DE102021213163A1 - Verfahren und Vorrichtung zur Kalibrierung eines Arbeitsvorgangs auf einer Photomaske - Google Patents

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft Verfahren und eine Vorrichtung für eine Kalibrierung eines Arbeitsvorgangs auf einer Maske. Ein Verfahren zum Erzeugen von Korrekturmarken auf einem Objekt für die Lithografie, insbesondere für die Kalibrierung eines Arbeitsvorganges, mit einem Teilchenstrahl weist auf: (a.) Erzeugen einer ersten Gruppe an Korrekturmarken; (b.) Erzeugen einer zweiten Gruppe an Korrekturmarken, (c.) wobei die Abstände der Korrekturmarken innerhalb der ersten und innerhalb der zweiten Gruppe kleiner sind als die Abstände zwischen Korrekturmarken aus der ersten Gruppe und Korrekturmarken aus der zweiten Gruppe.

Description

• 1. Technisches Gebiet
• Die vorliegende Erfindung betrifft Verfahren und eine Vorrichtung für eine Kalibrierung eines Arbeitsvorgangs auf einer Maske. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Erzeugen von Korrekturmarken auf einem Objekt für die Lithografie, ein Verfahren zum Kalibrieren des Arbeitsvorgangs, sowie eine entsprechende Vorrichtung und Computerprogramm zum Ausführen der Verfahren.
• 2. Stand der Technik
• In der Halbleiterindustrie werden zunehmend kleinere Strukturen auf einem Wafer hergestellt, um eine Erhöhung der Integrationsdichte zu gewährleisten. Für die Herstellung der Strukturen kommen dabei u.a. lithografische Verfahren zum Einsatz, welche diese auf dem Wafer abbilden. Die lithografischen Verfahren können z.B. Photolithografie, UV-Lithografie, DUV-Lithografie, EUV-Lithografie, Röntgenlithografie, Nanoprägelithografie, etc. umfassen. Dabei kommen bei der Lithografie meist Masken zum Einsatz (z.B. Photomasken, Belichtungsmasken, Reticles, Stempel bei der Nanoprägelithografie, etc.), welche ein Muster umfassen, um die gewünschten Strukturen z.B. auf einem Wafer abzubilden.
• Mit der wachsenden Integrationsdichte werden auch die Anforderungen an die Maskenherstellung größer (z.B. durch die einhergehende Verkleinerung der Strukturgrößen auf der Maske oder durch die höheren Materialanforderungen der Lithografie). Die Herstellungsprozesse der Masken werden somit zunehmend komplexer, zeitaufwändiger und kostenintensiver, wobei Maskenfehler (z.B. Defekte) nicht immer vermieden werden können. Üblicherweise werden die Maskenfehler daher in einem weiteren Bearbeitungsprozess behoben bzw. repariert.
• Beispielsweise kann ein Maskenfehler über einen teilchenstrahlbasierten Prozess repariert werden, wobei ein entsprechender Arbeitsvorgang ein Bearbeiten in einem Schreibfeld und/oder eine Bildaufnahme in einem Bildfeld umfassen kann. Der Teilchenstrahl wird dabei meist über das vordefinierte Schreib- bzw. Bildfeld gezielt gerastert (z.B. entlang eines rechteckigen Pixelrasters).
• Üblicherweise sind Masken elektrisch isolierende Proben, sodass ein Rastern der Maske mit geladenen Teilchen (z.B. Elektronen aus einem Elektronenstrahl, Ionen aus einem Ionenstrahl) eine elektrostatische Aufladung der Maske verursachen kann, welche den Teilchenstrahl ungewollt vom beabsichtigten Auftreffpunkt ablenkt. Dieser Effekt wird Positionsdrift bzw. Drift eines Teilchenstrahls genannt, wobei auch andere Mechanismen diesen beeinflussen können.
• Der Positionsdrift äußert sich in Form von Verschiebungen, Verzeichnungen und/oder Verzerrungen, welche das vordefinierte Schreib- bzw. Bildfeld des Teilchenstrahls signifikant beeinflussen können. Um ein Rastern des Teilchenstrahls entlang eines gewünschten Arbeitsbereiches zu gewährleisten, muss daher üblicherweise der Teilchenstrahl korrigiert bzw. überprüft werden (d.h. es muss eine Driftkorrektur/Driftüberprüfung vorgenommen werden).
• Häufig werden die Auswirkungen einer relativen Verschiebung zwischen der Maske und dem Teilchenstrahl adressiert, indem beispielsweise eine Reparatur relativ zu einer Referenzmarkierung im Bild- oder Scan-Bereich des Teilchenstrahls definiert wird, die Position der Referenzmarkierung über die Reparaturdauer mit Bildverarbeitungsmethoden verfolgt wird, und der Teilchenstrahl für die Reparatur mittels eines Offsets verschoben wird. Markierungen oder Referenzmarkierungen degradieren allerdings im Laufe eines Reparaturprozesses, unterliegen diese doch ähnlichen Bedingungen wie der zu reparierende Defekt selbst. Deshalb werden die Markierungen so selten wie möglich, aber so oft wie nötig gescannt.
• Aus US 2002 122992 A ist ein Verfahren zum Korrigieren einer Photomaske bekannt, bei dem über einen Ionenstrahl ein rechteckiges Referenzloch in einem Maskenmuster geformt wird. Über eine Positionsbestimmung des Referenzlochs kann eine Positionsbeziehung zwischen Referenzloch und einem Defekt des Maskenmusters berechnet werden, welche für die Korrektur des Defektes verwendet wird.
• US 2009 0218488 offenbart ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Strahlkorrektur einer Strahldrift. Die Strahlposition ist unter Verwenden eines Markers ausgerichtet, der ausreichend nah am Arbeitsbereich ist, sodass eine Bildaufnahme des Markers möglich ist, ohne einen Positioniertisch zu bewegen. Während des Prozessierens wird der Teilchenstrahl korrigiert unter Verwenden eines Modells, welches den Drift prognostiziert.
• Insbesondere bei der Reparatur oder Untersuchung großer bzw. großflächiger Defekte (z.B. größer als ca. 400 × 400 nm) funktionieren die bekannten Herangehensweisen allerdings nicht immer in zufriedenstellendem Maße.
• Zunächst verringert sich bei solch großflächigen Defekten die Effizienz des Reparaturprozesses, da sich die Adsorptions- und Diffusionsprozesse der beteiligten Prozessgase anders verhalten. Bei herkömmlicher Herangehensweise auch für solch großflächige Defekte müssen zudem - weil mit der Größe des Defekts auch die Prozesszeit zunimmt - die Referenzmarken häufiger gescannt werden und degradieren dadurch stärker. Eine auf diese Weise degradierte Referenzmarke verursacht höheres Rauschen bei der Positionsbestimmung und beeinträchtigt damit die Qualität der Reparatur oder führt sogar zu deren Abbruch. Ferner vergrößert sich der Abstand der Referenzmarken zu den kritischen Kanten (oder anderen relevanten Strukturen) der Maske. Dadurch wird die Genauigkeit der Kantenpositionierung verringert, da sich nichtlineare Einflüsse durch die Aufladung verstärken.
• Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zu Grunde, Verfahren und Vorrichtungen anzugeben, welche verbesserte Möglichkeiten zur Untersuchung und/oder Bearbeitung von Objekten (z.B. Masken) für die Lithografie bereitstellen, insbesondere zur Untersuchung und/oder Bearbeitung von großflächigen Defekten (z.B. mit einem Durchmesser größer als einige 100 nm) auf solchen Objekten.
• 3. Zusammenfassung der Erfindung
• Diese Aufgabe wird zumindest teilweise durch die verschiedenen Aspekte der vorliegenden Erfindung gelöst.
• Ein erster Aspekt der Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen von Korrekturmarken auf einem Objekt für die Lithografie (z.B. einer Maske), insbesondere für die Kalibrierung eines Arbeitsvorganges, mit einem Teilchenstrahl. Das Verfahren kann die folgenden Schritte aufweisen: (a.) Erzeugen einer ersten Gruppe an Korrekturmarken; und (b.) Erzeugen einer zweiten Gruppe an Korrekturmarken. Die Abstände der Korrekturmarken innerhalb der ersten und innerhalb der zweiten Gruppe sind dabei kleiner als die Abstände zwischen Korrekturmarken aus der ersten Gruppe und Korrekturmarken aus der zweiten Gruppe. Die erste Gruppe umfasst dabei mehr als eine Korrekturmarke, wobei ebenso die zweite Gruppe mehr als eine Korrekturmarke umfasst.
• Ein Abstand zwischen zwei Korrekturmarken ergibt sich dabei aus den üblichen Abstandsbestimmungen zweier geometrischer Objekte. So kann dieser Abstand beispielsweise über eine Länge einer kürzesten Verbindungslinie definiert sein, welche zwischen zwei Punkten aufgespannt wird, wobei jeder Punkt zu einer anderen Korrekturmarke gehört. Ein Punkt kann dabei z.B. einen Punkt einer Kante einer Korrekturmarke umfassen (wie z.B. eine äußere oder innere Kante der Korrekturmarke) und/oder ein beliebiger Punkt sein, welcher der Fläche/Geometrie der Korrekturmarke zuzuordnen ist. Die Korrekturmarken innerhalb einer Gruppe sind also voneinander beabstandet (z.B. nebeneinander angeordnet) und zwar so, dass sie sich jeweils näher liegen als die Korrekturmarken der jeweils anderen Gruppe.
• Die Abstände der Korrekturmarken innerhalb einer Gruppe können dabei als interne Gruppenabstände bezeichnet werden, während die Abstände zwischen Korrekturmarken aus der ersten und der zweiten Gruppe als externe Gruppenabstände bezeichnet werden können. Die internen Gruppenabstände umfassen dabei alle möglichen Abstände der Korrekturmarken innerhalb einer Gruppe. Die externen Gruppenabstände umfassen alle möglichen Abstände einer (beliebigen) Korrekturmarke aus der ersten Gruppe zu einer (beliebigen) Korrekturmarke aus der zweiten Gruppe. Demnach soll kein interner Gruppenabstand größer sein als ein externer Gruppenabstand.
• Bekannte Verfahren zum Erzeugen von Korrekturmarken auf einer Maske setzten bisher nicht auf diese Art der geometrischen Anordnung von Korrekturmarken. Daher konnten bisher nur mit einigen Nachteilen Arbeitsvorgänge auf der Maske durchgeführt werden, welche für bestimmte Zwecke Korrekturmarken benötigen. Ein Arbeitsvorgang kann dabei z.B. ein (teilchenstrahlbasiertes) Bearbeiten der Maske, eine Untersuchung der Maske (z.B. über einen Elektronenstrahl eines Rasterelektronenmikroskops, über einen Ionenstrahl etc.), eine Lokalisierung eines Arbeitsbereiches, eine Kalibrierung eines Teilchenstrahls usw. umfassen.
• Insbesondere kann die optimierte Anordnung der Korrekturmarken dazu dienen die Positionsdrift eines Teilchenstrahls verbessert zu bestimmen und somit eine optimierte Untersuchung und/oder Reparatur von Fehlern der Maske (z.B. Maskendefekte) zu ermöglichen. Maskenfehler stellen Abweichungen der Maske von entsprechenden Sollwerten dar und können beispielsweise bei der Maskenherstellung entstehen. Typische Maskendefekte sind Stellen oder Bereiche, in denen zu viel oder zu wenig Absorbermaterial vorhanden ist und die z.B. unter Eintrag entsprechender Präkursorgase mit Hilfe eines Teilchenstrahls durch lokales Ätzen oder Materialabscheiden behoben werden.
• Insbesondere werden so lokal (in Form der ersten bzw. Gruppe) mehrere Marken bereitgestellt, so dass die Kalibrierung aufgrund mehreren Marken stattfinden kann. So kann z.B. nach Verschleiß einer Marke der ersten (zweiten) Gruppe alternativ auf eine weitere Marke der ersten (zweiten) Gruppe zurückgegriffen werden, die in der Nähe angeordnet ist, und so zur weiteren Kalibrierung eines sich über einen längeren Zeitraum erstreckenden Arbeitsvorgangs herangezogen werden (z.B. bei Bearbeitung und/oder Abbildung eines größeren Defekts). Alternativ können auch die Marken einer Gruppe abwechselnd verwendet werden, z.B. um die Abnutzung über mehrere Marken zu verteilen und alle Marken somit möglichst lange zu erhalten.
• Der Teilchenstrahl kann z.B. ein massebehafteter Teilchenstrahl sein (z.B. Elektronen- oder Ionenstrahl) oder aber auch ein masseloser Teilchenstrahl (z.B. Photonenstrahl).
• Optimierte Arbeitsvorgänge, welche durch das erfindungsgemäße Erzeugen der Gruppen ermöglicht werden, sind im zweiten Aspekt der Erfindung näher dargelegt.
• In einem weiteren Beispiel umfassen die erste Gruppe und/oder die zweite Gruppe zumindest teilweise gleichartig ausgebildete Korrekturmarken. Z.B. können geometrisch gleichartige (d.h. geometrisch ähnliche) Korrekturmarken in beiden Gruppen erzeugt werden, wobei gleichartige Korrekturmarken anschließend für die gleiche Funktion in einem Arbeitsvorgang verwendet werden könnten. Dieses Konzept ermöglicht das Vorhandensein einer Redundanz und/oder Verteilung von Abnutzungserscheinungen, falls z.B. ein Korrekturmarker aus technischen Gründen sich während des Arbeitsvorganges abnutzt, entfällt und/oder technisch nicht mehr brauchbar ist. Die Funktion einer Korrekturmarke kann dabei eine Referenzmarke für eine Kalibrierung eines Arbeitsvorganges, z.B. eine Marke zur Bestimmung einer Drift eines Teilchenstrahls, eine Fokussiermarke zum Fokussieren eines Teilchenstrahls, eine Lokalisierungsmarke zum Lokalisieren eines Arbeitsbereiches, eine Ausrichtungsmarke zum Ausrichten eines Arbeitsvorganges (z.B. zum Ausrichten der Maske für eine Bearbeitung), eine Überprüfungsmarke zum Überprüfen eines Arbeitsvorganges usw. umfassen. Dabei kann die Geometrie, als auch das Material einer Korrekturmarke so ausgelegt sein, dass es für die spezifische Funktion, welche die Korrekturmarke übernehmen soll, optimiert ist. Als Material ist dabei jedes Material denkbar, welches (additiv) auf einer Maske angebracht werden kann (z.B. ein Metall, wie Platin, Wolfram, etc. und/oder ein isolierendes Material), wobei die Korrekturmarken ebenso aus dem Maskenmaterial und/oder dem dazugehörigen Substrat definiert sein können (z.B. kann eine Korrekturmarke aus Chrom, Tantalnitrid, Molybdänsilicid, Absorbermaterial der Maske, usw. geformt sein). Denkbare Geometrien wären beispielsweise kreisförmige, kugelförmige, ovale, dreieckige, rechteckige Korrekturmarker, als auch komplexere Geometrien wie z.B. Kreuze, Rahmen, Polygone, etc. Beispielsweise könnten kreuzförmige Korrekturmarker einer Gruppe zur Erstlokalisierung eines Arbeitsbereiches ausgelegt sein, während kreisförmige Korrekturmarker dieser Gruppe für die Kalibrierung eines Arbeitsvorganges dienen könnten.
• In einem weiteren Beispiel können die Korrekturmarken nebeneinander angeordnet sein. Die Korrekturmarken können z.B. in einer Reihe und/oder in der Art eines Arrays (z.B. in einem Feld mit mehreren nebeneinander liegenden Reihen an Korrekturmarken) auf der Maske angebracht werden. In einem anderen Beispiel sind in der ersten Gruppe und/oder der zweiten Gruppe ausschließlich geometrisch gleichartige Korrekturmarken erzeugt, wobei die gleichartigen Korrekturmarken für mehrere Funktionen in einem Arbeitsvorgang verwendet werden könnten.
• In einem weiteren Beispiel ist zumindest eine Korrekturmarke aus der ersten Gruppe und/oder der zweiten Gruppe aus mehreren Geometrieformen zusammengesetzt. So kann beispielsweise eine Korrekturmarke aus einer Vielzahl von diskreten, geometrisch ähnlichen Formen (z.B. aus identischen kreisförmigen/kugelförmigen Punkten) zusammengesetzt sein, welche z.B. sehr dicht nebeneinander erzeugt werden und dadurch eine Korrekturmarke gebildet wird. Beispielsweise kann das Erzeugen so erfolgen, dass über die (z.B. sehr klein) dimensionierten diskreten Formen bei einer bestimmten Vergrößerung, welche z.B. für das Auslesen der Korrekturmarke über eine Bildverarbeitung nötig ist, der Eindruck einer einheitlichen zusammenhängenden Korrekturmarke entsteht. Die erfindungsgemäße Vorgehensweise, dass eine Korrekturmarke aus mehreren diskreten Formen erzeugt wird, kann aus prozesstechnischer Hinsicht in Bezug auf die Bearbeitung einer Maske der Lithografie vorteilhaft sein. Zum einen ergibt sich bei dieser Art der Erzeugung der Korrekturmarke ein optimiertes Prozessmanagement, da die Variabilität der Prozessbedingungen (und somit eine Fehleranfälligkeit) minimiert werden kann. Die Erzeugung einer Korrekturmarke kann nämlich über eine Vielzahl von gleichen (diskreten) Einzelprozessen erreicht werden, wobei z.B. jeder Einzelprozess die gleiche Geometrieform auf der Maske erzeugt und somit größtenteils die gleichen Prozessparameter benötigt. Lediglich die Position auf der Maske, an der die gleiche Geometrieform angebracht werden soll, muss für jeden Schritt angepasst werden. Dadurch kommt es zu einer Verringerung der Prozesskomplexität, Minimierung von Prozessschwankungen, Erhöhung der Prozessstabilität, wodurch Korrekturmarken mit zuverlässig gleichen Eigenschaften auf der Maske über einen längeren Produktionszeitraum erzeugt werden können. Dies gewährleistet eine zuverlässige Funktion der Korrekturmarke für einen Arbeitsvorgang, der z.B. auf der Korrekturmarke basiert. Weiterhin ermöglicht eine Vielzahl von diskreten Geometrieformen den Prozess des Entfernens der Korrekturmarken zu vereinfachen, da weniger Fläche der Korrekturmarke mit der Maske in Verbindung steht. Die Entfernung kann zusätzlich leichter erfolgen, da durch die Vielzahl an diskreten Verbundflächen der mehreren Geometrieformen zur Maske innerhalb einer Korrekturmarke Lücken mit z.B. Maskenmaterial freistehen. Der Entfernungsprozess (z.B. eine Reinigung über einen nasschemischen Prozess, einen Plasmaprozess, etc.) kann daher einheitlicher auf die Korrekturmarke einwirken, da z.B. auch Kanten der Geometrieformen innerhalb einer Korrekturmarke homogen angegriffen werden können. Somit können Rückstände nach dem Entfernungsprozess minimiert werden.
• In einem weiteren Beispiel kann eine Korrekturmarke aus einer Vielzahl von komplexeren Geometrieformen, welche nicht zwingend geometrisch ähnlich sind, zusammengesetzt sein. Beispielsweise wäre hier ein Rechteck in einem Rahmen, eine kreisförmige Struktur in einem kreisförmigen Rahmen, ein Fadenkreuz, etc. denkbar. Dies ermöglicht es z.B. Formen an Korrekturmarken zu erstellen, welche für spezielle Bildverarbeitungsmethoden benötigt werden.
• In einem Beispiel beträgt die Anzahl der Korrekturmarken der ersten Gruppe und/oder der zweiten Gruppe zumindest drei, vorzugsweise zumindest vier. Dies ist insbesondere vorteilhaft, da dadurch eine geeignete Redundanz und/oder Abnutzungsverteilung z.B. für einen Arbeitsvorgang gegeben ist, welcher auf den Korrekturmarken basiert. Dabei kann die Anzahl der Korrekturmarken für den darauf basierenden Arbeitsvorgang optimiert sein, sodass so viele wie nötig, aber so wenig Korrekturmarken wie möglich erzeugt werden. Dadurch wird die unnötige Erzeugung von Korrekturmarken vermieden, um z.B. Rückstände bei der Entfernung zu minimieren.
• In einem Beispiel sind die Abstände der Korrekturmarken innerhalb der ersten und/oder innerhalb der zweiten Gruppe zumindest fünfmal kleiner, bevorzugt zumindest zehnmal kleiner, besonders bevorzugt zumindest zwanzigmal kleiner als die Abstände zwischen Korrekturmarken aus der ersten Gruppe und Korrekturmarken aus der zweiten Gruppe. Durch die genannten Größenordnungen der Abstandsunterschiede kann z.B. eine Gruppenzuordnung zweier Korrekturmarken, während eines Arbeitsvorganges, zügig erfolgen. Ein Arbeitsbereich eines Arbeitsvorganges, welcher auf den Korrekturmarken basiert, kann beispielsweise innerhalb eines durch die Abstände zwischen Korrekturmarken aus der ersten Gruppe und Korrekturmarken aus der zweiten Gruppe (d.h. durch die externen Gruppenabstände) aufgespannten Bereichs liegen. Die Eigenschaften der Korrekturmarken können dabei in Abhängigkeit von der gewählten bzw. erzeugten Dimensionierung der externen Gruppenabstände variieren, um z.B. ein Auslesen der Korrekturmarken zu optimieren. Beispielsweise, falls die Abstände der Korrekturmarken innerhalb einer Gruppe (d.h. die internen Gruppenabstände) zumindest zwanzigmal kleiner sind als die externen Gruppenabstände, könnten die Gruppen entsprechend großflächige Korrekturmarken aufweisen. Wenn hingegen die internen Gruppenabstände fünfmal kleiner sind als die externen Gruppenabstände, könnten z.B. im Vergleich dazu die Gruppen kleinflächigere Korrekturmarken aufweisen. Es wäre ebenso denkbar, dass die Art der Korrekturmarken (z.B. deren Material, Geometrieform, usw. wie zuvor erläutert) in Abhängigkeit von der Dimensionierung der externen Gruppenabstände gewählt und erzeugt wird.
• In einem Beispiel basiert das Erzeugen der Korrekturmarken zumindest teilweise auf einem teilchenstrahlinduzierten Abscheideprozess und/oder einem teilchenstrahlinduzierten Ätzprozess. Der teilchenstrahlinduzierte Abscheideprozess kann dabei z.B. einen elektronenstrahlinduzierten und/oder einen ionenstrahlinduzierten Abscheideprozess umfassen. Der Abscheideprozess kann dabei z.B. auf einer Gasphasenabscheidung (z.B. einer chemischen und/oder physikalischen) basieren, welche durch den Teilchenstrahl gezielt induziert bzw. unterstützt wird. Dabei kann z.B. durch eine gezielte Führung des Teilchenstrahls und einer geeigneten Gasatmosphäre eine beliebige Geometrie einer Korrekturmarke aus einem entsprechenden Material auf der Maske lokal abgeschieden werden. Entsprechende Verfahren, welche dem Fachmann geläufig sind, wären z.B. das (fokussierte) elektronenstrahlinduzierte Abscheiden (engl. (focused) electron beam induced deposition - (F)EBID), das (fokussierte) ionenstrahlinduzierte Abscheiden (engl. (focused) ion beam induced deposition - (F)IBID), usw.
• Der teilchenstrahlinduzierte Ätzprozess kann z.B. einen elektronenstrahlinduzierten und/oder einen ionenstrahlinduzierten Ätzprozess umfassen. Der Ätzprozess kann dabei z.B. in einer Ätzumgebung stattfinden (z.B. in einem Ätzgas, einem Ätzplasma, etc.), wobei der Ätzprozess durch den Teilchenstrahl gezielt induziert bzw. unterstützt werden kann. Z.B. kann durch eine gezielte Führung des Teilchenstrahls in der Ätzumgebung eine beliebige Geometrie einer Korrekturmarke in das Maskenmaterial (z.B. das Absorbermaterial, das Substrat der Maske) lokal geätzt werden. Ein entsprechendes Verfahren wäre z.B. das (fokussierte) elektronenstrahlinduzierte Ätzen (engl. focused electron beam induced etching - (F)EBIE).
• Ferner kann in einem Beispiel auch ein teilchenstrahlinduzierter (z.B. ionenstrahlinduzierter) Fräsprozess zum Einsatz kommen, bei dem z.B. lokal durch die Führung des Teilchenstrahl ein Materialabtrag stattfindet. Ein entsprechendes Verfahren wäre z.B. das Ionenstrahl-Fräsen (engl. ion beam milling).
• In einem weiteren Beispiel umfasst das Verfahren ein Erzeugen zumindest einer dritten Gruppe an Korrekturmarken, wobei die Abstände der Korrekturmarken innerhalb der einzelnen Gruppen kleiner sind als die Abstände, welche zwischen Korrekturmarken aus zwei verschiedenen Gruppen aufgespannt werden. Das erfinderische Konzept wird demnach um zumindest eine zusätzliche Gruppe erweitert. In einem Beispiel wäre ebenso das Erzeugen zumindest einer vierten Gruppe an Korrekturmarken und/oder zumindest fünften Gruppe an Korrekturmarken, usw. denkbar.
• Die Abstände der Korrekturmarken innerhalb einer Gruppe können dabei wieder als interne Gruppenabstände bezeichnet werden, während die Abstände zwischen Korrekturmarken aus zwei verschiedenen Gruppen (z.B. zwischen erster und dritter Gruppe, erster und vierter Gruppe, vierter und fünfter Gruppe, etc.) als externe Gruppenabstände bezeichnet werden können. Die internen Gruppenabstände umfassen dabei alle möglichen Abstände der Korrekturmarken innerhalb einer Gruppe. Die externen Gruppenabstände umfassen alle möglichen Abstände zwischen zwei (beliebigen) Korrekturmarken aus zwei verschiedenen Gruppen. Das erfinderische Konzept beruht demnach darauf, dass auch bei mehreren Gruppen (z.B. bei drei und/oder vier Gruppen an Korrekturmarken) kein interner Gruppenabstand größer ist als ein externer Gruppenabstand.
• In einem Beispiel können insbesondere vier Gruppen erzeugt werden. Diese können in einer zumindest teilweise viereckigen Anordnung erzeugt werden (z.B. in Form eines Quadrats oder Rechtecks). Das Viereck kann um einen Arbeitsbereich (z.B. einen Defekt) herum angeordnet sein, d.h. die (geometrischen) Schwerpunkte der Korrekturmarken der einzelnen Gruppen können die Ecken eines Vierecks bilden, das den Arbeitsbereich umschließt. In einem anderen Beispiel kann die Anordnung z.B. derart erfolgen, dass mindestens ein Rechteck aus vier Korrekturmarken der vier unterschiedlichen Gruppen gebildet werden kann, innerhalb dessen der Arbeitsbereich liegt.
• Der Arbeitsbereich kann als der Bereich des Objekts aufgefasst werden, der in einem Arbeitsvorgang untersucht bzw. bearbeitet werden soll. Zum Beispiel kann diese der Bereich sein, an dem z.B. Defektmaterial angeordnet ist. Im Rahmen der vorliegenden Offenbarung kann der Arbeitsbereich insbesondere einen einheitlich zu untersuchenden/zu bearbeitenden Bereich des Objekts darstellen, d.h. einen Bereich, der nicht in mehreren, als unabhängig zu betrachtenden Verfahrensdurchläufen untersucht bzw. bearbeitet wird. Der Arbeitsbereich einer Photomaske ist insbesondere ein lokaler Bereich, der nicht die gesamte Photomaske umfasst. Der Arbeitsbereich kann also beispielsweise einen lokalen Defekt darstellen bzw. beinhalten, der z.B. nicht in eine Anzahl vollständig getrennter Teildefekte zerfällt bzw. in solche aufgegliedert werden kann. Ein „lokaler“ Defekt kann hierbei beispielsweise bedeuten: klein im Vergleich zur Größe des Objekts, z.B. der Maske. Beispielsweise kann der Arbeitsbereich bzw. der darin enthaltene Defekt eine oder mehrere laterale Ausdehnungen kleiner als 1 mm, kleiner als 100 µm, kleiner als 10 µm, kleiner als 2 µm, kleiner als 1 µm, oder kleiner als 500 nm aufweisen. Der Arbeitsbereich bzw. der lokale Defekt mag beispielsweise in ein (gedachtes) Quadrat mit Seitenlänge 1 mm, 100 µm, 10 µm oder 2 µm oder 1 µm oder 500 nm passen.
• Der Arbeitsbereich kann dabei von einem umfangsgemäßen Rand oder einer Konturlinie begrenzt sein und alles innerhalb dieses Randes bzw. dieser Konturlinie kann dem Arbeitsbereich zugerechnet werden. Bildlich gesprochen stelle man sich ein „Lasso“ vor, das z.B. um einen Defekt geworfen und solange zugezogen wird, bis es den Defekt bei minimaler Länge „eingefangen“ hat. Das „Lasso“ stellt dann den äußeren Rand des Arbeitsbereichs dar (alternativ hierzu könnte man auch an ein elastisches Band denken, das um den Defekt geworfen und zugezogen wird, wobei das Band dann auf Grund seiner Breite (z.B. eine Breite im Bereich typischer Durchmesser der hierin besprochenen Referenzmarkierungen) einen Randstreifen um den Arbeitsbereich herum und nicht einen linienförmigen Rand definieren würde). Beispielsweise kann der Arbeitsbereich als Einhüllende, z.B. konvexe Hülle, eines oder mehrerer zu reparierender Bereiche definiert sein, wobei die Gruppen an Korrekturmarken so platziert werden können, dass sie den Arbeitsbereich einschließen.
• In einem weiteren Beispiel können die erste Gruppe und die zweite Gruppe an Korrekturmarken derart erzeugt werden, sodass eine Einhüllende, z.B. konvexe Hülle, zumindest einer der Gruppen an Korrekturmarken den Arbeitsbereich nicht schneidet (bzw. sodass die konvexe Hülle zumindest einer Gruppe an Korrekturmarken keine Teilmenge des Arbeitsbereiches (z.B. des Defekts) darstellt und/oder bildet). Z.B. können die Gruppen an Korrekturmarken derart platziert sein, sodass die konvexe Hülle der ersten Gruppe und die konvexe Hülle der zweiten Gruppe den Arbeitsbereich (z.B. den Defekt) nicht schneidet. Dies kann ferner so aufgefasst werden, dass die Fläche, welche über die konvexe Hülle einer Gruppe an Korrekturmarken definiert ist, keinen Teil des Arbeitsbereiches (z.B. des Defekts) bildet.
• Die rechteckige Anordnung kann als ein Kalibrierungsfenster einer Kalibrierung eines Arbeitsvorgangs ausgelegt sein, z.B. für eine Verzerrungskompensation eines Schreib- bzw. Bildfeldes, welches mit einem Teilchenstrahl bearbeitet wird. Die rechteckige Anordnung erleichtert dabei z.B. eine digitale Datenverarbeitung bzw. eine entsprechende Bildverarbeitung, welche für die Verzerrungskompensation nötig wäre.
• In einem weiteren Beispiel kann ein Kalibrierungsfenster dreieckig (d.h. über drei erzeugte Gruppen) und/oder über Polygone verschiedenster Art (d.h. m-eckig, wobei m die Anzahl der erzeugten Gruppen ist) gegeben sein.
• In einem weiteren Beispiel umgeben die erzeugten Gruppen einen Arbeitsbereich eines Arbeitsvorganges so, dass Verbindungslinien zwischen jeweils zwei Korrekturmarken unterschiedlicher Gruppen den Arbeitsbereich umschließen können, ohne den Arbeitsbereich zu schneiden. Beispielsweise kann der Arbeitsbereich ein Maskenfehler (z.B. ein Maskendefekt) sein, wobei keine Verbindungslinie zwischen zwei Korrekturmarken unterschiedlicher Gruppen den Maskenfehler schneidet. Ferner kann dies auch so formuliert werden, dass keine Verbindungslinie, welche einen externen Gruppenabstand definiert den Arbeitsbereich schneidet. Dies ist vorteilhaft, da so z.B. gegeben ist, dass der Arbeitsbereich von den Gruppen (und den darin liegenden Korrekturmarken) vollständig umschlossen ist. Z.B. kann dadurch ein Kalibrierungsfenster (z.B. wie oben beschrieben für eine Verzerrungskompensation) den Maskenfehler vollständig umfassen, sodass der gesamte Arbeitsbereich über das Kalibrierungsfenster interpoliert werden kann, ohne die Genauigkeit der Kantenposition herabzusetzen. Messfehler, welche z.B. bei der Bestimmung der Position der Korrekturmarken auftreten können (und beispielsweise den extrapolierten Bereich vergrößern könnten) werden dadurch bei der Verzerrungskompensation nicht verstärkt.
• In einem weiteren Beispiel des Verfahrens wird die Maske zunächst analysiert (z.B. über Rasterung mit einem Teilchenstrahl), um einen Arbeitsbereich auf der Maske zu finden und/oder zu lokalisieren. Dies kann z.B. das Suchen eines Maskenfehlers mit der Unterstützung einer Bildverarbeitung umfassen (z.B. über ein Verfahren zur Defektkontrolle mit einer Mustererkennung). Anschließend können die Gruppen nach einem der genannten Beispiele mit Hilfe der Information über die Position des Arbeitsbereiches angebracht werden.
• In einem weiteren Beispiel kann das Verfahren zum Erzeugen von Korrekturmarken auf einem Objekt für die Lithografie den folgenden Schritt aufweisen: Erzeugen zumindest einer lokalen Gruppe von voneinander beabstandeten Korrekturmarken. Beispielweise kann genau eine lokale Gruppe von voneinander beabstandeten Korrekturmarken erzeugt werden, d.h. es müssen nicht notwendigerweise zwei Gruppen erzeugt werden. Denkbar ist, dass die Korrekturmarken der lokalen Gruppe in einer lokalen Häufung erzeugt werden, wobei eine Abmessung einer Einhüllenden der Korrekturmarken (z.B. der Umfang der Korrekturmarken-Einhüllenden) in einer geringeren Größenordnung ist als eine Abmessung der Einhüllenden des Arbeitsbereiches (z.B. kürzer). Zum Beispiel kann die Abmessung der Einhüllenden der Korrekturmarken der genau einen lokalen Gruppe zumindest viermal geringer, bevorzugt zumindest zehnmal geringer, am meisten bevorzugt zumindest zwanzigmal geringer sein als die Abmessung der Einhüllenden des Arbeitsbereiches. In einem weiteren Beispiel schneidet die konvexe Hülle der lokalen Gruppe an Korrekturmarken nicht den Arbeitsbereich (bzw. ist z.B. die konvexe Hülle keine Teilmenge des Arbeitsbereiches des Arbeitsvorganges). Die Abstände der Korrekturmarken der lokalen Gruppe können dabei derart ausgelegt sein, dass sie für den zweiten Aspekt der Erfindung vorteilhaft sind (dazu sogleich). Auch wenn nur das Erzeugen einer lokalen Gruppe vorgesehen ist, kann dieses Verfahren mit den weiterhin hierin beschriebenen Schritten kombiniert werden. Es können aber unabhängig davon auch zwei oder mehr lokale Gruppen erzeugt werden.
• Ein zweiter Aspekt der Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kalibrieren eines Arbeitsvorgangs eines Objektes für die Lithografie (z.B. einer Maske) mit Hilfe zumindest einer lokalen Gruppe von voneinander beabstandeten Korrekturmarken mit einem Teilchenstrahl, wobei das Verfahren folgende Sequenz aufweist: (S₁.) Auswählen eines Sequenz-Tupels, wobei das Sequenz-Tupel eine Teilmenge an Korrekturmarken der zumindest einen Gruppe umfasst; (S₂.) Durchführen einer Kalibrierung, basierend zumindest teilweise auf dem Sequenz-Tupel; (S₃.) Durchführen zumindest eines Teils des Arbeitsvorgangs, basierend zumindest teilweise auf der durchgeführten Kalibrierung.
• Der zweite Aspekt der Erfindung kann z.B. zumindest teilweise darauf basieren, dass die zumindest eine lokale Gruppe eine Gruppe ist, die nach einem der oben genannte Beispiele erzeugt wurde (d.h. eine Gruppe, die im Sinne des ersten Aspekts der Erfindung erzeugt wurde). Der zweite Aspekt der Erfindung kann in einem Beispiel den ersten Aspekt der Erfindung umfassen (bzw. kann z.B. auch der erste Aspekt der Erfindung den zweiten Aspekt umfassen). Z.B. kann das Verfahren des zweiten Aspekts der Erfindung umfassen, dass die Korrekturmarken gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung erzeugt werden (bzw. erzeugt wurden). Ebenso ist denkbar, dass (natürlicherweise) vorhandene Strukturen auf der Maske (z.B. ein oder mehrere markante Punkte, Strukturübergänge, diverse Lithographie-Marken, etc.) als lokale Gruppe an Korrekturmarken verwendet werden können.
• Die zumindest eine Gruppe ist lokal, so dass sie auf der Maske in einem räumlich abgegrenzten Bereich angeordnet ist. Die räumliche Abgrenzung bzw. Ausdehnung kann z.B. über die Einhüllende um die äußeren Konturen der Korrekturmarken der zumindest einen lokalen Gruppe gegeben sein. Die räumliche Abgrenzung kann dabei mit der räumlichen Ausdehnung des Arbeitsvorgangs assoziiert sein (z.B. kann die zumindest eine lokale Gruppe an Korrekturmarken derart ausgedehnt sein, wie es für den Arbeitsvorgang technisch sinnvoll ist). Ferner kann die räumliche Ausdehnung der lokalen Gruppe z.B. auf eine zusammenhängende Fläche begrenzt sein, wobei folgende Flächendimensionen möglich sind: maximal 30 nm × 30 nm (oder maximal 9 × 10-16 m²), maximal 100 nm × 100 nm (oder maximal 10^-14 m²) und/oder maximal 1 mm × 1 mm (oder maximal 10^-6 m²). Des Weiteren kann die räumliche Ausdehnung der lokalen Gruppe z.B. über einen Flächenanteil in Bezug zur Gesamtfläche A_M der Maske definiert sein. Z.B. kann die räumliche Ausdehnung der lokalen Gruppe maximal 10^-14 × A_M, maximal 10^-12 × A_M, maximal 10^-9 × A_M und/oder maximal 10^-6 × A_M betragen. Die genannten räumlichen Ausdehnungen können beispielsweise auch für die erzeugten Gruppen gelten, welche im ersten Aspekt der Erfindung erläutert wurden. Eine lokale Gruppe kann sich auch dadurch auszeichnen, dass eine Abmessung einer Einhüllenden der Korrekturmarken (z.B. der Umfang einer Einhüllenden um die Korrekturmarken) in einer geringeren Größenordnung ist als eine Abmessung einer Einhüllenden des Arbeitsbereiches. Z.B. kann die Abmessung der Einhüllenden der Korrekturmarken der lokalen Gruppe zumindest viermal geringer, bevorzugt zumindest zehnmal geringer, am meisten bevorzugt zumindest zwanzigmal geringer sein als die Abmessung der Einhüllenden des Arbeitsbereiches.
• Die Sequenz des erfindungsgemäßen Verfahrens kann dabei mehrfach im Rahmen eines Gesamtarbeitsvorganges wiederholt werden. Die Kalibrierung kann also für verschiedene Teile des Arbeitsvorgangs (d.h. Sequenz-Arbeitsvorgänge) ausgeführt werden, um stabile Parameter während eines Arbeitsvorganges (d.h. in einer Sequenz) zu gewährleisten. Der (Gesamt-)Arbeitsvorgang umfasst dabei eine gesamte (d.h. in sich abgeschlossene) Bearbeitung der Maske, während der Teil des Arbeitsvorgangs ein Teilschritt des (Gesamt-)Arbeitsvorganges sein kann. Der Arbeitsvorgang kann dabei einen teilchenstrahlbasierten Vorgang umfassen, wobei z.B. eine Bildaufnahme eines Bildfeldes oder ein Bearbeiten eines Schreibfeldes mit einem Teilchenstrahl denkbar wäre. Die Bildaufnahme kann dabei z.B. eine Aufnahme über ein Rasterelektronenmikroskop umfassen, während das Bearbeiten des Schreibfeldes einen teilchenstrahlinduzierten Ätz- bzw. Abscheideprozess umfassen kann. Ein Arbeitsbereich kann dabei das Schreib- bzw. Bildfeld umfassen. Die Kalibrierung kann z.B. dafür verwendet werden, um die Parameter des Teilchenstrahls für den Arbeitsvorgang zu kalibrieren bzw. zu korrigieren.
• Bisher ist bekannt, dass man eine Kalibrierung des Teilchenstrahls z.B. dadurch adressiert, indem man den Arbeitsvorgang relativ zu ein und derselben Korrekturmarke definiert. Bei einer Kalibrierung wird üblicherweise eine entsprechende Korrekturmarke mit einem Teilchenstrahl (z.B. für eine Bildaufnahme) gerastert. Die entsprechende Korrekturmarke, als auch deren unmittelbare Umgebung kann mit der Zeit über den Arbeitsvorgang bzw. Gesamtarbeitsvorgang jedoch signifikant degradieren, was zunehmend zu einer schlechteren Kalibrierung führen kann. Bei der Kalibrierung kann die Korrekturmarke nämlich den gleichen Prozesseinflüssen des Arbeitsvorganges ausgesetzt sein (z.B. liegen nach wie vor die Zustände eines teilchenstrahlinduzierten Abscheide- bzw. Ätzprozesses vor). Nachteilig an der bisher bekannten Vorgehensweise ist insbesondere, dass eine fortwährend zuverlässige Kalibrierung u.a. durch die Bearbeitungsdauer des Arbeitsvorganges limitiert ist. Mit einer höheren Bearbeitungsdauer (z.B. bei größeren Arbeitsbereichen, nur langsam prozessierbaren Arbeitsbereichen, komplexen Arbeitsbereichen, usw.) muss üblicherweise eine Kalibrierung häufiger durchgeführt werden, sodass die Korrekturmarke und deren Umgebung wesentlich stärker degradieren kann. Die Genauigkeit, mit der die Position der Korrekturmarke durch die Bildverarbeitung bestimmt wird, kann sich mit der Zeit signifikant reduzieren (z.B. durch einen reduzierten Kontrast, Korrekturmarke erscheint verwaschen, usw.). Durch die Degradierung der Umgebung der Korrekturmarke, kann zusätzlich eine dauerhafte Schädigung (z.B. ein Defekt) nach dem Arbeitsvorgang auf der Maske zurückbleiben.
• Das erfindungsgemäße Konzept behebt die bekannten Nachteile, indem für jede Sequenz ein Auswählen eines Sequenz-Tupels erfolgt, welches eine Teilmenge an Korrekturmarken aus einer Gruppe an Korrekturmarken umfasst. Diese Teilmenge kann anschließend für die Kalibrierung innerhalb der Sequenz verwendet werden. Die Kalibrierung einer Sequenz beruht demnach auf einer gezielten Auswahl einer Teilmenge an Korrekturmarken, welche mit Hinblick auf eine optimale Kalibrierung ausgewählt wurde. Die Teilmenge kann dabei zumindest eine Korrekturmarke umfassen (z.B. sind jedoch auch mehrere Korrekturmarken aus einer Gruppe denkbar). Somit ist gegeben, dass für eine Sequenz eine Auswahl von geeigneten Korrekturmarken (oder einer Korrekturmarke) möglich ist. Somit muss nicht auf eine fixe Korrekturmarke, welche z.B. schon signifikant degradiert ist, für die Kalibrierung zurückgegriffen werden, sondern es kann eine für die Kalibrierung gut funktionierende Teilmenge an Korrekturmarken verwendet werden. Dies gewährleistet, dass der (Teil des) Arbeitsvorganges), der auf der Kalibrierung basiert optimal und/oder ohne störende Einflüsse durchgeführt werden kann, da eine fehlerhafte Kalibrierung des Arbeitsvorganges vermieden wird.
• In einem Beispiel basiert das Auswählen des Sequenz-Tupels, zumindest teilweise auf einem Beurteilen eines vorbestimmten Kriteriums, welches mit zumindest einer Korrekturmarke der zumindest einen Gruppe assoziiert ist. Das vorbestimmte Kriterium kann dabei einen Hinweis auf den Degradationsgrad der Korrekturmarke geben bzw. so ausgelegt sein, dass der Degradationsgrad minimiert wird. Z.B. kann das Kriterium umfassen, wie oft eine Korrekturmarke (bzw. ein Sequenz-Tupel) während des Verfahrens verwendet wurde (was einer Abschätzung eines Abnutzungsgrads der Marke entsprechen kann). Insbesondere kann beurteilt werden, wie oft ein Sequenz-Tupel hintereinander ausgewählt wurde. In einem weiteren Beispiel kann das Kriterium über eine physikalische Analyse (z.B. über eine Bildaufnahme der Korrekturmarke mit einem Teilchenstrahl) beurteilt werden.
• In einem Beispiel umfasst das vorbestimmte Kriterium zumindest eines der folgenden Kriterien: ein Abnutzungsgrad der zumindest einen Korrekturmarke, ein Kontrast der zumindest einen Korrekturmarke, ein Gradientenbild der zumindest einen Korrekturmarke, eine Autokorrelationsfunktion eines Bildes der zumindest einen Korrekturmarke, eine Kreuzkorrelationsfunktion von zumindest zwei Bildern der zumindest einen Korrekturmarke.
• Z.B. können die genannten Kriterien basierend auf einer Bildaufnahme der Korrekturmarke (z.B. einem Rasterelektronenbild) bestimmt werden (bzw. kann das Kriterium basierend auf einem Grundsignal bestimmt werden, welches über ein Rastern der Korrekturmarke mit einem Teilchenstrahl erzeugt wird). Der Abnutzungsgrad kann z.B. über eine Bildverarbeitung automatisch (und/oder manuell durch einen Operator) gemessen bzw. beurteilt werden. Das Gradientenbild kann z.B. über eine (digitale) Verarbeitung des Bildes der Korrekturmarke (bzw. des Grundsignals) gewonnen werden und Informationen über die Kanten der Korrekturmarke umfassen. Somit kann beispielsweise die Degradation der Kanten, welche mit der Zeit flacher werden können, gut beurteilt werden. Ebenso kann die Beschaffenheit der Autokorrelationsfunktion einer Korrekturmarke aus dem Bild der Korrekturmarke (bzw. dem Grundsignal) bestimmt werden. Dabei kann z.B. eine breitere Autokorrelationsfunktion mit einem höheren Degradationsgrad assoziiert sein, sodass eine entsprechende Korrekturmarke ab einem Schwellwert nicht weiter für eine Kalibrierung verwendet werden könnte. Des Weiteren kann eine Kreuzkorrelationsfunktion der Korrekturmarke, welche auf Bildern der Korrekturmarke (bzw. des Grundsignals) zu zwei verschiedenen Zeitpunkten (z.B. aus zwei verschiedenen Sequenzen) basiert. Somit kann eine relative Änderung der Korrekturmarke analytisch beurteilt werden.
• In einem weiteren Beispiel wird die Sequenz zumindest einmal wiederholt und dabei werden zumindest zwei Sequenz-Tupel ausgewählt, die voneinander verschiedene Teilmengen an Korrekturmarken umfassen. Für den Gesamtarbeitsvorgang (welcher z.B. mindestens zwei Sequenzen umfasst) muss demnach nicht fortwährend ein und dieselbe Korrekturmarke für die Kalibrierung verwendet werden. Dies kann die Degradierungserscheinungen der Korrekturmarken, als auch die Maskenschäden, welche durch die Kalibrierung hervorgerufen werden, signifikant minimieren, da nicht alle Korrekturmarken (oder immer die gleichen Korrekturmarken) für jede Sequenz dem Teilchenstrahl ausgesetzt werden müssen. Dies gewährleistet, dass die Kalibrierung auch für längere Bearbeitungszeiten, welche z.B. bei einer hohen Anzahl an Sequenzen entstehen, zuverlässig funktioniert.
• In einem Beispiel erfolgt das Auswählen des Sequenz-Tupels so, dass es eine Teilmenge an Korrekturmarken aus jeder von zumindest m Gruppen an Korrekturmarken umfasst, wobei m größer oder gleich 2 ist (z.B. m=4), und wobei die Abstände der Korrekturmarken innerhalb der einzelnen Gruppen kleiner sind als die Abstände, welche zwischen Korrekturmarken aus zwei verschiedenen Gruppen aufgespannt werden. Dieses Beispiel kann z.B. zumindest teilweise darauf basieren, dass die zumindest m Gruppen, Gruppen sind, welche im Sinne des ersten Aspekts der Erfindung erzeugt wurden (und dessen Beispiele oben erläutert wurden). Zum Beispiel können vier Gruppen in einem Rechteck auf der Maske angeordnet sein, wobei jede Gruppe z.B. zumindest drei Korrekturmarken umfasst. Dies ermöglicht es, dass aus einer Vielzahl von möglichen Sequenz-Tupeln ein bestimmtes Sequenz-Tupel für die Kalibrierung der Sequenz ausgewählt werden kann. Ein Tupel kann z.B. jeweils (genau) eine Korrekturmarke aus jeder der m Gruppen aufweisen.
• In einem Beispiel basiert das Auswählen des Sequenz-Tupels zumindest teilweise auf einer Anzahl an erwarteten Sequenzen während des Arbeitsvorganges. Z.B. kann dies auf der Anzahl der erwarteten Kalibrierungen und/oder der erwarteten Teile des Arbeitsvorgangs basieren. Die Bestimmung der Anzahl (an Sequenzen, Kalibrierungen und/oder Teilen des Arbeitsvorgangs) kann u.a. über die Analyse des Arbeitsbereiches erfolgen. Z.B. kann dies die Analyse eines Maskendefektes umfassen, wobei für die Bestimmung der Anzahl einige Parameter des Maskendefektes beachtet werden könnten, wie z.B. eine Fläche des Defekts, eine Art des Defekts, ein Material des Defektes, ein Maskentyp, etc.
• In einem Beispiel erfolgt das Auswählen der Sequenz-Tupel über die Sequenzen des Arbeitsvorganges hinweg gemäß einer vorbestimmten Abfolge. Die Abfolge kann so definiert sein, dass die Abnutzungserscheinungen (bzw. Degradationserscheinungen) der Korrekturmarken minimiert bzw. gleichmäßig verteilt werden. Dabei kann in einem Beispiel durch eine geschickte Abfolge an Sequenz-Tupeln auf eine physikalische Analyse der Korrekturmarken (z.B. über ein Beurteilen eines entsprechenden Kriteriums, wie in einigen Beispielen dargelegt) verzichtet werden. Ebenso ist ein Beispiel denkbar, indem die Abfolge zwar die Abnutzungserscheinungen minimiert (und/oder gleichmäßig verteilt), jedoch gelegentlich eine physikalische Analyse der Korrekturmarken erfolgt (z.B. über eine Bildaufnahme mit anschließender Analyse).
• In einem Beispiel erfolgt das Auswählen (der Sequenz-Tupel) gemäß einer zyklischen Abfolge von Sequenz-Tupeln, einer randomisierten Abfolge von Sequenz-Tupeln und/oder einer Reihe von gleichen Sequenz-Tupeln. Z.B. können auf der Maske mehrere voneinander verschiedene Sequenz-Tupel (T1, T2, ... Tm) zur Verfügung stehen. Bei einer zyklischen Abfolge würde man eine bestimmten Zyklus-Abfolge an Sequenz-Tupeln über mehrere Sequenzen des Verfahrens hinweg „durchrotieren“. Z.B. wäre bei drei zur Verfügung stehenden Sequenz-Tupeln (z.B. T₁, T₂, T₃) eine beispielhafte Zyklus-Abfolge durch T₁-T₂-T₃ gegeben, wobei die entsprechende zyklische Sequenzabfolge über die Sequenzen des Verfahrens hinweg z.B. T1-T2-T3-T1-T2-T3-T1-T2-T3-... usw. wäre. Die randomisierte Abfolge würde bei drei Sequenz-Tupeln eine zufällige Abfolge der Sequenz-Tupel über mehrere Sequenzen des Verfahrens hinweg umfassen (z.B. T3-T1-T3-T3-T2-T1-T1-T2-T2-... etc.).
• Bei dem Auswählen der Sequenz-Tupel gemäß einer Reihe von gleichen Sequenz-Tupeln könnte dabei eine beispielhafte Sequenz (bei drei Sequenz-Tupeln) wie folgt bestimmt sein: T1-T1-T1-...-T2-T2-T2-...-T3-T3-...-T3. Insbesondere bei dem Auswählen der Sequenz-Tupel gemäß einer Reihe von gleichen Sequenz-Tupeln, kann ein zusätzliches Beurteilen eines vorbestimmten Kriteriums (wie oben beispielhaft erläutert) erfolgen, wobei dies auch bei den anderen Abfolgen denkbar ist. Z.B. kann nach einer vorbestimmten Anzahl an Sequenzen, bei denen das gleiche Sequenz-Tupel verwendet wurde, ein Beurteilen des vorbestimmten Kriteriums durchgeführt werden, um den Zustand der Korrekturmarken des Sequenz-Tupels zu überprüfen. Gegebenenfalls kann, je nach Zustand einer Korrekturmarke des Sequenz-Tupels, in der folgenden Sequenz auf ein anderes Sequenz-Tupel gewechselt werden (um eine optimale Kalibrierung zu gewährleisten) oder das Sequenz-Tupel weiterverwendet werden (da z.B. noch keine Abnutzungserscheinung eingetreten ist).
• In einem Beispiel weist das Verfahren ferner folgendes auf: Bestimmen einer Transformation von Teilchenstrahlparametern, welche mit zwei Sequenz-Tupeln assoziiert ist; Durchführen der Kalibrierung, basierend zumindest teilweise auf der bestimmten Transformation. Prinzipiell müssen für dieses Konzept mindestens zwei Sequenz-Tupel zur Verfügung stehen, wobei die genannte Vorgehensweise entsprechend für alle möglichen Sequenz-Tupel umsetzbar ist (z.B., wenn mehr als zwei Sequenz-Tupel zur Verfügung stehen).
• Zum Beispiel kann das Verfahren dabei ein Bestimmen von initialen Positionen der Korrekturmarken der (möglichen) Sequenz-Tupel umfassen, welche für das Verfahren ausgewählt werden können. Dabei kann das Bestimmen z.B. vor der ersten Sequenz des Verfahrens durchgeführt werden. Wird im Verfahren die Maske (z.B. eine Korrekturmarke eines Sequenz-Tupels) mit einem Teilchenstrahl bestrahlt, kann sich diese elektrostatisch aufladen. Somit liegt eine Störung des Systems vor, welche die gewünschte Trajektorie des Teilchenstrahls beeinflussen kann. Die gewünschte Trajektorie kann üblicherweise über Teilchenstrahlparameter (z.B. Beschleunigungsspannung, Ablenkspannung, Einstellungen von Teilchenstrahloptiken, usw.) dynamisch, als auch statisch eingestellt werden. Die Positionen der (möglichen) Sequenz-Tupel können durch die genannte Störung im Laufe des Verfahrens (z.B. bei einer weiteren Bildaufnahme über einen Teilchenstrahl) so erscheinen, als wären sie im Vergleich zu ihren initialen Positionen verschoben. Diese „neuen“ Positionen können dabei als aktuelle Positionen bezeichnet werden. Dabei ist der Versatz der (möglichen) Sequenz-Tupel nicht zwingend gleichmäßig, die Korrekturmarken können sich unabhängig voneinander verschieben bzw. so erscheinen (z.B. aufgrund unterschiedlicher Aufladung). Beispielsweise können die Korrekturmarken eines (möglichen) Sequenz-Tupels initial in einer Reihe nebeneinander angeordnet erscheinen, sodass deren Schwerpunkte eine gerade Line bilden. Im Laufe des Verfahrens können sich jedoch die Korrekturmarken bei einer Bildaufnahme so verschieben, sodass ihre Schwerpunkte keine gerade Linie mehr bilden (z.B. kann jede Korrekturmarke auf den ersten Blick örtlich wahllos versetzt erscheinen). Diese (z.B. nichtlinearen) Auswirkungen können die Kalibrierung des Teilchenstrahls derart beeinflussen, dass nicht mehr die zuvor gewünschte Trajektorie (z.B. über dem Arbeitsbereich) abgefahren wird. Erfindungsgemäß kann daher eine Transformation durchgeführt werden, welche z.B. die initiale Position eines (oder beider) der zwei Sequenz-Tupel in Bezug zu einer aktuellen Position dieses und/oder des anderen der zwei Sequenz-Tupel berücksichtigt. Die Transformation kann demnach einen korrekten Bezug zwischen zwei Sequenz-Tupeln wiederherstellen, der durch die Störung des Systems nicht mehr bildlich gegeben ist. Die Kalibrierung innerhalb der Sequenz kann anschließend die Information der Transformation zusätzlich berücksichtigen, sodass der Teilchenstrahl dementsprechend kalibriert werden kann. Dies ermöglicht, dass die Trajektorie des Teilchenstrahls unabhängig von einem Wechsel der gewählten Sequenz-Tupeln innerhalb des Verfahrens ist. Dadurch kann sichergestellt werden, dass zumindest teilweise derselbe Arbeitsbereich mit dem Teilchenstrahl abgefahren wird. Durch die Transformation kann insbesondere die Kantenqualität des Arbeitsbereiches optimiert werden, da die Kanten des Arbeitsbereiches bei einer fehlenden Transformation nicht optimal bearbeitet würden (z.B. können flachere Seitenwandwinkel der geätzten und/oder abgeschiedenen Strukturen auftreten).
• In einem Beispiel weist das Verfahren ferner folgendes auf: Bestimmen einer Transformation von Teilchenstrahlparametern, welche mit dem ausgewählten Sequenz-Tupel und/oder dem in einer vorherigen Sequenz ausgewählten Sequenz-Tupel assoziiert ist und/oder Durchführen der Kalibrierung, basierend zumindest teilweise auf der bestimmten Transformation. Z.B. kann die Transformation bei jedem Sequenzwechsel durchgeführt werden. In einem anderen Beispiel kann die Transformation bei einem Wechsel von Sequenz-Tupeln während des Verfahrens durchgeführt werden (z.B. bei einem Wechsel des Sequenz-Tupels aufgrund der gewählten Abfolge, wie oben erläutert).
• In einem Beispiel umfasst das Bestimmen der Transformation zumindest eines der folgenden: Bestimmen einer relativen Position der Korrekturmarken verschiedener Sequenz-Tupel zueinander; und/oder Bestimmen der relativen Positionen der Korrekturmarken verschiedener Sequenz-Tupel zu ein oder mehreren Strukturen des Objekts für die Lithografie (z.B. der Maske). Die relativen Positionen (bzw. Positionsdifferenzen) können dabei z.B. in einer vektoriellen Art definiert sein (z.B. <x,y>).
• Z.B. kann ein Bestimmen einer relativen Position zwischen den initialen Positionen der Korrekturmarken der (möglichen) Sequenz-Tupel erfolgen (z.B. zwischen jeweils zwei Korrekturmarken des Sequenz-Tupels aus unterschiedlichen Gruppen). Ferner kann auch ein Bestimmen einer relativen Position zwischen den aktuellen Positionen der Korrekturmarken der (möglichen) Sequenz-Tupel stattfinden. Aus den unterschiedlichen relativen Positionen kann dann die Transformation ermittelt werden, um vom einen auf das andere Sequenz-Tupel wechseln zu können und die oben genannten Fehler dabei zu minimieren. Des Weiteren kann auch ein Bestimmen der relativen Position zwischen der initialen Position eines Sequenz-Tupels und der aktuellen Position eines davon verschiedenen Sequenz-Tupels erfolgen. Ebenso kann die relative Position zwischen der initialen Position eines Sequenz-Tupels und der aktuellen Position dieses Sequenz-Tupels stattfinden.
• Ferner berücksichtigt das erwähnte Bestimmen der relativen Positionen der Korrekturmarken verschiedener Sequenz-Tupel zu ein oder mehreren Strukturen zumindest einen dritten „Fixpunkt“, welcher die ein oder mehreren Strukturen (z.B. der Maske) umfasst. Die Transformation kann demnach über ein Bestimmen der Position einer (charakteristischen) Struktur relativ zu der Position eines ersten Sequenz-Tupels und dem Bestimmen der (charakteristischen) Struktur relativ zu der Position eines zweiten Sequenz-Tupels ermittelt werden. Somit kann beispielsweise eine Transformation von dem ersten Sequenz-Tupel über den dritten „Fixpunkt“ zum zweiten Sequenz-Tupel erfolgen.
• In einem Beispiel umfasst die Kalibrierung ein Bestimmen einer Drift des Teilchenstrahls und/oder ein Korrigieren einer Drift eines Teilchenstrahls. Die Kalibrierung kann dabei die Bestimmung eines Versatzes umfassen, welcher mit der bestimmten Drift des Teilchenstrahls assoziiert ist. Der Versatz kann anschließend für die Korrektur der Drift des Teilchenstrahl verwendet werden, sodass die gewünschte Trajektorie des Teilchenstrahls während des Verfahrens konstant bzw. erhalten bleibt.
• In einem Beispiel umfasst der Arbeitsvorgang ein Reparieren eines Defekts. Der Defekt kann dabei beispielsweise einen Maskendefekt umfassen, wobei der Defekt über einen Abscheide- bzw. Ätzprozess (wie in den Beispielen oben erläutert) derartig bearbeitet werden kann, sodass der Defekt zumindest teilweise repariert wird. Der Arbeitsbereich kann dabei den Defekt umfassen oder durch dessen Dimensionierung (z.B. über dessen Kontur) definiert sein.
• Es wird betont, dass der erste und der zweite hierin beschriebene Aspekt auch miteinander kombiniert werden können. Das heißt, nach dem Erzeugen von Korrekturmarken wie hierin beschrieben kann ein Verfahren zum Kalibrieren wie hierin mit Hilfe der erzeugten Korrekturmarken erfolgen.
• Ein dritter Aspekt der Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Erzeugen von Korrekturmarken auf einer Maske und/oder Kalibrieren eines Arbeitsvorgangs mit einem Teilchenstrahl aufweisend: (a.) Mittel zum (automatischen) Durchführen eines der hierin beschriebenen Verfahren; (b.) Mittel zum Ausführen eines Computerprogramms. Die Vorrichtung kann dabei eine Vorrichtung umfassen, welche zum Ausüben teilchenstrahlbasierter Prozesse geeignet ist. Die Vorrichtung kann dabei z.B. eine Elektronenstrahlanlage und/oder einer Ionenstrahlanlage aufweisen, welche für teilchenstrahlinduzierte Abscheide- und/oder Ätzprozesse konfiguriert ist. Denkbar wäre auch die Prozessierung in einer Teilchenstrahlanlage, welche zumindest einen Elektronenstrahl, als auch zumindest einen Ionenstrahl gezielt steuern kann (z.B. eine Zweistrahlanlage (engl. dual beam system), eine Anlage mit zumindest zwei gekreuzten Strahlen (engl. cross beam system)).
• Ein vierter Aspekt der Erfindung betrifft ein Computerprogramm, das Anweisungen umfasst, die, wenn sie ausgeführt werden, die erwähnte Vorrichtung veranlasst, die Verfahrensschritte gemäß einem der hierin beschriebenen Verfahren auszuführen.
• Ein weiterer Aspekt betrifft die erwähnte Vorrichtung mit einem Speicher, der das Computerprogramm umfasst. Die Vorrichtung kann weiter Mittel zum Ausführen des Computerprogramms aufweisen. Alternativ ist es auch möglich, dass das Computerprogramm an anderer Stelle gespeichert ist (z.B. in einer Cloud) und die Vorrichtung lediglich Mittel zum Empfangen von Anweisungen aufweist, die sich aus der Ausführung des Programms an anderer Stelle ergeben. So oder so, kann dadurch z.B. ermöglicht werden, dass das Verfahren automatisiert bzw. autark innerhalb der Vorrichtung ablaufen kann. Somit kann der Eingriff z.B. über einen Operator minimiert werden, sodass die Kosten, als auch die Komplexität bei der Bearbeitung von Masken minimiert werden können. Des Weiteren kann das Verfahren ebenso schriftlich (z.B. in einem Gebrauchshandbuch zu der erwähnten Vorrichtung) dargelegt sein, um z.B. dem Operator gezielte Anweisungen der Verfahrensabläufe zu vermitteln.
• Figurenliste
• In der folgenden detaillierten Beschreibung werden technische Hintergrundinformationen sowie Ausführungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die Figuren beschrieben, die folgendes zeigen:
• 1 veranschaulicht einen Aspekt der Problematik beim Untersuchen und/oder Bearbeiten eines Objekts für die Photolithographie mit einem Elektronenstrahl, wobei das Element eine geladene Oberfläche aufweist.
• 2 veranschaulicht schematisch eine Aufsicht auf eine beispielhafte Reparatursituation eines Defekts einer photolithographischen Maske wie im Stand der Technik beschrieben.
• 3 zeigt schematisch eine Kompensation einer durch eine elektrostatische Aufladung hervorgerufenen Drift eines Elektronenstrahls bezüglich einer Markierung nach dem Stand der Technik.
• 4 gibt Verschiebungen einer Markierung bezüglich einer x- und einer y-Achse während einer Reparatur des Defekts der 2 wieder.
• 5a-c zeigen schematisch verschiedene Aspekte der vorliegenden Erfindung. 5a zeigt dabei ein Beispiel von erfindungsgemäßen Korrekturmarken zur Kalibrierung eines Arbeitsvorganges einer Maske. 5b zeigt eine Auswahl von Sequenz-Tupeln für einen Arbeitsvorgang. 5c illustriert die Thematik der Transformation von Teilchenstrahlparametern der vorliegenden Erfindung.
• 6 zeigt schließlich schematisch einige Komponenten einer Vorrichtung zum Ausführen eines der erfindungsgemäßen Verfahren.
• 5. Detaillierte Beschreibung möglicher Ausführungsformen
• Im Folgenden werden einige technische Hintergrundinformationen sowie mögliche Ausführungsformen erfindungsgemäßer Verfahren und Vorrichtungen anhand der Untersuchung einer photolithographischen Maske und der Bearbeitung eines Defekts einer photolithographischen Maske genauer erläutert.
• Die erfindungsgemäßen Verfahren und Vorrichtungen können zunächst zum Untersuchen und/oder Bearbeiten aller Arten von transmittierenden und reflektierenden Photomasken eingesetzt werden. Darüber hinaus können die erfindungsgemäßen Verfahren und Vorrichtungen aber auch zum Untersuchen bzw. zum Bearbeiten von Templates für die Nanoimprint-Lithographie und/oder von Wafern eingesetzt werden. Die erfindungsgemäßen Verfahren und Vorrichtungen sind ferner grundsätzlich nicht einmal auf das Untersuchen bzw. das Bearbeiten von Objekten für die (Photo-)Lithographie beschränkt. Vielmehr können diese generell zum Analysieren und/oder Bearbeiten einer elektrisch nicht oder nur schlecht leitenden Probe mit einem geladenen Teilchenstrahl eingesetzt werden.
• Der Klarheit und Eindeutigkeit halber erfolgen die nun folgenden Ausführungen allerdings durchgehend am Beispiel einer Maske für die Photolithographie, die anderen Anwendungsmöglichkeiten der beschriebene Erfindungsaspekte sind aber dabei stets mit umfasst und sollen daher stets mitberücksichtigt werden.
• Das Diagramm 100 der 1 zeigt einen schematischen Schnitt durch eine geladene Maske 110 und einen Ausgang 165 eines Rasterelektronenmikroskops 160. Die Maske 110 weist auf ihrer Oberfläche 120 eine Verteilung von Oberflächenladungen auf, die eine elektrische Potentialverteilung bzw. eine elektrostatische Aufladung der Maske 110 hervorrufen. Auf dem linken Teilbild 105 weist die Maskenoberfläche 120 eine positive Aufladung 140 auf. Im rechten Teilbild 195 zeigt die Maskenoberfläche 120 einen Überschuss negativer Ladungen 150. Im Folgenden werden die Bezugszeichen 140 und 150 verwendet, um sowohl eine Verteilung von Oberflächenladungen auf einer Maskenoberfläche 120 als auch die von den geladenen Oberflächen verursachten elektrischen Potentialverteilungen zu bezeichnen.
• Eine elektrische Aufladung 140, 150 einer Maskenoberfläche 120 kann durch einen Strahl geladener Teilchen 170, beispielsweise einen Elektronenstrahl 170 eines Rasterelektronenmikroskops (SEM) 160 hervorgerufen werden. Eine elektrostatische Aufladung 140, 150 einer Maskenoberfläche 120 kann durch das Abtasten der Maske 110 im Rahmen eines Untersuchungsprozesses hervorgerufen werden oder kann durch einen Bearbeitungsprozess entstehen. Beispielsweise kann eine elektrostatische Aufladung beim Bearbeiten der Maske 110 mit einem Elektronen- oder Ionenstrahl verursacht werden. Ferner kann eine elektrostatische Aufladung 140, 150 einer Maske 110 beispielsweise durch das Handling der Maske 110 hervorgerufen werden.
• In dem Ausschnitt der Maske 110, der in dem Diagramm 100 der 1 dargestellt ist, weist die Verteilung der Oberflächenladungen 140, 150 eine gleichmäßige Dichte auf. Dies stellt jedoch für hier getätigten Erklärungen keine notwendige Bedingung dar.
• Im Beispiel der 1 lenkt ein Ablenksystem 175 den Elektronenstrahl 170 ab und scannt diesen über die Maskenoberfläche 120 zum Bestimmen der Abmessungen des Strukturelements 130 der Maske 110. Beispielsweise kann ein Strukturelement 130 ein Pattern-Element einer Absorber-Struktur der Maske sein.
• Wie im linken Teilbild 105 des Diagramms 100 dargestellt ist, wird durch die anziehende Wirkung einer positiven Aufladung 140 der Maskenoberfläche 120 ein das Strukturelement 130 rastender Elektronenstrahl 170 in der Nähe der Maskenoberfläche 120 in Richtung der optischen Achse des 172 abgelenkt und folgt der Trajektorie 174. Ohne elektrische Potentialverteilung 140 würde der Elektronenstrahl 170 der Bahn 176 folgen. Die gerasterte Abmessung 178 erscheint in einem von dem Elektronenstrahl 170 erzeugten SEM-Bild größer als die tatsächliche Abmessung 180 des Strukturelements 130 ist.
• Analog veranschaulicht das rechte Teilbild 195 der 1 die abstoßende Wirkung einer negativ geladenen 150 Maskenoberfläche 120 auf die Bahnbewegung 184 der Elektronen 170 eines Elektronenstrahls 170. Ohne elektrische Potentialverteilung 150 würde der Elektronenstrahl 170 der Bahn 186 folgen. Durch die zusätzliche Ablenkung des Elektronenstrahls 170, die von der Strahlachse 172 weggerichtet ist, in der Nähe der Maskenoberfläche 120 als Folge der elektrostatischen Aufladung 150 scheint die gemessene Abmessung 188 des Strukturelements 130 in einem aus den Scan-Daten erzeugten SEM-Bild eine kleinere Dimension aufzuweisen als die tatsächliche Abmessung 180 des Strukturelements 130.
• Das Abtasten des Strukturelements 130 mittels eines Elektronenstrahls 170 oder allgemeiner mit Hilfe eines geladenen Teilchenstrahls 170 kann zu einer lokalen Erwärmung der Maske 110 und damit zu einer Änderung der Ausdehnung der Maske 110 führen. Auch wenn diese Längenänderungen einer Maske 110 nur im Nanometerbereich liegen, so sind diese Änderungen in einem Bearbeitungsprozess einer Maske 110 zu berücksichtigen, um den Erfolg des Bearbeitungsprozesses nicht zu gefährden. Zudem ist es möglich, dass durch thermische Effekte des SEM 160 und/oder der Maske 110 bzw. der Probenhalterung (in der 1 nicht dargestellt) der Auftreffpunkt des Elektronenstrahls 170 auf der Maske 110 als Funktion der Zeit wiederum im zweistelligen Nanometerbereich driftet.
• Die 2 zeigt einen Ausschnitt einer Aufsicht auf eine Maske 200. Dies kann beispielsweise die Maske 110 der 1 sein. Die Photomaske 200 weist ein Substrat 210 auf. Auf dem Substrat 210 der Maske 200 sind zwei Pattern-Elemente 220 und 230 in Form absorbierender Streifen angeordnet. An dem Pattern-Element 220 weist die Maske 200 einen Defekt 250 in Form überschüssigen Materials auf. Zur Korrektur des Defekts 250 ist in dem in der 2 dargestellten Beispiel auf dem Pattern-Element 220 eine Markierung 240 angebracht. Die Markierung 240 (welche auch als Korrekturmarke bezeichnet werden kann) wird dazu verwendet, eine Drift oder eine Verschiebung des Elektronenstrahls 170 bezüglich des Defekts 250 während eines Reparaturprozesses des Defekts 250 zu bestimmen und zu kompensieren.
• Die Markierung 240 wird nach der Identifikation des Defekts 250 auf der Maske 200 beispielsweise mit Hilfe eines Elektronenstrahl-induzierten Abscheideprozesses (EBID, Electron Beam Induced Deposition), d.h. unter Bereitstellung zumindest eines Präkursor-Gases oder eines Prozess-Gases auf der Maske 200 abgeschieden. Es ist vorteilhaft, wenn das bzw. die Präkursor-Gase so gewählt werden, dass die Markierung 240 eine andere Materialzusammensetzung aufweist wie die Pattern-Elemente 220, 230 der Maske 200. Im Bild eines SEM 160 zeichnet sich die Markierung 240 neben einem Topologiekontrast zusätzlich durch einen Materialkontrast ab.
• Zur Beseitigung des Defekts 250 wird beispielsweise unter Bereitstellung eines weiteren Präkursor-Gases oder Prozess-Gases (oder von Gasmischungen) durch einen Elektronen- bzw. Teilchenstrahl am Ort des Defekts 250 eine Ätzreaktion ausgelöst und der damit der Defekt 250 abgetragen. Im Einklang hiermit und mit den oben gemachten Aussagen bezüglich der Bedeutung des Begriffs „Arbeitsbereich“ ist in 2 der Arbeitsbereich 260 im Wesentlichen durch die Ausdehnung des Defekts 250 definiert und von der Konturlinie 265 berandet bzw. umschlossen. Der Arbeitsbereich ist dabei in 2 lediglich sehr schematisch angedeutet. Wie aber deutlich zu sehen ist, liegt im Falle der 2, die den Stand der Technik zeigt, die Markierung 240 außerhalb des Arbeitsbereichs 260.
• Eine Materialdeposition, z.B. zur Korrektur eines klaren Defekts der Maske 200, wäre auf analoge Weise möglich.
• Die 3 präsentiert schematisch und beispielshaft die Kompensation einer Drift oder einer Verschiebung eines Elektronenstrahls 170 relativ zu der Markierung 240 während eines Reparaturprozesses des Defekts 250 nach dem Stand der Technik. Eine lokale elektrostatische Aufladung der Maske 200 ist mathematisch schwer zu fassen. Dies gilt auch für eine thermische Drift zwischen dem Elektronenstrahl 170 und der Markierung 240. Die Auswirkungen einer elektrostatischen Aufladung der Maske 200 und/oder deren Verschiebung relativ zu dem Auftreffpunkt des Elektronenstrahls 170 werden deshalb bezüglich der Markierung 240 in periodischen Zeitabständen erfasst und korrigiert. Die durchgezogene Kurve 310 der 3 zeigt schematisch die Änderung, Verschiebung, Variation oder Drift der Markierung 240 als Funktion der Zeit während eines Reparaturprozesses des Defekts 250.
• Zu Beginn des Reparaturprozesses wird eine Referenzposition 330 der Markierung 240 ermittelt. Die Referenzposition 330 kann relativ zu einer Referenzmarkierung der Maske 200 oder absolut bezüglich eines Koordinatensystems der Maske 220 angegeben werden. Im zweiten Schritt wird die Position einer Reparaturform (engl. „repair shape“) bezüglich der Markierung 240 festgelegt. Die Reparaturform kann dabei so ausgelegt sein, dass diese den Defekt 250 innerhalb des Arbeitsbereiches 260 abdeckt. In einem Beispiel kann die Reparaturform (zumindest teilweise) den räumlichen Abmessungen des Defekts 250 entsprechen (z.B. kann die Fläche, Form und/oder Kontur der Reparaturform mit den entsprechenden Eigenschaften des Defekts 250 übereinstimmen). In einem weiteren Beispiel kann die Reparaturform dem Arbeitsbereich 260 entsprechen (z.B. kann die Reparaturform identisch sein mit dem Arbeitsbereich 260). Die Untersuchung bzw. Bearbeitung des Defekts 250 kann beispielsweise dergestalt erfolgen, dass der Elektronenstrahl entlang der Reparaturform gerastert wird und dadurch in an sich bekannter Weise die Untersuchung bzw. Bearbeitung des Arbeitsbereiches oder Defekts durchführt oder induziert. Die Reparaturform kann vorbekannt sein, z.B. aus der Untersuchung bzw. Bearbeitung von ähnlichen Arbeitsbereichen oder Defekten (z.B. Arbeitsbereiche oder Defekte mit ungefähr der gleichen Größe, ungefähr der gleichen Form, Materialbeschaffenheit, Defektklasse, etc.).
• Danach wird mit der Reparatur des Defekts 250 begonnen. Hierfür werden am Ort des Defekts 250 der 2 wie bereits erwähnt ein oder mehrere Ätzgase bereitgestellt und der Elektronenstrahl 170 wird, wie von der Reparaturform vorgegeben, über den Defekt 250 und durch den in 2 schematisch skizzierten Arbeitsbereich 260 gerastert.
• Nach Verstreichen gewisser Zeitintervalle 320 und in regelmäßigen oder unregelmäßigen Zeitabständen 340 wird der Reparaturvorgang unterbrochen, ohne jedoch die Bereitstellung des oder der Präkursor-Gase zu unterbrechen, um die Markierung 240 mit dem Elektronenstrahl 170 zu scannen. Aus dem SEM-Bild der Markierung 240 wird eine Verschiebung, Drift oder Änderung 350 der Markierung bezüglich der Referenzposition 330 bzw. relativ zu der vorhergehenden Messung der Markierung 240 bestimmt. Sodann wird die Position der Reparaturform relativ oder absolut zu der Markierung 240 basierend auf der Änderung 350 der Markierung korrigiert und der Reparaturprozess des Defekts 250 wird fortgesetzt.
• Die 4 gibt ein weiteres Beispiel einer Verschiebung oder einer Drift der Markierung 240 während eines Reparaturprozesses des Defekts 250 nach dem Stand der Technik wieder. Auf der x-Achse des Diagramms 400 der 4 ist die Zeit in willkürlichen Einheiten aufgetragen. Auf der Abszisse des Diagramms 400 kann auch die Anzahl der Messungen der Markierung 240 während eines Reparaturprozesses dargestellt werden. Der Zeitabstand zwischen dem Ausführen von zwei Scan-Vorgängen kann im Bereich von 1 Sekunde bis 50 Sekunden liegen. Das in der in der 4 dargestellte Beispiel gibt einen Zeitbereich von etwa 1000 Sekunden an. Auf der y-Achse des Diagramms 400 ist die gesamte Verschiebung oder Drift der Markierung 240 in willkürlichen Einheiten bezogen auf die Referenzposition 330 der Markierung 240 dargestellt. Beispielsweise kann die Drift als Anzahl der gerasterten Pixel des Elektronenstrahls 170 in einer Richtung angegeben werden. In Abhängigkeit von der Fokussierung des Elektronenstrahls kann ein Pixel Abmessungen im Bereich von 0,1 nm bis 10 nm aufweisen. Die Ordinate des Diagramms 400 umfasst eine Positionsänderung von etwa 120 nm.
• Die Drift der Markierung 240 in x-Richtung wird im Diagramm 400 durch die Kurve 410 wiedergegeben und die Verschiebung der Markierung 240 in y-Richtung wird durch die Kurve 420 repräsentiert. Große Positionsänderungen oder Positionsverschiebungen der Markierung 240 werden durch ein Schalten zwischen zwei Prozess- oder Präkursor-Gasen hervorgerufen. In der 4 ist dies durch die Pfeile 440 veranschaulicht. Kleinere Ausschläge oder Sprünge der Positionsänderung kommen beispielsweise durch das Schalten zwischen verschiedenen Reparaturformen zur Reparatur des Defekts 250 zustande (vgl. die Pfeile 430).
• Die in den 2 bis 4 skizzierte Herangehensweise gemäß dem Stand der Technik mag für kleine Defekte wie den Defekt 250 adäquat sein (man beachte, dass die Ausdehnung des Defekts 250 kleiner ist als die Abmessungen der Lines 220, 230 und Spaces zwischen ihnen, d.h. typischerweise einige nm). Für großflächigerer Defekte (z.B. mehrerer 100 nm in Ausdehnung) ändern sich jedoch die Verhältnisse signifikant.
• Die 5a-c zeigen schematisch verschiedene Aspekte der vorliegenden Erfindung. Ausgehend von der aus dem Stand der Technik bekannten Situation kann u.a. eine Erhöhung der Genauigkeit und Effizienz der Untersuchung und/oder Bearbeitung einer Maske erfindungsgemäß vorgenommen werden, insbesondere für großflächige, zusammenhängende Defekte.
• 5a zeigt dabei ein erfindungsgemäßes Beispiel von Korrekturmarken (welche auch als Markierungen, Referenzmarkierungen, etc. bezeichnet werden können) zur Kalibrierung eines Arbeitsvorganges einer Maske, sowie einen dazugehörigen Arbeitsbereich. Der Arbeitsbereich 500 kann dabei einen Defekt auf der Maske zur Reparatur umfassen. Der Arbeitsvorgang kann dazu dienen, den Defekt auf der Maske zu reparieren, wobei hier ein teilchenstrahlbasierter Prozess denkbar ist (z.B. ein teilchenstrahlinduzierter Abscheide- bzw. Ätzprozess). In einem initialen Schritt kann dabei zunächst der Arbeitsbereich 500 lokalisiert werden. Dafür können z.B. übliche Methoden zur Defekterkennung auf einer Maske zum Einsatz kommen. Beispielsweise kann die Maske mit einem Elektronenstrahl abgetastet/gerastert werden, sodass eine Rasterelektronenbild erzeugt wird. Eine Bildverarbeitung kann anschließend das Rasterelektronenbild analysieren, um den Defekt zu lokalisieren und zusätzlich den Arbeitsbereich 500 zu definieren. Die Bildverarbeitung kann z.B. Teil eines Verfahrens zur automatisierten Defektkontrolle sein und eine Mustererkennung von relevanten Defekten umfassen. Der Arbeitsbereich 500 kann als Schreibfeld (d.h. zur physikalischen Bearbeitung der Maske) und/oder als Bildfeld (d.h. zu Bildaufnahmezwecken des Arbeitsbereiches) aufgefasst werden.
• Erfindungsgemäß können um den Arbeitsbereich 500 zumindest zwei Gruppen an Korrekturmarken erzeugt werden. Die Erzeugung der Gruppen kann z.B. über einen teilchenstrahlbasierten Prozess erfolgen. Denkbar wären hierbei teilchenstrahlinduzierte Abscheide- bzw. Ätzprozesse, wie z.B. ein elektronenstrahlinduziertes Abscheiden, ein ionenstrahlinduziertes Abscheiden, ein elektronenstrahlinduziertes Ätzen, ein ionenstrahlinduziertes Fräsen, usw. Das Abscheiden bzw. Ätzen kann dabei auf dem Maskenmaterial bzw. dem Substrat der Maske erfolgen. Das Anwenden von teilchenstrahlbasierten Prozessen kann hohe Freiheitsgrade bei der Gestaltung der Korrekturmarken in Bezug auf deren Geometrie, deren Material, als auch deren Position auf der Maske ermöglichen. Dementsprechend können die Gruppen an Korrekturmarken um den Arbeitsbereich 500 in vielfältigen Varianten ausgestaltet sein. Beispielsweise ist als Korrekturmarke eine beliebige Geometrie möglich, wie z.B. eine kreisförmige Struktur, ein Zusammenschluss aus eng beieinander liegenden kreisförmigen Strukturen, ein Polygon, eine Sphäre, ein Loch, einen Graben usw. Die Geometrie der Korrekturmarke kann dabei maßgeblich von dem gewählten Abscheide- bzw. Ätzprozess abhängen. Z.B. können über Abscheideprozesse additive Topologien erzeugt werden, während über einen Ätzvorgang Strukturen über Materialabtrag erzeugt werden können. Ebenso kann das Material der Korrekturmarke von dem gewählten Abscheideprozess bzw. von dem Ätzprozess abhängen. Beispielsweise kann bei einem Abscheideprozess das Material der Korrekturmarken ein Metall (z.B. wie Platin, Wolfram, Silber, Gold, etc.), einen Isolator (z.B. Nitrid, Oxid, Polyimid, etc.), einen Halbleiter usw. umfassen. Dabei sind auch Verbundmaterialien denkbar. Beispielsweise kann bei einem Ätzprozess das Material der Korrekturmarken das Material der Maske und/oder des Substrats umfassen, bzw. darüber definiert sein. Z.B. können die Korrekturmarken über (geätzte/gefräste) Löcher in einem Absorberstreifen der Maske, in einem Substrat der Maske, usw. definiert sein.
• Wie in 5a dargelegt können beispielsweise vier Gruppen an Korrekturmarken um den Arbeitsbereich angeordnet werden. Die erste Gruppe kann dabei die Korrekturmarken A1, B1, C1 umfassen. Die zweite Gruppe kann die Korrekturmarken A2, B2, C2 umfassen. Die dritte Gruppe kann die Korrekturmarken A3, B3, C3 umfassen. Die vierte Gruppe kann die Korrekturmarken A4, B4, C4 umfassen. Die Gruppen können jeweils dieselbe Anzahl an Korrekturmarken umfassen (in diesem Beispiel hat jede Gruppe drei Korrekturmarken), wobei auch denkbar wäre, dass die Gruppen eine unterschiedliche Anzahl an Korrekturmarken umfassen könnten.
• Erfindungsgemäß ist eine Gruppe über eine lokale Häufung an Korrekturmarken definiert, welche sich zu einer anderen Gruppe an Korrekturmarken räumlich abgrenzt. Dabei können die Abstände der Korrekturmarken innerhalb der einzelnen Gruppen (d.h. interne Gruppenabstände) kleiner sein als die Abstände, welche zwischen Korrekturmarken aus zwei verschiedenen Gruppen aufgespannt werden (d.h. externe Gruppenabstände). Beispielsweise ergeben sich innerhalb der ersten Gruppe folgende Abstände zwischen den Korrekturmarken: A1B1 (von Korrekturmarke A1 zu B1), A1C1 (von Korrekturmarke A1 zu C1), B1C1 (von Korrekturmarke B1 zu C1). Die Abstände können dabei z.B. über die Schwerpunkte, die Kanten, beliebige Flächenpunkte, usw. der Korrekturmarken bestimmt werden. Abstände zwischen Korrekturmarken aus zwei verschiedenen Gruppen sind z.B.: A1A3 (von Korrekturmarke A1 zu A3), C1A2 (von Korrekturmarke C1 zu A2), A1C4 (von Korrekturmarke A1 zu C4). Wie in 5a ersichtlich ist dabei kein Abstand zwischen Korrekturmarken aus zwei verschiedenen Gruppen kleiner als ein (beliebiger) Abstand der Korrekturmarken innerhalb einer einzelnen Gruppe (z.B. ist A1A3 > A1C1).
• Die so angeordneten Gruppen können dazu dienen, den Arbeitsvorgang zum Bearbeiten der Maske bzw. zum Bearbeiten des Arbeitsbereiches der Maske zu optimieren. Wie für 3 beschrieben muss während einer Prozessierung der Maske üblicherweise mehrmals eine Kalibrierung mit Hilfe einer Markierung (bzw. Korrekturmarke) für einen Arbeitsvorgang durchgeführt werden. Beispielweise kann dies die Kompensation einer Drift oder einer Verschiebung eines Teilchenstrahls sein, wobei die Reparaturform entsprechend angepasst werden kann. Bei der Kalibrierung muss üblicherweise die Markierung (bzw. Korrekturmarke) mit einem Teilchenstrahl zur Bestimmung deren Position gemessen werden, wodurch die Markierung (bzw. Korrekturmarke) degradieren und/oder sich abnutzen kann (wie zuvor erläutert).
• Erfindungsgemäß sind nicht zwingend alle Markierungen (bzw. Korrekturmarken), wie bisher bekannt, für jeden Kalibrierungsschritt der (Gesamt-)Prozessierung der Maske (bzw. des entsprechenden Arbeitsbereiches der Maske) vorgesehen. Die erzeugte Anordnung von Gruppen an Korrekturmarken ermöglicht eine gezielte Auswahl von gewünschten Korrekturmarken für eine Kalibrierung (z.B. für die Kalibrierung bei einer Reparatur eines Defekts in einem Arbeitsbereich der Maske, welcher z.B. mit den Markierungen kalibrierbar ist). Eine Randbedingung für die Kalibrierung kann dabei sein, dass mindestens eine Korrekturmarke aus jeder Gruppe verwendet wird. Für eine Kalibrierung kann demnach aus einer Menge an Korrekturmarken gewählt werden, sodass die Kalibrierungsschritte nicht auf ein einziges Sequenz-Tupel an Korrekturmarken limitiert sind. Gemäß 5a ergibt sich mit der genannten Randbedingung ein Vielzahl von möglichen Sequenz-Tupeln (beispielhaft werden vier Sequenz-Tupel aufgeführt: A1,A2,A3,A4; A1,B2,C3,C4; B1,A2,C3,A4; B1,A2,A3,A4; ...). Allgemeiner kann man also für eine Kalibrierung aus einer Vielzahl an verschiedenen Tupeln T1, T2, ... Tm auswählen.
• Erfindungsgemäß ermöglicht das Auswählen von Sequenz-Tupeln, dass die Degradierung der Korrekturmarken über die Prozessierung hinweg minimiert bzw. verteilt werden kann. Beispielsweise können im Verlaufe der Prozessierung verschiedene Sequenz-Tupel für die Kalibrierungsschritte verwendet werden. Die Degradierung kann dabei nach mehreren Prinzipien minimiert werden.
• Zum einen ist eine statistische Verteilung der Nutzung der Sequenz-Tupel denkbar. Zum Beispiel kann eine fixe Anzahl von Sequenz-Tupeln (z.B. drei Tupel: T1, T2, T3) zur Verfügung stehen. Um eine Gleichverteilung zu gewährleisten, können die Sequenz-Tupel in einer Variante über die Kalibrierungsschritte hinweg zyklisch verwendet werden. So ist z.B. denkbar, dass eine Abfolge an Sequenz-Tupeln periodisch wiederverwendet wird. Bei drei Sequenz-Tupeln kann die Auswahl der Sequenz-Tupel über mehrere Kalibrierungsschritte dabei wie folgt ausschauen: T1-T2-T3-T1-T2-T3-T1-T2-T3-..., wodurch jeder Sequenz-Tupel über die Prozessierung hinweg annähernd gleich beansprucht wird. Ferner ist ebenso denkbar, dass eine randomisierte Abfolge an Sequenz-Tupeln gewählt wird. Diese Art der Abfolge kann dabei mathematisch auf einer Gleichverteilung beruhen, sodass nach einer Vielzahl von Kalibrierungsschritten die verwendeten Sequenz-Tupel annähernd gleich häufig verwendet wurden.
• Weiter ist es denkbar, dass ein Sequenz-Tupel immer hintereinander verwendet wird, bis auf ein davon verschiedenes Sequenz-Tupel gewechselt wird. Zum einen kann dies auch so ausgelegt sein, dass eine statistische Gleichverteilung der Nutzung der Sequenz-Tupel vorliegt. Dabei kann die Anzahl der erwarteten Messungen (bzw. Kalibrierungsschritte) bei der Prozessierung der Maske geschätzt werden. In einem Beispiel kann z.B. geschätzt werden, dass neun Kalibrierungsschritte für die Prozessierung benötigt werden. Bei z.B. drei Sequenz-Tupeln könnte daher folgende Abfolge bei den Kalibrierungsschritten gewählt werden: T1-T1-T1-T2-T2-T2-T3-T3-T3, sodass eine Gleichverteilung der Nutzung der Sequenz-Tupel gewährleistet ist.
• Zum anderen ist es denkbar, dass ein Sequenz-Tupel solange hintereinander verwendet wird, bis ein signifikanter Abnutzungsgrad einer Korrekturmarke des Sequenz-Tupels auftritt. Wenn der signifikante Abnutzungsgrad eingetreten ist, kann im nächsten Kalibrierungsschritt auf ein anderes Sequenz-Tupel gewechselt werden. Zum Beispiel kann der signifikante Abnutzungsgrad über eine Beurteilung eines Qualitätskriteriums einer Korrekturmarke eines Sequenz-Tupels erfolgen (wobei dafür z.B. eine Rasterelektronenbildaufnahme gemacht werden muss). In einem Beispiel können alle Korrekturmarken eines Sequenz-Tupels bezüglich des Qualitätskriteriums beurteilt werden. Das Qualitätskriterium kann dabei z.B. ein Kontrast der Korrekturmarke sein. Beispielsweise kann dies auch der Kontrastunterschied zwischen einer Korrekturmarke und deren unmittelbarer Umgebung sein. Bei einem zu starken bzw. zu schwachen Kontrast kann dabei ein Trigger ausgelöst werden, welcher einen Wechsel des Sequenz-Tupels bei dem nächsten Kalibrierungsschritt aktiviert. Ferner kann das Qualitätskriterium die Beurteilung eines Gradientenbildes einer Korrekturmarke sein. Wird beispielsweise aus dem Gradientenbild entnommen, dass die Kanten einer Korrekturmarke signifikant degradiert sind, kann ein Trigger ausgelöst werden, welcher einen Wechsel des Sequenz-Tupels bei dem nächsten Kalibrierungsschritt aktiviert. Weiter kann auch die Beschaffenheit der Autokorrelationsfunktion des Bildes der Korrekturmarke analysiert werden. Eine Schwelle zum Auslösen eines Triggers für einen Sequenz-Tupel-Wechsel, könnte dabei die Breite der Autokorrelationsfunktion sein, welche z.B. auch Aufschluss über den Zustand der Kanten einer Korrekturmarke geben könnte. Weiter kann auch die Beschaffenheit der Kreuzkorrelationsfunktion der Bilder der Korrekturmarke zu zwei verschiedenen Zeitpunkten analysiert werden. Somit kann die Übereinstimmung der Bilder analytisch bewertet werden, wobei ein Maß für die Ähnlichkeit der Bilder der Korrekturmarke (zu verschiedenen Zeitpunkten) ermittelt werden kann. Wenn, z.B., das Maß für die Ähnlichkeit der Bilder (zu verschiedenen Zeitpunkten) eine Schwelle überschreitet, kann ein Trigger ausgelöst werden, um einen Sequenz-Tupel-Wechsel zu veranlassen. Ferner kann auch die Beschaffenheit der Kreuzkorrelationsfunktion der Bilder verschiedener Korrekturmarken analysiert werden. Beispielsweise kann eine Kreuzkorrelation zwischen einer Korrekturmarke des Sequenz-Tupels mit einer Korrekturmarke des gleichen Sequenz-Tupels erfolgen. Ferner könnte auch eine Kreuzkorrelation zwischen einer Korrekturmarke des Sequenz-Tupels mit einer Korrekturmarke erfolgen, welche nicht im (aktuellen) Sequenz-Tupel umfasst ist (z.B. könnte diese Korrekturmarke aus einem Sequenz-Tupel sein, welches für eine Kalibrierung schon verwendet wurde, oder aus einem Sequenz-Tupel, welches noch nicht für eine Kalibrierung verwendet wurde). Auch eine Kombination aus Autorkorrelationsfunktion und Kreuzkorrelationsfunktion von ein oder mehreren Korrekturmarken kann für die Beurteilung des Qualitätskriteriums verwendet werden. Ferner kann das Qualitätskriterium einer Korrekturmarke bzw. der Abnutzungsgrad einer Korrekturmarke geschätzt werden. Diese Schätzung kann beispielsweise auf der Anzahl der Kalibrierungsschritte basieren, für die eine Korrekturmarke schon bei der Prozessierung verwendet wurde. Beispielsweise kann aufgrund des verwendeten Prozesses (z.B. eines elektronenstrahlinduzierten Abscheideprozesses) geschätzt werden, dass z.B. bei einem zehnfachen Auslesen einer Korrekturmarke (d.h. bei zehn Kalibrierungsschritten) mit einer signifikanten Degradation der Korrekturmarke zu rechnen ist, sodass auf ein anderes Sequenz-Tupel gewechselt werden sollte. Diese Schätzung kann beispielsweise auf Erfahrungswerten und/oder Experimenten basieren.
• 5b zeigt eine Auswahl von Sequenz-Tupeln für einen Arbeitsvorgang. Dargestellt sind insbesondere drei Sequenz-Tupel P1, P2, P3. In Bezug auf 5a ist P1 dabei über die Korrekturmarken A1, A2, A3, A4 gegeben (wobei die Referenzeichen der Korrekturmarken in 5b nicht dargestellt sind). P2 ist dabei über die Korrekturmarken A1, C2, A3, B4 gegeben. P3 ist dabei über A1, A2, A3, A4 gegeben. Die Verbindungslinien zwischen den Korrekturmarken der Gruppen sind für jedes Sequenz-Tupel gestrichelt dargelegt, wobei die Verbindungslinie einer Korrekturmarke aus der zweiten Gruppe zu einer Korrekturmarke aus der vierten Gruppe näher gekennzeichnet ist (501, 502, 503). Die Korrekturmarken können erfindungsgemäß derart platziert sein, dass der Arbeitsbereich innerhalb eines Polygons (z.B. innerhalb eines Dreiecks, Trapez, Rechtecks, Fünfecks, etc.) liegt, welches von den Sequenz-Tupeln aufgespannt wird. Z.B. können die Korrekturmarken derart angeordnet sein, dass deren konvexe Hülle den Arbeitsbereich definiert (oder diesen umfasst). Dabei kann dies so erfolgen, dass der Arbeitsbereich vollständig von den Verbindungslinien eingeschlossen ist und keine Verbindungslinie eines Sequenz-Tupels den Arbeitsbereich schneidet. Somit ist gegeben, dass ein Kalibrierungsfenster (welches über die Korrekturmarken eines Sequenz-Tupels aufgespannt wird) die Einhüllende bzw. die Kontur des Arbeitsbereiches 500 vollständig umschließt. Somit kann der gesamte Arbeitsbereich, bzw. die Verzeichnung des Teilchenstrahls bezüglich des Arbeitsbereiches, über das Kalibrierungsfenster interpoliert werden. Das Kalibrierungsfenster kann beispielsweise für eine Verzerrungskompensation verwendet werden, welche die Verschiebung des Teilchenstrahls, als auch Fehler erster Ordnung, messen und kompensieren kann. Z.B. ist 5b ist dieser Umstand für die Sequenz-Tupel P1 und P2 gegeben, für das Sequenz-Tupel P3 jedoch nicht. Bei dem Sequenz-Tupel P3 schneidet die Verbindungslinie 503 von Korrekturmarke A4 zur Korrekturmarke A2 den Arbeitsbereich 500, sodass eine Schnittmenge 533 außerhalb des Kalibrierungsfensters liegt. Z.B. kann dabei die Genauigkeit der Kantenposition (z.B. des Defekts) herabgesetzt sein, da in diesem Fall die Verzerrungskompensation (welche über das Kalibrierungsfenster vorgenommen wird) eine Extrapolation vornimmt. Bei der Bearbeitung des Arbeitsbereiches (z.B. des Defekts) kann dies dazu führen, dass die Kante (bzw. Kontur) des Arbeitsbereiches (z.B. des Defekts) mit dem Elektronenstrahl nicht optimal (z.B. nicht entlang der gewünschten Trajektorie) abgefahren wird. Dieser Umstand kann ferner Messfehler bei der Bestimmung der Markenpositionen verstärken. Daher kann die Erzeugung der Korrekturmarken in der Art des Sequenz-Tupels P3 vermieden werden. Wurde eine solches Sequenz-Tupel (z.B. aufgrund von Fertigungsschwankungen) dennoch erzeugt, so kann diese Art von Sequenz-Tupel von einem Kalibrierungsverfahren bzw. für die Bildung eines Kalibrierungsfensters bevorzugt ausgeschlossen werden. Oder, eine Marke einer Gruppe kann in Abhängigkeit der gewählten Marke einer anderen Gruppe so ausgewählt werden, dass dies Art von Sequenz-Tupel ausgeschlossen wird.
• 5c illustriert die Thematik der Transformation von Teilchenstrahlparametern der vorliegenden Erfindung. Dargestellt sind (analog zu 5a und 5b) die erwähnten vier Gruppen an Korrekturmarken, welche z.B. auf einer Maske angebracht sind. Masken können sich bei der Bestrahlung mit einem Teilchenstrahl (z.B. einem Elektronenstrahl) elektrostatisch aufladen. Diese Aufladungsphänomene haben u.a. nichtlineare Auswirkungen auf den Teilchenstrahl, sodass sich beim Wechsel von Sequenz-Tupeln während des Prozesses Auswirkungen auf die Trajektorie des Teilchenstrahls ergeben, falls keine technische Anpassung erfolgt. Beispielsweise sind in 5c entsprechende Trajektorien dargelegt, welche mit den Sequenz-Tupeln assoziiert sind. Diese Teilchenstrahl-Trajektorien würden ohne zusätzlichen Eingriff bei der Kalibrierung abgefahren werden. Die Trajektorie 510 ist dabei mit dem Sequenz-Tupel C1, C2, C3, C4 assoziiert, wobei die Trajektorie 520 mit dem Sequenz-Tupel B1, B2, B3, B4 assoziiert ist. Ferner ist die Trajektorie 530 ist mit dem Sequenz-Tupel A1, A2, A3, A4 assoziiert.
• Diese Auswirkungen führen nicht zwangsweise zu einem signifikanten Versatz des Teilchenstrahls (so wie er schematisch in 5c dargestellt ist). Jedoch kann sich die Qualität der Kanten der geätzten bzw. abgeschiedenen Strukturen bei dem Arbeitsvorgang verschlechtern, da die Kanten des Arbeitsbereiches 500 mit dem Teilchenstrahl nicht identisch abgefahren werden, was schematisch mit den Trajektorien 510, 520, 530 darlegt ist. Dies kann sich z.B. über flachere Seitenwandwinkel der Strukturen bemerkbar macht. Dieses Phänomen kann dadurch adressiert werden, indem für jedes Sequenz-Tupel eine mathematische Transformation ermittelt wird, welche die Differenz zwischen den Sequenz-Tupeln ausgleicht. Diese Transformation kann zusätzlich bei der Kalibrierung berücksichtigt werden (z.B. zusätzlich zu der Verzerrungskompensation der Reparaturform). Somit kann gewährleistet werden, dass die Trajektorie des Teilchenstrahls auch bei der Kalibrierung mit verschiedenen Sequenz-Tupeln gleichbleibt. Initial können für die Ermittlung der Transformation die globalen Positionen aller Korrekturmarken der Sequenz-Tupel bestimmt werden und/oder die relativen (initialen) Positionen aller Korrekturmarken zueinander. Zusätzlich können entsprechende Positionen von charakteristischen Maskenstrukturen ermittelt werden. Die relativen Positionen können vektoriell z.B. über eine x- und y-Distanz angegeben sein (z.B. über einen <x,y> Distanzvektor).
• Die Transformation kann anschließend auf mehrere Arten bestimmt werden. Z.B. über das Bestimmen der relativen Position eines Sequenz-Tupels X und eines Sequenz-Tupels Y. Beispielsweise kann bekannt sein, dass das Sequenz-Tupel Y initial einen vektoriellen Abstand zum Sequenz-Tupel X von V1 = <50nm, 0 nm> hat (z.B. definiert durch einen Abstand zwischen (zwei oder mehr) sich entsprechenden Marken der Tupel). Zunächst kann beim Verfahren lediglich das Sequenz-Tupel X verwendet werden. Bei einem Wechsel von Sequenz-Tupel X auf das Sequenz-Tupel Y im Laufe des Verfahrens kann sich jedoch herausstellen, dass das Sequenz-Tupel Y nun einen vektoriellen Abstand zum Sequenz-Tupel X von V2 = < 100nm, 10 nm> hat. Diese Information kann für die Transformation verwendet werden, sodass der Teilchenstrahl dementsprechend angepasst werden kann, um eine konstante Trajektorie hervorzurufen (um den scheinbar geänderten Abstand zu kompensieren).
• Z.B. kann die Transformation auch über das Ermitteln der Position der (charakteristischen) Maskenstrukturen relativ zu dem Sequenz-Tupel X und dem Sequenz-Tupel Y ermittelt werden. Zunächst kann beim Verfahren lediglich das Sequenz-Tupel X verwendet werden. Initial kann der Abstand der (charakteristischen) Maskenstruktur zum Sequenz-Tupel X über V3 = <500nm, 500nm> und zum Sequenz-Tupel Y über V4 = <550nm, 500nm> gegeben sein. Bei einem Wechsel von Sequenz-Tupel X auf das Sequenz-Tupel Y im Laufe des Verfahrens kann sich jedoch herausstellen, dass nun z.B. V3 = <600nm, 400nm> und V4 = <700nm, 350nm> vorliegt. Diese Information kann für die Transformation verwendet werden, sodass der Teilchenstrahl dementsprechend angepasst werden kann, um eine konstante Trajektorie hervorzurufen.
• Die 6 zeigt schematisch im Schnitt einige Komponenten einer Vorrichtung 600, auf welcher Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Verfahren zur Untersuchung und/oder Bearbeitung einer Maske (oder generell eines der eingangs erwähnten Objekte, für welche die vorliegende Erfindung Anwendung finden kann) ablaufen und implementiert werden können. Beispielhaft wird in 6 und der nun folgenden Beschreibung auf die Maske 510 der 5a-c Bezug genommen, dies ist jedoch nicht einschränkend zu verstehen. Andere Masken oder Objekte für die Lithographie können an ihre Stelle treten.
• Die Vorrichtung 600 umfasst eine Vakuumkammer 602 und darin ein Rasterteilchenmikroskop 620. In dem Beispiel der 6 ist das Rasterteilchenmikroskop 620 ein Rasterelektronenmikroskop (SEM) 620. Ein Elektronenstrahl als Teilchenstrahl hat den Vorteil, dass dieser die zu untersuchende bzw. zu bearbeitende Maske 510 im Wesentlichen nicht oder nur in geringem Umfang schädigen kann. Es sind jedoch auch andere geladene Teilchenstrahlen möglich, etwa ein Ionenstrahl eines FIB- (Focused Ion Beam) Systems (in der 6 nicht dargestellt).
• Das SEM 620 umfasst als wesentliche Komponenten eine Teilchenkanone 622 und eine Säule 624, in der die Elektronenoptik oder Strahloptik 626 angeordnet ist. Die Elektronenkanone 622 erzeugt einen Elektronenstrahl 628 und die Elektronen- oder Strahloptik 626 bündelt den Elektronenstrahl 628 und richtet ihn am Ausgang der Säule 624 auf die Maske 510 (oder generell auf eine Probe bzw. ein Objekt für die Lithographie). Die Maske 510 weist eine Oberfläche 520 mit einer Struktur bzw. Strukturen 530 auf, wie oben bereits eingehend erläutert. Eine ggf. auf der Maske 510 vorhandene Oberflächenladung ist in der 6 nicht dargestellt.
• Die Maske 510 wird auf einem Probentisch 605 angeordnet. Wie in der 6 durch die Pfeile symbolisiert, kann der Probentisch 605 in drei Raumrichtungen relativ zum Elektronenstrahl 628 des SEM 620 bewegt werden.
• Eine Spektrometer-Detektor-Kombination 640 diskriminiert die von dem Elektronenstrahl 628 an dem Messpunkt 635 erzeugten Sekundärelektronen und/oder von der Maske 510 rückgestreuten Elektronen nach deren Energie und setzt diese dann in ein elektrisches Messsignal um. Das Messsignal wird dann an eine Auswerteeinheit 676 des Computersystems 670 weitergeleitet.
• Zur Energieseparierung kann die Spektrometer-Detektor-Kombination 640 ein Filter oder ein Filtersystem enthalten, um die Elektronen in der Energie zu diskriminieren (in der 6 nicht dargestellt).
• Energie-auflösende Spektrometer können - wie die Spektrometer-Detektor-Kombination 640 - außerhalb der Säule 624 des SEM 620 angeordnet werden. Es ist aber auch möglich, ein Spektrometer und den dazugehörigen Detektor in der Säule 624 eines SEM 620 anzuordnen. In dem in der 6 dargestellten Beispiel ist ein Spektrometer 645 und ein Detektor 650 in der Säule 624 eines SEM 620 eingebaut.
• Das Spektrometer 645 und der Detektor 650 können zusätzlich oder alternativ zur Spektrometer-Detektor-Kombination 640 in der Vorrichtung 600 eingesetzt werden.
• Ferner kann die Vorrichtung 600 der 6 optional einen Detektor 655 zum Nachweisen der von dem einfallenden Elektronenstrahl 628 am Messpunkt 635 erzeugten Photonen aufweisen. Der Detektor 655 kann beispielsweise das Energiespektrum der erzeugten Photonen spektral auflösen und somit Rückschlüsse auf die Zusammensetzung der Oberfläche 520 bzw. oberflächennaher Schichten der Maske 510 ermöglichen.
• Darüber hinaus kann die Vorrichtung 600 eine Ionenquelle (nicht gezeigt) umfassen, die niederenergetische Ionen im Bereich des Messpunkts 635 für den Fall bereitstellt, dass die Maske 510 bzw. deren Oberfläche 520 elektrisch isolierend oder halbleitend ist und eine negative Oberflächenladung aufweist. Mit Hilfe der Ionenquelle kann eine negative Aufladung der Maskenoberfläche 520 lokal und kontrolliert verringert werden.
• Falls die Maskenoberfläche 520 eine unerwünschte Verteilung positiver Oberflächenladungen aufweisen sollte, verursacht etwa durch das Handling der Maske 510, kann der Elektronenstrahl 628 benutzt werden, um die Aufladung der Maskenoberfläche 520 zu verringern.
• Das Computersystem 670 umfasst eine Scan-Einheit 672, die den Elektronenstrahl 628 über die Maske 510 und insbesondere über die Markierungen 540, 580 und/oder den Defekt 550 scannt. Die Scan-Einheit 672 steuert Ablenkelemente in der Säule 624 des SEM 620, die in der 6 nicht dargestellt sind. Ferner umfasst das Computersystem 670 eine Einstelleinheit 674, um die verschiedenen Parameter des SEM 620 einzustellen und zu kontrollieren. Von der Einstelleinheit 674 einstellbare Parameter können beispielsweise sein: die Vergrößerung, der Fokus des Elektronenstrahls 628, eine oder mehrere Einstellungen des Stigmators, die Strahlverschiebung, die Position der Elektronenquelle und/oder eine oder mehrere Blenden (in der 6 nicht dargestellt).
• Die Scan-Einheit 672 und/oder die Einstelleinheit 674 können beispielsweise eine Untersuchung und/oder Bearbeitung der Maske 510 in dem Arbeitsbereich 560 unter Verwendung einer Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens durchführen oder steuern, oder hierzu beitragen.
• Überdies umfasst das Computersystem 670 eine Speichereinheit 676, in der beispielsweise Instruktionen zur Durchführung einer Ausführungsform eines der erfindungsgemäßen Verfahren gespeichert sein können. Das Computersystem 670 kann einen oder mehrere Prozessoren umfassen, die dafür ausgelegt sind, solche Instruktionen umzusetzen, d.h. die entsprechenden Komponenten der Vorrichtung 600 (beispielsweise das SEM 620, die Scan-Einheit 672, die Einstelleinheit 674 und/oder das unten noch beschriebene Gaszuleitungssystem) gemäß den Anweisungen zu steuern und zu aktivieren. Der Prozessor kann beispielsweise einen leistungsfähigen Graphikprozessor umfassen.
• Das Computersystem 670 der 6 kann in die Vorrichtung 600 integriert sein oder es kann als ein eigenes Gerät ausgebildet sein. Das Computersystem 670 kann in Hardware, Software, Firmware oder einer Kombination ausgeführt werden.
• Zur Bearbeitung des Defekts 550 der Maske 510 und/oder zum Schreiben von (ersten und/oder zweiten) Referenzmarkierungen 540 bzw. 580 auf die Maske 510 weist die Vorrichtung 600 der 6 bevorzugt mehrere verschiedene Vorratsbehälter für verschiedene Prozess- oder Präkursor-Gase auf. In der beispielhaften Vorrichtung 600 sind zwei Vorratsbehälter dargestellt. Eine Vorrichtung 600 kann jedoch auch mehr als zwei Vorratsbehälter zum Bearbeiten der Maske 510 und/oder dem Schreiben von Referenzmarkierungen 540, 580 auf die Maske 510 aufweisen. Der erste Vorratsbehälter 652 speichert ein Präkursor-Gas oder ein Depositionsgas, das im Zusammenwirken mit dem Elektronenstrahl 628 des SEM 620 zum Abscheiden von Material beispielsweise zum Erzeugen einer Referenzmarkierung 540, 580 der Maske 510 eingesetzt werden kann. Darüber hinaus kann der Elektronenstrahl 628 des SEM 620 z.B. zum Abscheiden von fehlendem Absorbermaterial eines der Pattern-Elements der Maske 510 benutzt werden kann. Der zweite Vorratsbehälter 662 beinhaltet ein Ätzgas, mit dessen Hilfe z.B. der Defekt 550 geätzt werden kann.
• Jeder Vorratsbehälter 652, 662 ist mit einem eigenen Ventil 654 bzw. 664 ausgestattet, um die Menge der pro Zeiteinheit bereitgestellten Gaspartikel oder den Gasmengenstrom am Ort des Auftreffens 635 des Elektronenstrahls 628 auf die Oberfläche 520 der Maske 510 zu kontrollieren. Außerdem haben die beiden Vorratsbehälter 652, 662 eigene Gaszuführungen 656, 666, die mit einer Düse 658, 668 nahe am Auftreffpunkt 635 des Elektronenstrahls 628 auf die Maske 510 enden. In der in der 6 dargestellten beispielhaften Vorrichtung 600 sind die Ventile 654, 664 in der Nähe der Vorratsbehälter eingebaut. In einer alternativen Ausführungsform können die Ventile 654, 664 in der Nähe der entsprechenden Düse 658 bzw. 668 angeordnet werden (in der 6 nicht gezeigt). Jeder Vorratsbehälter 652, 662 kann sein eigenes Element zur individuellen Temperatureinstellung und Kontrolle aufweisen. Die Temperatureinstellung ermöglicht sowohl eine Kühlung als auch eine Heizung für jedes Präkursor-Gas. Zusätzlich können die Gaszuführungen 656, 666 ebenfalls jeweils ein eigenes Element zur Einstellung und zur Überwachung der Bereitstellungstemperatur jedes Präkursor-Gases am Reaktionsort aufweisen (in der 6 ebenfalls nicht gezeigt).
• Die Vorrichtung 600 der 6 kann ein Pumpensystem aufweisen, um das erforderliche Vakuum zu erzeugen und aufrechtzuerhalten. Das Pumpensystem ist in der 6 aus Übersichtlichkeitsgründen nicht gezeigt. Darüber hinaus kann die Vorrichtung 600 eine Absaugvorrichtung enthalten (in der 6 ebenfalls nicht dargestellt). Die Absaugvorrichtung in Kombination mit einer Pumpe oder einem Pumpensystem macht es möglich, dass die bei der Zerlegung eines Präkursor-Gas entstehenden Fragmente oder Bestandteile, die nicht für die lokale chemische Reaktion benötigt werden, im Wesentlichen am Ort des Entstehens aus der Vakuumkammer 602 der Vorrichtung 600 abzusaugen. Da die nicht benötigten Gasbestandteile lokal an der Stelle des Auftreffens des Elektronenstrahls 628 auf die Maske 510 aus der Vakuumkammer 602 der Vorrichtung 600 abgepumpt werden, bevor sie sich in dieser verteilen und absetzen können, wird eine Kontamination der Vakuumkammer 602 verhindert.
• ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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• Zitierte Patentliteratur
• US 2002122992 A [0008]
• US 20090218488 [0009]

Claims (23)

1. Verfahren zum Erzeugen von Korrekturmarken auf einem Objekt für die Lithografie, insbesondere für die Kalibrierung eines Arbeitsvorganges, mit einem Teilchenstrahl aufweisend: a. Erzeugen einer ersten Gruppe (A1, B1, C1) an Korrekturmarken; b. Erzeugen einer zweiten Gruppe (A2, B2, C2) an Korrekturmarken, c. wobei die Abstände der Korrekturmarken innerhalb der ersten und innerhalb der zweiten Gruppe kleiner sind als die Abstände zwischen Korrekturmarken aus der ersten Gruppe und Korrekturmarken aus der zweiten Gruppe.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die erste Gruppe und/oder die zweite Gruppe zumindest teilweise gleichartig ausgebildete Korrekturmarken umfassen.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-2, wobei zumindest eine Korrekturmarke aus der ersten Gruppe und/oder der zweiten Gruppe aus mehreren Geometrieformen zusammengesetzt ist.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-3, wobei die Anzahl der Korrekturmarken der ersten Gruppe und/oder der zweiten Gruppe zumindest drei, vorzugsweise zumindest vier beträgt.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-4, wobei die Abstände der Korrekturmarken innerhalb der ersten und/oder innerhalb der zweiten Gruppe zumindest fünfmal kleiner, bevorzugt zumindest zehnmal kleiner, besonders bevorzugt zumindest zwanzigmal kleiner sind als die Abstände zwischen Korrekturmarken aus der ersten Gruppe und Korrekturmarken aus der zweiten Gruppe.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-5, wobei das Erzeugen zumindest teilweise auf einem teilchenstrahlinduzierten Abscheideprozess und/oder einem teilchenstrahlinduzierten Ätzprozess basiert.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-6, ferner umfassend: Erzeugen zumindest einer dritten Gruppe (A3, B3, C3) an Korrekturmarken, wobei die Abstände der Korrekturmarken innerhalb der einzelnen Gruppen kleiner sind als die Abstände, welche zwischen Korrekturmarken aus zwei verschiedenen Gruppen aufgespannt werden.
8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei die erzeugten Gruppen einen Arbeitsbereich (500) eines Arbeitsvorganges so umgeben, dass Verbindungslinien zwischen jeweils zwei Korrekturmarken unterschiedlicher Gruppen den Arbeitsbereich umschließen können, ohne den Arbeitsbereich zu schneiden.
9. Verfahren zum Kalibrieren eines Arbeitsvorgangs eines Objekts für die Lithografie mit Hilfe zumindest einer lokalen Gruppe (A1, B1, C1; A2, B2, C2) von voneinander beabstandeten Korrekturmarken mit einem Teilchenstrahl, wobei das Verfahren folgende Sequenz aufweist: S1. Auswählen eines Sequenz-Tupels (A1; A2), wobei das Sequenz-Tupel eine Teilmenge an Korrekturmarken der zumindest einen Gruppe umfasst; S2. Durchführen einer Kalibrierung, basierend zumindest teilweise auf dem Sequenz-Tupel (A1; A2); S3. Durchführen zumindest eines Teils des Arbeitsvorgangs, basierend zumindest teilweise auf der durchgeführten Kalibrierung.
10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei das Auswählen des Sequenz-Tupels zumindest teilweise auf einem Beurteilen eines vorbestimmten Kriteriums, welches mit zumindest einer Korrekturmarke der zumindest einen Gruppe assoziiert ist, basiert.
11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei das vorbestimmte Kriterium zumindest eines der folgenden Kriterien umfasst: ein Abnutzungsgrad der zumindest einen Korrekturmarke, ein Kontrast der zumindest einen Korrekturmarke, ein Gradientenbild der zumindest einen Korrekturmarke, eine Autokorrelationsfunktion eines Bildes der zumindest einen Korrekturmarke, eine Kreuzkorrelationsfunktion von zumindest zwei Bildern der zumindest einen Korrekturmarke.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9-11, wobei die Sequenz zumindest einmal wiederholt wird und dabei zumindest zwei Sequenz-Tupel ausgewählt werden, die voneinander verschiedene Teilmengen an Korrekturmarken umfassen.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 9-12, wobei das Auswählen des Sequenz-Tupels so erfolgt, dass es eine Teilmenge an Korrekturmarken aus jeder von zumindest m Gruppen an Korrekturmarken umfasst, wobei m größer oder gleich 2 ist, und wobei die Abstände der Korrekturmarken innerhalb der einzelnen Gruppen kleiner sind als die Abstände, welche zwischen Korrekturmarken aus zwei verschiedenen Gruppen aufgespannt werden.
14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei das Auswählen des Sequenz-Tupels zumindest teilweise auf einer Anzahl an erwarteten Sequenzen während des Arbeitsvorganges basiert.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 9-14, wobei das Auswählen der Sequenz-Tupel über die Sequenzen des Arbeitsvorganges hinweg gemäß einer vorbestimmten Abfolge erfolgt.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 9-15, wobei das Auswählen gemäß einer zyklischen Abfolge von Sequenz-Tupeln, einer randomisierte Abfolge von Sequenz-Tupeln und/oder einer Reihe von gleichen Sequenz-Tupeln erfolgt.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 9-16, wobei das Verfahren ferner aufweist: Bestimmen einer Transformation von Teilchenstrahlparametern, welche mit zwei Sequenz-Tupeln assoziiert ist; Durchführen der Kalibrierung, basierend zumindest teilweise auf der bestimmten Transformation.
18. Verfahren nach Anspruch 17, wobei das Bestimmen der Transformation zumindest eines der folgenden umfasst: Bestimmen einer relativen Position von Korrekturmarken verschiedener Sequenz-Tupel zueinander; Bestimmen der relativen Positionen von Korrekturmarken verschiedener Sequenz-Tupel zu ein oder mehreren Strukturen des Objekts für die Lithografie.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-18, wobei die Kalibrierung ein Bestimmen einer Drift des Teilchenstrahls und/oder ein Korrigieren einer Drift des Teilchenstrahls umfasst.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-19, wobei der Arbeitsvorgang ein Reparieren eines Defekts umfasst.
21. Vorrichtung zum Erzeugen von Korrekturmarken auf einem Objekt für die Lithografie und/oder Kalibrieren eines Arbeitsvorgangs mit einem Teilchenstrahl aufweisend: a. Mittel zum Durchführen des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1-20; b. Mittel zum Ausführen eines Computerprogramms.
22. Computerprogramm, das Anweisungen umfasst, die, wenn sie ausgeführt werden, die Vorrichtung gemäß Anspruch 21 veranlasst, die Verfahrensschritte des Verfahrens gemäß einem der Ansprüche 1-20 auszuführen.
23. Vorrichtung nach Anspruch 21 mit einem Speicher, der das Computerprogramm nach Anspruch 22 umfasst.

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