JPH0675362A - 位相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法 - Google Patents
位相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法Info
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- JPH0675362A JPH0675362A JP23015092A JP23015092A JPH0675362A JP H0675362 A JPH0675362 A JP H0675362A JP 23015092 A JP23015092 A JP 23015092A JP 23015092 A JP23015092 A JP 23015092A JP H0675362 A JPH0675362 A JP H0675362A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、位相シフトマスクのピンホール
欠陥の修正方法において、異物やパターン欠陥の発生を
生じさせることなく容易にピンホール欠陥部を修正する
ことを可能とした位相シフトマスクのピンホール欠陥修
正方法を提供する。 【構成】 シフタ膜３に生じたピンホール４の修正にお
いて、このピンホール４が生じたシフタ膜３を一旦除去
し、再び新たなシフタ膜を形成することなく、ピンホー
ル４内部にシフタ膜３と略同一の屈折率を有する欠陥修
正剤５（ＳＯＧ膜，ＰＭＭＡ膜）を充填している。これ
により、ピンホール欠陥修正を容易に実施することが可
能となる。
欠陥の修正方法において、異物やパターン欠陥の発生を
生じさせることなく容易にピンホール欠陥部を修正する
ことを可能とした位相シフトマスクのピンホール欠陥修
正方法を提供する。 【構成】 シフタ膜３に生じたピンホール４の修正にお
いて、このピンホール４が生じたシフタ膜３を一旦除去
し、再び新たなシフタ膜を形成することなく、ピンホー
ル４内部にシフタ膜３と略同一の屈折率を有する欠陥修
正剤５（ＳＯＧ膜，ＰＭＭＡ膜）を充填している。これ
により、ピンホール欠陥修正を容易に実施することが可
能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＬＳＩの製造に用い
られる位相シフトマスクに関し、特に、位相シフトマス
クのピンホール欠陥修正方法に関するものである。
られる位相シフトマスクに関し、特に、位相シフトマス
クのピンホール欠陥修正方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化に伴って、
微細パターンを形成できる位相シフト法を用いた位相シ
フトマスクが開発されている。この位相シフトマスク作
成プロセスにおいては、たとえば、スピンコート法によ
りシフタ膜を形成する場合、シフタ材の粘度が低いとき
に、基板の表面状態が部分的に悪くその部分においてシ
フタ部材がはじかれてしまう場合や、蒸着法によりシフ
タ膜を形成するときも、マスク基板の表面状態が部分的
に悪く、その部分に蒸着されない場合等にピンホール欠
陥が生じていた。
微細パターンを形成できる位相シフト法を用いた位相シ
フトマスクが開発されている。この位相シフトマスク作
成プロセスにおいては、たとえば、スピンコート法によ
りシフタ膜を形成する場合、シフタ材の粘度が低いとき
に、基板の表面状態が部分的に悪くその部分においてシ
フタ部材がはじかれてしまう場合や、蒸着法によりシフ
タ膜を形成するときも、マスク基板の表面状態が部分的
に悪く、その部分に蒸着されない場合等にピンホール欠
陥が生じていた。
【０００３】ピンホール欠陥を有する位相シフトマスク
を用いて、露光を行なった場合図１８に示すようにシフ
タ膜３とピンホール４の境界面において光強度が０とな
り未露光部分５０を生じさせてしまう。このピンホール
欠陥が生じた位相シフトマスクのピンホール欠陥修正方
法としては、以下の方法が用いられている。
を用いて、露光を行なった場合図１８に示すようにシフ
タ膜３とピンホール４の境界面において光強度が０とな
り未露光部分５０を生じさせてしまう。このピンホール
欠陥が生じた位相シフトマスクのピンホール欠陥修正方
法としては、以下の方法が用いられている。
【０００４】図１９ないし図２５を参照して、従来の位
相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法について説明
する。図１９ないし図２４は位相シフトマスクのピンホ
ール欠陥修正方法を示すプロセスフロー断面図である。
相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法について説明
する。図１９ないし図２４は位相シフトマスクのピンホ
ール欠陥修正方法を示すプロセスフロー断面図である。
【０００５】まず、図１９を参照して、石英基板１上に
マスクブランクスとしてクロム膜２が形成され、このク
ロム膜２上に所定形状のシフタ膜３が形成されており、
このシフタ膜３には、ピンホール欠陥４が生じている。
マスクブランクスとしてクロム膜２が形成され、このク
ロム膜２上に所定形状のシフタ膜３が形成されており、
このシフタ膜３には、ピンホール欠陥４が生じている。
【０００６】次に、図２０を参照して、石英基板１上前
面にポジ型のレジスト膜１０を形成する。その後、図２
１を参照して、シフタ膜３の上部のポジ型レジスト膜１
０を露光し現像により除去する。
面にポジ型のレジスト膜１０を形成する。その後、図２
１を参照して、シフタ膜３の上部のポジ型レジスト膜１
０を露光し現像により除去する。
【０００７】次に、図２２を参照して、シフタ膜３を、
上記ポジ型レジスト膜１０をマスクとして、選択的にエ
ッチングし除去する。
上記ポジ型レジスト膜１０をマスクとして、選択的にエ
ッチングし除去する。
【０００８】次に、図２３を参照して、真空蒸着法によ
り、石英基板１の前面にＳｉＯ2 膜１１を形成する。
り、石英基板１の前面にＳｉＯ2 膜１１を形成する。
【０００９】次に、図２４を参照して、ウェットエッチ
ングによりレジスト膜１０を除去する。このとき、レジ
スト膜１０上のＳｉＯ2 膜１１も同時に除去されるが、
ＳｉＯ2 膜１１はウェットエッチング剤には溶けないた
め、クロム膜２上のＳｉＯ2膜１１はそのままとなり
（リフトオフ工程）、新たなシフタ膜１１を形成する。
ングによりレジスト膜１０を除去する。このとき、レジ
スト膜１０上のＳｉＯ2 膜１１も同時に除去されるが、
ＳｉＯ2 膜１１はウェットエッチング剤には溶けないた
め、クロム膜２上のＳｉＯ2膜１１はそのままとなり
（リフトオフ工程）、新たなシフタ膜１１を形成する。
【００１０】以上により、ピンホール欠陥４を有するシ
フタ膜３を除去し、新たなシフタ膜１１を形成すること
により、位相シフトマスクのピンホール欠陥修正が完了
する。
フタ膜３を除去し、新たなシフタ膜１１を形成すること
により、位相シフトマスクのピンホール欠陥修正が完了
する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
位相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法において
は、以下に示す問題点を有している。
位相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法において
は、以下に示す問題点を有している。
【００１２】上記従来の修正方法によれば、ピンホール
欠陥を有するシフタ膜を一旦除去した後、再び新たなシ
フタ膜を形成している。このために、再びシフタ膜とし
て、真空蒸着法によりＳｉＯ2 膜を堆積する場合におい
て、再びピンホール欠陥がシフタ膜に生ずる場合があ
る。また、図２２に示すリフトオフ工程により、ＳｉＯ
2 膜の上のレジスト膜が異物として基板上に残存した
り、シフタ膜のパターン欠陥が発生しやすいといった問
題点を有している。
欠陥を有するシフタ膜を一旦除去した後、再び新たなシ
フタ膜を形成している。このために、再びシフタ膜とし
て、真空蒸着法によりＳｉＯ2 膜を堆積する場合におい
て、再びピンホール欠陥がシフタ膜に生ずる場合があ
る。また、図２２に示すリフトオフ工程により、ＳｉＯ
2 膜の上のレジスト膜が異物として基板上に残存した
り、シフタ膜のパターン欠陥が発生しやすいといった問
題点を有している。
【００１３】この発明は、上記問題点を解決するために
なされたもので、位相シフトマスクのピンホール欠陥修
正において、異物やパターン欠陥の発生を生じさせず
に、容易にピンホール欠陥を修正することを可能とし
た、位相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法を提供
することを目的とする。
なされたもので、位相シフトマスクのピンホール欠陥修
正において、異物やパターン欠陥の発生を生じさせず
に、容易にピンホール欠陥を修正することを可能とし
た、位相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法を提供
することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この発明に基づいた位相
シフトマスクのピンホール欠陥修正方法においては、以
下の工程を備えている。
シフトマスクのピンホール欠陥修正方法においては、以
下の工程を備えている。
【００１５】まず、上記基板の上全面および前記ピンホ
ール欠陥の内部に上記シフタ膜と略同一の屈折率を有す
る欠陥修正剤が堆積される。次に、上記欠陥修正剤の表
面であって、かつ上記シフタ膜の真上の領域にレジスト
膜が形成される。その後、このレジスト膜をマスクとし
て、上記欠陥修正剤のパターニングが行なわれる。次
に、上記レジスト膜と上記シフタ膜上面の欠陥修正剤と
が除去される。
ール欠陥の内部に上記シフタ膜と略同一の屈折率を有す
る欠陥修正剤が堆積される。次に、上記欠陥修正剤の表
面であって、かつ上記シフタ膜の真上の領域にレジスト
膜が形成される。その後、このレジスト膜をマスクとし
て、上記欠陥修正剤のパターニングが行なわれる。次
に、上記レジスト膜と上記シフタ膜上面の欠陥修正剤と
が除去される。
【００１６】
【作用】この発明に基づいた位相シフトマスクのピンホ
ール欠陥修正方法によれば、ピンホール欠陥部に欠陥修
正剤を充填することにより、ピンホール欠陥部の修正を
行なっている。このために、従来のようにピンホール欠
陥を有するシフタ膜を除去する工程、新たなシフタ膜を
形成する工程が不要となり、真空蒸着工程やリフトオフ
工程が不要となる。よって、異物やパターン欠陥の発生
のないピンホール欠陥修正が可能となる。
ール欠陥修正方法によれば、ピンホール欠陥部に欠陥修
正剤を充填することにより、ピンホール欠陥部の修正を
行なっている。このために、従来のようにピンホール欠
陥を有するシフタ膜を除去する工程、新たなシフタ膜を
形成する工程が不要となり、真空蒸着工程やリフトオフ
工程が不要となる。よって、異物やパターン欠陥の発生
のないピンホール欠陥修正が可能となる。
【００１７】
【実施例】以下、この発明に基づいた位相シフトマスク
のピンホール欠陥修正方法の第１の実施例について図面
を参照して説明する。
のピンホール欠陥修正方法の第１の実施例について図面
を参照して説明する。
【００１８】まず、図１は第１の実施例によりピンホー
ル欠陥が修正された位相シフトマスクの断面図を示す。
ル欠陥が修正された位相シフトマスクの断面図を示す。
【００１９】同図を参照して、石英基板１上に、マスク
ブランクスとしてクロム膜２が約１００ｎｍ形成されて
いる。このクロム膜２の上にシフタ膜３が所定の位置に
形成されている。またこのシフタ膜３に生じたピンホー
ル欠陥４の内部には、欠陥修正剤５が充填されている。
この実施例においては、欠陥修正剤として、ＳＯＧ剤が
用いられている。
ブランクスとしてクロム膜２が約１００ｎｍ形成されて
いる。このクロム膜２の上にシフタ膜３が所定の位置に
形成されている。またこのシフタ膜３に生じたピンホー
ル欠陥４の内部には、欠陥修正剤５が充填されている。
この実施例においては、欠陥修正剤として、ＳＯＧ剤が
用いられている。
【００２０】このように、ピンホール欠陥４内部に、Ｓ
ＯＧ剤を充填した場合、シフタ膜３の屈折率とＳＯＧ剤
の屈折率は等しいため、十分位相シフトマスクとして機
能させることが可能である。
ＯＧ剤を充填した場合、シフタ膜３の屈折率とＳＯＧ剤
の屈折率は等しいため、十分位相シフトマスクとして機
能させることが可能である。
【００２１】次に、上記ピンホール欠陥４の修正方法に
ついて、図２ないし図８を参照して説明する。
ついて、図２ないし図８を参照して説明する。
【００２２】図２ないし図８は、図１の位相シフトマス
クの断面に従ったピンホール欠陥修正方法を示すプロセ
スフロー断面図である。
クの断面に従ったピンホール欠陥修正方法を示すプロセ
スフロー断面図である。
【００２３】まず、図２を参照して、石英基板１上に、
マスクブランクスとしてクロム膜２が形成され、このク
ロム膜２上に所定形状の位相シフトマスク３が形成され
ており、このシフタ膜３にはピンホール欠陥４が生じて
いる。
マスクブランクスとしてクロム膜２が形成され、このク
ロム膜２上に所定形状の位相シフトマスク３が形成され
ており、このシフタ膜３にはピンホール欠陥４が生じて
いる。
【００２４】次に、図３を参照して、石英基板１の表面
全面に、シフタ膜３内に発生したピンホール欠陥４内部
にまで充填されるようにシリコン系ポリマ剤やフッ素系
ポリマ剤からなるＳＯＧ膜５をスピンコートにより塗布
する。このとき、ＳＯＧ膜５のベーク処理は行なわな
い。
全面に、シフタ膜３内に発生したピンホール欠陥４内部
にまで充填されるようにシリコン系ポリマ剤やフッ素系
ポリマ剤からなるＳＯＧ膜５をスピンコートにより塗布
する。このとき、ＳＯＧ膜５のベーク処理は行なわな
い。
【００２５】次に、図４を参照して、ＳＯＧ膜５上にネ
ガ型レジスト膜６を塗布する。その後、図５を参照し
て、ネガ型レジスト膜６を所定形状にパターニングを行
ない、シフタ膜３の真上の領域にネガ型レジスト膜６を
形成する。
ガ型レジスト膜６を塗布する。その後、図５を参照し
て、ネガ型レジスト膜６を所定形状にパターニングを行
ない、シフタ膜３の真上の領域にネガ型レジスト膜６を
形成する。
【００２６】次に、図６を参照して、ＳＯＧ膜５は、上
記のようにベーク処理を行なっていないために、有機溶
剤により溶解可能である。よって、ネガ型レジスト膜６
をマクスとして、ＳＯＧ膜５を有機溶剤により所定形状
にパターニングを行なう。
記のようにベーク処理を行なっていないために、有機溶
剤により溶解可能である。よって、ネガ型レジスト膜６
をマクスとして、ＳＯＧ膜５を有機溶剤により所定形状
にパターニングを行なう。
【００２７】次に、図７を参照して、レジスト膜６を除
去する。その後、図８を参照して、シフタ膜３上に残る
ＳＯＧ膜５を再び有機溶剤たとえばエチルアルコールな
どにより除去した後、ピンホール４内に残ったＳＯＧ膜
５のベーク処理を行なう。これにより、位相シフトマス
クのピンホール欠陥の修正が完了する。
去する。その後、図８を参照して、シフタ膜３上に残る
ＳＯＧ膜５を再び有機溶剤たとえばエチルアルコールな
どにより除去した後、ピンホール４内に残ったＳＯＧ膜
５のベーク処理を行なう。これにより、位相シフトマス
クのピンホール欠陥の修正が完了する。
【００２８】以上この発明に基づいた位相シフトマスク
のピンホール欠陥修正方法の第１の実施例においは、ピ
ンホール欠陥部にシリコン系ポリマ剤やフッ素系ポリマ
剤からなる欠陥修正材を充填することにより、ピンホー
ル欠陥部の修正を行なっている。このために、従来のよ
うにピンホール欠陥を有するシフタ膜を除去する工程
や、新たなシフタ膜を形成する工程が不要となり、真空
蒸着工程やリフトオフ工程が不要となる。
のピンホール欠陥修正方法の第１の実施例においは、ピ
ンホール欠陥部にシリコン系ポリマ剤やフッ素系ポリマ
剤からなる欠陥修正材を充填することにより、ピンホー
ル欠陥部の修正を行なっている。このために、従来のよ
うにピンホール欠陥を有するシフタ膜を除去する工程
や、新たなシフタ膜を形成する工程が不要となり、真空
蒸着工程やリフトオフ工程が不要となる。
【００２９】次に、この発明に基づいた位相シフトマス
クのピンホール欠陥修正方法の第２の実施例について、
図面を参照して説明する。
クのピンホール欠陥修正方法の第２の実施例について、
図面を参照して説明する。
【００３０】まず、図９は、第２の実施例によりピンホ
ール欠陥が修正された位相シフトマスクの断面図であ
る。
ール欠陥が修正された位相シフトマスクの断面図であ
る。
【００３１】同図を参照して、石英基板１上に、マスク
ブランクスとしてクロム膜２が約１００ｎｍ形成されて
いる。このクロム膜２の上にシフタ膜３が形成されてい
る。このシフタ膜３に生じたピンホール欠陥４の内部に
は、欠陥修正剤５が充填されている。この実施例におい
ては欠陥修正剤として、ポリメタクリル酸メチル（以下
ＰＭＭＡと称す）剤が用いられている。
ブランクスとしてクロム膜２が約１００ｎｍ形成されて
いる。このクロム膜２の上にシフタ膜３が形成されてい
る。このシフタ膜３に生じたピンホール欠陥４の内部に
は、欠陥修正剤５が充填されている。この実施例におい
ては欠陥修正剤として、ポリメタクリル酸メチル（以下
ＰＭＭＡと称す）剤が用いられている。
【００３２】このように、ピンホール欠陥４内に、ＰＭ
ＭＡ剤を充填した場合、シフタ膜３とＰＭＭＡ剤の屈折
率は等しいため、十分シフタ膜として機能させることが
可能である。
ＭＡ剤を充填した場合、シフタ膜３とＰＭＭＡ剤の屈折
率は等しいため、十分シフタ膜として機能させることが
可能である。
【００３３】次に、上記ピンホール欠陥４の修正方法に
ついて、図１０ないし図１７を参照して説明する。図１
０ないし図１７は、図９の位相シフトマスクの断面に従
ったピンホール欠陥修正方法を示すプロセスフロー断面
図である。
ついて、図１０ないし図１７を参照して説明する。図１
０ないし図１７は、図９の位相シフトマスクの断面に従
ったピンホール欠陥修正方法を示すプロセスフロー断面
図である。
【００３４】まず、図１０を参照して、石英基板１上に
マスクブランクスとしてクロム膜２が形成され、このク
ロム膜２上に所定形状の位相シフトマスク３が形成され
ており、このシフタ膜３には、ピンホール欠陥４が生じ
ている。
マスクブランクスとしてクロム膜２が形成され、このク
ロム膜２上に所定形状の位相シフトマスク３が形成され
ており、このシフタ膜３には、ピンホール欠陥４が生じ
ている。
【００３５】次に、図１０を参照して、石英基板１表面
前面にかつ、ピンホール欠陥４内部にも充填するよう
に、ＰＭＭＡ膜７をスピンコートにより堆積し、ベーク
処理を施す。
前面にかつ、ピンホール欠陥４内部にも充填するよう
に、ＰＭＭＡ膜７をスピンコートにより堆積し、ベーク
処理を施す。
【００３６】次に、図１２を参照して、ＰＭＭＡ膜７上
前面に、ネガ型レジスト膜６を塗布する。その後、図１
３を参照して、レジスト膜６を所定形状にパターニング
を行ない、シフタ膜３の真上の領域にのみネガ型レジス
ト膜６を残す。
前面に、ネガ型レジスト膜６を塗布する。その後、図１
３を参照して、レジスト膜６を所定形状にパターニング
を行ない、シフタ膜３の真上の領域にのみネガ型レジス
ト膜６を残す。
【００３７】次に、図１４を参照して、ネガ型レジスト
膜６をマスクとして、ディープＵＶ光を用いて露光を行
ない、ＰＭＭＡ露光部９を形成する。その後、図１５を
参照して、ＰＭＡ露光部９を有機溶剤等により現像し除
去する。
膜６をマスクとして、ディープＵＶ光を用いて露光を行
ない、ＰＭＭＡ露光部９を形成する。その後、図１５を
参照して、ＰＭＡ露光部９を有機溶剤等により現像し除
去する。
【００３８】次に、図１６を参照してネガ型レジスト膜
６を除去する。その後、図１７を参照して、シフタ膜３
上にあるＰＭＭＡ膜７をＯ2 プラズマにより除去する。
これにより、位相シフトマスクのピンホール欠陥修正が
完了する。
６を除去する。その後、図１７を参照して、シフタ膜３
上にあるＰＭＭＡ膜７をＯ2 プラズマにより除去する。
これにより、位相シフトマスクのピンホール欠陥修正が
完了する。
【００３９】以上この発明に基づいた位相シフトマスク
のピンホール欠陥修正方法の第２の実施例においては、
ピンホール欠陥部にＰＭＭＡ剤からなる欠陥修正剤を充
填することにより、ピンホール欠陥部の修正を行なって
いる。これにより、従来のようにピンホール欠陥を有す
るシフタ膜を除去する工程や、シフタ膜を形成する工程
が不要となり、製造工程の容易化を図ることが可能とな
る。
のピンホール欠陥修正方法の第２の実施例においては、
ピンホール欠陥部にＰＭＭＡ剤からなる欠陥修正剤を充
填することにより、ピンホール欠陥部の修正を行なって
いる。これにより、従来のようにピンホール欠陥を有す
るシフタ膜を除去する工程や、シフタ膜を形成する工程
が不要となり、製造工程の容易化を図ることが可能とな
る。
【００４０】
【発明の効果】この発明に基づいた位相シフトマスクの
ピンホール欠陥修正方法によれば、ピンホール欠陥部に
欠陥修正剤を充填する工程を用いることにより、ピンホ
ール欠陥部の修正を行なっている。このため、従来のよ
うにピンホール欠陥を有するシフタ膜を除去する工程、
さらに新たなシフタ膜を形成する工程が不要となる。こ
れにより真空蒸着工程や、リフトオフ工程が不要となる
ために、異物やパターン欠陥の発生のないピンホール欠
陥修正が可能となり，容易にピンホール欠陥を修正する
ことが可能となる。
ピンホール欠陥修正方法によれば、ピンホール欠陥部に
欠陥修正剤を充填する工程を用いることにより、ピンホ
ール欠陥部の修正を行なっている。このため、従来のよ
うにピンホール欠陥を有するシフタ膜を除去する工程、
さらに新たなシフタ膜を形成する工程が不要となる。こ
れにより真空蒸着工程や、リフトオフ工程が不要となる
ために、異物やパターン欠陥の発生のないピンホール欠
陥修正が可能となり，容易にピンホール欠陥を修正する
ことが可能となる。
【図１】この発明に基づいた第１の実施例における位相
シフトマスクのピンホール欠陥修正方法のピンホール欠
陥修正を施した位相シフトマスクの断面図である。
シフトマスクのピンホール欠陥修正方法のピンホール欠
陥修正を施した位相シフトマスクの断面図である。
【図２】この発明に基づいた第１の実施例における位相
シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第１工程を示
す断面図である。
シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第１工程を示
す断面図である。
【図３】この発明に基づいた第１の実施例における位相
シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第２工程を示
す断面図である。
シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第２工程を示
す断面図である。
【図４】この発明に基づいた第１の実施例における位相
シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第３工程を示
す断面図である。
シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第３工程を示
す断面図である。
【図５】この発明に基づいた第１の実施例における位相
シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第４工程を示
す断面図である。
シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第４工程を示
す断面図である。
【図６】この発明に基づいた第１の実施例における位相
シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第５工程を示
す断面図である。
シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第５工程を示
す断面図である。
【図７】この発明に基づいた第１の実施例における位相
シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第６工程を示
す断面図である。
シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第６工程を示
す断面図である。
【図８】この発明に基づいた第１の実施例における位相
シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第７工程を示
す断面図である。
シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第７工程を示
す断面図である。
【図９】この発明に基づいた第２の実施例における位相
シフトマスクのピンホール欠陥修正方法のピンホール欠
陥修正を施した位相シフトマスクの断面図である。
シフトマスクのピンホール欠陥修正方法のピンホール欠
陥修正を施した位相シフトマスクの断面図である。
【図１０】この発明に基づいた第２の実施例における位
相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第１工程を
示す断面図である。
相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第１工程を
示す断面図である。
【図１１】この発明に基づいた第２の実施例における位
相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第２工程を
示す断面図である。
相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第２工程を
示す断面図である。
【図１２】この発明に基づいた第２の実施例における位
相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第３工程を
示す断面図である。
相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第３工程を
示す断面図である。
【図１３】この発明に基づいた第２の実施例における位
相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第４工程を
示す断面図である。
相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第４工程を
示す断面図である。
【図１４】この発明に基づいた第２の実施例における位
相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第５工程を
示す断面図である。
相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第５工程を
示す断面図である。
【図１５】この発明に基づいた第２の実施例における位
相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第６工程を
示す断面図である。
相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第６工程を
示す断面図である。
【図１６】この発明に基づいた第２の実施例における位
相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第７工程を
示す断面図である。
相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第７工程を
示す断面図である。
【図１７】この発明に基づいた第２の実施例における位
相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第８工程を
示す断面図である。
相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法の第８工程を
示す断面図である。
【図１８】ピンホール欠陥を有する位相シフトマスクを
用いた場合の露光の状態を示す模式図である。
用いた場合の露光の状態を示す模式図である。
【図１９】従来技術に基づいた位相シフトマスクのピン
ホール欠陥修正方法の第１工程を示す断面図である。
ホール欠陥修正方法の第１工程を示す断面図である。
【図２０】従来技術に基づいた位相シフトマスクのピン
ホール欠陥修正方法の第２工程を示す断面図である。
ホール欠陥修正方法の第２工程を示す断面図である。
【図２１】従来技術に基づいた位相シフトマスクのピン
ホール欠陥修正方法の第３工程を示す断面図である。
ホール欠陥修正方法の第３工程を示す断面図である。
【図２２】従来技術に基づいた位相シフトマスクのピン
ホール欠陥修正方法の第４工程を示す断面図である。
ホール欠陥修正方法の第４工程を示す断面図である。
【図２３】従来技術に基づいた位相シフトマスクのピン
ホール欠陥修正方法の第５工程を示す断面図である。
ホール欠陥修正方法の第５工程を示す断面図である。
【図２４】従来技術に基づいた位相シフトマスクのピン
ホール欠陥修正方法の第６工程を示す断面図である。
ホール欠陥修正方法の第６工程を示す断面図である。
１ 石英基板 ２ クロム膜 ３ シフタ膜 ４ ピンホール ５ 欠陥修正剤（ＳＯＧ，ＰＭＭＡ） なお、図中同一符号は、同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板の上に所定パターンのシフタ膜が形
成され、前記シフタ膜にピンホール欠陥を有する位相シ
フトマスクのピンホール欠陥修正方法であって、 前記基板の上全面および前記ピンホール欠陥の内部に前
記シフタ膜と略同一の屈折率を有する欠陥修正剤を堆積
する工程と、 堆積された前記欠陥修正剤の表面であって、かつ前記シ
フタ膜の真上の領域にレジスト膜を形成する工程と、 このレジスト膜をマスクとして、前記欠陥修正剤のパタ
ーニングを行なう工程と、 前記レジスト膜と前記シフタ膜上面の欠陥修正剤とを除
去する工程と、を備えた位相シフトマスクのピンホール
欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23015092A JPH0675362A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 位相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23015092A JPH0675362A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 位相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0675362A true JPH0675362A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=16903380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23015092A Withdrawn JPH0675362A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 位相シフトマスクのピンホール欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0675362A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100956082B1 (ko) * | 2006-04-20 | 2010-05-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 포토마스크의 리페어 방법 |
| CN102096334A (zh) * | 2010-12-22 | 2011-06-15 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种基于移相原理提高分辨率的超衍射成像器件及其制作方法 |
| JP2023023183A (ja) * | 2021-08-04 | 2023-02-16 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | パターン修正方法およびフォトマスク |
| JP2023023184A (ja) * | 2021-08-04 | 2023-02-16 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | パターン修正方法およびフォトマスク |
| TWI833314B (zh) * | 2021-08-04 | 2024-02-21 | 日商Ｓｋ電子股份有限公司 | 圖案校正方法及光掩模 |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP23015092A patent/JPH0675362A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100956082B1 (ko) * | 2006-04-20 | 2010-05-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 포토마스크의 리페어 방법 |
| CN102096334A (zh) * | 2010-12-22 | 2011-06-15 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种基于移相原理提高分辨率的超衍射成像器件及其制作方法 |
| JP2023023183A (ja) * | 2021-08-04 | 2023-02-16 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | パターン修正方法およびフォトマスク |
| JP2023023184A (ja) * | 2021-08-04 | 2023-02-16 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | パターン修正方法およびフォトマスク |
| TWI833314B (zh) * | 2021-08-04 | 2024-02-21 | 日商Ｓｋ電子股份有限公司 | 圖案校正方法及光掩模 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991102 |