JP7489359B2 - パターン修正方法 - Google Patents

Description

本発明は、パターンが既に形成されたフォトマスクのパターンを修正するパターン修正方法に関する。

例えば、既に使用されている作製済みのフォトマスク、すなわち、既にパターンが形成されたフォトマスクのパターンを修正する技術が知られている。既にパターンが形成されているフォトマスクのパターンを修正することによって、新たにフォトマスクを作製するよりも安価にフォトマスクを作製することができる。例えば、特許文献１には、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いてフォトマスクのパターンを修正する技術が開示されている。

特開平２－１４０７４４号公報

しかしながら、特許文献１に記載の技術では、一度に修正できる面積が小さいため、大規模なパターン修正をするために時間を要してしまうという問題がある。

本発明の一態様は、一度に大規模なパターン修正を行うことができるパターン修正方法を実現することを目的とする。

上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係るパターン修正方法は、透明基板上に第１材料を含む第１パターン形成部によってパターンが既に形成されたフォトマスクに対して新たにパターンを修正するパターン修正方法であって、前記フォトマスクの前記パターンが形成された面に、エッチングストッパー膜、および、前記第１材料と同一金属系の第２材料を含む第２パターン形成部をこの順に成膜する成膜工程と、前記第２パターン形成部の全面を覆うように前記フォトマスクの表面にフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程と、前記フォトレジスト膜に対して描画装置で描画してフォトレジストパターンを形成するパターン形成工程と、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第２パターン形成部の一部を除去する第１除去工程と、前記第１除去工程において除去されなかった前記第２パターン形成部、または、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記エッチングストッパー膜を除去するエッチングストッパー膜除去工程と、を含む。

本発明の一態様によれば、一度に大規模なパターン修正を行うことができる。

本発明の実施形態１に係るパターン修正方法によってパターンを修正する対象のフォトマスクの一例を示す平面図である。 図１に示す領域Ｄ１の拡大図である。 本発明の実施形態１に係るパターン修正方法によってパターンを修正したい箇所を示す図である。 本発明の実施形態１に係るパターン修正方法の一例を示すフローチャートである。 本発明の実施形態１に係るパターン修正方法を説明するための図である。 本発明の実施形態１に係るパターン修正方法によって修正された後のパターン形成領域Ａを示す図である。 実施形態１の本変形例におけるパターン修正の対象となるフォトマスクにおける１つのパターン形成領域を拡大した図である。 図７に示すＡ－Ａ線矢視断面図である。 上記変形例のパターン修正方法によってパターンを修正した後のパターン形成領域を示す図である。 図９に示すＢ－Ｂ線矢視断面図である。 上記変形例のパターン修正方法によってパターンを修正した後のパターン形成領域の他の一例を示す図である。 上記変形例のパターン修正方法によってパターンを修正した後のパターン形成領域の更なる他の一例を示す図である。 実施形態１の他の変形例におけるパターン修正の対象となるフォトマスクにおける１つのパターン形成領域を拡大した図である。 図１３に示すＣ－Ｃ線矢視断面図である。 上記変形例のパターン修正方法によってパターンを修正した後のパターン形成領域を示す図である。 図１５に示すＥ－Ｅ線矢視断面図である。 上記変形例の他のパターン修正方法を説明するための図である。 上記変形例の他のパターン修正方法を説明するための図である。 実施形態１の他の変形例におけるパターン修正の対象となるフォトマスクにおける１つのパターン形成領域を拡大した図である。 図１９に示すＦ－Ｆ線矢視断面図である。 上記変形例のパターン修正方法によってパターンを修正した後のパターン形成領域を示す図である。 図２１に示すＧ－Ｇ線矢視断面図である。 実施形態１の他の変形例におけるパターン修正の対象となるフォトマスクにおける１つのパターン形成領域を拡大した図である。 上記変形例におけるパターン修正方法を説明するための図である。 上記変形例におけるパターン修正方法を説明するための図である。 上記変形例におけるパターン修正方法により修正した後のフォトマスクの平面図である。 実施形態１の他の変形例におけるパターン修正方法を説明するための図である。 上記変形例におけるパターン修正方法を説明するための図である。 実施形態１の他の変形例におけるパターン修正方法を説明するための図である。 上記変形例におけるパターン修正方法を説明するための図である。 実施形態１の他の変形例におけるパターン修正方法を説明するための図である。 上記変形例におけるパターン修正方法を説明するための図である。 本発明の実施形態２に係るパターン修正方法によってパターンを修正する対象のフォトマスクの一例を示す平面図である。 図３３に示す領域Ｄ４の拡大図である。 本発明の実施形態２に係るパターン修正方法によってパターンを修正したい箇所を示す図である。 本発明の実施形態２に係るパターン修正方法の一例を示すフローチャートである。 本発明の実施形態２に係るパターン修正方法を説明するための図である。

以下、本発明の一実施形態について、詳細に説明する。本実施形態では、透明基板上に遮光膜によってパターンが既に形成されたフォトマスクに対して新たにパターンを修正するパターン修正方法の一実施形態について説明する。本明細書において、「パターンが既に形成されたフォトマスク」とは、透明基板上にパターンが形成されたフォトマスクであって、一連の製造工程により一旦完成品として製造されたフォトマスクであり、例えば、既に使用されているフォトマスクであってもよい。

図１は、本実施形態におけるパターン修正方法によってパターンを修正する対象のフォトマスクの一例としてのフォトマスク１０の構成を示す平面図である。図２は、図１に示す領域Ｄ１の拡大図であり、１つのパターン形成領域Ａを拡大した図である。

図１に示すように、フォトマスク１０は、透明基板２上に複数のパターン形成領域Ａが形成されている。透明基板２は、合成石英ガラスなどの基板によって構成されている。透明基板２は、露光工程の露光光に含まれる代表波長に対し９５％以上の透過率を有する。上記露光光の代表波長は、例えばｉ線、ｈ線またはｇ線、あるいはそれらの混合光であってもよいが、これらに限定されない。

パターン形成領域Ａには、図２に示すように、透明基板２上に光が透過しない（すなわち、遮光性を有する）材料（以下では、第１材料と呼称する）を含む第１遮光膜１１（第１パターン形成部）によってパターン（以降では、第１パターンとも称する）が形成されている。第１遮光膜１１は、光学濃度ＯＤ値は２．７以上が適しており、例えば、クロム膜を用いることができる。なお、露光時の迷光の発生を防ぐために、第１遮光膜１１の両面には、反射防止膜が積層されて形成されていてもよい。

パターン形成領域Ａにおいて、第１遮光膜１１が形成されていない領域は、光を透過する透光部１２となっている。本実施形態では、１つのパターン形成領域Ａに円形の第１遮光膜１１が形成されている例について説明する。フォトマスク１０には、図１に示すように、透明基板２の四隅に、フォトマスク１０に第１遮光膜１１をパターニングする際にフォトマスク１０の位置決めの基準として設けられたアライメントマーク４が形成されている。

図３は、本実施形態におけるパターン修正方法によってパターンを修正したい箇所を示す図である。本実施形態では、図３に示すように、第１遮光膜１１によって形成される円の内側に隣接する領域Ｄ２、および、上記円の中央に位置し第１遮光膜１１とは隣接しない領域Ｄ３に新たに遮光部を形成するようにパターンを修正する例について説明する。なお、本実施形態では、１つのパターン形成領域Ａについて説明するが、他のパターン形成領域Ａについても、必要に応じてそれぞれのパターンを修正する。

図４は、本実施形態におけるパターン修正方法の一例を示すフローチャートである。図５は、本実施形態におけるパターン修正方法を説明するための図である。図５に示す各図は、第１遮光膜１１によって形成される円の中心を通り、透明基板２の表面に対して垂直な面で切断した断面図である。図４および図５に示すように、本実施形態におけるパターン修正方法では、まず、透明基板２上に第１遮光膜１１によって第１パターンが既に形成されたフォトマスク１０を準備する（ステップＳ１）。

次に、フォトマスク１０における第１パターンが形成された面に、エッチングストッパー膜２１、および、上記第１材料と同一金属系の第２材料を含む第２遮光膜２２（第２パターン形成部）をこの順に成膜する（ステップＳ２、成膜工程）。本明細書では、本発明のパターン修正方法においてパターンを修正する際に用いられる部材であって、修正後にフォトマスクのパターンとして用いられる部材を「第２パターン形成部」と呼称する。エッチングストッパー膜２１および第２遮光膜２２は、例えば、スパッタ法、蒸着法などにより成膜される。第１材料は、第１金属元素（例えば、Ｃｒ、Ｎｉなど）および第１非金属元素からなる材料であり、第２材料は、上記第１金属元素および上記第１非金属元素とは異なる第２非金属元素からなる材料である。エッチングストッパー膜２１は、第２遮光膜２２をエッチングするための溶剤によってエッチングされない材料によって構成される。エッチングストッパー膜２１として、例えば、チタン、ニッケル、モリブデンシリサイドなどを用いることができる。

その後、第２遮光膜２２を含むフォトマスク１０の全面にフォトレジスト膜２３を形成する（ステップＳ３、フォトレジスト膜形成工程）。換言すれば、第２遮光膜２２の全面を覆うようにフォトマスク１０の表面にフォトレジスト膜２３を形成する。フォトレジスト膜２３は、例えば、塗布法、スプレイ法などにより形成される。

次に、フォトレジスト膜２３に対して描画装置で描画し、その後現像することによりフォトレジストパターンを形成する（ステップＳ４、パターン形成工程）。具体的には、図３に示す領域Ｄ２および領域Ｄ３に対応する第２遮光膜２２のみが、後述する第１除去工程において除去されないようにフォトレジストパターンを形成する。現像は、パドル法、浸漬法、スプレイ法、スピン法などにより行われる。

本実施形態におけるステップＳ４では、フォトマスク１０の透明基板２上に第１遮光膜１１による第１パターンの形成時に同時に形成されているアライメントマーク４を基準として、フォトマスク１０の位置決めを行ったあと、描画装置で描画を行う。換言すれば、アライメントマーク４を基準としてフォトレジスト膜２３に対して描画装置で描画を行う。これにより、新たに追加するパターンを追加する位置を高精度に制御することができる。なお、追加のパターンの形成位置の精度が必要でない場合は、アライメントマーク４によるフォトマスク１０の位置決めを行う必要はない。

次に、ステップＳ４において形成したフォトレジストパターンをマスクとして、第２遮光膜２２の一部を除去する（ステップＳ５、第１除去工程）。これにより、ステップＳ２で成膜した第２遮光膜２２のうち、図３に示す領域Ｄ２および領域Ｄ３に対応する第２遮光膜２２以外の第２遮光膜２２が除去される。ステップＳ４では、第２遮光膜２２をエッチングする溶剤としてエッチングストッパー膜２１を溶解しない溶剤を用いることにより、第２遮光膜２２のみがエッチングされ除去される。

次に、残存しているフォトレジスト膜２３を除去する（ステップＳ６）。フォトレジスト膜２３の除去は、例えば、パドル法、アッシング法、またはレジスト剥離液への浸漬によって行うことができる。最後に、ステップＳ５において除去されなかった第２遮光膜２２をマスクとしてエッチングストッパー膜２１を除去する（ステップＳ７、エッチングストッパー膜除去工程）。これにより、フォトマスク１０に元々形成されていた第１遮光膜１１を残したまま、第２遮光膜２２により新たに遮光部が追加されたフォトマスクを作製することができる。

図６は、本実施形態におけるパターン修正方法によって修正された後のパターン形成領域Ａを示す図である。図６に示すように、パターン修正後のパターン形成領域Ａでは、図３に示す領域Ｄ２および領域Ｄ３に第２遮光膜２２が形成されている。領域Ｄ２に第２遮光膜２２が形成されることにより、パターン修正前に第１遮光膜１１によって形成されていた遮光領域の面積を広くすることができる。換言すれば、フォトマスク１０を平面視した場合に第１遮光膜１１によって形成されていた遮光領域の幅を広くすることができる。また、領域Ｄ３に第２遮光膜２２が形成されることにより、遮光領域を追加で形成することができる。

以上のように、本実施形態におけるパターン修正方法では、既存のフォトマスク１０の全面に対して、エッチングストッパー膜２１、および、第１遮光膜１１を構成する第１材料からなる第２遮光膜２２を製膜して、第２遮光膜２２をフォトリソグラフィ法によりパターニングする。当該構成により、フォトマスク１０の全面において第２遮光膜２２を追加パターニングすることができる。すなわち、本実施形態におけるパターン修正方法は、一度に大規模なパターン修正を行うことができる。その結果、既にパターンが形成されているフォトマスクのパターンに対して短時間でパターン修正を行うことができる。

また、本実施形態におけるパターン修正方法では、第１遮光膜１１を構成する材料である上記第１材料と同一の金属系の材料で構成される第２遮光膜２２によって遮光領域を追加で形成する。これにより、修正後のフォトマスク１０を洗浄する際に、修正前のフォトマスク１０と同じ洗浄液を用いることができる。第１遮光膜１１および第２遮光膜２２を構成する材料（すなわち、上記第１材料および上記第２材料）は、Ｃｒ系金属化合物、Ｓｉ系化合物、金属シリサイド化合物などの公知の材料から選択することができる。例えば、第１遮光膜１１および第２遮光膜２２を構成する材料は、金属Ｃｒ、Ｃｒ酸化物、Ｃｒ窒化物、Ｃｒ炭化物、Ｃｒ酸化窒化物、Ｃｒ窒化炭化物、Ｃｒ酸化炭化物、Ｃｒ酸化窒化炭化物のうちのいずれか１種以上を含有させたＣｒ系金属化合物とすることができる。

さらに、本実施形態におけるパターン修正方法では、特許文献１の技術のようなＣＶＤを用いた場合に発生する膜剥がれが発生する虞がない。また、特許文献１の技術のようなＣＶＤを用いた場合、所望の領域以外にレーザが照射されてしまい所望の領域以外にも遮光部が形成されてしまうため、当該遮光部を整形しつつ除去する必要がある。これに対して本実施形態におけるパターン修正方法では、描画装置を用いて第２遮光膜２２のパターニングを行うため、高精度でパターンを追加することができ、不要な遮光部の除去を行う必要がない。

なお、本実施形態のパターン修正方法では、ステップＳ４（パターン形成工程）において、アライメントマーク４を基準として、フォトマスク１０の位置決めを行ったあと、描画装置で描画を行う構成であった。しかしながら、フォトマスク１０には、アライメントマーク４が形成されていない場合がある。この場合は、以下のようにして、フォトマスク１０の位置決めを行ってもよい。

まず、ステップＳ３（フォトレジスト膜形成工程）の前に、第２遮光膜２２にアライメントマークを作製する。そして、作製したアライメントマークと、修正前のフォトマスク１０にもともと形成されている対象パターンとの位置関係および傾きのずれを求め、当該位置関係およびずれに基づいてステップＳ４における描画装置による描画位置を補正する。上記対象パターンは、修正前のフォトマスク１０において形成されている位置が既知であるパターンであれば特に限定されるものではなく、例えば、転写露光用アライメントマーク、長寸測定用のマークなどを用いることができる。

当該構成によれば、フォトマスク１０にアライメントマーク４が形成されていない場合においても、新たに作製したアライメントマークを用いて描画装置によって描画する位置を補正することができるので、高精度に追加パターンを形成することができる。

本実施形態におけるパターン修正方法によって修正されたフォトマスクは、透明基板２上に第１遮光膜１１によって第１パターンが既に形成されたフォトマスクに対して新たにパターンを追加したフォトマスクであり、（１）上記第１パターンと、（２）透明基板２上にフォトマスクを平面視した場合に上記第１パターンと隣接するように形成されたパターンであって、エッチングストッパー膜２１と、第２遮光膜２２とによって形成された遮光領域のパターン（第２パターン）と、（３）フォトマスクを平面視した場合に上記第１パターンと隣接しないように形成されたパターンであって、エッチングストッパー膜２１と、第２遮光膜２２とによって形成されたパターン（第２パターン）と、を有する。

＜変形例１＞
実施形態１では、予め第１遮光膜１１によって第１パターンが既に形成されたフォトマスクに、新たに第２遮光膜２２による遮光部を形成するパターン修正方法について説明したが、本発明はこれに限られない。本発明の一態様では、第１パターンが遮光膜以外の膜によって形成されているフォトマスクを対象とすることができる。詳細について、図７～１０を参照しながら説明する。

図７は、本変形例におけるパターン修正の対象となるフォトマスク１０における１つのパターン形成領域Ａを拡大した図である。図８は、図７に示すＡ－Ａ線矢視断面図である。本変形例における修正対象となるフォトマスク１０は、トップ型のフォトマスクである。図９は、本変形例のパターン修正方法によってパターンを修正した後のパターン形成領域Ａを示す図である。図１０は、図９に示すＢ－Ｂ線矢視断面図である。

本変形例におけるパターン修正の対象となるフォトマスク１０は、図７および図８に示すように、パターン形成領域Ａにおいて、第１パターン形成部としての、第１遮光膜１１と、照射された光の一部を透過する半透過膜１３とによってパターン（第１パターン）が形成されている。より詳細には、図８に示すように、パターン形成領域Ａの一部に第１遮光膜１１が形成されており、第１遮光膜１１の透明基板２側とは反対側の領域、およびパターン形成領域Ａのうち第１遮光膜１１が形成されていない領域の一部の領域に半透過膜１３が形成されている。換言すれば、パターン形成領域Ａの一部に半透過膜１３が形成されており、半透過膜１３と透明基板２との間の一部に第１遮光膜１１が配置されている。当該構成となっていることにより、パターン修正の対象となるフォトマスク１０は、フォトマスク１０を平面視した場合に半透過膜１３と第１遮光膜１１とが重畳している領域が遮光領域となっており、半透過膜１３のみの領域が半透過領域となっているハーフトーンマスクとなっている。

次に、上記の構成を有するフォトマスク１０のパターン修正方法について説明する。まず、フォトマスク１０における第１パターンが形成された面に、エッチングストッパー膜２１、および、半透過膜１３を構成する材料（第１材料）と同一金属系の第２材料を含む第２遮光膜２２（第２パターン形成部）をこの順に成膜する（成膜工程）。

その後、第２遮光膜２２を含むフォトマスク１０の全面にフォトレジスト膜を形成する（フォトレジスト膜形成工程）。換言すれば、第２遮光膜２２の全面を覆うようにフォトマスク１０の表面にフォトレジスト膜を形成する。

次に、フォトレジスト膜に対して描画装置で描画し、その後現像することによりフォトレジストパターンを形成する（パターン形成工程）。具体的には、新たに遮光領域を追加したい領域に対応する領域の第２遮光膜２２のみが後述する第１除去工程において除去されないようにフォトレジストパターンを形成する。

次に、形成したフォトレジストパターンをマスクとして、第２遮光膜２２の一部を除去する（第１除去工程）。第１除去工程では、第２遮光膜２２をエッチングする溶剤としてエッチングストッパー膜２１を溶解しない溶剤を用いることにより、第２遮光膜２２のみがエッチングされ除去される。

次に、残存しているフォトレジスト膜を除去する。最後に、第１除去工程において除去されなかった第２遮光膜２２をマスクとしてエッチングストッパー膜２１を除去する（エッチングストッパー膜除去工程）。これにより、図９および図１０に示すように、第１遮光膜１１および半透過膜１３によってフォトマスク１０に元々形成されていた第１パターンを残したまま、第２遮光膜２２により新たに遮光領域が追加されたフォトマスクを作製することができる。

図１１は、本変形例のパターン修正方法によってパターンを修正した後のパターン形成領域Ａの他の一例を示す図である。図１１に示すように、本発明の一態様では、フォトマスク１０を平面視した場合に第２遮光膜２２の一部が第１パターンの一部（より詳細には、第１パターンのうち第１遮光膜１１が形成されている領域の一部）に重畳するように、第２遮光膜２２を形成してもよい。これにより、フォトマスク１０における遮光領域の形状を変更することができる。

図１２は、本変形例のパターン修正方法によってパターンを修正した後のパターン形成領域Ａの更なる他の一例を示す図である。図１２に示すように、本発明の一態様では、フォトマスク１０を平面視した場合に第１遮光膜１１および半透過膜１３によって形成されていた第１パターンの全領域を含むように第２遮光膜２２を形成してもよい。これにより、フォトマスク１０における遮光領域の面積を広くすることができる。ただし、この場合、修正前のフォトマスク１０が有していた半透過効果は消失する。

なお、本変形例では、第１パターン形成部としての、第１遮光膜１１と、半透過膜１３とによってパターン（第１パターン）が形成されているフォトマスクに対してパターンを修正する方法について説明したが、本発明の一態様では、第１遮光膜１１に代えて位相シフト膜を用いたフォトマスクに対しても同様にパターン修正を行ってもよい。

＜変形例２＞
上記で説明した各パターン修正方法は、第１パターンが位相シフト膜によって形成されているフォトマスクに対しても行うことができる。位相シフト膜は、透過率が１～１５％程度であり、かつ、位相を反転（またはシフト）させる効果を持つ半透過膜であり、位相シフト効果により解像度が向上する。ただし、図１２に示す例のように、フォトマスク１０を平面視した場合に位相シフト膜によって形成された第１パターンの全領域を含むように第２遮光膜２２を形成した場合は、修正前のフォトマスク１０が有していた位相シフト効果は消失する。

なお、第１パターンが位相シフト膜によって形成されているフォトマスク１０に対して修正を行う場合において、第２遮光膜２２に代えて位相シフト膜を用いて修正を行ってもよい。これにより、位相シフト効果を有する領域の形状を変更させることができる。ただし、図１２に示す例のように、フォトマスク１０を平面視した場合に位相シフト膜によって形成された第１パターンの全領域を含むように位相シフト膜を形成した場合は、フォトマスク１０を平面視したときに位相シフト膜が重畳する領域では位相シフト効果が消失し、新たに形成した位相シフト膜のみが存在する領域においてのみ位相シフト効果が得られるフォトマスク（すなわち、エッジ強調型のフォトマスク）となる。

＜変形例３＞
変形例１では、トップ型のハーフトーンマスクのパターンを修正する方法について説明したが、本発明はこれに限られない。本発明の一態様のパターン修正方法は、ボトム型のハーフトーンマスクに対しても適用することができる。詳細について、図１３～１６を参照しながら説明する。

図１３は、本変形例におけるパターン修正の対象となるフォトマスク１０における１つのパターン形成領域Ａを拡大した図である。図１４は、図１３に示すＣ－Ｃ線矢視断面図である。図１５は、本変形例のパターン修正方法によってパターンを修正した後のパターン形成領域Ａを示す図である。図１６は、図１５に示すＥ－Ｅ線矢視断面図である。

本変形例におけるパターン修正の対象となるフォトマスク１０は、図１３および図１４に示すように、パターン形成領域Ａにおいて、第１パターン形成部としての、第１遮光膜１１と、照射された光の一部を透過する半透過膜１３とによってパターン（第１パターン）が形成されている。より詳細には、図１４に示すように、パターン形成領域Ａの一部に半透過膜１３が形成されており、半透過膜１３の透明基板２側とは反対側の層の一部にエッチングストッパー膜１４および第１遮光膜１１がこの順で積層されている。当該構成となっていることにより、本変形例におけるパターン修正の対象となるフォトマスク１０は、フォトマスク１０を平面視した場合に半透過膜１３と第１遮光膜１１とが重畳している領域が遮光領域となっており、半透過膜１３のみの領域が半透過領域となっているハーフトーンマスクとなっている。半透過膜１３と第１遮光膜１１とは、同一金属系の材料にて構成されている。

次に、上記の構成を有するフォトマスク１０のパターン修正方法について説明する。まず、フォトマスク１０における第１パターンが形成された面に、エッチングストッパー膜２１、および、第１遮光膜１１および半透過膜１３を構成する材料（第１材料）と同一金属系の第２材料を含む第２遮光膜２２（第２パターン形成部）をこの順に成膜する（成膜工程）。

その後、第２遮光膜２２を含むフォトマスク１０の全面にフォトレジスト膜を形成する（フォトレジスト膜形成工程）。換言すれば、第２遮光膜２２の全面を覆うようにフォトマスク１０の表面にフォトレジスト膜を形成する。

次に、フォトレジスト膜に対して描画装置で描画し、その後現像することによりフォトレジストパターンを形成する（パターン形成工程）。具体的には、新たに遮光領域を追加したい領域に対応する領域の第２遮光膜２２のみが後述する第１除去工程において除去されないようにフォトレジストパターンを形成する。

次に、形成したフォトレジストパターンをマスクとして、第２遮光膜２２の一部を除去する（第１除去工程）。第１除去工程では、第２遮光膜２２をエッチングする溶剤としてエッチングストッパー膜２１を溶解しない溶剤を用いることにより、第２遮光膜２２のみがエッチングされ除去される。

次に、残存しているフォトレジスト膜を除去する。最後に、第１除去工程において除去されなかった第２遮光膜２２をマスクとしてエッチングストッパー膜２１を除去する（エッチングストッパー膜除去工程）。これにより、図１５および図１６に示すように、第１遮光膜１１および半透過膜１３によってフォトマスク１０に元々形成されていた第１パターンを残したまま、第２遮光膜２２により新たに遮光領域が追加されたフォトマスクを作製することができる。

なお、本変形例では、第１パターン形成部としての、第１遮光膜１１と、半透過膜１３とによってパターン（第１パターン）が形成されているフォトマスクに対してパターンを修正する方法について説明したが、本発明の一態様では、第１遮光膜１１に代えて位相シフト膜を用いたフォトマスクに対しても同様にパターン修正を行ってもよい。位相シフト膜は、露光光の位相をシフトする機能を有し、単独膜により露光光に位相が反転する（すなわち位相シフト角が略１８０°）性質を有する。ただし、ここでいう「略１８０°」とは、１８０°±２０°を意味し、露光光の干渉効果が十分に得られる露光光の位相差をいう。

また、本発明の一態様では、第１遮光膜１１に代えて位相シフト膜を用いたフォトマスクに対してパターン修正を行う場合に、第２遮光膜２２に代えて露光光を一部透過する半透過膜を用いてもよい。この場合、位相シフト膜の透過率を３～１５％とすることが好ましい。また、本発明の一態様では、第１遮光膜１１に代えて半透過膜を用いたフォトマスクに対して、第２遮光膜２２に代えて位相シフト膜を用いてパターン修正を行ってもよい。この場合、半透過膜は、露光光に対する透過率が１０～７０％であり、位相シフト角が０．１°～２０°であることが好ましい。

次に、図１３および図１４に示すボトム型のハーフトーンマスクであるフォトマスク１０に対して、新たに遮光領域を追加するとともに、もともと第１遮光膜１１によって遮光領域となっていた領域の一部を半透過領域に変更するように修正するパターン修正方法について、図１７および図１８を参照しながら説明する。図１７および図１８は、当該パターン修正方法を説明するための図である。図１７および図１８に示す各図は、図１３に示すＤ－Ｄ線矢視断面図に対応する。

当該パターン修正方法では、図１７に示すように、透明基板２上に第１遮光膜１１と半透過膜１３とエッチングストッパー膜１４とによってパターン（第１パターン）が形成されたフォトマスク１０を準備する（ステップＳ１１）。次に、フォトマスク１０における第１パターンが形成された面に、エッチングストッパー膜２１、および、上記第１材料を含む第２遮光膜２２（第２パターン形成部）をこの順に成膜する（ステップＳ１２、成膜工程）。その後、第２遮光膜２２を含むフォトマスク１０の全面にフォトレジスト膜２３を形成する（ステップＳ１３、フォトレジスト膜形成工程）。換言すれば、第２遮光膜２２の全面を覆うようにフォトマスク１０の表面にフォトレジスト膜２３を形成する。

次に、フォトレジスト膜２３に対して描画装置で描画し、その後現像することによりフォトレジストパターンを形成する（ステップＳ１４、パターン形成工程）。具体的には、新たに遮光領域に変更したい領域に対応する第２遮光膜２２のみが、後述する第１除去工程において除去されないようにフォトレジストパターンを形成する。

次に、ステップＳ１４において形成したフォトレジストパターンをマスクとして、第２遮光膜２２の一部を除去する（ステップＳ１５、第１除去工程）。ステップＳ１５では、第２遮光膜２２をエッチングする溶剤としてエッチングストッパー膜２１を溶解しない溶剤を用いることにより、第２遮光膜２２のみがエッチングされ除去される。

次に、図１８に示すように、ステップＳ１４において形成したフォトレジストパターンをマスクとして、エッチングストッパー膜２１の一部を除去する（ステップＳ１６）。次に、ステップＳ１４において形成したフォトレジストパターンをマスクとして、第１遮光膜１１の一部を除去する（ステップＳ１７）。その後、ステップＳ１４において形成したフォトレジストパターンをマスクとして、エッチングストッパー膜１４の一部を除去する（ステップＳ１８）。最後に、残存しているフォトレジスト膜２３を除去する（ステップＳ１９）。

上記の方法により、新たに第２遮光膜２２によって新たに遮光領域を追加するとともに、フォトマスクを平面視したときにもともと第１遮光膜１１によって遮光領域となっていた領域の一部において半透過膜１３が露出させることにより遮光領域の一部を半透過領域に変更することができる。

＜変形例４＞
変形例３では、同一金属系の材料にて構成されている、半透過膜１３および第１遮光膜１１と、半透過膜１３および第１遮光膜１１との間に配置されたエッチングストッパー膜１４とにより構成されたボトム型のハーフトーンマスクのパターンを修正する方法について説明したが、本発明はこれに限られない。本発明の一態様のパターン修正方法は、他の構成を有するボトム型のハーフトーンマスクに対しても適用することができる。詳細について、図１９～２２を参照しながら説明する。

図１９は、本変形例におけるパターン修正の対象となるフォトマスク１０における１つのパターン形成領域Ａを拡大した図である。図２０は、図１９に示すＦ－Ｆ線矢視断面図である。図２１は、本変形例のパターン修正方法によってパターンを修正した後のパターン形成領域Ａを示す図である。図２２は、図２１に示すＧ－Ｇ線矢視断面図である。

本変形例におけるパターン修正の対象となるフォトマスク１０は、図１９および図２０に示すように、第１パターン形成部としての、第１遮光膜１１と、照射された光の一部を透過する半透過膜１３とによってパターン（第１パターン）が形成されている。より詳細には、図２０に示すように、パターン形成領域Ａの一部に半透過膜１３が形成されており、半透過膜１３の透明基板２側とは反対側の層に第１遮光膜１１が積層されている。当該構成となっていることにより、本変形例におけるパターン修正の対象となるフォトマスク１０は、フォトマスク１０を平面視した場合に半透過膜１３と第１遮光膜１１とが重畳している領域が遮光領域となっており、半透過膜１３のみの領域が半透過領域となっているハーフトーンマスクとなっている。第１遮光膜１１と半透過膜１３とは異なる金属系の材料で構成されている。例えば、第１遮光膜１１は、Ｃｒ系の材料で構成されており、半透過膜１３は第３材料としてのＭｏＳｉにて構成されている。

次に、上記の構成を有するフォトマスク１０のパターン修正方法について説明する。まず、フォトマスク１０における第１パターンが形成された面に、エッチングストッパー膜２１、および、第２遮光膜２２（第２パターン形成部）をこの順に成膜する（成膜工程）。

その後、第２遮光膜２２を含むフォトマスク１０の全面にフォトレジスト膜を形成する（フォトレジスト膜形成工程）。換言すれば、第２遮光膜２２の全面を覆うようにフォトマスク１０の表面にフォトレジスト膜を形成する。

次に、フォトレジスト膜に対して描画装置で描画し、その後現像することによりフォトレジストパターンを形成する（パターン形成工程）。具体的には、新たに遮光領域を追加したい領域に対応する領域の第２遮光膜２２のみが後述する第１除去工程において除去されないようにフォトレジストパターンを形成する。

次に、形成したフォトレジストパターンをマスクとして、第２遮光膜２２の一部を除去する（第１除去工程）。第１除去工程では、第２遮光膜２２をエッチングする溶剤としてエッチングストッパー膜２１を溶解しない溶剤を用いることにより、第２遮光膜２２のみがエッチングされ除去される。

次に、残存しているフォトレジスト膜を除去する。最後に、第１除去工程において除去されなかった第２遮光膜２２をマスクとしてエッチングストッパー膜２１を除去する（エッチングストッパー膜除去工程）。これにより、図２１および図２２に示すように、第１遮光膜１１および半透過膜１３によってフォトマスク１０に元々形成されていた第１パターンを残したまま、第２遮光膜２２により新たに遮光領域が追加されたフォトマスクを作製することができる。

＜変形例５＞
本変形例では、実施形態１において説明した遮光領域を追加する修正行うとともに、もともとフォトマスクに形成されていた遮光領域を小さくする修正を行うパターン修正方法について説明する。図２３は、本変形例におけるパターン修正の対象となるフォトマスク１０における１つのパターン形成領域Ａを拡大した図である。図２４および図２５は、本変形例におけるパターン修正方法を説明するための図である。図２４および図２５に示す各図は、図２３に示すＨ－Ｈ線矢視断面図に対応する。

図２３に示すように、本変形例における修正対象となるフォトマスク１０のパターン形成領域Ａには、第１遮光膜１１によってＴ字型の第１パターンが形成されている。

本変形例におけるパターン修正方法では、図２４に示すように、透明基板２上に第１遮光膜１１によってパターン（第１パターン）が形成されたフォトマスク１０を準備する（ステップＳ２１）。次に、フォトマスク１０における第１パターンが形成された面に、エッチングストッパー膜２１、および、上記第１材料を含む第２遮光膜２２（第２パターン形成部）をこの順に成膜する（ステップＳ２２、成膜工程）。その後、第２遮光膜２２を含むフォトマスク１０の全面にフォトレジスト膜２３を形成する（ステップＳ２３、フォトレジスト膜形成工程）。換言すれば、第２遮光膜２２の全面を覆うようにフォトマスク１０の表面にフォトレジスト膜２３を形成する。

次に、フォトレジスト膜２３に対して描画装置で描画し、その後現像することによりフォトレジストパターンを形成する（ステップＳ２４、パターン形成工程）。具体的には、新たに遮光領域を追加したい領域、および、パターン修正後において第１遮光膜１１による遮光領域のうちパターン修正後においても遮光領域として残す領域に対応するフォトレジスト膜２３のみが残るようにフォトレジストパターンを形成する。本変形例では、もともと第１遮光膜１１によって遮光領域となっている領域のうち透光領域に変更したい領域のフォトレジスト膜２３を除去する。換言すれば、フォトマスク１０を平面視した場合に、少なくとも第１遮光膜１１、並びに、ステップＳ２２において形成されたエッチングストッパー膜２１および第２遮光膜２２と重なるフォトレジスト膜２３の一部を除去するようにフォトレジストパターンを形成する。

次に、ステップＳ２４において形成したフォトレジストパターンをマスクとして、第２遮光膜２２の一部を除去する（ステップＳ２５、第１除去工程）。ステップＳ２５では、第２遮光膜２２をエッチングする溶剤としてエッチングストッパー膜２１を溶解しない溶剤を用いることにより、第２遮光膜２２のみがエッチングされ除去される。

次に、図２５に示すように、ステップＳ２４において形成したフォトレジストパターンをマスクとして、エッチングストッパー膜２１の一部を除去する（ステップＳ２６）。次に、ステップＳ２４において形成したフォトレジストパターンをマスクとして、第１遮光膜１１の一部を除去する（ステップＳ２７、第２除去工程）。最後に、残存しているフォトレジスト膜２３を除去する（ステップＳ２８）。

図２６は、上記の方法により修正した後のフォトマスクの平面図である。図２６では、修正前の第１遮光膜１１を一点鎖線で示している。図２６に示すように、上記の方法により修正することにより、新たに第２遮光膜２２によって新たに遮光領域を追加するとともに、フォトマスクを平面視したときにもともと第１遮光膜１１によって形成されていた遮光領域を小さくすることができる。

なお、本変形例におけるパターン修正方法は、第１パターンが位相シフト膜によって構成されている場合にも適用することができる。

＜変形例６＞
本変形例では、変形例１において説明したトップ型のフォトマスクに対して、遮光領域を追加する修正行うとともに、もともとフォトマスクに形成されていた第１パターンを小さくする修正を行うパターン修正方法について、図２７および図２８を参照しながら説明する。図２７および図２８は、本変形例におけるパターン修正方法を説明するための図である。

本変形例におけるパターン修正方法では、図２７に示すように、まず、透明基板２上に第１遮光膜１１および半透過膜１３によってパターン（第１パターン）が形成されたフォトマスク１０を準備する（ステップＳ３１）。次に、フォトマスク１０における第１パターンが形成された面に、エッチングストッパー膜２１、および、上記第１材料を含む第２遮光膜２２（第２パターン形成部）をこの順に成膜する（ステップＳ３２、成膜工程）。その後、第２遮光膜２２を含むフォトマスク１０の全面にフォトレジスト膜２３を形成する（ステップＳ３３、フォトレジスト膜形成工程）。換言すれば、第２遮光膜２２の全面を覆うようにフォトマスク１０の表面にフォトレジスト膜２３を形成する。

次に、フォトレジスト膜２３に対して描画装置で描画し、その後現像することによりフォトレジストパターンを形成する（ステップＳ３４、パターン形成工程）。具体的には、新たに遮光領域を追加したい領域、パターン修正後において第１遮光膜１１による遮光領域のうちパターン修正後においても遮光領域として残す領域、および半透過膜１３によって半透過領域となっていた領域のうち遮光領域に変更したい領域に対応するフォトレジスト膜２３のみが残るようにフォトレジストパターンを形成する。本変形例では、もともと第１遮光膜１１または半透過膜１３によって遮光領域または半透過領域となっている領域のうち透光領域に変更したい領域のフォトレジスト膜２３を除去する。換言すれば、フォトマスク１０を平面視した場合に、少なくとも第１遮光膜１１、半透過膜１３、並びに、ステップＳ３２において形成されたエッチングストッパー膜２１および第２遮光膜２２と重なるフォトレジスト膜２３の一部を除去するようにフォトレジストパターンを形成する。

次に、ステップＳ３４において形成したフォトレジストパターンをマスクとして、第２遮光膜２２の一部を除去する（ステップＳ３５、第１除去工程）。ステップＳ３５では、第２遮光膜２２をエッチングする溶剤としてエッチングストッパー膜２１を溶解しない溶剤を用いることにより、第２遮光膜２２のみがエッチングされ除去される。

次に、図２８に示すように、ステップＳ３４において形成したフォトレジストパターンをマスクとして、エッチングストッパー膜２１の一部を除去する（ステップＳ３６）。次に、ステップＳ３４において形成したフォトレジストパターンをマスクとして、半透過膜１３の一部を除去する（ステップＳ３７、第２除去工程）。次に、ステップＳ３４において形成したフォトレジストパターンをマスクとして、第１遮光膜１１の一部を除去する（ステップＳ３８、第３除去工程）。最後に、残存しているフォトレジスト膜２３を除去する（ステップＳ３９）。

上記の方法により、新たに第２遮光膜２２によって新たに遮光領域を追加でき、フォトマスクを平面視したときにもともと第１遮光膜１１によって形成されていた遮光領域を小さくすることができ、さらに、半透過膜１３によって形成されていた半透過領域の一部を遮光領域に変更させることができる。ただし、本変形例では、修正前のフォトマスク１０が有していた半透過効果は消失する。

＜変形例７＞
本変形例では、変形例３において説明したボトム型のフォトマスクに対して、遮光領域を追加する修正行うとともに、もともとフォトマスクに形成されていた第１パターンを小さくする修正を行うパターン修正方法について、図２９および図３０を参照しながら説明する。

本変形例におけるパターン修正方法では、図２９に示すように、まず、透明基板２上に第１遮光膜１１、半透過膜１３およびエッチングストッパー膜１４によってパターン（第１パターン）が形成されたフォトマスク１０を準備する（ステップＳ４１）。次に、フォトマスク１０における第１パターンが形成された面に、エッチングストッパー膜２１、および、上記第１材料を含む第２遮光膜２２（第２パターン形成部）をこの順に成膜する（ステップＳ４２、成膜工程）。その後、第２遮光膜２２を含むフォトマスク１０の全面にフォトレジスト膜２３を形成する（ステップＳ４３、フォトレジスト膜形成工程）。換言すれば、第２遮光膜２２の全面を覆うようにフォトマスク１０の表面にフォトレジスト膜２３を形成する。

次に、フォトレジスト膜２３に対して描画装置で描画し、その後現像することによりフォトレジストパターンを形成する（ステップＳ４４、パターン形成工程）。具体的には、新たに遮光領域を追加したい領域、パターン修正後において第１遮光膜１１による遮光領域のうちパターン修正後においても遮光領域として残す領域、および半透過膜１３によって半透過領域となっていた領域のうち遮光領域に変更したい領域に対応するフォトレジスト膜２３のみが残るようにフォトレジストパターンを形成する。本変形例では、もともと第１遮光膜１１または半透過膜１３によって遮光領域または半透過領域となっている領域のうち透光領域に変更したい領域のフォトレジスト膜２３を除去する。換言すれば、フォトマスク１０を平面視した場合に、少なくとも第１遮光膜１１、半透過膜１３、並びに、ステップＳ４２において形成されたエッチングストッパー膜２１および第２遮光膜２２と重なるフォトレジスト膜２３の一部を除去するようにフォトレジストパターンを形成する。

次に、ステップＳ４４において形成したフォトレジストパターンをマスクとして、第２遮光膜２２の一部を除去する（ステップＳ４５、第１除去工程）。ステップＳ４５では、第２遮光膜２２をエッチングする溶剤としてエッチングストッパー膜２１を溶解しない溶剤を用いることにより、第２遮光膜２２のみがエッチングされ除去される。

次に、図３０に示すように、ステップＳ４４において形成したフォトレジストパターンをマスクとして、エッチングストッパー膜２１の一部を除去する（ステップＳ４６、エッチングストッパー膜除去工程）。次に、ステップＳ４４において形成したフォトレジストパターンをマスクとして、第１遮光膜１１の一部を除去する（ステップＳ４７、第２除去工程）。次に、ステップＳ４４において形成したフォトレジストパターンをマスクとして、エッチングストッパー膜１４の一部を除去する（ステップＳ４８、第３除去工程）。次に、ステップＳ４４において形成したフォトレジストパターンをマスクとして、半透過膜１３の一部を除去する（ステップＳ４９、第４除去工程）。最後に、残存しているフォトレジスト膜２３を除去する（ステップＳ５０）。

上記の方法により、新たに第２遮光膜２２によって新たに遮光領域を追加でき、フォトマスクを平面視したときにもともと第１遮光膜１１によって形成されていた遮光領域を小さくすることができ、さらに、半透過膜１３によって形成されていた半透過領域の一部を遮光領域に変更させることができる。ただし、本変形例では、修正前のフォトマスク１０が有していた半透過効果は消失する。

＜変形例８＞
本変形例では、変形例４において説明したボトム型のフォトマスクに対して、遮光領域を追加する修正行うとともに、もともとフォトマスクに形成されていた第１パターンを小さくする修正を行うパターン修正方法について、図３１および図３２を参照しながら説明する。

本変形例におけるパターン修正方法では、図３１に示すように、透明基板２上に第１遮光膜１１および半透過膜１３によってパターン（第１パターン）が形成されたフォトマスク１０を準備する（ステップＳ５１）。次に、フォトマスク１０における第１パターンが形成された面に、エッチングストッパー膜２１、および、上記第１材料を含む第２遮光膜２２（第２パターン形成部）をこの順に成膜する（ステップＳ５２、成膜工程）。その後、第２遮光膜２２を含むフォトマスク１０の全面にフォトレジスト膜２３を形成する（ステップＳ５３、フォトレジスト膜形成工程）。換言すれば、第２遮光膜２２の全面を覆うようにフォトマスク１０の表面にフォトレジスト膜２３を形成する。

次に、フォトレジスト膜２３に対して描画装置で描画し、その後現像することによりフォトレジストパターンを形成する（ステップＳ５４、パターン形成工程）。具体的には、新たに遮光領域を追加したい領域、パターン修正後において第１遮光膜１１による遮光領域のうちパターン修正後においても遮光領域として残す領域、および半透過膜１３によって半透過領域となっていた領域のうち遮光領域に変更したい領域に対応するフォトレジスト膜２３のみが残るようにフォトレジストパターンを形成する。本変形例では、もともと第１遮光膜１１または半透過膜１３によって遮光領域または半透過領域となっている領域のうち透光領域に変更したい領域のフォトレジスト膜２３を除去する。換言すれば、フォトマスク１０を平面視した場合に、少なくとも第１遮光膜１１、半透過膜１３、並びに、ステップＳ５２において形成されたエッチングストッパー膜２１および第２遮光膜２２と重なるフォトレジスト膜２３の一部を除去するようにフォトレジストパターンを形成する。

次に、ステップＳ５４において形成したフォトレジストパターンをマスクとして、第２遮光膜２２の一部を除去する（ステップＳ５５、第１除去工程）。ステップＳ５５では、第２遮光膜２２をエッチングする溶剤としてエッチングストッパー膜２１を溶解しない溶剤を用いることにより、第２遮光膜２２のみがエッチングされ除去される。

次に、図３２に示すように、ステップＳ５４において形成したフォトレジストパターンをマスクとして、エッチングストッパー膜２１の一部を除去する（ステップＳ５６、エッチングストッパー膜除去工程）。次に、ステップＳ５４において形成したフォトレジストパターンをマスクとして、第１遮光膜１１の一部を除去する（ステップＳ５７、第２除去工程）。次に、ステップＳ５４において形成したフォトレジストパターンをマスクとして、半透過膜１３の一部を除去する（ステップＳ５８、第３除去工程）。最後に、残存しているフォトレジスト膜２３を除去する（ステップＳ５９）。

上記の方法により、新たに第２遮光膜２２によって新たに遮光領域を追加でき、フォトマスクを平面視したときにもともと第１遮光膜１１によって形成されていた遮光領域を小さくすることができ、さらに、半透過膜１３によって形成されていた半透過領域の一部を遮光領域に変更させることができる。ただし、本変形例では、修正前のフォトマスク１０が有していた半透過効果は消失する。

〔実施形態２〕
本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。

実施形態１では、予め第１遮光膜１１によってパターンが既に形成されたフォトマスクに、新たに第２遮光膜２２による遮光部を形成するパターン修正方法について説明した。これに対して、本実施形態のパターン修正方法は、遮光膜に透過部が形成されることによりパターンが形成されているフォトマスクに、新たに透過部を形成する方法について説明する。

図３３は、本実施形態におけるパターン修正方法によってパターンを修正する対象のフォトマスクの一例としてのフォトマスク３０の構成を示す平面図である。図３４は、図３３に示す領域Ｄ４の拡大図であり、１つのパターン形成領域Ａを拡大した図である。

図３３に示すように、フォトマスク３０は、透明基板２上に複数のパターン形成領域Ａが形成されている。パターン形成領域Ａには、図３４に示すように、透明基板２上に遮光膜４１が成膜されており、当該遮光膜４１に透光部４２がパターニングされている。本実施形態では、１つのパターン形成領域Ａに円形の透光部４２が形成されている例について説明する。

図３５は、本実施形態におけるパターン修正方法によってパターンを修正したい箇所を示す図である。本実施形態では、図３５に示すように、透光部４２によって形成される円の中央に位置する領域Ｄ５に新たに透光部を形成するようにパターンを修正する例について説明する。

図３６は、本実施形態におけるパターン修正方法の一例を示すフローチャートである。図３７は、本実施形態におけるパターン修正方法を説明するための図である。図３６および図３７に示すように、本実施形態におけるパターン修正方法では、まず、遮光膜４１に透光部４２がパターニングされることによってパターンが既に形成されたフォトマスク３０を準備する（ステップＳ１１）。

次に、フォトマスク３０におけるパターンが形成された面に、フォトレジスト膜５１を形成する（ステップＳ１２）。次に、フォトレジスト膜５１に対して描画装置で描画し、その後現像することによりフォトレジストパターンを形成する（ステップＳ１３）。具体的には、図３５に示す領域Ｄ５に対応する遮光膜４１のみが、後述するステップＳ１４において除去されるようにフォトレジストパターンを形成する。

本実施形態におけるステップＳ１３では、フォトマスク３０の透明基板２に予め形成されているアライメントマーク４を基準として、フォトマスク３０の位置決めを行ったあと、描画装置で描画を行う。これにより、新たに追加する透過部の追加位置を高精度に制御することができる。なお、追加の透過部の形成位置の精度が必要でない場合は、アライメントマーク４によるフォトマスク３０の位置決めを行う必要はない。

次に、ステップＳ１３において形成したフォトレジストパターンをマスクとして、遮光膜４１の一部を除去する（ステップＳ１４）。その結果、新たに透光部４５を形成することができる。

最後に、残存しているフォトレジスト膜５１を除去する（ステップＳ１５）。これにより、予め形成されていた透光部４２に追加して、新たに透光部４５が形成されたフォトマスクを作製することができる。

上述の各実施形態では、ポジ型のフォトレジスト膜を用いてパターンの修正を行う態様について説明したが本発明はこれに限られない。本発明の一態様では、ネガ型のフォトレジスト膜を用いてパターンの修正を行ってもよい。

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

２ 透明基板
４ アライメントマーク
１０ フォトマスク
１１ 第１遮光膜（第１パターン形成部）
１３ 半透過膜（第１パターン形成部）
１４、２１ エッチングストッパー膜
２１ エッチングストッパー膜
２２ 第２遮光膜（第２パターン形成部）
２３ フォトレジスト膜

Claims (14)

1. 透明基板上に第１材料を含む第１パターン形成部によってパターンが既に形成され一連の製造工程により一旦完成品として製造され、前記パターンとの位置関係が既知である転写露光用アライメントマークまたは長寸測定用マークが形成されたフォトマスクに対して新たに所望のパターンを修正するパターン修正方法であって、
   前記フォトマスクの前記パターンが形成された面に、エッチングストッパー膜、および、前記第１材料と同一金属系の第２材料を含む第２パターン形成部をこの順に成膜する成膜工程と、
   前記第２パターン形成部の全面を覆うように前記フォトマスクの表面にフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程と、
   前記フォトレジスト膜に対して描画装置で描画してフォトレジストパターンを形成するパターン形成工程と、
   前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第２パターン形成部の一部を除去する第１除去工程と、
   前記第１除去工程において除去されなかった前記第２パターン形成部、または、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記エッチングストッパー膜を除去するエッチングストッパー膜除去工程と、を含み、
   前記パターン形成工程において、
   前記透明基板上に前記第１パターン形成部によるパターン形成時に同時に形成されている描画用アライメントマークを基準として前記フォトレジスト膜に対して前記描画装置で描画を行う、または、
   前記成膜工程と前記フォトレジスト膜形成工程との間において作成した描画用アライメントマークと、当該描画用アライメントマークとは異なるマークであって、修正前のパターンに形成されている転写露光用アライメントマークまたは長寸測定用マークと、の位置関係および傾きのずれに基づいて前記描画装置による描画位置を補正して描画を行う、パターン修正方法。
2. 前記第１材料および前記第２材料は、Ｃｒ系金属化合物、Ｓｉ系化合物、または金属シリサイド化合物である、請求項１に記載のパターン修正方法。
3. 前記フォトマスクを平面視した場合に、前記第１除去工程において除去されなかった前記第２パターン形成部の一部が前記第１パターン形成部に隣接するように、前記パターン形成工程において前記フォトレジストパターンを形成する、請求項１または２に記載のパターン修正方法。
4. 前記フォトマスクを平面視した場合に、前記第１除去工程において除去されなかった前記第２パターン形成部の一部が前記第１パターン形成部に隣接しないように、前記パターン形成工程において前記フォトレジストパターンを形成する、請求項１または２に記載のパターン修正方法。
5. 前記第１パターン形成部は、遮光性を有する第１遮光膜であり、
   前記第２パターン形成部は、遮光性を有する第２遮光膜である、請求項１から４のいずれか１項に記載のパターン修正方法。
6. 前記パターン形成工程では、前記フォトマスクを平面視した場合に、少なくとも前記第１遮光膜と重なる前記フォトレジスト膜の一部を除去するように前記フォトレジストパターンを形成し、
   前記第１除去工程は、前記パターン形成工程と、前記エッチングストッパー膜除去工程との間で行われ、
   前記エッチングストッパー膜除去工程では、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記エッチングストッパー膜を除去し、
   前記エッチングストッパー膜除去工程の後に、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第１遮光膜の一部を除去する第２除去工程をさらに含む、請求項５に記載のパターン修正方法。
7. 前記第１パターン形成部は、半透過膜と、前記半透過膜と前記透明基板との間の領域の一部の領域に配置された、遮光性を有する第１遮光膜、または位相シフト膜とを含み、
   前記第２パターン形成部は、遮光性を有する第２遮光膜である、請求項１から４のいずれか１項に記載のパターン修正方法。
8. 前記パターン形成工程では、前記フォトマスクを平面視した場合に、少なくとも前記第１遮光膜または前記位相シフト膜と重なる前記フォトレジスト膜の一部を除去するように前記フォトレジストパターンを形成し、
   前記第１除去工程は、前記パターン形成工程と、前記エッチングストッパー膜除去工程との間で行われ、
   前記エッチングストッパー膜除去工程では、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記エッチングストッパー膜を除去し、
   前記エッチングストッパー膜除去工程の後に、
   前記フォトレジストパターンをマスクとして前記半透過膜の一部を除去する第２除去工程と、
   前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第１遮光膜または前記位相シフト膜の一部を除去する第３除去工程と、をさらに含む、請求項７に記載のパターン修正方法。
9. 前記第１パターン形成部は、位相シフト膜を含み、
   前記第２パターン形成部は、位相シフト膜、または、遮光性を有する第２遮光膜を含む、請求項１から４のいずれか１項に記載のパターン修正方法。
10. 前記パターン形成工程では、前記フォトマスクを平面視した場合に、少なくとも前記位相シフト膜と重なる前記フォトレジスト膜の一部を除去するように前記フォトレジストパターンを形成し、
    前記第１除去工程は、前記パターン形成工程と、前記エッチングストッパー膜除去工程との間で行われ、
    前記エッチングストッパー膜除去工程では、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記エッチングストッパー膜を除去し、
    前記エッチングストッパー膜除去工程の後に、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記位相シフト膜の一部を除去する第２除去工程をさらに含む、請求項９に記載のパターン修正方法。
11. 前記第１パターン形成部は、透明基板上に形成された半透過膜または位相シフト膜と、前記半透過膜または前記位相シフト膜の前記透明基板側とは反対側の表面の一部の領域に第２エッチングストッパー膜を介して積層された遮光性を有する第１遮光膜とを含み、
    前記第２パターン形成部は、遮光性を有する第２遮光膜を含む、請求項１から４のいずれか１項に記載のパターン修正方法。
12. 前記パターン形成工程では、前記フォトマスクを平面視した場合に、少なくとも前記第１遮光膜と重なる前記フォトレジスト膜の一部を除去するように前記フォトレジストパターンを形成し、
    前記第１除去工程は、前記パターン形成工程と、前記エッチングストッパー膜除去工程との間で行われ、
    前記エッチングストッパー膜除去工程では、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記エッチングストッパー膜を除去し、
    前記エッチングストッパー膜除去工程の後に、
    前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第１遮光膜の一部を除去する第２除去工程と、
    前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第２エッチングストッパー膜の一部を除去する第３除去工程と、
    前記フォトレジストパターンをマスクとして前記半透過膜または前記位相シフト膜の一部を除去する第４除去工程と、をさらに含む、請求項１１に記載のパターン修正方法。
13. 前記第１パターン形成部は、
    前記第１材料および前記第２材料とは異なる第３材料を含み、前記透明基板上に形成された、半透過膜または位相シフト膜と、
    前記半透過膜または前記位相シフト膜の前記透明基板側とは反対側の表面の一部の領域に積層された、遮光性を有する第１遮光膜と、を含み、
    前記第２パターン形成部は、遮光性を有する第２遮光膜である、請求項１から４のいずれか１項に記載のパターン修正方法。
14. 前記パターン形成工程では、前記フォトマスクを平面視した場合に、少なくとも前記第１遮光膜と重なる前記フォトレジスト膜の一部を除去するように前記フォトレジストパターンを形成し、
    前記第１除去工程は、前記パターン形成工程と、前記エッチングストッパー膜除去工程との間で行われ、
    前記エッチングストッパー膜除去工程では、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記エッチングストッパー膜を除去し、
    前記エッチングストッパー膜除去工程の後に、
    前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第１遮光膜の一部を除去する第２除去工程と、
    前記フォトレジストパターンをマスクとして前記半透過膜または前記位相シフト膜の一部を除去する第３除去工程と、をさらに含む、請求項１３に記載のパターン修正方法。

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