(D2) 및, 상기 원의 중앙에 위치해 제 1 차광막(11)과는 인접하지 않는 영역(D3)에 새롭게 차광부를 형성하도록 패턴을 수정하는 예에 대해 설명한다. 한편, 본 실시예에서는, 1개의 패턴 형성 영역(A)에 대해 설명하지만, 다른 패턴 형성 영역(A)에 대해서도, 필요에 따라서 각각의 패턴을 수정한다.
도 4는 본 실시예에 있어서의 패턴 수정 방법의 일례를 도시하는 플로우챠트이다. 도 5는 본 실시예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 5에 도시하는 각 도면은 제 1 차광막(11)에 의해 형성되는 원의 중심을 지나고, 투명 기판(2)의 표면에 대해 수직인 평면으로 절단한 단면도이다. 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 본 실시예에 있어서의 패턴 수정 방법에서는, 우선, 투명 기판(2) 상에 제 1 차광막(11)에 의해 제 1 패턴이 이미 형성된 포토마스크(10)를 준비한다(스텝 S1).
다음에, 포토마스크(10)에 있어서의 제 1 패턴이 형성된 면의 전면에, 제 1 재료와는 상이한 재료(이후에서는, 제 2 재료라고 호칭한다)를 포함하는 제 2 차광막(21)(제 2 패턴 형성부)을 성막한다(스텝 S2, 성막 공정). 본 명세서에서는, 본 발명의 패턴 수정 방법에 있어서 패턴을 수정할 때에 사용되는 부재로서, 수정 후에 포토마스크의 패턴으로 사용되는 부재를 "제 2 패턴 형성부"라고 호칭한다. 제 2 차광막(21)은, 예를 들면, 스퍼터링법, 증착법 등에 의해 성막된다.
그 후, 제 2 차광막(21)을 포함하는 포토마스크(10)의 전면에 포토레지스트막(22)을 형성한다(스텝 S3, 포토레지스트막 형성 공정). 바꿔 말해, 제 2 차광막(21)의 전면을 덮도록 포토마스크(10)의 표면에 포토레지스트막(22)을 형성한다. 포토레지스트막(22)은, 예를 들면, 도포법, 스프레이법 등에 의해 형성된다. 제 2 재료는, 소정의 에칭액에 대한 용해성이 제 1 재료와는 상이한 재료이다. 본 명세서에서는, 소정의 에칭액에 대한 용해성이 다른 재료를 선택 에칭성을 갖는 재료라고 호칭한다. 예를 들면, 제 1 차광막(11)이 Cr막으로 이루어진 경우, 제 2 차광막(21)으로서 Cr막과 선택 에칭성을 갖는 Ni막, Ti막, MoSi막 등을 사용할 수 있다.
다음에, 포토레지스트막(22)에 대해서 묘화 장치로 묘화하고, 그 후에 현상함으로써 포토레지스트 패턴을 형성한다(스텝 S4, 패턴 형성 공정). 구체적으로는, 도 3에 도시하는 영역(D2) 및 영역(D3)에 대응하는 영역의 제 2 차광막(21)만이, 후술하는 제 1 제거 공정에서 제거되지 않도록 포토레지스트 패턴을 형성한다. 현상은, 패들법, 침지법, 스프레이법, 스핀법 등에 의해 행해진다.
본 실시예에 있어서의 스텝 S4에서는, 포토마스크(10)의 투명 기판(2) 상에 제 1 차광막(11)에 의한 제 1 패턴의 형성시에 동시에 형성되어 있는 얼라이먼트 마크(4)를 기준으로 해서, 포토마스크(10)를 위치 결정한 후, 묘화 장치로 묘화를 실시한다. 바꿔 말해, 얼라이먼트 마크(4)를 기준으로 포토레지스트막(22)에 대해서 묘화 장치로 묘화를 실시한다. 이것에 의해, 새롭게 추가하는 차광부의 추가 위치를 고정밀도로 제어할 수 있다. 한편, 추가의 차광부의 형성 위치의 정밀도가 필요하지 않은 경우는, 얼라이먼트 마크(4)에 의한 포토마스크(10)의 위치 결정을 실시할 필요는 없다.
다음에, 스텝 S4에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 제 2 차광막(21)의 일부를 제거한다(스텝 S5, 제 1 제거 공정). 스텝 S5에서는, 상기 제 1 재료를 용해하지 않고 상기 제 2 재료를 용해하는 에칭액을 이용한다. 이것에 의해, 포토레지스트 마스크가 존재하고 있지 않는 영역에 있어서, 제 1 차광막(11)이 제거되지 않고 제 2 차광막(21)만이 제거된다. 그 결과, 포토마스크(10)에 원래 형성되어 있던 제 1 차광막(11)을 남긴 채로 제 2 차광막(21)에 의한 추가의 패터닝을 실시할 수 있다. 한편 제 2 차광막(21)의 일부를 제거하는 에칭은 드라이 에칭을 이용해서 실시해도 무방하다.
마지막으로, 잔존하고 있는 포토레지스트막(22)을 제거한다(스텝 S6). 이것에 의해, 새롭게 제 2 차광막(21)에 의해 새롭게 차광부가 추가된 포토마스크를 제작할 수 있다. 포토레지스트막(22)의 제거는, 예를 들면, 패들법, 애싱법, 또는 레지스트 박리액에의 침지에 의해 실시할 수 있다.
도 6은 본 실시예에 있어서의 패턴 수정 방법에 의해 수정된 후의 패턴 형성 영역(A)를 도시하는 도면이다. 도 6에 도시하는 바와 같이, 패턴 수정 후의 패턴 형성 영역(A)에서는, 도 3에 도시하는 영역(D2) 및 영역(D3)에 제 2 차광막(21)이 형성되어 있다. 영역(D2)에 제 2 차광막(21)이 형성되는 것에 의해, 패턴 수정 전에 제 1 차광막(11)에 의해 형성되어 있던 차광 영역의 면적을 넓게 할 수 있다. 바꿔 말해, 포토마스크(10)를 평면에서 바라봤을 때 제 1 차광막(11)에 의해 형성되어 있던 차광 영역의 폭을 넓게 할 수 있다. 또한, 영역(D3)에 제 2 차광막(21)이 형성됨으로써 차광 영역을 추가로 형성할 수 있다.
이상과 같이, 본 실시예에 있어서의 패턴 수정 방법에서는, 기존의 포토마스크(10)의 전면에 대해서 제 1 차광막(11)과는 상이한 선택 에칭성을 갖는 제 2 차광막(21)을 성막하고, 제 2 차광막(21)을 포토리소그래픽법에 의해 패터닝한다. 해당 구성에 의해, 포토마스크(10)의 전면에서 제 2 차광막(21)을 추가 패터닝할 수 있다. 즉, 본 실시예에 있어서의 패턴 수정 방법은, 한 번에 대규모의 패턴 수정을 실시할 수 있다. 그 결과, 이미 패턴이 형성되어 있는 포토마스크의 패턴에 대해서 단시간에 패턴 수정을 할 수 있다.
더욱이 본 실시예에 있어서의 패턴 수정 방법에서는, 특허 문헌 1의 기술과 같은 CVD를 이용했을 경우에 발생하는 막 박리가 발생할 우려가 없다. 또한, CVD를 이용했을 경우, 원하는 영역 이외에 레이저가 조사되어 원하는 영역 이외에도 차광부가 형성되어 버리기 때문에, 해당 차광부를 정형하면서 제거할 필요가 있다. 이에 대해서 본 실시예에 있어서의 패턴 수정 방법에서는, 묘화 장치를 이용해 제 2 차광막(21)의 패터닝을 실시하기 때문에, 고정밀도로 패턴을 추가할 수가 있어 불필요한 차광부의 제거를 실시할 필요가 없다.
한편 본 실시예의 패턴 수정 방법에서는, 스텝 S4(패턴 형성 공정)에 있어서, 얼라이먼트 마크(4)를 기준으로 해서 포토마스크(10)를 위치 결정한 후, 묘화 장치로 묘화를 실시하는 구성이었다. 그러나, 포토마스크(10)에는, 얼라이먼트 마크(4)가 형성되어 있지 않은 경우가 있다. 이 경우에는, 이하와 같이 해서 포토마스크(10)를 위치 결정해도 무방하다.
우선, 스텝 S3(포토레지스트막 형성 공정)의 전에, 제 2 차광막(21)에 얼라이먼트 마크를 제작한다. 그리고, 제작한 얼라이먼트 마크와, 수정 전의 포토마스크(10)에 원래 형성되어 있는 대상 패턴의 위치 관계 및 기울기의 어긋남을 구하고, 해당 위치 관계 및 어긋남에 근거해 스텝 S4에 있어서의 묘화 장치에 의한 묘화 위치를 보정한다. 상기 대상 패턴은, 수정 전의 포토마스크(10)에서 형성되어 있는 위치를 이미 알고 있는 패턴이면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 전사 노광용 얼라이먼트 마크, 길이 치수 측정용의 마크 등을 이용할 수 있다.
해당 구성에 의하면, 포토마스크(10)에 얼라이먼트 마크(4)가 형성되어 있지 않은 경우에도, 새롭게 제작한 얼라이먼트 마크를 이용해 묘화 장치에 의해 묘화하는 위치를 보정할 수가 있으므로, 고정밀도로 추가 패턴을 형성할 수 있다.
본 실시예에 있어서의 패턴 수정 방법에 의해 수정된 포토마스크는, 투명 기판(2) 상에 제 1 차광막(11)에 의해 제 1 패턴이 이미 형성된 포토마스크에 대해서 새롭게 패턴을 추가한 포토마스크로서, (1) 상기 제 1 패턴과, (2) 투명 기판(2) 상에 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때 상기 제 1 패턴과 인접하도록 형성된 패턴으로서, 제 1 재료와는 상이한 제 2 재료를 포함하는 제 2 차광막(21)에 의해 형성된 차광 영역의 패턴(제 2 패턴)과, (3) 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때 상기 제 1 패턴과 인접하지 않도록 형성된 패턴으로서, 상기 제 2 재료를 포함하는 제 2 차광막(21)에 의해 형성된 패턴(제 2 패턴)을 가진다.
＜변형예 1＞
실시예 1에서는, 미리 제 1 차광막(11)에 의해 제 1 패턴이 이미 형성된 포토마스크에, 새롭게 제 2 차광막(21)에 의한 차광부를 형성하는 패턴 수정 방법에 대해 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 본 발명의 한 형태에서는, 제 1 패턴이 차광막 이외의 막에 의해 형성되어 있는 포토마스크를 대상으로 할 수 있다. 상세한 내용에 대하여, 도 7 내지 도 10을 참조하면서 설명한다.
도 7은 본 변형예에 있어서의 패턴 수정의 대상이 되는 포토마스크(10)에 있어서의 1개의 패턴 형성 영역(A)를 확대한 도면이다. 도 8은 도 7에 도시하는 A－A 화살표선에 따른 단면도이다. 본 변형예에 있어서의 수정 대상이 되는 포토마스크(10)는, 탑(top)형의 포토마스크이다. 도 9는, 본 변형예의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정한 후의 패턴 형성 영역(A)를 도시하는 도면이다. 도 10은, 도 9에 도시하는 B－B 화살표선에 따른 단면도이다.
본 변형예에 있어서의 패턴 수정의 대상이 되는 포토마스크(10)는, 도 7 및 도 8에 도시하는 바와 같이, 패턴 형성 영역(A)에 있어서, 제 1 패턴 형성부로서의 제 1 차광막(11)과, 조사된 빛의 일부를 투과하는 반투과막(13)에 의해 패턴(제 1 패턴)이 형성되어 있다. 보다 상세하게는, 도 8에 도시하는 바와 같이, 패턴 형성 영역(A)의 일부에 제 1 차광막(11)이 형성되어 있고, 제 1 차광막(11)의 투명 기판(2) 측과는 반대쪽 층 및, 패턴 형성 영역(A) 중 제 1 차광막(11)이 형성되어 있지 않은 영역의 일부의 영역에 반투과막(13)이 형성되어 있다. 바꿔 말해, 패턴 형성 영역(A)의 일부에 반투과막(13)이 형성되어 있고, 반투과막(13)과 투명 기판(2)의 사이의 일부에 제 1 차광막(11)이 배치되어 있다. 해당 구성으로 되어 있음으로 인해, 패턴 수정의 대상이 되는 포토마스크(10)는, 포토마스크(10)를 평면에서 바라봤을 때 반투과막(13)과 제 1 차광막(11)이 중첩되어 있는 영역이 차광 영역이 되어 있으며, 반투과막(13)만의 영역이 반투과 영역으로 되어 있는 하프톤 마스크로 되어 있다.
제 1 차광막(11)과 반투과막(13)는 동일 금속계의 재료로 구성되어 있다. 바꿔 말해, 제 1 차광막(11) 및 반투과막(13)은 동일한 금속을 포함하는 재료로 구성되어 있다. 예를 들면, 제 1 차광막(11)은 크롬, 산화 크로늄 등으로 구성되고, 반투과막(13)은 크롬, 산화 크로늄 등으로 구성된다.
다음에, 상기의 구성을 가지는 포토마스크(10)의 패턴 수정 방법에 대해 설명한다. 우선, 포토마스크(10)에 있어서의 제 1 패턴이 형성된 면에, 제 1 차광막(11) 및 반투과막(13)을 구성하는 재료에 모두 포함되어 있는 금속과는 상이한 금속을 포함하는 재료(제 2 재료)로 구성되어 있는 제 2 차광막(21)을 성막한다(성막 공정).
그 다음, 제 2 차광막(21)을 포함하는 포토마스크(10)의 전면에 포토레지스트막을 형성한다(포토레지스트막 형성 공정). 바꿔 말해, 제 2 차광막(21)의 전면을 덮도록 포토마스크(10)의 표면에 포토레지스트막을 형성한다.
다음에, 포토레지스트막에 대해서 묘화 장치로 묘화하고, 그 후에 현상함으로써 포토레지스트 패턴을 형성한다(패턴 형성 공정). 구체적으로는, 새롭게 차광 영역을 추가하고 싶은 영역에 대응하는 영역의 제 2 차광막(21)만이 후술하는 제 1 제거 공정에서 제거되지 않도록 포토레지스트 패턴을 형성한다.
그 다음에, 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서, 제 2 차광막(21)의 일부를 제거한다(제 1 제거 공정). 제 1 제거 공정에서는, 제 1 차광막(11) 및 반투과막(13)을 구성하는 재료를 용해하지 않고 상기 제 2 재료를 용해하는 에칭액을 이용한다. 이것에 의해, 제 2 차광막(21)만 에칭되어 제거된다. 마지막으로, 잔존하고 있는 포토레지스트막을 제거한다.
이것에 의해, 도 9 및 도 10에 도시하는 바와 같이, 제 1 차광막(11) 및 반투과막(13)에 의해 포토마스크(10)에 원래 형성되어 있던 제 1 패턴을 남긴 채로, 제 2 차광막(21)에 의해 새롭게 차광 영역이 추가된 포토마스크를 제작할 수 있다.
도 11은 본 변형예의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정한 후의 패턴 형성 영역(A)의 다른 일례를 도시하는 도면이다. 도 11에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 한 형태에서는, 포토마스크(10)를 평면에서 바라봤을 때 제 2 차광막(21)의 일부가 제 1 패턴의 일부(더 상세하게는, 제 1 패턴 중 제 1 차광막(11)이 형성되어 있는 영역의 일부)와 중첩되도록 제 2 차광막(21)을 형성해도 된다. 이것에 의해, 포토마스크(10)에 있어서의 차광 영역의 형상을 변경할 수 있다.
도 12는 본 변형예의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정한 후의 패턴 형성 영역(A)의 또 다른 일례를 도시하는 도면이다. 도 12에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 한 형태에서는, 포토마스크(10)를 평면에서 바라봤을 때 제 1 차광막(11) 및 반투과막(13)에 의해 형성되어 있던 제 1 패턴의 전체 영역을 포함하도록 제 2 차광막(21)을 형성해도 좋다. 이것에 의해, 포토마스크(10)에 있어서의 차광 영역의 면적을 넓게 할 수 있다. 단, 이 경우, 수정 전의 포토마스크(10)가 가지고 있던 반투과 효과는 소실된다.
한편, 본 변형예에서는, 제 1 패턴 형성부로서의 제 1 차광막(11)과 반투과막(13)에 의해 패턴(제 1 패턴)이 형성되어 있는 포토마스크에 대해서 패턴을 수정하는 방법에 대해 설명했지만, 본 발명의 한 형태에서는, 제 1 차광막(11) 대신에 위상 시프트막을 이용한 포토마스크에 대해서도 마찬가지로 패턴 수정을 실시해도 무방하다.
＜변형예 2＞
상기에서 설명한 각 패턴 수정 방법은, 제 1 패턴이 위상 시프트막에 의해 형성되어 있는 포토마스크에 대해서도 실시할 수 있다. 위상 시프트막은, 투과율이 1~15% 정도인 동시에 위상을 반전(또는 시프트)시키는 효과를 가지는 반투과막이며, 위상 시프트 효과에 의해 해상도가 향상된다. 단, 도 12에 도시하는 예와 같이, 포토마스크(10)를 평면에서 바라봤을 때 위상 시프트막에 의해 형성된 제 1 패턴의 전체 영역을 포함하도록 제 2 차광막(21)을 형성했을 경우에는, 수정 전의 포토마스크(10)가 가지고 있던 위상 시프트 효과는 소실된다.
한편, 제 1 패턴이 위상 시프트막에 의해 형성되어 있는 포토마스크(10)에 대해서 수정을 실시하는 경우에 있어서, 제 2 차광막(21) 대신에 위상 시프트막을 이용해서 수정을 실시할 수도 있다. 이것에 의해, 위상 시프트 효과를 가지는 영역의 형상을 변경시킬 수 있다. 단, 도 12에 도시하는 예와 같이, 포토마스크(10)를 평면에서 바라봤을 때 위상 시프트막에 의해 형성된 제 1 패턴의 전체 영역을 포함하도록 위상 시프트막을 형성했을 경우는, 포토마스크(10)를 평면에서 바라봤을 때 위상 시프트막이 중첩되는 영역에서는 위상 시프트 효과가 소실되고, 새롭게 형성한 위상 시프트막만 존재하는 영역에서만 위상 시프트 효과를 얻을 수 있는 포토마스크(즉, 엣지 강조형의 포토마스크)가 된다.
＜변형예 3＞
변형예 1에서는, 탑(top)형의 하프톤 마스크의 패턴을 수정하는 방법에 대해 설명했지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 본 발명의 한 형태의 패턴 수정 방법은, 보텀(bottom)형의 하프톤 마스크에 대해서도 적용할 수 있다. 상세한 내용에 대하여, 도 13 내지 도 16을 참조하면서 설명한다.
도 13은 본 변형예에 있어서의 패턴 수정의 대상이 되는 포토마스크(10)에 있어서의 1개의 패턴 형성 영역(A)를 확대한 도면이다. 도 14는 도 13에 도시하는 C－C 화살표선에 따른 단면도이다. 도 15는 본 변형예의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정한 후의 패턴 형성 영역(A)를 도시하는 도면이다. 도 16은 도 15에 도시하는 E－E 화살표선에 따른 단면도이다.
본 변형예에 있어서의 패턴 수정의 대상이 되는 포토마스크(10)는, 도 13 및 도 14에 도시하는 바와 같이, 패턴 형성 영역(A)에 있어서, 제 1 패턴 형성부로서의 제 1 차광막(11)과, 조사된 빛의 일부를 투과하는 반투과막(13)에 의해 패턴(제 1 패턴)이 형성되어 있다. 보다 상세하게는, 도 14에 도시하는 바와 같이, 패턴 형성 영역(A)의 일부에 반투과막(13)이 형성되어 있고, 반투과막(13)의 투명 기판(2) 측과는 반대쪽 층의 일부에 에칭 스토퍼막(14) 및 제 1 차광막(11)이 이 순서대로 적층되어 있다. 해당 구성으로 되어 있음으로써, 본 변형예에서의 패턴 수정의 대상이 되는 포토마스크(10)는, 포토마스크(10)를 평면에서 바라봤을 때 반투과막(13)과 제 1 차광막(11)이 중첩되어 있는 영역이 차광 영역으로 되어 있으며, 반투과막(13)만의 영역이 반투과 영역으로 되어 있는 하프톤 마스크가 되어 있다. 반투과막(13)과 제 1 차광막(11)은 동일 금속계의 재료로 구성되어 있다.
이하, 상기의 구성을 가지는 포토마스크(10)의 패턴 수정 방법에 대해 설명한다. 우선, 포토마스크(10)에 있어서의 제 1 패턴이 형성된 면에, 제 1 차광막(11) 및 반투과막(13)을 구성하는 재료에 모두 포함되어 있는 금속과는 상이한 금속을 포함하는 재료(제 2 재료)로 구성되어 있는 제 2 차광막(21)을 성막한다(성막 공정).
그 다음, 제 2 차광막(21)을 포함하는 포토마스크(10)의 전면에 포토레지스트막을 형성한다(포토레지스트막 형성 공정). 바꿔 말해, 제 2 차광막(21)의 전면을 덮도록 포토마스크(10)의 표면에 포토레지스트막을 형성한다.
그 다음에, 포토레지스트막에 대해서 묘화 장치로 묘화하고, 그 후에 현상함으로써 포토레지스트 패턴을 형성한다(패턴 형성 공정). 구체적으로는, 새롭게 차광 영역을 추가하고 싶은 영역에 대응하는 영역의 제 2 차광막(21)만이 후술하는 제 1 제거 공정에서 제거되지 않도록 포토레지스트 패턴을 형성한다.
그 다음, 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 제 2 차광막(21)의 일부를 제거한다(제 1 제거 공정). 제 1 제거 공정에서는, 제 1 차광막(11) 및 반투과막(13)을 구성하는 재료를 용해하지 않고 상기 제 2 재료를 용해하는 에칭액을 이용한다. 이것에 의해, 제 2 차광막(21)만이 에칭되어 제거된다. 마지막으로, 잔존하고 있는 포토레지스트막을 제거한다. 이로써, 도 15 및 도 16에 도시하는 바와 같이, 제 1 차광막(11) 및 반투과막(13)에 의해 포토마스크(10)에 원래 형성되어 있던 제 1 패턴을 남긴 채로, 제 2 차광막(21)에 의해 새롭게 차광 영역이 추가된 포토마스크를 제작할 수 있다.
한편, 본 변형예에서는, 제 1 패턴 형성부로서의 제 1 차광막(11)과 반투과막(13)에 의해 패턴(제 1 패턴)이 형성되어 있는 포토마스크에 대해서 패턴을 수정하는 방법에 대해 설명했지만, 본 발명의 한 형태에서는, 제 1 차광막(11) 대신에 위상 시프트막을 이용한 포토마스크에 대해서도 마찬가지로 패턴 수정을 실시해도 무방하다. 위상 시프트막은, 노광광의 위상을 시프트하는 기능을 가지며, 단독막에 의해 노광광의 위상이 반전되는(즉 위상 시프트각이 대략 180˚) 성질을 가진다. 단, 여기서 말하는 "대략 180˚ "란, 180˚ ±20˚를 의미하며, 노광광의 간섭 효과를 충분히 얻을 수 있는 노광광의 위상차를 말한다.
또한, 본 발명의 한 형태에서는, 제 1 차광막(11) 대신에 위상 시프트막을 이용한 포토마스크에 대해 패턴 수정을 하는 경우에, 제 2 차광막(21) 대신에 노광광을 일부 투과하는 반투과막을 이용해도 괜찮다. 이 경우, 위상 시프트막의 투과율을 3~15%로 하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 한 형태에서는, 제 1 차광막(11) 대신에 반투과막을 이용한 포토마스크에 대해서, 제 2 차광막(21) 대신에 위상 시프트막을 이용해 패턴 수정을 해도 무방하다. 이 경우, 반투과막은, 노광광에 대한 투과율이 10~70%이고, 위상 시프트각이 0.1˚도~20˚인 것이 바람직하다.
다음에, 도 13 및 도 14에 도시하는 보텀형의 하프톤 마스크인 포토마스크(10)에 대해서, 새롭게 차광 영역을 추가하는 동시에, 원래 제 1 차광막(11)에 의해 차광 영역으로 되어 있던 영역의 일부를 반투과 영역으로 변경하도록 수정하는 패턴 수정 방법에 대해서 도 17 및 도 18을 참조하면서 설명한다. 도 17 및 도 18은, 해당 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 17 및 도 18에 도시하는 각 도면은, 도 13에 도시하는 D－D 화살표선에 따른 단면도에 대응한다.
해당 패턴 수정 방법에서는, 도 17에 도시하는 바와 같이, 투명 기판(2) 상에 제 1 차광막(11)과 반투과막(13)과 에칭 스토퍼막(14)에 의해 패턴(제 1 패턴)이 형성된 포토마스크(10)를 준비한다(스텝 S11). 다음에, 포토마스크(10)에 있어서의 제 1 패턴이 형성된 면에, 상기 제 2 재료를 포함하는 제 2 차광막(21)(제 2 패턴 형성부)을 성막한다(스텝 S12, 성막 공정). 그 후, 제 2 차광막(21)을 포함하는 포토마스크(10)의 전면에 포토레지스트막(22)을 형성한다(스텝 S13, 포토레지스트막 형성 공정). 바꿔 말해, 제 2 차광막(21)의 전면을 덮도록 포토마스크(10)의 표면에 포토레지스트막(22)을 형성한다.
그 다음에, 포토레지스트막(22)에 대해서 묘화 장치로 묘화하고, 그 후에에 현상함으로써 포토레지스트 패턴을 형성한다(스텝 S14, 패턴 형성 공정). 구체적으로는, 새롭게 차광 영역으로 변경하고 싶은 영역에 대응하는 제 2 차광막(21)만이, 후술하는 제 1 제거 공정에서 제거되지 않도록 포토레지스트 패턴을 형성한다.
그런 다음에, 스텝 S14에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 제 2 차광막(21)의 일부를 제거한다(스텝 S15, 제 1 제거 공정). 스텝 S15에서는, 제 1 차광막(11) 및 반투과막(13)을 구성하는 재료를 용해하지 않고 상기 제 2 재료를 용해하는 에칭액을 이용한다. 이것에 의해, 제 2 차광막(21)만이 에칭되어 제거된다.
다음에, 도 18에 도시하는 바와 같이, 스텝 S14에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 제 1 차광막(11)의 일부를 제거한다(스텝 S16). 그 후, 스텝 S14에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 에칭 스토퍼막(14)의 일부를 제거한다(스텝 S17). 마지막으로, 잔존하고 있는 포토레지스트막(22)을 제거한다(스텝 S19).
상기의 방법에 의해, 새롭게 제 2 차광막(21)에 의해 새롭게 차광 영역을 추가하는 동시에, 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때 원래 제 1 차광막(11)에 의해 차광 영역으로 되어 있던 영역의 일부에서 반투과막(13)을 노출시킴으로써 차광 영역의 일부를 반투과 영역으로 변경할 수 있다.
＜변형예 4＞
변형예 3에서는, 동일 금속계의 재료로 구성되어 있는, 반투과막(13) 및 제 1 차광막(11)과 반투과막(13) 및 제 1 차광막(11)의 사이에 배치된 에칭 스토퍼막(14)에 의해 구성된 보텀형의 하프톤 마스크의 패턴을 수정하는 방법에 대해 설명했지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 본 발명의 한 형태의 패턴 수정 방법은, 다른 구성을 가지는 보텀형의 하프톤 마스크에 대해서도 적용할 수 있다. 상세한 내용에 대해 도 19 내지 도 22를 참조하면서 설명한다.
도 19는 본 변형예에 있어서의 패턴 수정의 대상이 되는 포토마스크(10)에 있어서의 1개의 패턴 형성 영역(A)를 확대한 도면이다. 도 20은 도 19에 도시하는 F－F 화살표선에 따른 단면도이다. 도 21은 본 변형예의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정한 후의 패턴 형성 영역(A)를 도시하는 도면이다. 도 22는, 도 21에 도시하는 G－G 화살표선에 따른 단면도이다.
본 변형예에 있어서의 패턴 수정의 대상이 되는 포토마스크(10)는, 도 19 및 도 20에 도시하는 바와 같이, 제 1 패턴 형성부로서의 제 1 차광막(11)과, 조사된 빛의 일부를 투과하는 반투과막(13)에 의해 패턴(제 1 패턴)이 형성되어 있다. 보다 상세하게는, 도 20에 도시하는 바와 같이, 패턴 형성 영역(A)의 일부에 반투과막(13)이 형성되어 있으며, 반투과막(13)의 투명 기판(2) 측과는 반대쪽 층에 제 1 차광막(11)이 적층되어 있다. 해당 구성으로 되어 있음으로써, 본 변형예에 있어서의 패턴 수정의 대상이 되는 포토마스크(10)는, 포토마스크(10)를 평면에서 바라봤을 때 반투과막(13)과 제 1 차광막(11)이 중첩되어 있는 영역이 차광 영역으로 되어 있고, 반투과막(13)만의 영역이 반투과 영역으로 되어 있는 하프톤 마스크가 되어 있다. 제 1 차광막(11)과 반투과막(13)은 상이한 금속계의 재료로 구성되어 있다. 예를 들면, 제 1 차광막(11)은, Cr계의 재료로 구성되어 있고, 반투과막(13)은 제 3 재료로서의 MoSi로 구성되어 있다.
이하, 상기의 구성을 가지는 포토마스크(10)의 패턴 수정 방법에 대해 설명한다. 우선, 포토마스크(10)에 있어서의 제 1 패턴이 형성된 면에, 제 1 차광막(11) 및 반투과막(13)을 구성하는 재료에 포함되어 있는 금속과는 상이한 금속을 포함하는 재료로 구성되어 있는 제 2 차광막(21)(제 2 패턴 형성부)을 성막한다(성막 공정). 예를 들면, 제 1 차광막(11)은 Cr계의 재료로 구성되고, 반투과막(13)은 MoSi로 구성되며, 제 2 차광막(21)은 Ni로 구성되어 있다.
그 후, 제 2 차광막(21)을 포함하는 포토마스크(10)의 전면에 포토레지스트막을 형성한다(포토레지스트막 형성 공정). 바꿔 말해, 제 2 차광막(21)의 전면을 덮도록 포토마스크(10)의 표면에 포토레지스트막을 형성한다.
다음에, 포토레지스트막에 대해서 묘화 장치로 묘화하고, 그 후에 현상함으로써 포토레지스트 패턴을 형성한다(패턴 형성 공정). 구체적으로는, 새롭게 차광 영역을 추가하고 싶은 영역에 대응하는 영역의 제 2 차광막(21)만이 후술하는 제 1 제거 공정에서 제거되지 않도록 포토레지스트 패턴을 형성한다.
다음에, 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 제 2 차광막(21)의 일부를 제거한다(제 1 제거 공정). 제 1 제거 공정에서는, 제 1 차광막(11) 및 반투과막(13)을 구성하는 재료를 용해하지 않고 상기 제 2 재료를 용해하는 에칭액을 이용함으로써, 제 2 차광막(21)만이 에칭되어 제거된다. 마지막으로, 잔존하고 있는 포토레지스트막을 제거한다.
이것에 의해, 도 21 및 도 22에 도시하는 바와 같이, 제 1 차광막(11) 및 반투과막(13)에 의해 포토마스크(10)에 원래 형성되어 있던 제 1 패턴을 남긴 채로, 제 2 차광막(21)에 의해 새롭게 차광 영역이 추가된 포토마스크를 제작할 수 있다.
＜변형예 5＞
본 변형예에서는, 실시예 1에서 설명한 차광 영역을 추가하는 수정을 실시하는 동시에, 원래 포토마스크에 형성되어 있던 차광 영역을 작게 하는 수정을 실시하는 패턴 수정 방법에 대해 설명한다. 도 23은 본 변형예에 있어서의 패턴 수정의 대상이 되는 포토마스크(10)에 있어서의 1개의 패턴 형성 영역(A)를 확대한 도면이다. 도 24 및 도 25는 본 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 24 및 도 25에 도시하는 각 도면은, 도 23에 도시하는 H－H 화살표선에 따른 단면도에 대응한다.
도 23에 도시하는 바와 같이, 본 변형예에 있어서의 수정 대상이 되는 포토마스크(10)의 패턴 형성 영역(A)에는, 제 1 차광막(11)에 의해 T자형의 제 1 패턴이 형성되어 있다.
본 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법에서는, 도 24에 도시하는 바와 같이, 투명 기판(2) 상에 제 1 차광막(11)에 의해 패턴(제 1 패턴)이 형성된 포토마스크(10)를 준비한다(스텝 S21). 다음에, 포토마스크(10)에 있어서의 제 1 패턴이 형성된 면에, 제 1 차광막(11)을 구성하는 재료에 포함되어 있는 금속과는 상이한 금속을 포함하는 재료(제 2 재료)로 구성되어 있는 제 2 차광막(21)을 성막한다(스텝 S22, 성막 공정). 그 후, 제 2 차광막(21)을 포함하는 포토마스크(10)의 전면에 포토레지스트막(22)을 형성한다(스텝 S23, 포토레지스트막 형성 공정). 바꿔 말해, 제 2 차광막(21)의 전면을 덮도록 포토마스크(10)의 표면에 포토레지스트막(22)을 형성한다.
다음에, 포토레지스트막(22)에 대해서 묘화 장치로 묘화하고, 그 후에 현상함으로써 포토레지스트 패턴을 형성한다(스텝 S24, 패턴 형성 공정). 구체적으로는, 새롭게 차광 영역을 추가하고 싶은 영역과, 패턴 수정 후에 제 1 차광막(11)에 의한 차광 영역 중에서 패턴 수정 후에도 차광 영역으로서 남길 영역에 대응하는 포토레지스트막(22)만이 남도록 포토레지스트 패턴을 형성한다. 본 변형예에서는, 원래 제 1 차광막(11)에 의해 차광 영역으로 되어 있는 영역 중 투광 영역으로 변경하고 싶은 영역의 포토레지스트막(22)을 제거한다. 바꿔 말해, 포토마스크(10)를 평면에서 바라봤을 때, 적어도 제 1 차광막(11) 및 스텝 S22에서 형성된 제 2 차광막(21)과 겹치는 포토레지스트막(22)의 일부를 제거하도록 포토레지스트 패턴을 형성한다.
다음에, 스텝 S24에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 제 2 차광막(21)의 일부를 제거한다(스텝 S25, 제 1 제거 공정). 스텝 S25에서는, 제 1 차광막(11)을 구성하는 재료를 용해하지 않고 상기 제 2 재료를 용해하는 에칭액을 이용함으로써 제 2 차광막(21)만이 에칭되어 제거된다.
다음에, 도 25에 도시하는 바와 같이, 스텝 S24에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 제 1 차광막(11)의 일부를 제거한다(스텝 S26, 제 2 제거 공정). 마지막으로, 잔존하고 있는 포토레지스트막(22)을 제거한다(스텝 S27).
도 26은 상기의 방법에 의해 수정한 후의 포토마스크의 평면도이다. 도 26에서는, 수정 전의 제 1 차광막(11)을 일점쇄선으로 도시하고 있다. 도 26에 도시하는 바와 같이, 상기의 방법에 의해 수정함으로써, 새롭게 제 2 차광막(21)에 의해 새롭게 차광 영역을 추가하는 동시에, 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때 원래 제 1 차광막(11)에 의해 형성되어 있던 차광 영역을 작게 할 수 있다.
한편 본 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법은, 제 1 패턴이 위상 시프트막에 의해 구성되어 있는 경우에도 적용할 수 있다.
＜변형예 6＞
본 변형예에서는, 변형예 1에서 설명한 탑형의 포토마스크에 대해서, 차광 영역을 추가하는 수정을 실시하는 동시에, 원래 포토마스크에 형성되어 있던 제 1 패턴을 작게 하는 수정을 실시하는 패턴 수정 방법에 대해, 도 27 및 도 28을 참조하면서 설명한다. 도 27 및 도 28은 본 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법에서는, 도 27에 도시하는 바와 같이, 우선, 투명 기판(2) 상에 제 1 차광막(11) 및 반투과막(13)에 의해 패턴(제 1 패턴)이 형성된 포토마스크(10)를 준비한다(스텝 S31). 다음에, 포토마스크(10)에 있어서의 제 1 패턴이 형성된 면에, 제 1 차광막(11) 및 반투과막(13)을 구성하는 재료에 모두 포함되어 있는 금속과는 상이한 금속을 포함하는 재료(제 2 재료)로 구성되어 있는 제 2 차광막(21)을 성막한다(스텝 S32, 성막 공정). 그 후, 제 2 차광막(21)을 포함하는 포토마스크(10)의 전면에 포토레지스트막(22)을 형성한다(스텝 S33, 포토레지스트막 형성 공정). 바꿔 말해, 제 2 차광막(21)의 전면을 덮도록 포토마스크(10)의 표면에 포토레지스트막(22)을 형성한다.
다음에, 포토레지스트막(22)에 대해서 묘화 장치로 묘화하고, 그 후에 현상함으로써 포토레지스트 패턴을 형성한다(스텝 S34, 패턴 형성 공정). 구체적으로는, 새롭게 차광 영역을 추가하고 싶은 영역, 패턴 수정 후에 제 1 차광막(11)에 의한 차광 영역 중에서 패턴 수정 후에도 차광 영역으로서 남길 영역 및 반투과막(13)에 의해 반투과 영역으로 되어 있던 영역 중에서 차광 영역으로 변경하고 싶은 영역에 대응하는 포토레지스트막(22)만이 남도록 포토레지스트 패턴을 형성한다. 본 변형예에서는, 원래 제 1 차광막(11) 또는 반투과막(13)에 의해 차광 영역 또는 반투과 영역으로 되어 있는 영역 중에서 투광 영역으로 변경하고 싶은 영역의 포토레지스트막(22)을 제거한다. 바꿔 말해, 포토마스크(10)를 평면에서 바라봤을 때, 적어도 제 1 차광막(11), 반투과막(13) 및, 스텝 S32에서 형성된 제 2 차광막(21)과 겹치는 포토레지스트막(22)의 일부를 제거하도록 포토레지스트 패턴을 형성한다.
다음에, 스텝 S34에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 제 2 차광막(21)의 일부를 제거한다(스텝 S35, 제 1 제거 공정). 스텝 S35에서는, 제 1 차광막(11) 및 반투과막(13)을 구성하는 재료를 용해하지 않고 상기 제 2 재료를 용해하는 에칭액을 이용한다. 이것에 의해, 제 2 차광막(21)만이 에칭되어 제거된다.
그 다음, 도 28에 도시하는 바와 같이, 스텝 S34에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 반투과막(13)의 일부 및 제 1 차광막(11)의 일부를 제거한다(스텝 S36, 제 2 제거 공정, 제 3 제거 공정). 마지막으로, 잔존하고 있는 포토레지스트막(22)을 제거한다(스텝 S37). 한편 본 실시예에서는, 반투과막(13)의 일부 및 제 1 차광막(11)의 일부를 하나의 공정으로 제거하는 형태이지만, 본 발명의 한 형태에서는, 반투과막(13)의 일부를 제거하는 공정(제 2 제거 공정)과 제 1 차광막(11)을 제거하는 공정(제 3 제거 공정)을 별도로 실시해도 무방하다.
상기의 방법에 의해, 새롭게 제 2 차광막(21)에 의해 새롭게 차광 영역을 추가할 수 있고, 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때 원래 제 1 차광막(11)에 의해 형성되어 있던 차광 영역을 작게 할 수 있으며, 더욱이 반투과막(13)에 의해 형성되어 있던 반투과 영역의 일부를 차광 영역으로 변경시킬 수 있다. 단, 본 변형예에서는, 수정 전의 포토마스크(10)가 가지고 있던 반투과 효과는 소실된다.
＜변형예 7＞
본 변형예에서는, 변형예 3에서 설명한 보텀형의 포토마스크에 대해서, 차광 영역을 추가하는 수정을 실시하는 동시에, 원래 포토마스크에 형성되어 있던 제 1 패턴을 작게 하는 수정을 실시하는 패턴 수정 방법에 대해, 도 29 및 도 30을 참조하면서 설명한다.
본 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법에서는, 도 29에 도시하는 바와 같이, 우선, 투명 기판(2) 상에 제 1 차광막(11), 반투과막(13) 및 에칭 스토퍼막(14)에 의해 패턴(제 1 패턴)이 형성된 포토마스크(10)를 준비한다(스텝 S41). 다음에, 포토마스크(10)에 있어서의 제 1 패턴이 형성된 면에, 제 1 차광막(11) 및 반투과막(13)을 구성하는 재료에 모두 포함되어 있는 금속과는 상이한 금속을 포함하는 재료(제 2 재료)로 구성되어 있는 제 2 차광막(21)을 성막한다. (스텝 S42, 성막 공정). 그 후, 제 2 차광막(21)을 포함하는 포토마스크(10)의 전면에 포토레지스트막(22)을 형성한다(스텝 S43, 포토레지스트막 형성 공정). 바꿔 말해, 제 2 차광막(21)의 전면을 덮도록 포토마스크(10)의 표면에 포토레지스트막(22)을 형성한다.
다음에, 포토레지스트막(22)에 대해서 묘화 장치로 묘화하고, 그 후에 현상함으로써 포토레지스트 패턴을 형성한다(스텝 S44, 패턴 형성 공정). 구체적으로는, 새롭게 차광 영역을 추가하고 싶은 영역, 패턴 수정 후에 제 1 차광막(11)에 의한 차광 영역 중에서 패턴 수정 후에도 차광 영역으로서 남길 영역 및, 반투과막(13)에 의해 반투과 영역으로 되어 있던 영역 중에서 차광 영역으로 변경하고 싶은 영역에 대응하는 포토레지스트막(22)만이 남도록 포토레지스트 패턴을 형성한다. 본 변형예에서는, 원래 제 1 차광막(11) 또는 반투과막(13)에 의해 차광 영역 또는 반투과 영역으로 되어 있는 영역 중에서 투광 영역으로 변경하고 싶은 영역의 포토레지스트막(22)을 제거한다. 바꿔 말해, 포토마스크(10)를 평면에서 바라봤을 때, 적어도 제 1 차광막(11), 반투과막(13) 및, 스텝 S42에서 형성된 제 2 차광막(21)과 겹치는 포토레지스트막(22)의 일부를 제거하도록 포토레지스트 패턴을 형성한다.
다음에, 스텝 S44에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 제 2 차광막(21)의 일부를 제거한다(스텝 S45, 제 1 제거 공정). 스텝 S45에서는, 제 1 차광막(11) 및 반투과막(13)을 구성하는 재료를 용해하지 않고 상기 제 2 재료를 용해하는 에칭액을 이용한다. 이것에 의해, 제 2 차광막(21)만이 에칭되어 제거된다.
다음으로, 도 30에 도시하는 바와 같이, 스텝 S44에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 제 1 차광막(11)의 일부를 제거한다(스텝 S46, 제 2 제거 공정). 다음에, 스텝 S44에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 에칭 스토퍼막(14)의 일부를 제거한다(스텝 S47, 제 3 제거 공정). 다음에, 스텝 S44에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 반투과막(13)의 일부를 제거한다(스텝 S48, 제 4 제거 공정). 마지막으로, 잔존하고 있는 포토레지스트막(22)을 제거한다(스텝 S49).
상기의 방법에 의해, 새롭게 제 2 차광막(21)에 의해 새롭게 차광 영역을 추가할 수 있고, 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때 원래 제 1 차광막(11)에 의해 형성되어 있던 차광 영역을 작게 할 수 있으며, 더욱이 반투과막(13)에 의해 형성되어 있던 반투과 영역의 일부를 차광 영역으로 변경시킬 수 있다. 단, 본 변형예에서는, 수정 전의 포토마스크(10)가 가지고 있던 반투과 효과는 소실된다.
＜변형예 8＞
본 변형예에서는, 변형예 4에서 설명한 보텀형의 포토마스크에 대해서, 차광 영역을 추가하는 수정을 실시하는 동시에, 원래 포토마스크에 형성되어 있던 제 1 패턴을 작게 하는 수정을 실시하는 패턴 수정 방법에 대해, 도 31 및 도 32를 참조하면서 설명한다.
본 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법에서는, 도 31에 도시하는 바와 같이, 투명 기판(2) 상에 제 1 차광막(11) 및 반투과막(13)에 의해 패턴(제 1 패턴)이 형성된 포토마스크(10)를 준비한다(스텝 S51). 다음에, 포토마스크(10)에 있어서의 제 1 패턴이 형성된 면에, 제 1 차광막(11) 및 반투과막(13)을 구성하는 재료에 포함되어 있는 금속과는 상이한 금속을 포함하는 재료로 구성되어 있는 제 2 차광막(21)(제 2 패턴 형성부)을 성막한다(스텝 S52, 성막 공정). 예를 들면, 제 1 차광막(11)은 Cr계의 재료로 구성되고, 반투과막(13)은 MoSi로 구성되며, 제 2 차광막(21)은 Ni로 구성되어도 무방하다. 그 후, 제 2 차광막(21)을 포함하는 포토마스크(10)의 전면에 포토레지스트막(22)을 형성한다(스텝 S53, 포토레지스트막 형성 공정). 바꿔 말해, 제 2 차광막(21)의 전면을 덮도록 포토마스크(10)의 표면에 포토레지스트막(22)을 형성한다.
다음에, 포토레지스트막(22)에 대해서 묘화 장치로 묘화하고, 그 후에 현상함으로써 포토레지스트 패턴을 형성한다(스텝 S54, 패턴 형성 공정). 구체적으로는, 새롭게 차광 영역을 추가하고 싶은 영역, 패턴 수정 후에 제 1 차광막(11)에 의한 차광 영역 중에서 패턴 수정 후에도 차광 영역으로서 남길 영역 및, 반투과막(13)에 의해 반투과 영역으로 되어 있던 영역 중에서 차광 영역으로 변경하고 싶은 영역에 대응하는 포토레지스트막(22)만이 남도록 포토레지스트 패턴을 형성한다. 본 변형예에서는, 원래 제 1 차광막(11) 또는 반투과막(13)에 의해 차광 영역 또는 반투과 영역으로 되어 있는 영역 중에서 투광 영역으로 변경하고 싶은 영역의 포토레지스트막(22)을 제거한다. 바꿔 말해, 포토마스크(10)를 평면에서 바라봤을 때, 적어도 제 1 차광막(11), 반투과막(13) 및, 스텝 S52에서 형성된 제 2 차광막(21)과 겹치는 포토레지스트막(22)의 일부를 제거하도록 포토레지스트 패턴을 형성한다.
그 다음에, 스텝 S54에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 제 2 차광막(21)의 일부를 제거한다(스텝 S55, 제 1 제거 공정). 스텝 S55에서는, 제 1 차광막(11) 및 반투과막(13)을 구성하는 재료를 용해하지 않고 상기 제 2 재료를 용해하는 에칭액을 이용함으로써 제 2 차광막(21)만이 에칭되어 제거된다.
다음에, 도 32에 도시하는 바와 같이, 스텝 S54에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 제 1 차광막(11)의 일부를 제거한다(스텝 S56, 제 2 제거 공정). 그 후, 스텝 S54에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 반투과막(13)의 일부를 제거한다(스텝 S57, 제 3 제거 공정). 마지막으로, 잔존하고 있는 포토레지스트막(22)을 제거한다(스텝 S58).
상기의 방법에 의해, 새롭게 제 2 차광막(21)에 의해 새롭게 차광 영역을 추가할 수 있고, 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때 원래 제 1 차광막(11)에 의해 형성되어 있던 차광 영역을 작게 할 수 있으며, 더욱이 반투과막(13)에 의해 형성되어 있던 반투과 영역의 일부를 차광 영역으로 변경시킬 수 있다. 단, 본 변형예에서는, 수정 전의 포토마스크(10)가 가지고 있던 반투과 효과는 소실된다.
〔실시예 2〕
본 발명의 다른 실시예에 대해 이하에 설명한다. 한편, 설명의 편의상, 상기 실시예에서 설명한 부재와 같은 기능을 가지는 부재에 대해서는 동일한 부호를 붙이고 그 설명을 반복하지 않는다.
실시예 1에서는, 미리 제 1 차광막(11)에 의해 패턴이 이미 형성된 포토마스크에, 새롭게 제 2 차광막(21)에 의한 차광부를 형성하는 패턴 수정 방법에 대해 설명했다. 이에 반해, 본 실시예의 패턴 수정 방법은, 차광막에 투과부가 형성됨으로써 패턴이 형성되어 있는 포토마스크에, 새롭게 투과부를 형성하는 방법에 대해 설명한다.
도 33은 본 실시예에 있어서의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정하는 대상의 포토마스크의 일례로서의 포토마스크(30)의 구성을 도시하는 평면도이다. 도 34는 도 33에 도시하는 영역(D4)의 확대도이며, 1개의 패턴 형성 영역(A)를 확대한 도면이다.
도 33에 도시하는 바와 같이, 포토마스크(30)는, 투명 기판(2) 상에 복수의 패턴 형성 영역(A)가 형성되어 있다. 패턴 형성 영역(A)에는, 도 34에 도시하는 바와 같이, 투명 기판(2) 상에 차광막(41)이 성막되어 있고 해당 차광막(41)에 투광부(42)가 패터닝되어 있다. 본 실시예에서는, 1개의 패턴 형성 영역(A)에 원형의 투광부(42)가 형성되어 있는 예에 대해 설명한다.
도 35는 본 실시예에 있어서의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정하고 싶은 곳을 도시하는 도면이다. 본 실시예에서는, 도 35에 도시하는 바와 같이, 투광부(42)에 의해 형성되는 원의 중앙에 위치하는 영역(D5)에 새롭게 투광부를 형성하도록 패턴을 수정하는 예에 대해 설명한다.
도 36은 본 실시예에 있어서의 패턴 수정 방법의 일례를 도시하는 플로우챠트이다. 도 37은 본 실시예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 36 및 도 37에 도시하는 바와 같이, 본 실시예에 있어서의 패턴 수정 방법에서는, 우선, 차광막(41)에 투광부(42)가 패터닝됨으로써 패턴이 이미 형성된 포토마스크(30)를 준비한다(스텝 S61).
다음에, 포토마스크(30)에 있어서의 패턴이 형성된 면에, 포토레지스트막(51)을 형성한다(스텝 S62). 다음에, 포토레지스트막(51)에 대해서 묘화 장치로 묘화하고, 그 후에 현상함으로써 포토레지스트 패턴을 형성한다(스텝 S63). 구체적으로는, 도 35에 도시하는 영역(D5)에 대응하는 차광막(41)만이, 후술하는 스텝 S14에서 제거되도록 포토레지스트 패턴을 형성한다.
본 실시예에 있어서의 스텝 S63에서는, 포토마스크(30)의 투명 기판(2)에 미리 형성되어 있는 얼라이먼트 마크(4)를 기준으로 해서 포토마스크(30)를 위치 결정한 후 묘화 장치로 묘화를 실시한다. 이것에 의해, 새롭게 추가하는 투과부의 추가 위치를 고정밀도로 제어할 수 있다. 한편 추가 투과부의 형성 위치의 정밀도가 필요하지 않은 경우는, 얼라이먼트 마크(4)에 의한 포토마스크(30)의 위치 결정을 실시할 필요는 없다.
다음에, 스텝 S63에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 차광막(41)의 일부를 제거한다(스텝 S64). 그 결과, 새롭게 투광부(45)를 형성할 수 있다.
마지막으로, 잔존하고 있는 포토레지스트막(51)을 제거한다(스텝 S65). 이것에 의해, 미리 형성되어 있던 투광부(42)에 추가해, 새롭게 투광부(45)가 형성된 포토마스크를 제작할 수 있다.
상술의 각 실시예에서는, 포지티브형의 포토레지스트막을 이용해서 패턴을 수정하는 형태에 대해 설명했으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 본 발명의 한 형태에서는, 네가티브형의 포토레지스트막을 이용해서 패턴을 수정할 수도 있다.
〔실시예 3〕
본 발명의 다른 실시예에 대해 이하에 설명한다. 본 실시예에서는, 투명 기판 상에 차광막에 의해 패턴이 이미 형성된 포토마스크(도 1에 도시하는 포토마스크(10))에 대해서 새롭게 패턴을 수정하는 패턴 수정 방법의 일 실시예에 대해 설명한다.
본 실시예에서는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 제 1 차광막(11)에 의해 형성되는 원의 내측에 인접하는 영역(D2)과, 상기 원의 중앙에 위치해 제 1 차광막(11)과는 인접하지 않는 영역(D3)에 새롭게 차광부를 형성하도록 패턴을 수정하는 예에 대해 설명한다. 한편 본 실시예에서는, 1개의 패턴 형성 영역(A)에 대해 설명하되, 다른 패턴 형성 영역(A)에 대해서도 필요에 따라서 각각의 패턴을 수정한다.
도 38은 본 실시예에 있어서의 패턴 수정 방법의 일례를 도시하는 플로우챠트이다. 도 39는 본 실시예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 39에 도시하는 각 도면은, 제 1 차광막(11)에 의해 형성되는 원의 중심을 지나고, 투명 기판(2)의 표면에 대해 수직인 면으로 절단한 단면도이다. 도 38 및 도 39에 도시하는 바와 같이, 본 실시예에 있어서의 패턴 수정 방법에서는, 우선, 투명 기판(2) 상에 제 1 차광막(11)에 의해 제 1 패턴이 이미 형성된 포토마스크(10)를 준비한다(스텝 S101).
다음에, 포토마스크(10)에 있어서의 제 1 패턴이 형성된 면에, 에칭 스토퍼막(20)과, 상기 제 1 재료와 동일 금속계의 제 2 재료를 포함하는 제 2 차광막(21)(제 2 패턴 형성부)을 이 순서로 성막한다(스텝 S102, 성막 공정). 에칭 스토퍼막(20) 및 제 2 차광막(21)은, 예를 들면, 스퍼터링법, 증착법 등에 의해 성막된다. 제 1 재료는 제 1 금속 원소(예를 들면, Cr, Ni등) 및 제 1 비금속 원소로 이루어진 재료이고, 제 2 재료는 상기 제 1 금속 원소 및 상기 제 1 비금속 원소와는 상이한 제 2 비금속 원소로 이루어진 재료이다. 에칭 스토퍼막(20)은, 제 2 차광막(21)을 에칭하기 위한 용제에 의해 에칭되지 않는 재료로 구성된다. 에칭 스토퍼막(20)으로서 예를 들면, 티탄, 니켈, 몰리브덴 실리사이드 등을 사용할 수 있다.
그 후, 제 2 차광막(21)을 포함하는 포토마스크(10)의 전면에 포토레지스트막(22)을 형성한다(스텝 S103, 포토레지스트막 형성 공정). 바꿔 말해, 제 2 차광막(21)의 전면을 덮도록 포토마스크(10)의 표면에 포토레지스트막(22)을 형성한다. 포토레지스트막(22)은, 예를 들면, 도포법, 스프레이법 등에 의해 형성된다.
다음에, 포토레지스트막(22)에 대해서 묘화 장치로 묘화하고, 그 후에 현상함으로써 포토레지스트 패턴을 형성한다(스텝 S104, 패턴 형성 공정). 구체적으로는, 도 3에 도시하는 영역(D2) 및 영역(D3)에 대응하는 제 2 차광막(21)만이, 후술하는 제 1 제거 공정에서 제거되지 않도록 포토레지스트 패턴을 형성한다. 현상은, 패들법, 침지법, 스프레이법, 스핀법 등에 의해 행해진다.
본 실시예에 있어서의 스텝 S104에서는, 포토마스크(10)의 투명 기판(2) 상에 제 1 차광막(11)에 의한 제 1 패턴의 형성시에 동시에 형성되어 있는 얼라이먼트 마크(4)를 기준으로 해서 포토마스크(10)를 위치 결정한 후, 묘화 장치로 묘화를 실시한다. 바꿔 말해, 얼라이먼트 마크(4)를 기준으로 해서 포토레지스트막(22)에 대해서 묘화 장치로 묘화를 실시한다. 이에 따라, 새롭게 추가하는 패턴을 추가하는 위치를 고정밀도로 제어할 수 있다. 한편 추가 패턴의 형성 위치의 정밀도가 필요하지 않은 경우는, 얼라이먼트 마크(4)에 의한 포토마스크(10)의 위치 결정을 실시할 필요는 없다.
다음에, 스텝 S104에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 제 2 차광막(21)의 일부를 제거한다(스텝 S105, 제 1 제거 공정). 이것에 의해, 스텝 S102에서 성막한 제 2 차광막(21) 중에서, 도 3에 도시하는 영역(D2) 및 영역(D3)에 대응하는 제 2 차광막(21) 이외의 제 2 차광막(21)이 제거된다. 스텝 S104에서는, 제 2 차광막(21)을 에칭하는 용제로서 에칭 스토퍼막(20)을 용해하지 않는 용제를 이용함으로써 제 2 차광막(21)만이 에칭되어 제거된다.
다음에, 잔존하고 있는 포토레지스트막(22)을 제거한다(스텝 S106). 포토레지스트막(22)의 제거는, 예를 들면, 패들법, 애싱법, 또는 레지스트 박리액에의 침지에 의해 실시할 수 있다. 마지막으로, 스텝 S105에서 제거되지 않았던 제 2 차광막(21)을 마스크로 해서 에칭 스토퍼막(20)을 제거한다(스텝 S107, 에칭 스토퍼막 제거 공정). 이것에 의해, 포토마스크(10)에 원래 형성되어 있던 제 1 차광막(11)을 남긴 채로, 제 2 차광막(21)에 의해 새롭게 차광부가 추가된 포토마스크를 제작할 수 있다.
실시예 1과 마찬가지로, 본 실시예에서도, 도 6에 도시하는 바와 같이, 패턴 수정 후의 패턴 형성 영역(A)에 있어서, 도 3에 도시하는 영역(D2) 및 영역(D3)에 제 2 차광막(21)이 형성된다. 영역(D2)에 제 2 차광막(21)이 형성됨으로써, 패턴 수정 전에 제 1 차광막(11)에 의해 형성되어 있던 차광 영역의 면적을 넓게 할 수 있다. 바꿔 말해, 포토마스크(10)를 평면에서 바라봤을 때 제 1 차광막(11)에 의해 형성되어 있던 차광 영역의 폭을 넓게 할 수 있다. 또한, 영역(D3)에 제 2 차광막(21)이 형성됨으로써 차광 영역을 추가로 형성할 수 있다.
이상과 같이, 본 실시예에 있어서의 패턴 수정 방법에서는, 기존의 포토마스크(10)의 전면에 대해서, 에칭 스토퍼막(20)과, 제 1 차광막(11)을 구성하는 제 1 재료로 이루어진 제 2 차광막(21)을 제막하고, 제 2 차광막(21)을 포토리소그래픽법에 의해 패터닝한다. 해당 구성에 의해, 포토마스크(10)의 전면에 있어서 제 2 차광막(21)을 추가 패터닝할 수 있다. 즉, 본 실시예에서의 패턴 수정 방법은, 한 번에 대규모의 패턴 수정을 실시할 수 있다. 그 결과, 이미 패턴이 형성되어 있는 포토마스크의 패턴에 대해 단시간에 패턴 수정을 실시할 수 있다.
또한, 본 실시예에 있어서의 패턴 수정 방법에서는, 제 1 차광막(11)을 구성하는 재료인 상기 제 1 재료와 동일한 금속계의 재료로 구성되는 제 2 차광막(21)에 의해 차광 영역을 추가로 형성한다. 이것에 의해, 수정 후의 포토마스크(10)를 세정할 때에, 수정 전의 포토마스크(10)와 동일한 세정액을 이용할 수 있다. 제 1 차광막(11) 및 제 2 차광막(21)을 구성하는 재료(즉, 상기 제 1 재료 및 상기 제 2 재료)는, Cr계 금속 화합물, Si계 화합물, 금속 실리사이드 화합물 등의 공지의 재료로부터 선택할 수 있다. 예를 들면, 제 1 차광막(11) 및 제 2 차광막(21)을 구성하는 재료는, 금속 Cr, Cr산화물, Cr질화물, Cr탄화물, Cr산화 질화물, Cr질화 탄화물, Cr산화 탄화물, Cr산화 질화 탄화물 중 어느 한 종류 이상을 함유시킨 Cr계 금속 화합물로 할 수 있다.
더욱이, 본 실시예에 있어서의 패턴 수정 방법에서는, 특허 문헌 1의 기술과 같은 CVD를 이용했을 경우에 발생하는 막 박리가 발생할 우려가 없다. 또한, 특허 문헌 1의 기술과 같은 CVD를 이용했을 경우, 원하는 영역 이외에 레이저가 조사되어 원하는 영역 이외에도 차광부가 형성되어 버리기 때문에 해당 차광부를 정형하면서 제거할 필요가 있다. 이에 반해 본 실시예에서의 패턴 수정 방법에서는, 묘화 장치를 이용해 제 2 차광막(21)의 패터닝을 실시하기 때문에 고정밀도로 패턴을 추가할 수가 있어 불필요한 차광부의 제거를 실시할 필요가 없다.
본 실시예에 있어서의 패턴 수정 방법에 의해 수정된 포토마스크는, 투명 기판(2) 상에 제 1 차광막(11)에 의해 제 1 패턴이 이미 형성된 포토마스크에 대해서 새롭게 패턴을 추가한 포토마스크이며, (1) 상기 제 1 패턴과, (2) 투명 기판(2) 상에 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때 상기 제 1 패턴과 인접하도록 형성된 패턴으로서, 에칭 스토퍼막(20)과 제 2 차광막(21)에 의해 형성된 차광 영역의 패턴(제 2 패턴)과, (3) 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때 상기 제 1 패턴과 인접하지 않도록 형성된 패턴으로서, 에칭 스토퍼막(20)과 제 2 차광막(21)에 의해 형성된 패턴(제 2 패턴)을 가진다.
＜변형예 9＞
실시예 3에서는, 미리 제 1 차광막(11)에 의해 제 1 패턴이 이미 형성된 포토마스크에, 새롭게 제 2 차광막(21)에 의한 차광부를 형성하는 패턴 수정 방법에 대해 설명했으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 본 발명의 한 형태에서는, 제 1 패턴이 차광막 이외의 막에 의해 형성되어 있는 포토마스크를 대상으로 할 수 있다. 상세한 내용에 대하여, 도 7, 도 8, 도 40 및 도 41을 참조하면서 설명한다.
본 변형예에 있어서의 수정 대상이 되는 포토마스크(10)는, 도 7 및 도 8에 도시하는 탑형의 포토마스크이다. 도 40은, 본 변형예의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정한 후의 패턴 형성 영역(A)를 도시하는 도면이다. 도 41은, 도 40에 도시하는 B－B 화살표선에 따른 단면도이다.
본 변형예에 있어서의 포토마스크(10)의 패턴 수정 방법에 대해 설명한다. 우선, 포토마스크(10)에 있어서의 제 1 패턴이 형성된 면에, 에칭 스토퍼막(20)과, 반투과막(13)을 구성하는 재료(제 1 재료)와 동일 금속계의 제 2 재료를 포함하는 제 2 차광막(21)(제 2 패턴 형성부)을 이 순서로 성막한다(성막 공정).
그 후, 제 2 차광막(21)을 포함하는 포토마스크(10)의 전면에 포토레지스트막을 형성한다(포토레지스트막 형성 공정). 바꿔 말해, 제 2 차광막(21)의 전면을 덮도록 포토마스크(10)의 표면에 포토레지스트막을 형성한다.
다음에, 포토레지스트막에 대해서 묘화 장치로 묘화하고, 그 후에 현상함으로써 포토레지스트 패턴을 형성한다(패턴 형성 공정). 구체적으로는, 새롭게 차광 영역을 추가하고 싶은 영역에 대응하는 영역의 제 2 차광막(21)만이 후술하는 제 1 제거 공정에서 제거되지 않도록 포토레지스트 패턴을 형성한다.
그 다음에, 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 제 2 차광막(21)의 일부를 제거한다(제 1 제거 공정). 제 1 제거 공정에서는, 제 2 차광막(21)을 에칭하는 용제로서 에칭 스토퍼막(20)을 용해하지 않는 용제를 이용함으로써 제 2 차광막(21)만이 에칭되어 제거된다.
그런 다음, 잔존하고 있는 포토레지스트막을 제거한다. 마지막으로, 제 1 제거 공정에서 제거되지 않았던 제 2 차광막(21)을 마스크로 해서 에칭 스토퍼막(20)을 제거한다(에칭 스토퍼막 제거 공정). 이것에 의해, 도 40 및 도 41에 도시하는 바와 같이, 제 1 차광막(11) 및 반투과막(13)에 의해 포토마스크(10)에 원래 형성되어 있던 제 1 패턴을 남긴 채로, 제 2 차광막(21)에 의해 새롭게 차광 영역이 추가된 포토마스크를 제작할 수 있다.
도 42는 본 변형예의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정한 후의 패턴 형성 영역(A)의 다른 일례를 도시하는 도면이다. 도 42에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 한 형태에서는, 포토마스크(10)를 평면에서 바라봤을 때 제 2 차광막(21)의 일부가 제 1 패턴의 일부(보다 상세하게는, 제 1 패턴 중에서 제 1 차광막(11)이 형성되어 있는 영역의 일부)와 겹치도록 제 2 차광막(21)을 형성해도 무방하다. 이것에 의해, 포토마스크(10)에 있어서의 차광 영역의 형상을 변경할 수 있다.
도 43은 본 변형예의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정한 후의 패턴 형성 영역(A)의 또 다른 일례를 도시하는 도면이다. 도 43에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 한 형태에서는, 포토마스크(10)를 평면에서 바라봤을 때 제 1 차광막(11) 및 반투과막(13)에 의해 형성되어 있던 제 1 패턴의 전체 영역을 포함하도록 제 2 차광막(21)을 형성해도 좋다. 이것에 의해, 포토마스크(10)에 있어서의 차광 영역의 면적을 넓게 할 수 있다. 단, 이 경우, 수정 전의 포토마스크(10)가 가지고 있던 반투과 효과는 소실된다.
한편, 본 변형예에서는, 제 1 패턴 형성부로서의 제 1 차광막(11)과 반투과막(13)에 의해 패턴(제 1 패턴)이 형성되어 있는 포토마스크에 대해서 패턴을 수정하는 방법에 대해 설명했지만, 본 발명의 한 형태에서는, 제 1 차광막(11) 대신에 위상 시프트막을 이용한 포토마스크에 대해서도 마찬가지로 패턴 수정을 실시해도 괜찮다.
＜변형예 10＞
상기에서 설명한 각 패턴 수정 방법은, 제 1 패턴이 위상 시프트막에 의해 형성되어 있는 포토마스크에 대해서도 실시할 수 있다. 위상 시프트막은, 투과율이 1~15% 정도인 동시에 위상을 반전(또는 시프트)시키는 효과를 가지는 반투과막이며, 위상 시프트 효과에 의해 해상도가 향상된다. 단, 도 43에 도시하는 예와 같이, 포토마스크(10)를 평면에서 바라봤을 때 위상 시프트막에 의해 형성된 제 1 패턴의 전체 영역을 포함하도록 제 2 차광막(21)을 형성했을 경우에는, 수정 전의 포토마스크(10)가 가지고 있던 위상 시프트 효과는 소실된다.
한편, 제 1 패턴이 위상 시프트막에 의해 형성되어 있는 포토마스크(10)에 대해서 수정을 실시하는 경우에 있어서, 제 2 차광막(21) 대신에 위상 시프트막을 이용해 수정을 실시할 수도 있다. 이것에 의해, 위상 시프트 효과를 가지는 영역의 형상을 변경시킬 수 있다. 단, 도 43에 도시하는 예와 같이, 포토마스크(10)를 평면에서 바라봤을 때 위상 시프트막에 의해 형성된 제 1 패턴의 전체 영역을 포함하도록 위상 시프트막을 형성했을 경우에는, 포토마스크(10)를 평면에서 바라봤을 때 위상 시프트막이 중첩되는 영역에서는 위상 시프트 효과가 소실되고, 새롭게 형성한 위상 시프트막만 존재하는 영역에서만 위상 시프트 효과를 얻을 수 있는 포토마스크(즉, 엣지 강조형의 포토마스크)가 된다.
＜변형예 11＞
변형예 9에서는, 탑형의 하프톤 마스크의 패턴을 수정하는 방법에 대해 설명했지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 본 발명의 한 형태의 패턴 수정 방법은, 보텀형의 하프톤 마스크에 대해서도 적용할 수 있다. 상세한 내용에 대하여, 도 13, 도 14, 도 44 및 도 45를 참조하면서 설명한다.
본 변형예에 있어서의 패턴 수정의 대상이 되는 포토마스크(10)는, 도 13 및 도 14에 도시하는 보텀형의 하프톤 마스크이다. 도 44는 본 변형예의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정한 후의 패턴 형성 영역(A)를 도시하는 도면이다. 도 45는 도 44에 도시하는 E－E 화살표선에 따른 단면도이다.
본 변형예에 있어서의 포토마스크(10)의 패턴 수정 방법에 대해 설명한다. 우선, 포토마스크(10)에 있어서의 제 1 패턴이 형성된 면에, 에칭 스토퍼막(20)과, 제 1 차광막(11) 및 반투과막(13)을 구성하는 재료(제 1 재료)와 동일 금속계의 제 2 재료를 포함하는 제 2 차광막(21)(제 2 패턴 형성부)을 이 순서로 성막한다(성막 공정).
그 후, 제 2 차광막(21)을 포함하는 포토마스크(10)의 전면에 포토레지스트막을 형성한다(포토레지스트막 형성 공정). 바꿔 말해, 제 2 차광막(21)의 전면을 덮도록 포토마스크(10)의 표면에 포토레지스트막을 형성한다.
다음에, 포토레지스트막에 대해서 묘화 장치로 묘화하고, 그 후에 현상함으로써 포토레지스트 패턴을 형성한다(패턴 형성 공정). 구체적으로는, 새롭게 차광 영역을 추가하고 싶은 영역에 대응하는 영역의 제 2 차광막(21)만이 후술하는 제 1 제거 공정에서 제거되지 않도록 포토레지스트 패턴을 형성한다.
다음에, 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 제 2 차광막(21)의 일부를 제거한다(제 1 제거 공정). 제 1 제거 공정에서는, 제 2 차광막(21)을 에칭하는 용제로서 에칭 스토퍼막(20)을 용해하지 않는 용제를 이용함으로써 제 2 차광막(21)만이 에칭되어 제거된다.
다음에, 잔존하고 있는 포토레지스트막을 제거한다. 마지막으로, 제 1 제거 공정에서 제거되지 않았던 제 2 차광막(21)을 마스크로 해서 에칭 스토퍼막(20)을 제거한다(에칭 스토퍼막 제거 공정). 이것에 의해, 도 44 및 도 45에 도시하는 바와 같이, 제 1 차광막(11) 및 반투과막(13)에 의해 포토마스크(10)에 원래 형성되어 있던 제 1 패턴을 남긴 채로, 제 2 차광막(21)에 의해 새롭게 차광 영역이 추가된 포토마스크를 제작할 수 있다.
한편, 본 변형예에서는, 제 1 패턴 형성부로서의 제 1 차광막(11)과 반투과막(13)에 의해 패턴(제 1 패턴)이 형성되어 있는 포토마스크에 대해서 패턴을 수정하는 방법에 대해 설명했지만, 본 발명의 한 형태에서는, 제 1 차광막(11) 대신에 위상 시프트막을 이용한 포토마스크에 대해서도 이와 같이 패턴 수정을 실시해도 무방하다.
또한, 본 발명의 한 형태에서는, 제 1 차광막(11) 대신에 위상 시프트막을 이용한 포토마스크에 대해서 패턴 수정을 실시하는 경우에, 제 2 차광막(21) 대신에 노광광을 일부 투과하는 반투과막을 이용해도 괜찮다. 이 경우, 위상 시프트막의 투과율을 3~15%로 하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 한 형태에서는, 제 1 차광막(11) 대신에 반투과막을 이용한 포토마스크에 대해서, 제 2 차광막(21) 대신에 위상 시프트막을 이용해 패턴 수정을 실시해도 좋다. 이 경우, 반투과막은, 노광광에 대한 투과율이 10~70%이고, 위상 시프트각이 0.1˚~20˚인 것이 바람직하다.
다음에, 도 13 및 도 14에 도시하는 보텀형의 하프톤 마스크인 포토마스크(10)에 대해서 새롭게 차광 영역을 추가하는 동시에, 원래 제 1 차광막(11)에 의해 차광 영역으로 되어 있던 영역의 일부를 반투과 영역으로 변경하도록 수정하는 패턴 수정 방법에 대해 도 46 및 도 47을 참조하면서 설명한다. 도 46 및 도 47은 해당 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 46 및 도 47에 도시하는 각 도면은, 도 13에 도시하는 D－D 화살표선에 따른 단면도에 대응한다.
해당 패턴 수정 방법에서는, 도 46에 도시하는 바와 같이, 투명 기판(2) 상에 제 1 차광막(11)과 반투과막(13)과 에칭 스토퍼막(14)에 의해 패턴(제 1 패턴)이 형성된 포토마스크(10)를 준비한다(스텝 S111). 다음에, 포토마스크(10)에 있어서의 제 1 패턴이 형성된 면에, 에칭 스토퍼막(20)과, 상기 제 1 재료를 포함하는 제 2 차광막(21)(제 2 패턴 형성부)을 이 순서로 성막한다(스텝 S112, 성막 공정). 그 후, 제 2 차광막(21)을 포함하는 포토마스크(10)의 전면에 포토레지스트막(22)을 형성한다(스텝 S113, 포토레지스트막 형성 공정). 바꿔 말해, 제 2 차광막(21)의 전면을 덮도록 포토마스크(10)의 표면에 포토레지스트막(22)을 형성한다.
다음에, 포토레지스트막(22)에 대해서 묘화 장치로 묘화하고, 그 후에 현상함으로써 포토레지스트 패턴을 형성한다(스텝 S114, 패턴 형성 공정). 구체적으로는, 새롭게 차광 영역으로 변경하고 싶은 영역에 대응하는 제 2 차광막(21)만이, 후술하는 제 1 제거 공정에서 제거되지 않도록 포토레지스트 패턴을 형성한다.
다음에, 스텝 S114에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 제 2 차광막(21)의 일부를 제거한다(스텝 S115, 제 1 제거 공정). 스텝 S115에서는, 제 2 차광막(21)을 에칭하는 용제로서 에칭 스토퍼막(20)을 용해하지 않는 용제를 이용함으로써 제 2 차광막(21)만이 에칭되어 제거된다.
다음에, 도 47에 도시하는 바와 같이, 스텝 S114에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 에칭 스토퍼막(20)의 일부를 제거한다(스텝 S116). 그 다음, 스텝 S114에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 제 1 차광막(11)의 일부를 제거한다(스텝 S117). 그 후, 스텝 S114에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 에칭 스토퍼막(14)의 일부를 제거한다(스텝 S118). 마지막으로, 잔존하고 있는 포토레지스트막(22)을 제거한다(스텝 S119).
상기의 방법에 의해, 새롭게 제 2 차광막(21)에 의해 새롭게 차광 영역을 추가하는 동시에, 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때 원래 제 1 차광막(11)에 의해 차광 영역으로 되어 있던 영역의 일부에서 반투과막(13)을 노출시킴으로써 차광 영역의 일부를 반투과 영역으로 변경할 수 있다.
＜변형예 12＞
변형예 11에서는 동일 금속계의 재료로 구성되어 있는 반투과막(13) 및 제 1 차광막(11)과, 반투과막(13) 및 제 1 차광막(11)의 사이에 배치된 에칭 스토퍼막(14)에 의해 구성된 보텀형의 하프톤 마스크의 패턴을 수정하는 방법에 대해 설명했지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 본 발명의 한 형태의 패턴 수정 방법은, 다른 구성을 가지는 보텀형의 하프톤 마스크에 대해서도 적용할 수 있다. 상세한 내용에 대하여, 도 19, 도 20, 도 48 및 도 49를 참조하면서 설명한다.
본 변형예에 있어서의 패턴 수정의 대상이 되는 포토마스크(10)는, 도 19 및 도 20에 도시하는 보텀형의 하프톤 마스크이다. 도 48은 본 변형예의 패턴 수정 방법에 의해 패턴을 수정한 후의 패턴 형성 영역(A)를 도시하는 도면이다. 도 49는 도 48에 도시하는 G－G 화살표선에 따른 단면도이다.
본 변형예에 있어서의, 포토마스크(10)의 패턴 수정 방법에 대해 설명한다. 우선, 포토마스크(10)에 있어서의 제 1 패턴이 형성된 면에, 에칭 스토퍼막(20)과 제 2 차광막(21)(제 2 패턴 형성부)을 이 순서로 성막한다(성막 공정).
그 후, 제 2 차광막(21)을 포함하는 포토마스크(10)의 전면에 포토레지스트막을 형성한다(포토레지스트막 형성 공정). 바꿔 말해, 제 2 차광막(21)의 전면을 덮도록 포토마스크(10)의 표면에 포토레지스트막을 형성한다.
다음에, 포토레지스트막에 대해서 묘화 장치로 묘화하고, 그 후에 현상함으로써 포토레지스트 패턴을 형성한다(패턴 형성 공정). 구체적으로는, 새롭게 차광 영역을 추가하고 싶은 영역에 대응하는 영역의 제 2 차광막(21)만이 후술하는 제 1 제거 공정에서 제거되지 않도록 포토레지스트 패턴을 형성한다.
다음에, 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 제 2 차광막(21)의 일부를 제거한다(제 1 제거 공정). 제 1 제거 공정에서는, 제 2 차광막(21)을 에칭하는 용제로서 에칭 스토퍼막(20)을 용해하지 않는 용제를 이용함으로써 제 2 차광막(21)만이 에칭되어 제거된다.
그 다음, 잔존하고 있는 포토레지스트막을 제거한다. 마지막으로, 제 1 제거 공정에서 제거되지 않았던 제 2 차광막(21)을 마스크로 해서 에칭 스토퍼막(20)을 제거한다(에칭 스토퍼막 제거 공정). 이것에 의해, 도 48 및 도 49에 도시하는 바와 같이, 제 1 차광막(11) 및 반투과막(13)에 의해 포토마스크(10)에 원래 형성되어 있던 제 1 패턴을 남긴 채로, 제 2 차광막(21)에 의해 새롭게 차광 영역이 추가된 포토마스크를 제작할 수 있다.
＜변형예 13＞
본 변형예에서는, 실시예 3에서 설명한 차광 영역을 추가하는 수정을 실시하는 동시에, 원래 포토마스크에 형성되어 있던 차광 영역을 작게 하는 수정을 실시하는 패턴 수정 방법에 대해 설명한다. 도 50 및 도 51은 본 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 50 및 도 51에 도시하는 각 도면은, 도 23에 도시하는 H－H 화살표선에 따른 단면도에 대응한다. 본 변형예에 있어서의 수정 대상이 되는 포토마스크(10)는, 도 23에 도시하는, 패턴 형성 영역(A)에 제 1 차광막(11)에 의해 T자형의 제 1 패턴이 형성되어 있는 포토마스크(10)이다.
본 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법에서는, 도 50에 도시하는 바와 같이, 투명 기판(2) 상에 제 1 차광막(11)에 의해 패턴(제 1 패턴)이 형성된 포토마스크(10)를 준비한다(스텝 S121). 다음에, 포토마스크(10)에 있어서의 제 1 패턴이 형성된 면에, 에칭 스토퍼막(20)과, 상기 제 1 재료를 포함하는 제 2 차광막(21)(제 2 패턴 형성부)을 이 순서로 성막한다(스텝 S122, 성막 공정). 그 후, 제 2 차광막(21)을 포함하는 포토마스크(10)의 전면에 포토레지스트막(22)을 형성한다(스텝 S123, 포토레지스트막 형성 공정). 바꿔 말해, 제 2 차광막(21)의 전면을 덮도록 포토마스크(10)의 표면에 포토레지스트막(22)을 형성한다.
다음에, 포토레지스트막(22)에 대해서 묘화 장치로 묘화하고, 그 후에 현상함으로써 포토레지스트 패턴을 형성한다(스텝 S124, 패턴 형성 공정). 구체적으로는, 새롭게 차광 영역을 추가하고 싶은 영역과, 패턴 수정 후에 제 1 차광막(11)에 의한 차광 영역 중에서 패턴 수정 후에도 차광 영역으로서 남길 영역에 대응하는 포토레지스트막(22)만이 남도록 포토레지스트 패턴을 형성한다. 본 변형예에서는, 원래 제 1 차광막(11)에 의해 차광 영역으로 되어 있는 영역 중 투광 영역으로 변경하고 싶은 영역의 포토레지스트막(22)을 제거한다. 바꿔 말해, 포토마스크(10)를 평면에서 바라봤을 때, 적어도 제 1 차광막(11)과, 스텝 S122에서 형성된 에칭 스토퍼막(20) 및 제 2 차광막(21)과 겹치는 포토레지스트막(22)의 일부를 제거하도록 포토레지스트 패턴을 형성한다.
다음에, 스텝 S124에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 제 2 차광막(21)의 일부를 제거한다(스텝 S125, 제 1 제거 공정). 스텝 S125에서는, 제 2 차광막(21)을 에칭하는 용제로서 에칭 스토퍼막(20)을 용해하지 않는 용제를 이용함으로써 제 2 차광막(21)만이 에칭되어 제거된다.
다음에, 도 51에 도시하는 바와 같이, 스텝 S124에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 에칭 스토퍼막(20)의 일부를 제거한다(스텝 S126). 다음에, 스텝 S124에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 제 1 차광막(11)의 일부를 제거한다(스텝 S127, 제 2 제거 공정). 마지막으로, 잔존하고 있는 포토레지스트막(22)을 제거한다(스텝 S128).
도 52는 상기의 방법에 의해 수정한 후의 포토마스크의 평면도이다. 도 52에서는, 수정 전의 제 1 차광막(11)을 일점쇄선으로 도시하고 있다. 도 52에 도시하는 바와 같이, 상기의 방법에 의해 수정함으로써 새롭게 제 2 차광막(21)에 의해 새롭게 차광 영역을 추가하는 동시에, 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때 원래 제 1 차광막(11)에 의해 형성되어 있던 차광 영역을 작게 할 수 있다.
한편 본 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법은, 제 1 패턴이 위상 시프트막에 의해 구성되어 있는 경우에도 적용할 수 있다.
＜변형예 14＞
본 변형예에서는, 변형예 9에서 설명한 탑형의 포토마스크에 대해서, 차광 영역을 추가하는 수정을 실시하는 동시에, 원래 포토마스크에 형성되어 있던 제 1 패턴을 작게 하는 수정을 실시하는 패턴 수정 방법에 대해 도 53 및 도 54를 참조하면서 설명한다. 도 53 및 도 54는 본 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법에서는, 도 53에 도시하는 바와 같이, 우선, 투명 기판(2) 상에 제 1 차광막(11) 및 반투과막(13)에 의해 패턴(제 1 패턴)이 형성된 포토마스크(10)를 준비한다(스텝 S131). 다음에, 포토마스크(10)에 있어서의 제 1 패턴이 형성된 면에, 에칭 스토퍼막(20)과, 상기 제 1 재료를 포함하는 제 2 차광막(21)(제 2 패턴 형성부)을 이 순서로 성막한다(스텝 S132, 성막 공정). 그 후, 제 2 차광막(21)을 포함하는 포토마스크(10)의 전면에 포토레지스트막(22)을 형성한다(스텝 S133, 포토레지스트막 형성 공정). 바꿔 말해, 제 2 차광막(21)의 전면을 덮도록 포토마스크(10)의 표면에 포토레지스트막(22)을 형성한다.
다음에, 포토레지스트막(22)에 대해서 묘화 장치로 묘화하고, 그 후에 현상함으로써 포토레지스트 패턴을 형성한다(스텝 S134, 패턴 형성 공정). 구체적으로는, 새롭게 차광 영역을 추가하고 싶은 영역, 패턴 수정 후에 제 1 차광막(11)에 의한 차광 영역 중에서 패턴 수정 후에도 차광 영역으로서 남길 영역 및, 반투과막(13)에 의해 반투과 영역으로 되어 있던 영역 중에서 차광 영역으로 변경하고 싶은 영역에 대응하는 포토레지스트막(22)만이 남도록 포토레지스트 패턴을 형성한다. 본 변형예에서는, 원래 제 1 차광막(11) 또는 반투과막(13)에 의해 차광 영역 또는 반투과 영역으로 되어 있는 영역 중에서 투광 영역으로 변경하고 싶은 영역의 포토레지스트막(22)을 제거한다. 바꿔 말해, 포토마스크(10)를 평면에서 바라봤을 때, 적어도 제 1 차광막(11), 반투과막(13) 및, 스텝 S132에서 형성된 에칭 스토퍼막(20) 및 제 2 차광막(21)과 겹치는 포토레지스트막(22)의 일부를 제거하도록 포토레지스트 패턴을 형성한다.
다음에, 스텝 S134에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 제 2 차광막(21)의 일부를 제거한다(스텝 S135, 제 1 제거 공정). 스텝 S135에서는, 제 2 차광막(21)을 에칭하는 용제로서 에칭 스토퍼막(20)을 용해하지 않는 용제를 이용함으로써 제 2 차광막(21)만이 에칭되어 제거된다.
다음에, 도 54에 도시하는 바와 같이, 스텝 S134에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 에칭 스토퍼막(20)의 일부를 제거한다(스텝 S136). 다음에, 스텝 S134에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 반투과막(13)의 일부를 제거한다(스텝 S137, 제 2 제거 공정). 다음에, 스텝 S134에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 제 1 차광막(11)의 일부를 제거한다(스텝 S138, 제 3 제거 공정). 마지막으로, 잔존하고 있는 포토레지스트막(22)을 제거한다(스텝 S139).
상기의 방법에 의해, 새롭게 제 2 차광막(21)에 의해 새롭게 차광 영역을 추가할 수 있고, 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때 원래 제 1 차광막(11)에 의해 형성되어 있던 차광 영역을 작게 할 수 있으며, 더욱이 반투과막(13)에 의해 형성되어 있던 반투과 영역의 일부를 차광 영역으로 변경시킬 수 있다. 단, 본 변형예에서는, 수정 전의 포토마스크(10)가 가지고 있던 반투과 효과는 소실된다.
＜변형예 15＞
본 변형예에서는, 변형예 11에서 설명한 보텀형의 포토마스크에 대해서, 차광 영역을 추가하는 수정을 실시하는 동시에, 원래 포토마스크에 형성되어 있던 제 1 패턴을 작게 하는 수정을 실시하는 패턴 수정 방법에 대해 도 55 및 도 56을 참조하면서 설명한다. 도 55 및 도 56은 본 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법에서는, 도 55에 도시하는 바와 같이, 우선, 투명 기판(2) 상에 제 1 차광막(11), 반투과막(13) 및 에칭 스토퍼막(14)에 의해 패턴(제 1 패턴)이 형성된 포토마스크(10)를 준비한다(스텝 S141). 다음에, 포토마스크(10)에 있어서의 제 1 패턴이 형성된 면에, 에칭 스토퍼막(20)과, 상기 제 1 재료를 포함하는 제 2 차광막(21)(제 2 패턴 형성부)을 이 순서로 성막한다(스텝 S142, 성막 공정). 그 후, 제 2 차광막(21)을 포함하는 포토마스크(10)의 전면에 포토레지스트막(22)을 형성한다(스텝 S143, 포토레지스트막 형성 공정). 바꿔 말해, 제 2 차광막(21)의 전면을 덮도록 포토마스크(10)의 표면에 포토레지스트막(22)을 형성한다.
다음에, 포토레지스트막(22)에 대해서 묘화 장치로 묘화하고, 그 후에 현상함으로써 포토레지스트 패턴을 형성한다(스텝 S144, 패턴 형성 공정). 구체적으로는, 새롭게 차광 영역을 추가하고 싶은 영역, 패턴 수정 후에 제 1 차광막(11)에 의한 차광 영역 중에서 패턴 수정 후에도 차광 영역으로서 남길 영역 및, 반투과막(13)에 의해 반투과 영역으로 되어 있던 영역 중에서 차광 영역으로 변경하고 싶은 영역에 대응하는 포토레지스트막(22)만이 남도록 포토레지스트 패턴을 형성한다. 본 변형예에서는, 원래 제 1 차광막(11) 또는 반투과막(13)에 의해 차광 영역 또는 반투과 영역으로 되어 있는 영역 중에서 투광 영역으로 변경하고 싶은 영역의 포토레지스트막(22)을 제거한다. 바꿔 말해, 포토마스크(10)를 평면에서 바라봤을 때, 적어도 제 1 차광막(11), 반투과막(13) 및, 스텝 S142에서 형성된 에칭 스토퍼막(20) 및 제 2 차광막(21)과 겹치는 포토레지스트막(22)의 일부를 제거하도록 포토레지스트 패턴을 형성한다.
다음에, 스텝 S144에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 제 2 차광막(21)의 일부를 제거한다(스텝 S145, 제 1 제거 공정). 스텝 S145에서는, 제 2 차광막(21)을 에칭하는 용제로서 에칭 스토퍼막(20)을 용해하지 않는 용제를 이용함으로써 제 2 차광막(21)만이 에칭되어 제거된다.
다음에, 도 56에 도시하는 바와 같이, 스텝 S144에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 에칭 스토퍼막(20)의 일부를 제거한다(스텝 S146, 에칭 스토퍼막 제거 공정). 다음에, 스텝 S144에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 제 1 차광막(11)의 일부를 제거한다(스텝 S147, 제 2 제거 공정). 그런 다음, 스텝 S144에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 에칭 스토퍼막(14)의 일부를 제거한다(스텝 S148, 제 3 제거 공정). 그 후, 스텝 S144에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 반투과막(13)의 일부를 제거한다(스텝 S149, 제 4 제거 공정). 마지막으로, 잔존하고 있는 포토레지스트막(22)을 제거한다(스텝 S150).
상기의 방법에 의해, 새롭게 제 2 차광막(21)에 의해 새롭게 차광 영역을 추가할 수 있고, 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때 원래 제 1 차광막(11)에 의해 형성되어 있던 차광 영역을 작게 할 수 있으며, 더욱이 반투과막(13)에 의해 형성되어 있던 반투과 영역의 일부를 차광 영역으로 변경시킬 수 있다. 단, 본 변형예에서는, 수정 전의 포토마스크(10)가 가지고 있던 반투과 효과는 소실된다.
＜변형예 16＞
본 변형예에서는, 변형예 12에서 설명한 보텀형의 포토마스크에 대해서, 차광 영역을 추가하는 수정을 실시하는 동시에, 원래 포토마스크에 형성되어 있던 제 1 패턴을 작게 하는 수정을 실시하는 패턴 수정 방법에 대해 도 57 및 도 58을 참조하면서 설명한다. 도 57 및 도 58은 본 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 변형예에 있어서의 패턴 수정 방법에서는, 도 57에 도시하는 바와 같이, 투명 기판(2) 상에 제 1 차광막(11) 및 반투과막(13)에 의해 패턴(제 1 패턴)이 형성된 포토마스크(10)를 준비한다(스텝 S151). 다음에, 포토마스크(10)에 있어서의 제 1 패턴이 형성된 면에, 에칭 스토퍼막(20)과, 상기 제 1 재료를 포함하는 제 2 차광막(21)(제 2 패턴 형성부)을 이 순서로 성막한다(스텝 S152, 성막 공정). 그 후, 제 2 차광막(21)을 포함하는 포토마스크(10)의 전면에 포토레지스트막(22)을 형성한다(스텝 S153, 포토레지스트막 형성 공정). 바꿔 말해, 제 2 차광막(21)의 전면을 덮도록 포토마스크(10)의 표면에 포토레지스트막(22)을 형성한다.
다음에, 포토레지스트막(22)에 대해서 묘화 장치로 묘화하고, 그 후에 현상함으로써 포토레지스트 패턴을 형성한다(스텝 S154, 패턴 형성 공정). 구체적으로는, 새롭게 차광 영역을 추가하고 싶은 영역, 패턴 수정 후에 제 1 차광막(11)에 의한 차광 영역 중에서 패턴 수정 후에도 차광 영역으로서 남길 영역 및, 반투과막(13)에 의해 반투과 영역으로 되어 있던 영역 중에서 차광 영역으로 변경하고 싶은 영역에 대응하는 포토레지스트막(22)만이 남도록 포토레지스트 패턴을 형성한다. 본 변형예에서는, 원래 제 1 차광막(11) 또는 반투과막(13)에 의해 차광 영역 또는 반투과 영역으로 되어 있는 영역 중에서 투광 영역으로 변경하고 싶은 영역의 포토레지스트막(22)을 제거한다. 바꿔 말해, 포토마스크(10)를 평면에서 바라봤을 때, 적어도 제 1 차광막(11), 반투과막(13) 및, 스텝 S152에서 형성된 에칭 스토퍼막(20) 및 제 2 차광막(21)과 겹치는 포토레지스트막(22)의 일부를 제거하도록 포토레지스트 패턴을 형성한다.
그 다음에, 스텝 S154에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 제 2 차광막(21)의 일부를 제거한다(스텝 S155, 제 1 제거 공정). 스텝 S155에서는, 제 2 차광막(21)을 에칭하는 용제로서 에칭 스토퍼막(20)을 용해하지 않는 용제를 이용함으로써 제 2 차광막(21)만이 에칭되어 제거된다.
다음에, 도 58에 도시하는 바와 같이, 스텝 S154에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 에칭 스토퍼막(20)의 일부를 제거한다(스텝 S156, 에칭 스토퍼막 제거 공정). 그 다음에, 스텝 S154에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 제 1 차광막(11)의 일부를 제거한다(스텝 S157, 제 2 제거 공정). 그 후, 스텝 S154에서 형성한 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 반투과막(13)의 일부를 제거한다(스텝 S158, 제 3 제거 공정). 마지막으로, 잔존하고 있는 포토레지스트막(22)을 제거한다(스텝 S159).
상기의 방법에 의해, 새롭게 제 2 차광막(21)에 의해 새롭게 차광 영역을 추가할 수 있고, 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때 원래 제 1 차광막(11)에 의해 형성되어 있던 차광 영역을 작게 할 수 있으며, 더욱이 반투과막(13)에 의해 형성되어 있던 반투과 영역의 일부를 차광 영역으로 변경시킬 수 있다. 단, 본 변형예에서는, 수정 전의 포토마스크(10)가 가지고 있던 반투과 효과는 소실된다.
본 발명은 상술한 각 실시예에 한정되지 않으며, 청구항에 나타낸 범위에서 다양한 변경이 가능하고, 다른 실시예에 각각 개시된 기술적 수단을 적절히 조합해서 얻어지는 실시예에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
2: 투명 기판
4: 얼라이먼트 마크
10, 30: 포토마스크
11: 제 1 차광막(제 1 패턴 형성부)
13: 반투과막(제 1 패턴 형성부)
20: 에칭 스토퍼막
21: 제 2 차광막(제 2 패턴 형성부)
22: 포토레지스트막
4: 얼라이먼트 마크
10, 30: 포토마스크
11: 제 1 차광막(제 1 패턴 형성부)
13: 반투과막(제 1 패턴 형성부)
20: 에칭 스토퍼막
21: 제 2 차광막(제 2 패턴 형성부)
22: 포토레지스트막
Claims (27)
- 투명 기판 상에 제 1 재료를 포함하는 제 1 패턴 형성부에 의해 패턴이 이미 형성된 포토마스크에 대해서 새롭게 패턴을 수정하는 패턴 수정 방법에 있어서,
상기 포토마스크의 상기 패턴이 형성된 면에, 제 2 패턴 형성부를 성막하는 성막 공정과,
상기 제 2 패턴 형성부의 전면을 덮도록 상기 포토마스크의 표면에 포토레지스트막을 형성하는 포토레지스트막 형성 공정과,
상기 포토레지스트막에 대해서 묘화 장치로 묘화해서 포토레지스트 패턴을 형성하는 패턴 형성 공정과,
상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 제 2 패턴 형성부의 일부를 제거하는 제 1 제거 공정을 포함하는 패턴 수정 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 성막 공정에 있어서, 상기 포토마스크의 상기 패턴이 형성된 면에, 상기 제 1 재료와는 상이한 제 2 재료를 포함하는 상기 제 2 패턴 형성부를 성막하고,
상기 제 1 제거 공정에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하고, 상기 제 1 재료를 용해하지 않고 상기 제 2 재료를 용해하는 에칭액을 이용하여, 상기 제 2 패턴 형성부의 일부를 제거하는 패턴 수정 방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 패턴 형성부는 차광성을 가지는 제 1 차광막이고,
상기 제 2 패턴 형성부는 차광성을 가지는 제 2 차광막이며,
상기 패턴 형성 공정에서는, 상기 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때, 적어도 상기 제 1 차광막과 겹치는 상기 포토레지스트막의 일부를 제거하도록 상기 포토레지스트 패턴을 형성하고,
상기 제 1 제거 공정 후에, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 제 1 차광막의 일부를 제거하는 제 2 제거 공정을 추가로 포함하는 패턴 수정 방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 패턴 형성부는, 반투과막과, 상기 반투과막과 상기 투명 기판의 사이의 영역의 일부의 영역에 배치된 차광성을 가지는 제 1 차광막 또는 위상 시프트막을 포함하고,
상기 제 2 패턴 형성부는, 차광성을 가지는 제 2 차광막이며,
상기 패턴 형성 공정에서는, 상기 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때, 적어도 상기 제 1 차광막 또는 상기 위상 시프트막과 겹치는 상기 포토레지스트막의 일부를 제거하도록 상기 포토레지스트 패턴을 형성하고,
상기 제 1 제거 공정 후에,
상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 반투과막의 일부를 제거하는 제 2 제거 공정과,
상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 제 1 차광막 또는 상기 위상 시프트막의 일부를 제거하는 제 3 제거 공정을 더 포함하는 패턴 수정 방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 패턴 형성부는, 위상 시프트막을 포함하고,
상기 제 2 패턴 형성부는, 위상 시프트막 또는 차광성을 가지는 제 2 차광막을 포함하며,
상기 패턴 형성 공정에서는, 상기 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때, 적어도 상기 위상 시프트막과 겹치는 상기 포토레지스트막의 일부를 제거하도록 상기 포토레지스트 패턴을 형성하고,
상기 제 1 제거 공정 후에, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 위상 시프트막의 일부를 제거하는제 2 제거 공정을 더 포함하는 패턴 수정 방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 패턴 형성부는, 투명 기판 상에 형성된 반투과막 또는 위상 시프트막과, 상기 반투과막 또는 상기 위상 시프트막의 상기 투명 기판 측과는 반대쪽 표면의 일부의 영역에 에칭 스토퍼막을 개재하여 적층된 차광성을 가지는 제 1 차광막을 포함하고,
상기 제 2 패턴 형성부는, 차광성을 가지는 제 2 차광막을 포함하는 패턴 수정 방법. - 제 6 항에 있어서,
상기 패턴 형성 공정에서는, 상기 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때, 적어도 상기 제 1 차광막과 겹치는 상기 포토레지스트막의 일부를 제거하도록 상기 포토레지스트 패턴을 형성하고,
상기 제 1 제거 공정 후에,
상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 제 1 차광막의 일부를 제거하는 제 2 제거 공정과,
상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 에칭 스토퍼막의 일부를 제거하는 제 3 제거 공정과,
상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 반투과막 또는 상기 위상 시프트막의 일부를 제거하는 제 4 제거 공정을 더 포함하는 패턴 수정 방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 패턴 형성부는,
상기 제 1 재료 및 상기 제 2 재료와는 상이한 제 3 재료를 포함하고, 상기 투명 기판 상에 형성된 반투과막 또는 위상 시프트막과,
상기 반투과막 또는 상기 위상 시프트막의 상기 투명 기판 측과는 반대쪽 표면의 일부의 영역에 적층된 차광성을 가지는 제 1 차광막를 포함하며,
상기 제 2 패턴 형성부는, 차광성을 가지는 제 2 차광막이며,
상기 패턴 형성 공정에서는, 상기 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때, 적어도 상기 제 1 차광막과 겹치는 상기 포토레지스트막의 일부를 제거하도록 상기 포토레지스트 패턴을 형성하고,
상기 제 1 제거 공정 후에,
상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 제 1 차광막의 일부를 제거하는 제 2 제거 공정과,
상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 반투과막 또는 상기 위상 시프트막의 일부를 제거하는 제 3 제거 공정을 더 포함하는 패턴 수정 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 성막 공정에 있어서, 상기 포토마스크의 상기 패턴이 형성된 면에, 에칭 스토퍼막과, 상기 제 1 재료와 동일 금속계의 제 2 재료를 포함하는 상기 제 2 패턴 형성부를 이 순서로 성막하고,
상기 제 1 제거 공정에서 제거되지 않았던 상기 제 2 패턴 형성부, 또는 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 에칭 스토퍼막을 제거하는 에칭 스토퍼막 제거 공정을 더 포함하는 패턴 수정 방법. - 제 9 항에 있어서,
상기 제 1 재료 및 상기 제 2 재료는, Cr계 금속 화합물, Si계 화합물, 또는 금속 실리사이드 화합물인 패턴 수정 방법. - 제 2 항, 제 3 항, 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 패턴 형성 공정에 있어서, 상기 투명 기판 상에 상기 제 1 패턴 형성부에 의한 패턴 형성시에 동시에 형성되어 있는 얼라이먼트 마크를 기준으로 해서 상기 포토레지스트막에 대해 상기 묘화 장치로 묘화를 실시하는 패턴 수정 방법. - 제 2 항, 제 3 항, 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때, 상기 제 1 제거 공정에서 제거되지 않았던 상기 제 2 패턴 형성부의 일부가 상기 제 1 패턴 형성부에 인접하도록 상기 패턴 형성 공정에서 상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 패턴 수정 방법. - 제 2 항, 제 3 항, 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때, 상기 제 1 제거 공정에서 제거되지 않았던 상기 제 2 패턴 형성부의 일부가 상기 제 1 패턴 형성부에 인접하지 않도록 상기 패턴 형성 공정에서 상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 패턴 수정 방법. - 제 2 항, 제 3 항, 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 패턴 형성부는 차광성을 가지는 제 1 차광막이고,
상기 제 2 패턴 형성부는 차광성을 가지는 제 2 차광막인 패턴 수정 방법. - 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 패턴 형성부는 차광성을 가지는 제 1 차광막이고,
상기 제 2 패턴 형성부는 차광성을 가지는 제 2 차광막이며,
상기 패턴 형성 공정에서는, 상기 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때, 적어도 상기 제 1 차광막과 겹치는 상기 포토레지스트막의 일부를 제거하도록 상기 포토레지스트 패턴을 형성하고,
상기 제 1 제거 공정은, 상기 패턴 형성 공정과 상기 에칭 스토퍼막 제거 공정의 사이에서 이루어지고,
상기 에칭 스토퍼막 제거 공정에서는, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 에칭 스토퍼막을 제거하며,
상기 에칭 스토퍼막 제거 공정 후에, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 제 1 차광막의 일부를 제거하는 제 2 제거 공정을 더 포함하는 패턴 수정 방법. - 제 2 항, 제 3 항, 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 패턴 형성부는, 반투과막과, 상기 반투과막과 상기 투명 기판의 사이의 영역의 일부의 영역에 배치된 차광성을 가지는 제 1 차광막 또는 위상 시프트막을 포함하며,
상기 제 2 패턴 형성부는, 차광성을 가지는 제 2 차광막인 패턴 수정 방법. - 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 패턴 형성부는, 반투과막과, 상기 반투과막과 상기 투명 기판의 사이의 영역의 일부의 영역에 배치된 차광성을 가지는 제 1 차광막 또는 위상 시프트막을 포함하며,
상기 제 2 패턴 형성부는, 차광성을 가지는 제 2 차광막이며,
상기 패턴 형성 공정에서는, 상기 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때, 적어도 상기 제 1 차광막 또는 상기 위상 시프트막과 겹치는 상기 포토레지스트막의 일부를 제거하도록 상기 포토레지스트 패턴을 형성하고,
상기 제 1 제거 공정은, 상기 패턴 형성 공정과 상기 에칭 스토퍼막 제거 공정의 사이에서 이루어지며,
상기 에칭 스토퍼막 제거 공정에서는, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 에칭 스토퍼막을 제거하고,
상기 에칭 스토퍼막 제거 공정 후에,
상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 반투과막의 일부를 제거하는 제 2 제거 공정과,
상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 제 1 차광막 또는 상기 위상 시프트막의 일부를 제거하는 제 3 제거 공정을 더 포함하는 패턴 수정 방법. - 제 2 항, 제 3 항, 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 패턴 형성부는, 위상 시프트막을 포함하고,
상기 제 2 패턴 형성부는, 위상 시프트막 또는 차광성을 가지는 제 2 차광막을 포함하는 패턴 수정 방법. - 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 패턴 형성부는, 위상 시프트막을 포함하고,
상기 제 2 패턴 형성부는, 위상 시프트막 또는 차광성을 가지는 제 2 차광막을 포함하며,
상기 패턴 형성 공정에서는, 상기 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때, 적어도 상기 위상 시프트막과 겹치는 상기 포토레지스트막의 일부를 제거하도록 상기 포토레지스트 패턴을 형성하고,
상기 제 1 제거 공정은, 상기 패턴 형성 공정과 상기 에칭 스토퍼막 제거 공정의 사이에서 이루어지며,
상기 에칭 스토퍼막 제거 공정에서는, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 에칭 스토퍼막을 제거하고,
상기 에칭 스토퍼막 제거 공정 후에, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 위상 시프트막의 일부를 제거하는 제 2 제거 공정을 더 포함하는 패턴 수정 방법. - 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 패턴 형성부는, 투명 기판 상에 형성된 반투과막 또는 위상 시프트막과, 상기 반투과막 또는 상기 위상 시프트막의 상기 투명 기판 측과는 반대쪽 표면의 일부의 영역에 제 2 에칭 스토퍼막을 개재하여 적층된 차광성을 가지는 제 1 차광막을 포함하며,
상기 제 2 패턴 형성부는, 차광성을 가지는 제 2 차광막을 포함하는 패턴 수정 방법. - 제 20 항에 있어서,
상기 패턴 형성 공정에서는, 상기 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때, 적어도 상기 제 1 차광막과 겹치는 상기 포토레지스트막의 일부를 제거하도록 상기 포토레지스트 패턴을 형성하고,
상기 제 1 제거 공정은, 상기 패턴 형성 공정과 상기 에칭 스토퍼막 제거 공정의 사이에서 이루어지며,
상기 에칭 스토퍼막 제거 공정에서는, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 에칭 스토퍼막을 제거하고,
상기 에칭 스토퍼막 제거 공정 후에,
상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 제 1 차광막의 일부를 제거하는 제 2 제거 공정과,
상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 제 2 에칭 스토퍼막의 일부를 제거하는 제 3 제거 공정과,
상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 반투과막 또는 상기 위상 시프트막의 일부를 제거하는 제 4 제거 공정을 더 포함하는 패턴 수정 방법. - 제 2 항, 제 3 항, 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 패턴 형성부는,
상기 제 1 재료 및 상기 제 2 재료와는 상이한 제 3 재료를 포함하고, 상기 투명 기판 상에 형성된 반투과막 또는 위상 시프트막과,
상기 반투과막 또는 상기 위상 시프트막의 상기 투명 기판 측과는 반대쪽 표면의 일부의 영역에 적층된 차광성을 가지는 제 1 차광막을 포함하며,
상기 제 2 패턴 형성부는 차광성을 가지는 제 2 차광막인 패턴 수정 방법. - 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 패턴 형성부는,
상기 제 1 재료 및 상기 제 2 재료와는 상이한 제 3 재료를 포함하고, 상기 투명 기판 상에 형성된 반투과막 또는 위상 시프트막과,
상기 반투과막 또는 상기 위상 시프트막의 상기 투명 기판 측과는 반대쪽 표면의 일부의 영역에 적층된 차광성을 가지는 제 1 차광막을 포함하고,
상기 제 2 패턴 형성부는 차광성을 가지는 제 2 차광막이며,
상기 패턴 형성 공정에서는, 상기 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때, 적어도 상기 제 1 차광막과 겹치는 상기 포토레지스트막의 일부를 제거하도록 상기 포토레지스트 패턴을 형성하고,
상기 제 1 제거 공정은, 상기 패턴 형성 공정과 상기 에칭 스토퍼막 제거 공정의 사이에서 이루어지며,
상기 에칭 스토퍼막 제거 공정에서는, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 에칭 스토퍼막을 제거하고,
상기 에칭 스토퍼막 제거 공정 후에,
상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 제 1 차광막의 일부를 제거하는 제 2 제거 공정과,
상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 반투과막 또는 상기 위상 시프트막의 일부를 제거하는 제 3 제거 공정을 더 포함하는 패턴 수정 방법. - 투명 기판 상에 제 1 재료를 포함하는 제 1 패턴 형성부에 의해 제 1 패턴이 이미 형성된 포토마스크에 대해서 새롭게 패턴을 추가한 포토마스크에 있어서,
상기 제 1 패턴과,
상기 투명 기판 상에, 상기 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때 상기 제 1 패턴과 인접하도록 형성된 패턴으로서, 상기 제 1 재료와는 상이한 제 2 재료를 포함하는 제 2 패턴 형성부에 의해 형성된 제 2 패턴을 가지는 포토마스크. - 투명 기판 상에 제 1 재료를 포함하는 제 1 패턴 형성부에 의해 제 1 패턴이 이미 형성된 포토마스크에 대해서 새롭게 패턴을 추가한 포토마스크에 있어서,
상기 제 1 패턴과,
상기 투명 기판 상에, 상기 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때 상기 제 1 패턴과 인접하지 않도록 형성된 패턴으로서, 상기 제 1 재료와는 상이한 제 2 재료를 포함하는 제 2 패턴 형성부에 의해 형성된 제 2 패턴을 가지는 포토마스크. - 투명 기판 상에 제 1 재료를 포함하는 제 1 패턴 형성부에 의해 제 1 패턴이 이미 형성된 포토마스크에 대해서 새롭게 패턴을 추가한 포토마스크에 있어서,
상기 제 1 패턴과,
상기 투명 기판 상에, 상기 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때 상기 제 1 패턴과 인접하도록 형성된 패턴으로서, 에칭 스토퍼막과, 상기 제 1 재료와 동일 금속계의 제 2 재료를 포함하는 제 2 패턴 형성부에 의해 형성된 제 2 패턴을 가지는 포토마스크. - 투명 기판 상에 제 1 재료를 포함하는 제 1 패턴 형성부에 의해 제 1 패턴이 이미 형성된 포토마스크에 대해서 새롭게 패턴을 추가한 포토마스크에 있어서,
상기 제 1 패턴과,
상기 투명 기판 상에, 상기 포토마스크를 평면에서 바라봤을 때 상기 제 1 패턴과 인접하지 않도록 형성된 패턴으로서, 에칭 스토퍼막과, 상기 제 1 재료와 동일 금속계의 제 2 재료를 포함하는 제 2 패턴 형성부에 의해 형성된 제 2 패턴을 가지는 포토마스크.
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