JP2023023183A - パターン修正方法およびフォトマスク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の一態様のパターン修正方法は、第1材料を含む第1遮光膜(11)によってパターンが既に形成されたフォトマスク(10)に対して新たにパターンを修正するパターン修正方法であって、上記第1材料とは異なる第2材料を含む第2遮光膜(21)を成膜する成膜工程と、第2遮光膜(21)の全面を覆うようにフォトレジスト膜(22)を形成するフォトレジスト膜形成工程と、フォトレジストパターンを形成するパターン形成工程と、上記フォトレジストパターンをマスクとし、上記第1材料を溶解せず上記第2材料を溶解するエッチング液を用いて、第2遮光膜(21)の一部を除去する遮光膜除去工程と、を含む。
【選択図】図5
Description
パターン形成領域Aには、図2に示すように、透明基板2上に光が透過しない(すなわち、遮光性を有する)材料(以下では、第1材料と呼称する)を含む第1遮光膜11(第1パターン形成部)によってパターン(以降では、第1パターンとも称する)が形成されている。第1遮光膜11は、光学濃度OD値は2.7以上が適しており、例えば、クロム膜を用いることができる。なお、露光時の迷光の発生を防ぐために、第1遮光膜11の両面には、反射防止膜が積層されて形成されていてもよい。
パターン形成領域Aにおいて、第1遮光膜11が形成されていない領域は、光を透過する透光部12となっている。本実施形態では、1つのパターン形成領域Aに円形の第1遮光膜11が形成されている例について説明する。フォトマスク10には、図1に示すように、透明基板2の四隅に、フォトマスク10に第1遮光膜11をパターニングする際にフォトマスク10の位置決めの基準として設けられたアライメントマーク4が形成されている。
その後、第2遮光膜21を含むフォトマスク10の全面にフォトレジスト膜22を形成する(ステップS3、フォトレジスト膜形成工程)。換言すれば、第2遮光膜21の全面を覆うようにフォトマスク10の表面にフォトレジスト膜22を形成する。フォトレジスト膜22は、例えば、塗布法、スプレイ法などにより形成される。第2材料は、所定のエッチング液に対する溶解性が第1材料とは異なる材料である。本明細書では、所定のエッチング液に対する溶解性が異なる材料を、選択エッチング性を有する材料と呼称する。例えば、第1遮光膜11がCr膜からなる場合、第2遮光膜21としてCr膜と選択エッチング性を有する、Ni膜、Ti膜、MoSi膜などを用いることができる。
実施形態1では、予め第1遮光膜11によって第1パターンが既に形成されたフォトマスクに、新たに第2遮光膜21による遮光部を形成するパターン修正方法について説明したが、本発明はこれに限られない。本発明の一態様では、第1パターンが遮光膜以外の膜によって形成されているフォトマスクを対象とすることができる。詳細について、図7~10を参照しながら説明する。
なお、本変形例では、第1パターン形成部としての、第1遮光膜11と、半透過膜13とによってパターン(第1パターン)が形成されているフォトマスクに対してパターンを修正する方法について説明したが、本発明の一態様では、第1遮光膜11に代えて位相シフト膜を用いたフォトマスクに対しても同様にパターン修正を行ってもよい。
上記で説明した各パターン修正方法は、第1パターンが位相シフト膜によって形成されているフォトマスクに対しても行うことができる。位相シフト膜は、透過率が1~15%程度であり、かつ、位相を反転(またはシフト)させる効果を持つ半透過膜であり、位相シフト効果により解像度が向上する。ただし、図12に示す例のように、フォトマスク10を平面視した場合に位相シフト膜によって形成された第1パターンの全領域を含むように第2遮光膜21を形成した場合は、修正前のフォトマスク10が有していた位相シフト効果は消失する。
変形例1では、トップ型のハーフトーンマスクのパターンを修正する方法について説明したが、本発明はこれに限られない。本発明の一態様のパターン修正方法は、ボトム型のハーフトーンマスクに対しても適用することができる。詳細について、図13~16を参照しながら説明する。
また、本発明の一態様では、第1遮光膜11に代えて位相シフト膜を用いたフォトマスクに対してパターン修正を行う場合に、第2遮光膜21に代えて露光光を一部透過する半透過膜を用いてもよい。この場合、位相シフト膜の透過率を3~15%とすることが好ましい。また、本発明の一態様では、第1遮光膜11に代えて半透過膜を用いたフォトマスクに対して、第2遮光膜21に代えて位相シフト膜を用いてパターン修正を行ってもよい。この場合、半透過膜は、露光光に対する透過率が10~70%であり、位相シフト角が0.1°~20°であることが好ましい。
変形例3では、同一金属系の材料にて構成されている、半透過膜13および第1遮光膜11と、半透過膜13および第1遮光膜11との間に配置されたエッチングストッパー膜14とにより構成されたボトム型のハーフトーンマスクのパターンを修正する方法について説明したが、本発明はこれに限られない。本発明の一態様のパターン修正方法は、他の構成を有するボトム型のハーフトーンマスクに対しても適用することができる。詳細について、図19~22を参照しながら説明する。
本変形例では、実施形態1において説明した遮光領域を追加する修正行うとともに、もともとフォトマスクに形成されていた遮光領域を小さくする修正を行うパターン修正方法について説明する。図23は、本変形例におけるパターン修正の対象となるフォトマスク10における1つのパターン形成領域Aを拡大した図である。図24および図25は、本変形例におけるパターン修正方法を説明するための図である。図24および図25に示す各図は、図23に示すH-H線矢視断面図に対応する。
本変形例では、変形例1において説明したトップ型のフォトマスクに対して、遮光領域を追加する修正行うとともに、もともとフォトマスクに形成されていた第1パターンを小さくする修正を行うパターン修正方法について、図27および図28を参照しながら説明する。図27および図28は、本変形例におけるパターン修正方法を説明するための図である。
本変形例では、変形例3において説明したボトム型のフォトマスクに対して、遮光領域を追加する修正行うとともに、もともとフォトマスクに形成されていた第1パターンを小さくする修正を行うパターン修正方法について、図29および図30を参照しながら説明する。
本変形例では、変形例4において説明したボトム型のフォトマスクに対して、遮光領域を追加する修正行うとともに、もともとフォトマスクに形成されていた第1パターンを小さくする修正を行うパターン修正方法について、図31および図32を参照しながら説明する。
本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
上述の各実施形態では、ポジ型のフォトレジスト膜を用いてパターンの修正を行う態様について説明したが本発明はこれに限られない。本発明の一態様では、ネガ型のフォトレジスト膜を用いてパターンの修正を行ってもよい。
4 アライメントマーク
10 フォトマスク
11 第1遮光膜(第1パターン形成部)
13 半透過膜(第1パターン形成部)
14 エッチングストッパー膜
21 第2遮光膜(第2パターン形成部)
22 フォトレジスト膜
Claims (16)
- 透明基板上に第1材料を含む第1パターン形成部によってパターンが既に形成されたフォトマスクに対して新たにパターンを修正するパターン修正方法であって、
前記フォトマスクの前記パターンが形成された面に、前記第1材料とは異なる第2材料を含む第2パターン形成部を成膜する成膜工程と、
前記第2パターン形成部の全面を覆うように前記フォトマスクの表面にフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程と、
前記フォトレジスト膜に対して描画装置で描画してフォトレジストパターンを形成するパターン形成工程と、
前記フォトレジストパターンをマスクとし、前記第1材料を溶解せず前記第2材料を溶解するエッチング液を用いて、前記第2パターン形成部の一部を除去する第1除去工程と、を含む、パターン修正方法。 - 前記パターン形成工程において、前記透明基板上に前記第1パターン形成部によるパターン形成時に同時に形成されているアライメントマークを基準として前記フォトレジスト膜に対して前記描画装置で描画を行う、請求項1に記載のパターン修正方法。
- 前記フォトマスクを平面視した場合に、前記第1除去工程において除去されなかった前記第2パターン形成部の一部が前記第1パターン形成部に隣接するように、前記パターン形成工程において前記フォトレジストパターンを形成する、請求項1または2に記載のパターン修正方法。
- 前記フォトマスクを平面視した場合に、前記第1除去工程において除去されなかった前記第2パターン形成部の一部が前記第1パターン形成部に隣接しないように、前記パターン形成工程において前記フォトレジストパターンを形成する、請求項1または2に記載のパターン修正方法。
- 前記第1パターン形成部は、遮光性を有する第1遮光膜であり、
前記第2パターン形成部は、遮光性を有する第2遮光膜である、請求項1から4のいずれか1項に記載のパターン修正方法。 - 前記パターン形成工程では、前記フォトマスクを平面視した場合に、少なくとも前記第1遮光膜と重なる前記フォトレジスト膜の一部を除去するように前記フォトレジストパターンを形成し、
前記第1除去工程の後に、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第1遮光膜の一部を除去する第2除去工程をさらに含む、請求項5に記載のパターン修正方法。 - 前記第1パターン形成部は、半透過膜と、前記半透過膜と前記透明基板との間の領域の一部の領域に配置された、遮光性を有する第1遮光膜、または位相シフト膜とを含み、
前記第2パターン形成部は、遮光性を有する第2遮光膜である、請求項1から4のいずれか1項に記載のパターン修正方法。 - 前記パターン形成工程では、前記フォトマスクを平面視した場合に、少なくとも前記第1遮光膜または前記位相シフト膜と重なる前記フォトレジスト膜の一部を除去するように前記フォトレジストパターンを形成し、
前記第1除去工程の後に、
前記フォトレジストパターンをマスクとして前記半透過膜の一部を除去する第2除去工程と、
前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第1遮光膜または前記位相シフト膜の一部を除去する第3除去工程と、をさらに含む、請求項7に記載のパターン修正方法。 - 前記第1パターン形成部は、位相シフト膜を含み、
前記第2パターン形成部は、位相シフト膜、または、遮光性を有する第2遮光膜を含む、請求項1から4のいずれか1項に記載のパターン修正方法。 - 前記パターン形成工程では、前記フォトマスクを平面視した場合に、少なくとも前記位相シフト膜と重なる前記フォトレジスト膜の一部を除去するように前記フォトレジストパターンを形成し、
前記第1除去工程の後に、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記位相シフト膜の一部を除去する第2除去工程をさらに含む、請求項9に記載のパターン修正方法。 - 前記第1パターン形成部は、透明基板上に形成された半透過膜または位相シフト膜と、前記半透過膜または前記位相シフト膜の前記透明基板側とは反対側の表面の一部の領域にエッチングストッパー膜を介して積層された遮光性を有する第1遮光膜とを含み、
前記第2パターン形成部は、遮光性を有する第2遮光膜を含む、請求項1から4のいずれか1項に記載のパターン修正方法。 - 前記パターン形成工程では、前記フォトマスクを平面視した場合に、少なくとも前記第1遮光膜と重なる前記フォトレジスト膜の一部を除去するように前記フォトレジストパターンを形成し、
前記第1除去工程の後に、
前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第1遮光膜の一部を除去する第2除去工程と、
前記フォトレジストパターンをマスクとして前記エッチングストッパー膜の一部を除去する第3除去工程と、
前記フォトレジストパターンをマスクとして前記半透過膜または前記位相シフト膜の一部を除去する第4除去工程と、をさらに含む、請求項11に記載のパターン修正方法。 - 前記第1パターン形成部は、
前記第1材料および前記第2材料とは異なる第3材料を含み、前記透明基板上に形成された、半透過膜または位相シフト膜と、
前記半透過膜または前記位相シフト膜の前記透明基板側とは反対側の表面の一部の領域に積層された、遮光性を有する第1遮光膜と、を含み、
前記第2パターン形成部は、遮光性を有する第2遮光膜である、請求項1から4のいずれか1項に記載のパターン修正方法。 - 前記パターン形成工程では、前記フォトマスクを平面視した場合に、少なくとも前記第1遮光膜と重なる前記フォトレジスト膜の一部を除去するように前記フォトレジストパターンを形成し、
前記第1除去工程の後に、
前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第1遮光膜の一部を除去する第2除去工程と、
前記フォトレジストパターンをマスクとして前記半透過膜または前記位相シフト膜の一部を除去する第3除去工程と、をさらに含む、請求項13に記載のパターン修正方法。 - 透明基板上に第1材料を含む第1パターン形成部によって第1パターンが既に形成されたフォトマスクに対して新たにパターンを追加したフォトマスクであって、
前記第1パターンと、
前記透明基板上に、前記フォトマスクを平面視した場合に前記第1パターンと隣接するように形成されたパターンであって、前記第1材料とは異なる第2材料を含む第2パターン形成部によって形成された第2パターンと、を有するフォトマスク。 - 透明基板上に第1材料を含む第1パターン形成部によって第1パターンが既に形成されたフォトマスクに対して新たにパターンを追加したフォトマスクであって、
前記第1パターンと、
前記透明基板上に、前記フォトマスクを平面視した場合に前記第1パターンと隣接しないように形成されたパターンであって、前記第1材料とは異なる第2材料を含む第2パターン形成部によって形成された第2パターンと、を有するフォトマスク。
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A02 | Decision of refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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A521 | Request for written amendment filed |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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