JP2009205146A - フォトマスクの欠陥修正方法、フォトマスクの製造方法、位相シフトマスクの製造方法、フォトマスク、位相シフトマスク、フォトマスクセット及びパターン転写方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フォトマスク1に形成された第1の転写パターンに生じたパターン欠陥4,5のうち、フォトマスク1を用いた被転写体への転写と、フォトマスク1と組み合わせて同一の被転写体に第2の転写パターンを転写する第2のフォトマスクを用いた被転写体への転写との両方を行ったときに、被転写体上において第1の転写パターンに含まれるパターンであって、第2の転写パターンの転写によってパターンが形成されなくなる領域を除いた領域にある欠陥4に対してのみ、欠陥修正を行う。
【選択図】図5
Description
本発明に係るフォトマスクの欠陥修正方法は、第1のフォトマスクに形成された第1の転写パターンに生じたパターン欠陥のうち、第1のフォトマスクを用いた被転写体への転写と、第1のフォトマスクと組み合わせて同一の被転写体に第2の転写パターンを転写する第2のフォトマスクを用いた被転写体への転写との両方を行ったときに、被転写体上において第1の転写パターンに含まれるパターンであって、第2の転写パターンの転写によってパターンが形成されなくなる領域を除いた領域にあるものに対してのみ、欠陥修正を行うことを特徴とするものである。
構成1を有するフォトマスクの欠陥修正方法において、第1の転写パターンは、透明基板に形成した掘り込み部を有する位相シフトパターンを含むことを特徴とするものである。
構成1、または、構成2を有するフォトマスクの欠陥修正方法において、第1及び第2の転写パターンは、一方が、他方の転写パターンによって被転写体上に形成される不要なパターンを消去することを特徴とするものである。
構成1乃至構成3のいずれか一を有するフォトマスクの欠陥修正方法において、第1及び第2の転写パターンは、一方の被転写体への転写が、他方の転写パターンを被転写体上に転写する際の解像度を高くすることを特徴とするものである。
構成1乃至構成3のいずれか一を有するフォトマスクの欠陥修正方法において、第1及び第2のフォトマスクは、異なる露光条件によって被転写体上に転写されるものであることを特徴とするものである。
構成1乃至構成3のいずれか一を有するフォトマスクの欠陥修正方法において、第1及び第2の転写パターンは、それぞれ被転写体上に形成しようとするパターンであって、露光機の解像限界を超えたパターンを、予め、露光機の解像限界範囲内の2つのパターンに分離して形成されたパターンであることを特徴とするものである。
本発明に係るフォトマスクの製造方法は、構成1乃至構成6のいずれか一を有するフォトマスクの欠陥修正方法による欠陥修正工程を含むことを特徴とするものである。
本発明に係る位相シフトマスクの製造方法は、透明基板上に、それぞれ所定のパターニングが施された遮光層及びシフタ層を有することにより、非位相シフト透光部と、非位相シフト透光部に対して露光光の位相を略180°反転して透過させる位相シフト部と、遮光部とを含む位相シフトマスクパターンを有する位相シフトマスクの製造方法において、遮光層及びシフタ層のパターニングの後に形成された位相シフトマスクパターンの欠陥修正を行う欠陥修正工程を有し、欠陥修正工程においては、位相シフトマスクパターンにおけるパターン欠陥の位置を特定するとともに、位相シフトマスクを用いて位相シフトマスクパターンの転写を行う被転写体に対して、該転写前又は転写後に転写を行うトリムマスクのトリムマスクパターンのデータを参照し、位置が特定されたパターン欠陥のうち、トリムマスクパターンの転写によって被転写体上にパターンが形成されなくなる領域を除いた領域にあるパターン欠陥のみを修正することを特徴とするものである。
本発明に係るフォトマスクは、第1の転写パターンが形成されたフォトマスクにおいて、第1の転写パターンに生じたパターン欠陥のうち、フォトマスクを用いた被転写体への転写と組み合わせて同一の被転写体に第2の転写パターンを転写する第2のフォトマスクを用いた被転写体への転写との両方を行ったときに、被転写体上において、第1の転写パターンに含まれるパターンであって、第2の転写パターンの転写によってパターンが形成されなくなる領域を除いた領域にあるものに対してのみ、欠陥修正が行われていることを特徴とするものである。
本発明に係る位相シフトマスクは、位相シフト部を含む位相シフトマスクパターンが形成された位相シフトマスクにおいて、位相シフトマスクパターンに生じたパターン欠陥のうち、位相シフトマスクを用いた位相シフトマスクパターンの被転写体への転写と、位相シフトマスクと組み合わせて同一の被転写体にパターンを転写する第二のマスクを用いた被転写体への露光との両方を行ったときに、被転写体上においてパターンが形成されなくなる領域を除いた領域に対してのみ、欠陥修正が行われていることを特徴とするものである。
本発明に係るフォトマスクセットは、位相シフト部を含む位相シフトマスクパターンが形成された位相シフトマスクと、この位相シフトマスクを用いて位相シフトマスクパターンの転写を行う被転写体に対して、転写前又は転写後に転写を行うのトリムマスクとを有するフォトマスクセットにおいて、位相シフトマスクの位相シフトマスクパターンと、トリムマスクに成形されたトリムパターンとを重ねたときに、位相シフトマスクパターンの領域内であってトリムパターンの透光部に重なる領域をトリム領域としたとき、位相シフトマスクは、トリム領域を除いた領域に対してのみ、欠陥修正が行われていることを特徴とするものである。
本発明に係るパターン転写方法は、構成7を有するフォトマスクの製造方法、または、構成8を有する位相シフトマスクの製造方法により製造されたフォトマスク、または、位相シフトマスク、あるいは、構成9を有するフォトマスク、または、構成10を有する位相シフトマスクを用い、被転写体にパターンを転写することを特徴とするものである。
図14、図15は、本発明の実施例に係る2枚のフォトマスクの製造工程の断面模式図である。また、図16は、2枚のマスクの欠陥検査結果得られた発生欠陥を図示したものである。これらの図を参照しながら本発明の実施例を説明する。
2 トリムマスク
3 ウエハ
Claims (12)
- フォトマスクの欠陥修正方法において、
第1のフォトマスクに形成された、第1の転写パターンに生じたパターン欠陥のうち、前記第1のフォトマスクを用いた被転写体への転写と、前記第1のフォトマスクと組み合わせて同一の被転写体に第2の転写パターンを転写する第2のフォトマスクを用いた前記被転写体への転写との両方を行ったときに、前記被転写体上において第1の転写パターンに含まれるパターンであって、第2の転写パターンの転写によってパターンが形成されなくなる領域を除いた領域にあるものに対してのみ、欠陥修正を行う
ことを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。 - 前記第1の転写パターンは、透明基板に形成した掘り込み部を有する位相シフトパターンを含む
ことを特徴とする請求項1記載のフォトマスクの欠陥修正方法。 - 前記第1及び第2の転写パターンは、一方が、他方の転写パターンによって被転写体上に形成される不要なパターンを消去するものである
ことを特徴とする請求項1、または、請求項2記載のフォトマスクの欠陥修正方法。 - 前記第1及び第2の転写パターンは、一方の被転写体への転写が、他方の転写パターンを被転写体上に転写する際の解像度を高くするものである
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載のフォトマスクの欠陥修正方法。 - 前記第1及び第2のフォトマスクは、異なる露光条件によって前記被転写体上に転写されるものである
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載のフォトマスクの欠陥修正方法。 - 前記第1及び第2の転写パターンは、それぞれ前記被転写体上に形成しようとするパターンであって、露光機の解像限界を超えたパターンを、予め、露光機の解像限界範囲内の2つのパターンに分離して形成されたパターンである
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載のフォトマスクの欠陥修正方法。 - フォトマスクの製造方法において、
請求項1乃至請求項6のいずれか一に記載のフォトマスクの欠陥修正方法による欠陥修正工程を含む
ことを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 透明基板上に、それぞれ所定のパターニングが施された遮光層及びシフタ層を有することにより、非位相シフト透光部と、非位相シフト透光部に対して露光光の位相を略180°反転して透過させる位相シフト部と、遮光部とを含む位相シフトマスクパターンを有する位相シフトマスクの製造方法において、
前記遮光層及びシフタ層のパターニングの後に、形成された位相シフトマスクパターンの欠陥修正を行う欠陥修正工程を有し、
前記欠陥修正工程においては、前記位相シフトマスクパターンにおけるパターン欠陥の位置を特定するとともに、前記位相シフトマスクを用いて前記位相シフトマスクパターンの転写を行う被転写体に対して、該転写前又は前記転写後に転写を行うトリムマスクのトリムマスクパターンのデータを参照し、位置が特定された前記パターン欠陥のうち、前記トリムマスクパターンの転写によって前記被転写体上にパターンが形成されなくなる領域を除いた領域にあるパターン欠陥のみを修正する
ことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 第1の転写パターンが形成されたフォトマスクにおいて、
前記第1の転写パターンに生じたパターン欠陥のうち、前記フォトマスクを用いた被転写体への転写と組み合わせて同一の被転写体に第2の転写パターンを転写する第2のフォトマスクを用いた前記被転写体への転写との両方を行ったときに、前記被転写体上において、第1の転写パターンに含まれるパターンであって、第2の転写パターンの転写によってパターンが形成されなくなる領域を除いた領域にあるものに対してのみ、欠陥修正が行われている
ことを特徴とするフォトマスク。 - 位相シフト部を含む位相シフトマスクパターンが形成された位相シフトマスクにおいて、
前記位相シフトマスクパターンに生じたパターン欠陥のうち、前記位相シフトマスクを用いた前記位相シフトマスクパターンの被転写体への転写と、前記位相シフトマスクと組み合わせて同一の被転写体にパターンを転写する第二のマスクを用いた前記被転写体への露光との両方を行ったときに、前記被転写体上においてパターンが形成されなくなる領域を除いた領域に対してのみ、欠陥修正が行われている
ことを特徴とする位相シフトマスク。 - 位相シフト部を含む位相シフトマスクパターンが形成された位相シフトマスクと、この位相シフトマスクを用いて前記位相シフトマスクパターンの転写を行う被転写体に対して、前記転写前又は前記転写後に転写を行うのトリムマスクとを有するフォトマスクセットにおいて、
前記位相シフトマスクの位相シフトマスクパターンと、前記トリムマスクに成形されたトリムパターンとを重ねたときに、前記位相シフトマスクパターンの領域内であって前記トリムパターンの透光部に重なる領域をトリム領域としたとき、前記位相シフトマスクは、前記トリム領域を除いた領域に対してのみ、欠陥修正が行われている
ことを特徴とするフォトマスクセット。 - 請求項7記載のフォトマスクの製造方法、または、請求項8記載の位相シフトマスクの製造方法により製造されたフォトマスク、または、位相シフトマスク、あるいは、請求項9記載のフォトマスク、または、請求項10記載の位相シフトマスクを用い、被転写体にパターンを転写する
ことを特徴とするパターン転写方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101090472B1 (ko) | 2009-12-30 | 2011-12-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 광학근접보정 검증방법 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108267927B (zh) * | 2011-12-21 | 2021-08-24 | 大日本印刷株式会社 | 大型相移掩膜 |
US9955603B2 (en) * | 2012-05-29 | 2018-04-24 | Apple Inc. | Components of an electronic device and methods for their assembly |
JP7154572B2 (ja) * | 2018-09-12 | 2022-10-18 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、及び半導体デバイスの製造方法 |
DE102020208980A1 (de) * | 2020-07-17 | 2022-01-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Reparieren eines Defekts einer lithographischen Maske |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1064788A (ja) * | 1996-08-22 | 1998-03-06 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法と露光用マスク |
JPH10207040A (ja) * | 1997-01-14 | 1998-08-07 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 位相シフト・マスク矯正方法および位相シフト・マスク・システム |
US5807649A (en) * | 1996-10-31 | 1998-09-15 | International Business Machines Corporation | Lithographic patterning method and mask set therefor with light field trim mask |
JPH10274839A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Fujitsu Ltd | 修正用マスク及びハーフトーン位相シフトマスクの修正方法 |
JPH1138594A (ja) * | 1997-07-18 | 1999-02-12 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1064788A (ja) * | 1996-08-22 | 1998-03-06 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法と露光用マスク |
US5807649A (en) * | 1996-10-31 | 1998-09-15 | International Business Machines Corporation | Lithographic patterning method and mask set therefor with light field trim mask |
JPH10207040A (ja) * | 1997-01-14 | 1998-08-07 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 位相シフト・マスク矯正方法および位相シフト・マスク・システム |
JPH10274839A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Fujitsu Ltd | 修正用マスク及びハーフトーン位相シフトマスクの修正方法 |
JPH1138594A (ja) * | 1997-07-18 | 1999-02-12 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101090472B1 (ko) | 2009-12-30 | 2011-12-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 광학근접보정 검증방법 |
Also Published As
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