TW202323974A - 在光罩上校準操作的方法和裝置 - Google Patents

Abstract

本發明是關於一種用於在光罩上校準操作的方法和裝置。一種使用粒子束在用於微影的物件上產生校正標記的方法，特別是用於校準操作，該方法包括：(a) 產生校正標記的一第一組；(b) 產生校正標記的一第二組；(c) 其中在該第一組和該第二組中的該校正標記的間隔小於來自該第一組的校正標記與來自該第二組的該校正標記之間的間隔。

Description

在光罩上校準操作的方法和裝置

[交互參照]

本專利申請案主張2021年11月23於德國專利商標局所申請的德國專利申請案號DE 10 2021 213 163.8，標題名稱為「Verfahren und Vorrichtung zur Kalibrierung eines Arbeitsvorgangs auf einer Photomaske」的優先權。德國專利申請案號DE 10 2021 213 163.8在此是以引用方式整個併入本專利申請案供參考。

本發明是關於一種用於在光罩上校準操作的方法和裝置。更具體係，本發明是關於一種在用於微影的物件上產生校正標記的方法、一種用於校準該操作的方法、以及一種用於執行所述方法的相對裝置和電腦程式。

在半導體產業中，為了確保積體密度的增加，而在晶圓上產生越來越小的結構。為了產生結構，本文尤其使用將所述結構成像到晶圓上的微影方法。舉例來說，微影方法可包含微影、UV微影、DUV微影、EUV微影、X射線微影、奈米壓印微影等。在該製程中，微影製程通常使用遮罩（例如，光罩、曝光遮罩、倍縮光罩，在奈米壓印微影等情況下的印模等），其包含例如用於將所需結構成像到晶圓上的圖案。

隨著積體密度的增加，對光罩生產的要求也隨之增加（例如，由於光罩上的結構尺寸隨之減小，或者由於微影中對材料的要求更高）。因此，光罩的生產製程變得越來越複雜、越來越耗時且成本越來越高，而且並不始終能夠避免光罩誤差（例如，缺陷）。因此，通常在進一步的製程步驟中糾正或修復光罩誤差。

舉例來說，可藉由基於粒子束的製程來修復光罩誤差，其中相對的操作能夠包括在寫入場中的製程及/或在圖像場中的圖像記錄。在此製程中，粒子束通常以針對性方式（例如，沿著矩形像素光柵）在預定的寫入場或圖像場上掃描。

光罩通常是電絕緣樣品，因此用帶電粒子（例如，來自電子束的電子、來自離子束的離子）掃描光罩可能會導致光罩帶靜電，這會無意中使粒子束偏離預期的入射點。這種效應被稱為粒子束的位置漂移或漂移，其他機構也能夠影響這一點。

位置漂移會以位移、圖像失真及/或失真的形式表現出來，這可能顯著影響預先定義的粒子束的寫入場或圖像場。為了確保能沿著所需的工作區域掃描粒子束，因此通常需要校正或監測粒子束（亦即，必須進行漂移校正/漂移監測）。

通常會藉由界定出例如相對於粒子束的圖像或掃描區域中的參考標記的修復來解決遮罩和粒子束之間的相對位移所造成的影響，在修復期間藉由圖像處理方法跟踪參考標記的位置，並以偏移的方式移動粒子束進行修復。然而，標記或參考標記會在修復製程中衰變，因為其與待修復的缺陷本身同樣經受相似狀況條件。因此，要盡可能不頻繁掃描標記，然而根據需要又必須盡可能頻繁掃描標記。

專利案US 2002122992A揭示了一種校正光罩的方法，其中利用離子束在遮罩圖案中形成矩形參考孔。藉由確定參考孔的位置，可計算出參考孔與遮罩圖形中的缺陷之間的位置關係，並利用該位置關係來修正缺陷。

專利案US 20090218488揭示了一種用於光束漂移的光束校正的方法和裝置。使用足夠靠近工作區域的標記來對準光束位置，進而可在不移動定位台的情況下紀錄標記圖像。在處理製程中使用預測漂移的模型對粒子束進行校正。

然而，特別是當修復或檢查大缺陷或具有大面積（例如，大於約400×400nm）的缺陷時，已知的方法並不始終能達到令人滿意的程度。首先，在這大面積缺陷的情況下，修復製程的效率會降低，因為所涉及的製程氣體的吸附和擴散製程表現不同。在習知方法中，即使對於此大面積缺陷，也有必要更頻繁掃描參考標記，因為隨著缺陷尺寸的增加，處理時間也會增加，因此造成其性能更為下降。因為這種方式而造成衰變的參考標記在位置確定中會引起更大的干擾並因此損害修復品質或甚至導致修復中止。此外，參考標記與遮罩的關鍵邊緣（或其他相關結構）的距離增加。結果因為充電而增加的非線性影響，導致邊緣定位的精度降低。

因此，基於指定方法和裝置的目的，本發明中的這些方法和裝置提供用於檢查及/或處理用於微影的物件（例如，光罩）的可能改良，特別是可能改良用於檢查及/或處理物件（例如，光罩）上的大面積（例如，直徑大於數百奈米）缺陷。

本發明的各種態樣至少可部分解決該目的。

本發明的第一態樣是有關於一種使用粒子束在用於微影的物件上產生校正標記的方法，特別是用於校準操作，該方法可包含以下步驟：(a) 產生校正標記的第一組；(b) 產生校正標記的第二組。本文中，在第一組和第二組中的校正標記的間隔小於來自第一組的校正標記與來自第二組的校正標記之間的間隔。在這情況下，第一組包含一個以上的校正標記，而第二組同樣包含一個以上的校正標記。

在這情況下，藉由習知確定兩幾何物件之間的距離的方法而得知兩校正標記之間的間隔。舉例來說，該距離可通過跨在兩點之間的最短連接線的長度來定義，每個點屬於不同的校正標記。舉例來說，這情況下的點可包含校正標記邊緣的點（例如，校正標記的外邊緣或內邊緣）及/或可為能夠分配給校正標記的區域/幾何的任何點。因此，一組中的校正標記彼此間隔開（例如，彼此相鄰配置），準確地說，這些校正標記始終比相對其他組的校正標記更靠近彼此。

在這情況下，組中校正標記的間隔可稱為內部組間隔，而來自第一組和第二組的校正標記之間的間隔可稱為外部組間隔。在這情況下，內部組間隔包含一組中校正標記的所有可能間隔。外部組間隔包含來自第一組的任何（期望）校正標記與來自第二組的任何（期望）校正標記之間的所有可能間隔。因此，內部組間隔不應大於外部組間隔。

用於在光罩上產生校正標記的習知方法，前期並不依賴校正標記的此類幾何配置。因此，為了某些目的，需要校正標記的光罩操作只能在前期進行，但存在許多缺點。在這情況下，操作可包含例如光罩的（基於粒子束）處理、檢查光罩（例如，利用掃描電子顯微鏡的電子束、離子束等。)、定位工作區域、校準粒子束等。

具體係，改良校正標記的配置可用於以改良的方式確定粒子束的位置漂移並且因此允許最佳化檢查及/或修復光罩誤差（例如，光罩缺陷）。光罩誤差表示光罩與相對目標值的偏差，並且可能例如在光罩生產期間出現。一般光罩缺陷是其中存在過多或過少吸收劑材料的部位或區域，並且在引入相對的前驅物氣體的同時藉助於粒子束例如通過局部蝕刻或材料沉積來矯正這些缺陷。

具體係，以這方式局部提供複數個標記（採用第一組或第二組的形式），因此可基於複數個標記來實施校準。因此，一旦第一（第二）組的標記被磨損，例如，可替代求助於第一（第二）組的另一標記，該標記配置在附近並且因此可用於進一步校準持續較長時間的操作（例如，當處理及/或成像相對較大的缺陷時）。替代上，也能以交替方式使用一組標記，例如以便將磨損分配在複數個標記上並因此盡可能長時間保留所有標記。

舉例來說，粒子束可為具有質量的粒子束（例如，電子或離子束）或者無質量的粒子束（例如，光子束）。

在本發明的第二態樣中更詳細解釋根據本發明產生複數個組而可進行最佳化操作。

在一進一步示例中，第一組及/或第二組包含具有至少部分相同形式的校正標記。例如，可在兩組中產生相似幾何類型的校正標記（亦即，幾何相似的校正標記），隨後能夠將相似的校正標記用於操作中的相同功能。這概念造成了備份的存在及/或分配磨損外觀，例如若校正標記磨損、掉落及/或由於技術原因在操作期間在技術上不再可用。在這情況下，校正標記的功能可包含用於校準操作的參考標記，例如，用於確定粒子束漂移的標記、用於聚焦粒子束的聚焦標記、用於定位工作區域的定位標記、用於對準操作的對準標記（例如，用於對齊光罩以進行處理）、用於驗證操作等的驗證標記。在這情況下，可將校正標記的幾何形狀和材料都設計成針對校正標記打算採用的特定功能而進行改良。在這情況下，將任何可附接（附加）到光罩的材料想像為一種材料（例如，諸如鉑、鎢等的金屬及/或絕緣材料），其中同樣可由光罩材料及/或相關基材界定出校正標記（例如，可由鉻、氮化鉭、矽化鉬、光罩的吸收材料等形成校正標記）。可想到的幾何形狀包括，例如，圓形、球形、橢圓形、三角形或矩形校正標記，但也包括更複雜的幾何形狀，諸如十字形、框架、多邊形等。舉例來說，一組十字形校正標記可設計用於工作區域的第一位置，而該組的圓形校正標記可用於校準操作。

在一進一步實例中，可將校正標記彼此相鄰地配置。舉例來說，校正標記能以一行及/或陣列的形式（例如，在具有複數個校正標記相鄰行的區域中）附接到光罩。在一進一步實例中，僅在第一組及/或第二組中產生幾何相似的校正標記，其中相似的校正標記可用於操作中的複數個功能。在一進一步實例中，來自第一組及/或第二組的至少一校正標記是由複數個幾何形狀組成。例如，校正標記可由多重離散、幾何上相似的形狀（例如，由相同的圓形/球形點）組成，例如非常緊密逐一產生，因此形成校正標記。舉例來說，在一定的放大倍數下，需要利用圖像處理的方式讀取校正標記，而統一連續校正標記的光罩是藉由（例如，非常小的）尺寸離散形狀產生。從與微影光罩的處理相關的製程技術觀點來看，本發明中從複數個離散形狀產生校正標記的製程可能是有利的。首先，因為能使製程條件的變化性（以及因此對錯誤的敏感性）`降至最低，使得在這類型的校正標記生產中出現了最佳化製程管理。這是因為能利用多重相似的（離散）單獨製程產生校正標記，例如每個單獨製程在光罩上產生相同的幾何形狀並且因此在很大程度上需要相同的製程參數。每個步驟只需要調整光罩上應該使用相同幾何形狀的位置。這導致製程複雜性的降低、將製程可變性降至最低以及增加製程穩定性，因此可在相對長的產生時間段內，在光罩上產生可靠並具有相同特性的校正標記。這確保了用於例如基於校正標記的操作的校正標記的可靠運行。此外，多樣性的離散幾何形狀能夠簡化移除校正標記的製程，因為校正標記連接到光罩的區域會變得更小。替代上，由於在校正光罩中光罩的複數個幾何形狀的離散連接區域的多樣性，例如，光罩材料的間隙會被暴露出來，因此能更容易將其移除。因此，去除製程（例如，通過濕化學製程、電漿製程等進行清潔）可更均勻作用於校正標記，因為即使是校正標記中的幾何形狀的邊緣也可被均勻清除。因此可將去除製程後的殘留物降到最低。

在一進一步示例中，可由多重更複雜的幾何形狀組成校正標記，這些幾何形狀不必然在幾何上相似。舉例來說，在這情況下可想到框架中的矩形、圓形框架中的圓形結構、倍縮光罩等。例如，這將能創造出特定圖像處理方法所需的校正標記形狀。

在一實例中，來自第一組及/或第二組的校正標記的數量為至少三個，優選為至少四個。這是特別有利的，因為這為例如基於校正標記的操作提供了適當的冗餘性及/或適當的磨損分配。在這情況下，可針對基於此的操作改良校正標記的數量，以產生盡可能符合需求數量的校正標記，但數量是在容許範圍中的最少。避免產生不必要的校正標記，例如將去除製程中的殘留物降至最低。

在一實例中，在第一組及/或第二組中的校正標記的間隔至少小於來自第一組的校正標記與來自第二組的校正標記之間的間隔的五分之一，優選為至少小於其十分之一，特別優選為至少小於其二十分之一。由於上述數量級的間隔差異，例如可在操作期間快速分配校正標記的兩組。基於校正標記的操作的工作區域可位於例如由來自第一組的校正標記與來自第二組的校正標記之間的間隔（亦即，由外部組間隔）跨越的區域內。在這情況下，校正標記的屬性可根據所選擇或產生的外部組間隔的尺寸而變化，例如以最佳化校正標記的讀取。舉例來說，如果組中校正標記的間隔（亦即內部組間隔）至少小於外部組間隔的二十分之一，則這些組可具有相對的大面積校正標記。對照下，如果內部組間距小於外部組間距的五分之一，則這些組可具有更小面積的校正標記。同樣可想到的是，取決於外部組間隔的尺寸來選擇和產生校正標記的類型（例如，其材料、幾何形狀等，如前述）。

在一實例中，校正標記的產生至少部分基於粒子束誘導沉積製程及/或粒子束誘導蝕刻製程。在本文中，粒子束誘導沉積製程可例如包括電子束誘導沉積製程及/或離子束誘導沉積製程。舉例來說，沉積製程可基於氣相沉積（例如，化學及/或物理氣相沉積），其利用粒子束有目的性誘導或支持。在這情況下，例如可藉由有目的性地引導粒子束和適當的氣體環境在光罩上局部地沉積由適當的材料所製成的校正標記的任意幾何形狀。本領域技術人員已知的適當方法包括例如（聚焦）電子束誘導沉積（(F)EBID）、（聚焦）離子束誘導沉積（(F)IBID）等。

粒子束誘導蝕刻製程可例如包含電子束誘導及/或離子束誘導蝕刻製程。在本文中，蝕刻製程例如可在蝕刻環境中（例如，在蝕刻氣體、蝕刻電漿等中）發生，其中蝕刻製程可利用粒子束有目的性引發或輔助。舉例來說，可藉由粒子束在蝕刻環境中的有目的性引導校正標記的任何期望的幾何形狀，將其局部蝕刻到光罩材料（例如，吸收材料、光罩基材）中。舉例來說，（聚焦）電子束誘導蝕刻（(F)EBIE）將是一種適當的方法。

此外，也可在實例中使用粒子束誘導（例如，離子束誘導）銑削製程，在其範圍內例如存在利用粒子束所引導的局部材料剝離。例如，離子束銑削將是一適當的方法。

在一進一步實例中，該方法包含產生校正標記的至少一第三組，各個組中校正標記的間隔小於跨越來自兩不同組的校正標記之間的間隔。因此，將本發明的概念擴大具有至少一附加組。在一實例中同樣可想到產生校正標記的至少一第四組及/或校正標記的至少一第五組等等。

在這情況下，組中校正標記的間隔可再次稱為內部組間隔，而來自兩不同組的校正標記之間的間隔（例如，第一組和第三組之間、第一組和第四組之間、第四組和第五組之間等）可稱為外部組間隔。在這情況下，內部組間隔包含組中校正標記的所有可能間隔。外部組間隔包含來自兩不同組的（任何）兩校正標記之間的所有可能間隔。因此，根據本發明的概念基於的事實在於，即使在複數個組的情況下（例如，在三及/或四組校正標記的情況下），沒有內部組間隔會大於外部組間隔。

特別係，在一實例中可產生四個組。這些在至少部分四邊形配置（例如，以正方形或矩形的形式）中產生。四邊形可圍繞工作區域（例如，缺陷）配置，也就是說各個組的校正標記的（幾何）質心可形成包圍工作區域的四邊形的角。在另一實例中，可由來自四個不同組的四個校正標記組合而形成至少一矩形進行實施配置，其中工作區域位於該矩形內。

工作區域可認為是在操作中要檢查或處理的物件區域。舉例來說，這可為配置例如缺陷材料的區域。在本發明的範圍內，工作區域可特別代表物件的一區域，該區域旨在被均勻檢查/處理，也就是說，一區域未在複數個程序中被檢查或處理，其可被視為彼此獨立。光罩的工作區域特別是一沒有包圍整個光罩的局部區域。因此，工作區域可表示或包括例如局部缺陷，該局部缺陷例如不會分解成多個完全獨立的部分缺陷或者可以細分成完全獨立的部分缺陷。在這情況下，「局部」缺陷可意味著例如：相較於物件（例如光罩）的尺寸為較小。例如，工作區域或其中包含的缺陷可具有小於1 mm（毫米）、小於100 μm（微米）、小於10 μm、小於2 μm、小於1 μm或小於500 nm（奈米）的一或多個橫向範圍。工作區域或局部缺陷例如可適合邊長為1 mm、100 μm、10 μm或2 μm或1 μm或500 nm的（假想的）正方形。

在這情況下，工作區域可由外圍邊緣或輪廓線界定，並且該邊緣或該輪廓線中的一切都可認為是工作區域。比喻上，想像一「套索」，圍繞缺陷拋出並收緊，直到其「捕獲」最小長度的缺陷。然後，「套索」表示工作區域的外邊緣（替代上，也可考慮將鬆緊帶繞過缺陷並拉緊，然後由於其寬度（例如，本文討論的參考標記的一般直徑的寬度）、工作區域周圍的邊緣帶而不是線性邊緣)。舉例來說，工作區域可定義為一或多個待修復區域的包絡線，例如凸套，置放校正標記組使其能夠包圍工作區域。

在一進一步實例中，校正標記的第一組和第二組的產生方式可為：校正標記的多組中的至少一者包絡線，例如凸套，不與工作區域相交（或至少一組校正標記的凸套不代表及/或形成工作區域的子集（例如，缺陷的子集）。舉例來說，置放校正標記組使得第一組的凸套和第二組的凸套不與工作區域（例如，缺陷）相交。這可進一步解釋為由一組校正標記的凸套界定出的區域不形成工作區域的一部分（例如，缺陷）。

矩形配置可設計成用於操作校準的校準窗口，例如用於使用粒子束處理的寫入或圖像場的失真補償。在這情況下，矩形配置有助於進行失真補償所需的例如數位資料處理或適當的圖像處理。

在一進一步實例中，校準窗口可為三角形形式（亦即，藉由三個生成的組）及/或不同類型的多邊形（亦即，作為m邊形，其中m是生成的數量）。

在一進一步實例中，在每種情況下不同組的兩校正標記之間的連接線能夠包圍工作區域而不與工作區域相交，使得所產生的組以這樣的方式包圍操作的工作區域。舉例來說，工作區域可為光罩誤差（例如，光罩缺陷），不同組的兩校正標記之間沒有連線與光罩誤差相交。此外，這也可表述為被外部組間隔界定出的連接線不與工作區域相交。這是有利的，因為能確保工作區域完全被組包圍（以及位於其中的校正標記）。舉例來說，這使得校準窗口（例如，如前述的失真補償）完全包含光罩誤差，使得整個工作區域可以在校準窗口上進行內插，而不會降低邊緣位置的準確性。結果，在確定校正標記位置的期間內可能出現的測量誤差（並且可能增加外推區域）不會在失真補償期間被放大。

在該方法的一進一步實例中，最初分析光罩（例如，利用粒子束掃描）以找到及/或定位光罩上的工作區域。舉例來說，這可包含在圖像處理的幫助下搜索光罩誤差（例如，使用模式識別的缺陷監測方法）。隨後，可根據上述多個實例之一，藉助於關於工作區域的位置的資訊來附加組。

在一進一步實例中，在用於微影的物件上產生校正標記的方法可包含以下步驟：產生至少一間隔校正標記的局部組。舉例來說，可恰好產生間隔校正標記的一局部組，也就是說不需產生兩組。可想像，校正標記的局部組是在局部累積中產生的，校正標記的包絡線尺寸（例如，校正標記包絡線的範圍）比工作區域的包絡線尺寸小一數量級（例如，更短）。舉例來說，恰好校正標記的一局部組的包絡線尺寸至少小於工作區域的包絡線尺寸的四分之一，優選至少小於其十分之一，最優選至少小於其二十分之一。在一進一步實例中，校正標記的局部組的凸套不與工作區域相交（替代上，凸套不是操作的工作區域的子集）。在這情況下，可設計局部組中校正標記的間隔使其有利於本發明的第二態樣（稍後詳細說明）。即使只產生一局部組，該方法也可與本文所述的其他步驟相結合。然而，獨立來說，也可產生兩或多個局部組。

本發明的第二態樣是有關於一藉助於使用粒子束的間隔校正標記的至少一局部組以校準在用於微影的物件操作的方法，方法包括以下順序：（S1）選擇序列元組，序列元組包含至少一組校正標記的子集；（S2）執行校準，至少部分基於該序列元組；（S3）執行至少部分的操作，至少部分基於已執行的校準。

舉例來說，本發明的第二態樣可至少部分基於：至少一局部組是根據前述實例中的任一者所產生的組（亦即，本發明的第一態樣）。在一實例中，本發明的第二態樣可包含本發明的第一態樣（替代上，例如，本發明的第一態樣可亦包含第二態樣）。舉例來說，本發明的第二態樣的方法可包含根據本發明的第一態樣所產生（或已產生）校正標記。同樣可想到的是，光罩上（理所當然地）存在的結構（例如，一或多個突出點、結構過渡、各種微影標記等），可用作局部組的校正標記。

至少一組是局部的，因此其被配置在光罩上的空間界定區域中。可例如通過圍繞至少一局部組的校正標記的外部輪廓的包絡線來提供空間界限或範圍。在這情況下，空間界定可與操作的空間範圍相關聯（例如，校正標記的至少一局部組可擴展到操作技術上合理的範圍）。此外，局部組的空間範圍可被限制在例如一連續的區域，以下是可能的區域尺寸：不超過30 nm × 30 nm（或不超過9×10 ^-16m ²），不超過100 nm × 100 nm（或不超過10 ^-14m ²）及/或不超過1 mm × 1 mm（或不超過10 ^-6m ²）。此外，例如可藉由面積相對於光罩的總面積A _M的比例來定義局部組的空間範圍。例如，局部組的空間範圍可不超過10 ^-14× A _M、不超過10 ^-12× A _M、不超過10 ^-9× A _M及/或不超過10 ^-6× A _M。舉例來說，上述空間範圍也可應用於本發明的第一態樣上下文中所解釋的產生的組。局部組的區別還在於校正標記的包絡線的尺寸（例如，校正標記周圍的包絡線的周長）比工作區域的包絡線的尺寸小一個數量級。舉例來說，局部組的校正標記的包絡線尺寸可至少小於工作區域的包絡線尺寸的四分之一，優選至少小於其十分之一，最優選至少小於其二十分之一。

在這情況下，可以在整個操作的範圍內重複多次本發明的方法的順序。可針對操作的不同部分（亦即序列操作）執行校準以確保操作期間（亦即序列中）的穩定參數。在這情況下，（整體）操作包含光罩的整體（亦即獨立）處理，而部分操作可為（整體）操作的部分步驟。在這情況下，該操作可包含粒子束為基製程，其中例如可包含圖像場的圖像記錄或使用粒子束的寫入場處理。在這情況下，圖像記錄可包含例如掃描電子顯微鏡的記錄，而寫入場的處理可包含粒子束誘導蝕刻或沉積製程。在這情況下，工作區域可包含寫入場或圖像場。舉例來說，校準可以用於校準或校正用於操作的粒子束的參數。

迄今為止，已知解決粒子束的校準是涉及例如定義操作其相對於一個且相同的校正標記。在校準期間，通常使用粒子束掃描適當的校正標記（例如，記錄的圖像）。然而，對應的校正標記及其鄰近區域可能在操作期間或整體操作而隨時間顯著衰變，這可能越來越導致校準狀況越來越糟。這是因為校準期間的校正標記可能會受到操作的相同製程影響（例如，粒子束誘導沉積或蝕刻製程的狀態仍然存在）。先前習知製程的缺點在於，連續可靠的校準特別會受到操作的處理持續時間的限制。在處理時間較長的情況下（例如，在工作區域相對較大、只能緩慢處理的工作區域、複雜的工作區域等情況下），通常需要更頻繁執行校準，因此校正標記及其周圍環境可能會有更大程度的衰變。藉由圖像處理來確定校正標記位置的準確性可能會隨著時間過去而顯著降低（例如，由於對比度降低，校正標記出現褪色等）。此外，由於校正標記周圍環境的衰變，在操作之後可能會造成光罩的永久性損壞（例如，缺陷）。

根據本發明的概念是藉由序列元組彌補習知缺點，該序列元組包括來自為每個序列所選擇的一組校正標記中的校正標記的子集。該子集隨後可用於序列內校準。一序列的校準是基於針對性選擇校正標記子集，其是鑑於最佳校準而選擇。在這情況下，該子集可包含至少一校正標記（然而，也有可能是來自一組的多個校正標記）。因此，假設可為一序列選擇適當的校正標記（或一個校正標記）。因此，不必藉助用於校準的固定校正標記，該固定校正標記可能已經顯著衰變，但是可使用校正標記的子集，其有利於校準工作。由於避免了不正確的操作校準，因此確保可最佳及/或不受干擾地執行基於校準的操作（操作的一部分）。

在一實例中，序列元組的選擇至少部分基於與至少一組中的至少一校正標記相關聯的預定標準的評估。在這情況下，預定標準可提供校正標記衰變程度的指示或者能讓衰變程度降至最低。舉例來說，該標準可包含在該方法期間使用校正標記（或序列元組）的次數（這可對應於所估計的標記磨損程度）。特別是，可評估連續選擇序列元組的頻率。在一進一步實例中，可利用物理分析的方式評估標準（例如，使用粒子束記錄校正標記的圖像）。

在一實例中，預定標準包含以下標準之至少一者：至少一校正標記的磨損程度、至少一校正標記的對比度、至少一校正標記的梯度圖像、至少一校正標記的圖像的自相關函數、至少一校正標記的至少兩圖像的互相關函數。

舉例來說，可基於校正標記的記錄圖像（例如，掃描電子圖像）來確定上述標準（或者該標準可基於使用粒子束掃描校正標記產生的基本信號來確定）。舉例來說，可藉由圖像處理自動測量或評估（及/或由操作員手動）磨損程度。舉例來說，可利用校正標記（或基本信號）的圖像（數位）處理來獲得梯度圖像，並且梯度圖像可包含關於校正標記的邊緣的資訊。例如，這能夠良好評估邊緣的衰變，隨著時間的推移邊緣可能會變得更平坦。同樣，可以根據校正標記的圖像（或根據基本信號）確定校正標記的自相關函數的性質。例如，在這情況下，更廣泛的自相關函數可與更高程度的衰變相關聯，因此相對的校正標記不能再用在高於給定閾值的校準。此外，可存在校正標記的互相關函數，其基於校正標記（或基本信號）在兩不同時間（例如，來自兩不同序列）的圖像。因此，可分析評估校正標記的相對變化。

在一進一步實例中，重複該序列至少一次，並且在該製程中，選擇至少兩序列元組，該序列元組包括校正標記的不同子集。因此對於整個操作（例如包括至少兩序列），不必連續使用一和相同的校正標記來進行校準。這可顯著降低校正標記衰變現象和由校準引起的光罩損壞狀況，因為對於每個序列沒有必要將所有校正標記（或始終相同的校正標記）暴露於粒子束。這即使在相對較長的處理時間下也能確保校準的可靠操作，例如在大量序列的情況下。

在一實例中，序列元組的選擇方式是包括來自至少m組校正標記中的每組校正標記的子集，其中m大於或等於2（例如，m = 4），並且各個組中校正標記的間隔小於來自兩不同組的校正標記之間的間隔。舉例來說，該示例可至少部分基於本發明的第一態樣，其中至少產生m個組（上述以對於其示例進行了解釋）。舉例來說，可將四個組在光罩上配置成矩形，每個組例如包括至少三個校正標記。使得能從多重可能的序列元組中選擇某個序列元組，以用於序列的校準。舉例來說，每個元組可（恰好）包括來自m組中每組的一個校正標記。

在一實例中，序列元組的選擇至少部分基於操作期間的預期序列的數量。舉例來說，這可基於預期校準的數量及/或操作的預期部分。特別可由分析工作區域來確定序列、校準及/或操作的部分的數量。例如，這可包含光罩缺陷的分析，其中可以觀察光罩缺陷的一些參數，例如缺陷面積、缺陷類型、缺陷材料、光罩類型等，以確定數量。

在一實例中，是根據預定順序在操作序列上選擇序列元組。將校正標記上的磨損外觀（或衰變外觀）程度降到最低或使其均勻分佈可界定該順序。在這情況下，由於序列元組的巧妙排序，在示例中可以省去校正標記的物理分析（如幾個示例所示，利用評估適當的標準）。同樣，可想像一實例，其中序列將磨損的外觀程度降到最低及/或使其均勻分佈，但偶爾會對校正標記進行物理分析（例如，藉由記錄圖像和後續分析）。

在一實例中，實施序列元組的選擇是根據序列元組的循環順序、序列元組的隨機順序及/或相同一行序列元組。舉例來說，可在光罩上使用複數個不同的序列元組（T1、T2、…Tm）。在循環順序中，序列元組的特定循環順序將「旋轉通過」該方法的複數個序列上。舉例來說，如果三個序列元組可用（例如，T1、T2、T3），則示例性循環順序將為T1-T2-T3，該方法的序列上的相對循環順序為T1-T2-T3-T1-T2-T3-T1-T2-T3-…等。在三個序列元組的情況下，隨機順序將包含該方法的複數個序列上的序列元組的隨機順序（例如，T3-T1-T3-T3-T2-T1-T1-T2-T2-…等）。

當根據一列相同序列元組來選擇序列元組時，示例序列（在三個序列元組的情況下）可在過程中確定如下：T1-T1-T1-…-T2-T2-T2-…-T3-T3-…-T3。尤其是當根據一列相同序列元組選擇序列元組時，可對預定標準進行附加評估（如上文以示例性方式解釋），也有可能是利用其他順序。舉例來說，可在使用相同序列元組的預定數量的序列之後執行預定標準的評估，以驗證序列元組的校正標記的狀態。視情況而定，根據序列元組校正標記的狀態，可在後續序列中更改為不同的序列元組（以確保最佳校準）或繼續使用序列元組（例如，因為還沒有出現磨損的外觀）。

在一實例中，該方法還包括以下步驟：確定有關兩序列元組的粒子束參數的轉換；至少部分基於該所確定的轉換來執行校準。原則上，此概念必須至少有兩個序列元組是可用的，其中實施特定過程可相對地針對所有可能的序列元組（例如，如果有兩個以上的序列元組是可用的）。

例如，在這情況下該方法可包含確定為該方法選擇的（可能的）序列元組的校正標記的初始位置。在這情況下，例如可在該方法的第一序列之前進行確定。如果在該方法中使用粒子束照射光罩（例如，一序列元組的校正標記），則光罩可能帶靜電。因此，系統中存在可能影響粒子束預期軌跡的干擾。通常，粒子束參數（例如，加速電壓、偏轉電壓、粒子束光學調整等）可用於動態和靜態調整預期軌跡。由於上述干擾，（可能的）序列元組的位置可能在該方法的過程中（例如，應該通過粒子束記錄的進一步圖像），看起來好像其相對於其初始位置而被取代了。在這情況下，這些「新」位置可稱為當前位置。在這情況下，（可能的）序列元組的偏移不必然是一致，校正標記可彼此獨立地位移或因此而出現（例如，由於帶電的不同）。舉例來說，最初出現的（可能的）序列元組的校正標記彼此相鄰排列成一行，使得其的質心形成一條直線。然而，在該方法的過程中，在圖像記錄期間校正標記可能會發生位移，其質心不再成為一條直線（例如，初看，每個校正標記可能在空間中隨機偏移）。這些（例如，非線性）效應可能會影響粒子束的校準，進而不再穿過先前期望的軌跡（例如，在工作區域上）。因此根據本發明可執行轉換，例如考慮兩序列元組中的一（或兩）者相對於此及/或兩序列元組中的另一者的當前位置的初始位置。因此，該轉換可以重新建立兩序列元組之間的正確關係，由於系統中的干擾該關係不再以圖像方式示出。隨後，序列中的校準可另外考慮轉換的資訊，使得粒子束可以根據轉換的資訊進行校準。這允許粒子束的軌跡獨立於方法內所選序列元組的變化。這可確保粒子束穿過至少一部分的相同工作區域。特別地，轉換可以改良工作區域的邊緣質量，因為缺少轉換的情況，無法對工作區域的邊緣進行最佳處理（例如，蝕刻及/或沉積結構中可能出現更平坦的側壁角度）。

在一實例中，該方法更包括以下步驟：確定有關兩序列元組的粒子束參數的轉換；至少部分基於該所確定的轉換來執行校準。例如，可在每次序列改變的情況下執行轉換。在另一實例中，可在方法期間中更改序列元組時執行轉換（例如，如前述當根據所選順序更改序列元組時）。

在一實例中，確定轉換包含下述中的至少一者：確定不同序列元組的校正標記相對於彼此的相對位置；確定不同序列元組的校正標記相對於用於微影的物件（例如光罩）的一或多個結構的相對位置。例如，在這情況下，能以向量（例如，＜x,y＞）的形式界定出相對位置（或位置差異）。

舉例來說，可確定（可能的）序列元組的校正標記的初始位置之間的相對位置（例如，在每種情況下，在來自不同組的序列元組的兩校正標記之間）。此外，還可確定（可能的）序列元組的校正標記的當前位置之間的相對位置。然後，可從不同的相對位置確定允許從一個序列元組到另一序列元組的變化並且將過程中的上述錯誤轉換狀況降至最低。此外，還可確定序列元組的初始位置與不同序列元組的當前位置之間的相對位置。同樣可確定序列元組的初始位置和該序列元組的當前位置之間的相對位置。

此外，確定上述各種序列元組的校正標記相對於一或多個結構的相對位置，考慮了至少三分之一「固定點」，其包含一或多個結構（例如，光罩）。因此，可藉由確定相對於第一序列元組位置的（特定）結構位置和確定該（特定）結構相對於第二序列元組的位置來進行轉換的識別。因此，可能存在經由第三「固定點」，從第一序列元組到第二序列元組的轉換。

在一實例中，校準包含確定粒子束的漂移及/或校正粒子束的漂移。在這情況下，校準可包含確定與所確定的粒子束漂移相關聯的偏移。隨後該偏移可用於校正粒子束的漂移，使得在該方法期間粒子束的期望軌跡能夠恆定或保持。

在一實例中，該操作包含修復缺陷。在這情況下，該缺陷可例如包括光罩缺陷，可藉由沉積或蝕刻製程（如上面實例中所解釋）以至少部分修復該缺陷的方式處理該缺陷。此處，工作區域可包含缺陷或者由其尺寸界定（例如，其輪廓）。

要強調的是，本文描述的第一和第二態樣也可相互組合。也就是說，產生如本文所述的校正標記之後，之後可進行如本文所述的校準方法，其由所產生的校正標記輔助。

本發明的第三態樣有關於一使用粒子束在用於微影及/或校準操作的物件上產生校正標記的裝置，該裝置包含：(a.)用於（自動）執行根據本文所述方法的構件，(b.)用於執行電腦程式的構件。在這情況下，該裝置可包含適合於執行粒子束為基製程的裝置。在這情況下，該裝置可包含例如一電子束系統及/或一離子束系統，其配置用於粒子束誘導沉積及/或蝕刻製程。也能夠設想到在能夠以有目的性方式控制至少一束電子束以及至少一束離子束的粒子束系統（例如，雙束系統或交叉束系統）中進行處理。

本發明的第四態樣有關於一包含指令的電腦程式，當執行該等指令時，使上述裝置執行根據本文描述的多個方法之一者的方法步驟。

一進一步態樣有關於具有包含電腦指令的記憶體的前述裝置。此外，該裝置可具有用於執行電腦指令的構件。替代上，電腦指令可儲存在別處（例如，在雲端）並且該裝置僅具有用於接收從在別處執行該指令而產生的指令的構件。無論哪種方式，這可使得該方法在裝置內以自動或自主的方式運行。因此，還可讓例如操作員的干預降至最低，並且因此可讓處理光罩時的成本和複雜性降至最低。此外，該方法也能以書面形式存在（例如，在上述裝置的使用說明書中），以向操作者傳達關於方法程序的目標指令。

下述基於微影光罩的檢查和微影光罩的缺陷的處理，更詳細解釋本發明的方法和裝置的一些技術背景資訊和可能的實施例。

本發明的方法和裝置最初可用於檢查及/或處理所有類型的透射和反射光罩。此外，本發明的方法和裝置還可用於檢查及/或處理用於奈米壓印為影及/或晶圓的模板。此外，本發明的方法和裝置原則上甚至不限於檢查或處理（照片）平版印刷的物件。相反，其通常可用於使用帶電粒子束分析及/或處理不導電或導電性差的樣品。

然而，為了幫助清楚和避免歧義，下方實施例將涉及微影光罩的整體示例，儘管所描述的發明態樣的其他可能用途總會因此被涵蓋，也因此應該始終將其考慮在內。

圖1中的圖表100示出通過帶電光罩110和掃描電子顯微鏡160的輸出165的示意性剖面。光罩110在其表面120上具有表面電荷分佈，該表面電荷分佈引起電位分佈或光罩110的靜電充電。在左圖像部分105中，光罩表面120具有正電荷140。在右圖像部分195中，光罩表面120顯示出過量的負電荷150。標號140和150在以下用於表示光罩表面120上的表面電荷分佈以及由帶電表面引起的電位分佈。

可由帶電粒子束170，例如掃描電子顯微鏡（SEM）160的電子束170引起光罩表面120上的電荷140、150。光罩表面120上的靜電荷140、150可由光罩110的掃描引起，其作為檢查製程的一部分或者可作為處理製程的結果。例如，當用電子束或離子束處理光罩110時可能引起靜電充電。此外，例如可由光罩110的處理引起光罩110上的靜電荷140、150。

在圖1的圖表100中示出一部分的光罩110中，表面電荷140、150的分佈具有均勻的密度。然而，這並非此處進行的解釋所必需的條件。

在圖1的實例中，偏轉系統175使電子束170偏轉並在光罩表面120上掃描電子束，以確定光罩110的結構元件130的尺寸。例如，結構元件130可為光罩的吸收體結構的圖案元件。

如圖100的左圖像部分105所示，由於光罩表面120的正電荷140的吸引效應，掃描結構元件130的電子束170在射束軸172的方向上鄰近光罩表面120而偏轉，並且遵循軌跡174。沒有電位分佈140，電子束170將遵循路徑176。在由電子束170所產生的SEM圖像中，掃描尺寸178呈現大於結構元件130的實際尺寸180。

以此類推，圖1中的右圖像部分195示出帶負電的光罩表面120對電子束170的電子170的路徑移動184的排斥作用。沒有電位分佈150，電子束170將遵循路徑186。作為電子束170的附加偏轉的結果，電子束170被引導遠離射束軸172，由於在光罩表面120附近的靜電荷150，從掃描數據生成的SEM圖像中結構元件130的測量尺寸188看起來比結構元件130的實際尺寸180更小。

通過電子束170或更普遍是藉助帶電粒子束170對結構元件130的掃描可導致光罩110的局部加熱並因此導致光罩110的範圍發生變化。即使這些光罩110的長度變化僅為奈米量級，在光罩110的處理製程中也應該考慮這些變化，使得處理製程不致失敗。此外，SEM 160及/或光罩110或樣品架（圖1未示出）的熱效應可能導致電子束170在光罩110上的入射點會再度在兩位數的奈米範圍內隨時間漂移。

圖2示出光罩200的部分俯視圖。例如，這可為圖1的光罩110。光罩200包含基材210。兩吸收帶形式的圖案元件220和230配置在光罩200的基材210上。在圖案元件220處，光罩200的缺陷250為多餘材料形式。為了修正缺陷250，在圖2所示實例中的圖案元素220上施加標記240。在缺陷250的修復製程中，標記240（也可稱為校正標記）用於確定和補償電子束170相對於缺陷250的漂移或位移。

在識別光罩200上的缺陷250之後將標記240沉積，例如藉助於電子束誘導沉積（EBID）製程，也就是說，在光罩200上提供至少一前驅物氣體或製程氣體。如果前驅物氣體的選擇使得標記240具有與光罩200的圖案元件220、230不同的材料成分，則是有利的。在SEM 160的圖像中，不僅通過佈局對比而且還通過材料對比來區分標記240自身。

為了消除缺陷250，例如在提供進一步的前驅物氣體或製程氣體（或氣體混合物）的情況下，在缺陷250的位置利用電子束或粒子束觸發蝕刻反應，並且隨之刪除缺陷250。按照此與上述關於術語「工作區域」的含義，基本上由缺陷250的範圍界定出圖2中的工作區域260並且由輪廓線265界定或包圍工作區域260。在圖2中僅以高示意性的方式表示工作區域。然而，可清楚看到，在示出先前技術的圖2的情況下，標記240位於工作區域260之外。

也可能類似於例如用於校正光罩200的明顯缺陷的材料沉積。

圖3示意性呈現根據先前技術在缺陷250的修復製程中電子束170相對於標記240的漂移或位移的補償示例。難以在數學上定義光罩200的局部靜電充電。這也適用於電子束170和標記240之間的熱漂移。因此以週期性的時間間隔相對於標記240，對於光罩200的靜電充電效應及/或其相對於電子束170的入射點的位移進行測量和校正。圖3中的實曲線310示意性示出在缺陷250的修復製程中作為時間函數的標記240的變化、位移、變量或漂移。

在修復製程開始時，確定出標記240的參考位置330。可利用相對於光罩200的參考標記或以絕對術語相對於光罩220的坐標系來指定參考位置330。在接下來的步驟中，相對於標記240界定出修復形狀的位置。在這情況下，修復形狀可被設計成覆蓋工作區域260中的缺陷250。在一實例中，修復形狀可（至少部分）對應於缺陷250的空間維度（例如，修復形狀的面積、形狀及/或輪廓可以對應於缺陷250的特性）。在一進一步實例中，修復形狀可對應於工作區域260（例如，修復形狀可與工作區域260相同）。缺陷250的檢查或處理可例如以電子束沿著修復形狀掃描的方式，以本身已知的方式執行或引導對工作區域或缺陷的檢查或處理。例如從檢查或處理類似的工作區域或缺陷（例如，具有概略相同尺寸、概略相同形狀、材料特性、缺陷類別等的工作區域或缺陷）可預先知道修復形狀。

然後開始修復缺陷250。為了此目的，如前所述，在圖2的缺陷250的位置處提供一或多個蝕刻氣體，並在缺陷250上方並通過工作區260按照規定的修復形狀進行電子束170掃描，如圖2所示。

在特定的時間間隔320過去之後，以規則或不規則的時間間隔340中斷修復製程，但不中斷（多個）前驅物氣體的供應，以用電子束170掃描標記240。從標記240的SEM圖像確定標記相對於參考位置330或相對於先前測量的標記240的位移、漂移或變化350。之後，根據標記的變化350，相對於標記240的相對或絕對位置修正修復形狀，並繼續缺陷250的修復製程。

圖4示出根據先前技術在缺陷250的修復製程中標記240的位移或漂移的另一示例。在圖4中的圖400的x軸上繪製出以任意單位表示的時間。修復製程中標記240的測量次數也可顯示在圖400的橫坐標上。執行兩次掃描製程之間的時間間隔範圍可在1秒至50秒之間。圖4中的示例指示出大約1000秒的時間範圍。在圖表400的y軸上示出以任意單位表示的標記240相對於標記240的參考位置330的總位移或漂移。舉例來說，漂移可指定為電子束170在一方向上的掃描像素的數量。根據電子束的聚焦，像素的尺寸範圍可在0.1 nm至10 nm之間。圖400的縱坐標包含約120 nm的位置變化。

在x方向上，圖表400中的曲線410表示標記240的漂移，在y方向上，曲線420表示標記240的位移。在製程氣體或前驅物氣體兩者之間的切換導致標記240的大位置變化或位置位移，如圖4中的箭頭440所示。例如在用於修復缺陷250的不同修復形狀之間切換（參見箭頭430），導致位置變化中的較小擺動或跳躍。

根據圖2至4所示的先前技術的製程可能僅適用於小缺陷，例如缺陷250（應注意，缺陷250的範圍小於線220、230的尺寸以及線之間的空間，也就是說通常是數奈米）。然而，對於大面積缺陷（例如數百奈米的範圍），情況會顯著變化。

圖5a至5c示意性示出本發明的各個態樣。可從先前技術已知的情況推導出，本發明更能提高光罩的檢查及/或處理的準確性和效率，尤其是對於大面積的連續缺陷。

在這情況下，圖5a示出本發明的示例，其用於在光罩上校準操作的校正標記（其也可稱為標記、參考標記等），以及相關聯的工作區域。在這情況下，工作區域500可能包括光罩上的缺陷，其應該被修復。該操作可用於修復光罩上的缺陷，這裡可想到粒子束為基製程（例如，粒子束誘導沉積或蝕刻製程）。在本文中，工作區域500最初可位於初始步驟中。為此，例如可以藉由用於光罩上的缺陷識別的習知方法。例如，可使用電子束掃描光罩，進而產生掃描電子圖像。隨後，圖像處理可分析掃描電子圖像以便定位缺陷並另外界定出工作區域500。舉例來說，圖像處理可為用於自動缺陷控制的方法的一部分並且可包含相關缺陷的模式識別。工作區域500可以認為是寫入場（亦即，用於光罩的物理處理）及/或圖像場（亦即，用於記錄工作區域的圖像的目的 ）。

根據本發明，可在工作區域500周圍產生至少兩組校正標記。舉例來說，可以利用粒子束為基方法來產生這些組。在這情況下，可聯想到利用粒子束誘導沉積或蝕刻製程，例如電子束誘導沉積、離子束誘導沉積、電子束誘導蝕刻、離子束誘導銑削等。此處可在光罩材料或光罩基材上實施沉積或蝕刻。在設計相關於校正標記的幾何形狀、材料及其在光罩上的位置時，應用粒子束為基製程可允許較大的自由度。因此，工作區域500周圍的校正標記組可設計成多種變體。舉例來說，校正標記可具有任何期望的幾何形狀，例如圓形結構、鄰近在一起的圓形結構的融合、多邊形、球體、孔、溝槽等。在這情況下，所選擇的沉積或蝕刻製程可能可以決定校正標記的幾何形狀。舉例來說，附加佈局可藉由沉積製程產生，而結構可通過蝕刻製程中的材料剝離產生。同樣，所選擇的沉積製程或蝕刻製程可決定校正標記的材料。舉例來說，在沉積製程中，校正標記的材料可包含金屬（例如，鉑、鎢、銀、金等）、絕緣體（例如，氮化物、氧化物、聚酰亞胺等）、半導體等。此處也可考慮複合材料。在蝕刻製程中，校正標記材料可包含光罩及/或基材的材料，或利用來光罩及/或基材的材料界定出校正標記的材料。舉例來說，可將校正標記界定為光罩的吸收帶、光罩的基材等中的（蝕刻/銑削）孔。

如圖5a所示，例如可在工作區域周圍配置四組校正標記。在這情況下，第一組可包含校正標記A1、B1、C1。第二組可包含校正標記A2、B2、C2。第三組可包含校正標記A3、B3、C3。第四組可包含校正標記A4、B4、C4。這些組可以各自包括相同數量的校正標記（在該示例中每個組具有三個校正標記），並且這些組也可包含不同數量的校正標記。

根據本發明，組的界定是利用校正標記的局部累積，其在空間上與不同的校正標記組劃分界線。在這情況下，單個組中校正標記的間隔（亦即內部組間隔）可能小於跨越來自兩不同組的校正標記之間的間隔（亦即外部組間隔）。舉例來說，在第一組中出現校正標記之間的以下間隔：A1B1（從校正標記A1到校正標記B1）、A1C1（從校正標記A1到校正標記C1）、B1C1（從校正標記B1到校正標記C1）。在這情況下，可以例如藉由校正標記的質心、邊緣、任何表面點等來確定間隔。來自兩不同組的校正標記之間的間隔例如是：A1A3（從校正標記A1到校正標記A3）、C1A2（從校正標記C1到校正標記A2）、A1C4（從校正標記A1到校正標記C4）。從圖5a可明顯看出，來自兩不同組的校正標記之間的間隔不小於單個組中校正標記的間隔（任何間隔）（例如，A1A3＞A1C1）。

以這方式配置的組可用來最佳化用於處理光罩或處理光罩的工作區域的操作。如圖3所述，在處理光罩時，通常必須多次執行操作藉助於標記（或校正標記）的校準。舉例來說，這可為粒子束的漂移或位移的補償，其中修復形狀因此能夠被調適。在校準期間，通常必須使用粒子束測量標記（或校正標記）以確定所述標記的位置，因此標記（或校正標記）可能衰變及/或磨損（如前述）。

根據本發明，並非所有標記（或校正標記）都必須如先前已知的那樣由光罩（或光罩的相對工作區域）的（整體）處理的每個校準步驟所提供。所產生的多組校正標記的配置使得可以有目的性選擇用於校準的所需校正標記（例如，用於修復光罩工作區域中的缺陷時的校準，其例如利用標記進行校準）。在這情況下，校準的邊界條件可為使用來自每組的至少一校正標記。因此，為了校準的目的，可從一組校正標記進行選擇，使得校準步驟不限於校正標記的單個序列元組。根據圖5a，在指定的邊界條件下出現了多個可能的序列元組（四個序列元組以示例方式列出）：A1、A2、A3、A4；A1、B2、C3、C4；B1、A2、C3、A4；B1、A2、A3、A4；……）。更一般地說，可從多重不同的元組T1、T2、…Tm中進行選擇以進行校準。

根據本發明，序列元組的選擇允許在製程期間可使校正標記的衰變降至最低或分散。例如，不同的序列元組可用於處理製程中的校準步驟。在此製程中，可根據複數個原則使衰變情況降至最低。

首先，能想像出序列元組的使用的統計分佈。舉例來說，可使用固定數量的序列元組（例如，三個元組：T1、T2、T3）。為了確保均勻分佈，可在一變體中於校準步驟上循環使用序列元組。例如，可設想定期重複使用序列元組的順序。在三個序列元組的情況下，在複數個校準步驟中選擇序列元組可能如下所示：T1-T2-T3-T1-T2-T3-T1-T2-T3-…，這讓其中每個序列元組在處理製程中受到的壓力大致相同。此外，同樣可設想選擇隨機順序的序列元組。在這情況下，可基於數學均勻分佈這種類型的順序，使得使用過的序列元組在多個校準步驟之後的使用程度已大致相同。

此外，可設想始終連續使用序列元組，直到改變為不同的序列元組為止。首先，也可設計成序列元組的使用存在統計均勻分佈。在這情況下，可預估光罩處理期間的預期測量（或校準步驟）的數量。舉例來說，可估計在一示例中的製程需要九個校準步驟。因此，例如在三個序列元組的情況下，可在校準步驟中選擇以下順序：T1-T1-T1-T2-T2-T2-T3-T3-T3，使得可確保序列元組的均勻分佈使用。

其次，可設想連續使用序列元組，直到序列元組的校正標記出現顯著程度的磨損。一旦出現顯著程度的磨損，就可在下一校準步驟中更換為不同的序列元組。例如，可藉由評估序列元組的校正標記的質量標準來確定顯著的磨損程度（例如，其中為此必須進行掃描電子圖像記錄）。在一實例中，根據質量標準，可對序列元組的所有校正標記進行評估。例如，校正標記的對比度可為質量標準。例如，這也可為校正標記與其直接環境之間的對比度差異。在這情況下，在對比度太強或太弱的情況下，可以提示在下一校準步驟中啟動序列元組變化的觸發器。此外，校正標記的梯度圖像的評估可為質量標準。例如，如果從梯度圖像中收集到校正標記的邊緣有明顯衰變狀況，則可提示在下一個校準步驟中啟動序列元組變化的觸發器。此外，還可分析校正標記的圖像的自相關函數的性質。在這情況下，自相關函數的寬度可為用於提示觸發序列元組變化的閾值，例如，它還可提供有關校正標記邊緣狀態的資訊。此外，還可在兩不同時間分析校正標記的圖像的互相關函數的性質。因此，可分析評估圖像的對應性，其中可確定校正標記的圖像（在不同時間）的相似性的量度。例如，如果圖像相似性的度量（在不同時間）超過閾值，則可提示引起序列元組變化的觸發器。此外，還可分析不同校正標記的圖像的互相關函數的性質。舉例來說，序列元組的校正標記與相同序列元組的校正標記之間可以存在互相關。此外，序列元組的校正標記與未包含在（當前）序列元組中的校正標記之間也可能存在互相關（例如，此稍後校正標記可來自已經用於校準的序列元組，或者來自尚未用於校準的序列元組）。質量標準的評估也可使用一或多個校正標記的自相關和互相關函數的組合。此外，可估計校正標記的質量標準或校正標記的磨損程度。舉例來說，可基於在處理期間已經使用校正標記的校準步驟的數量進行該評估。舉例來說，基於所使用的製程（例如，電子束誘導沉積製程），例如，可估計出，在校正標記被讀出十次之後（亦即，在十個校準步驟的情況下），預期校正標記會發生顯著衰變，因此應該改變為不同的序列元組。舉例來說，該估計可基於經驗值及/或實驗。

圖5b示出選擇操作的序列元組。特別地，示出三個序列元組P1、P2、P3。關於圖5a，這情況下由校正標記A1、A2、A3、A4提供P1（圖5b未描繪校正標記標號）。在這情況下，由校正標記A1、C2、A3、B4提供P2。在這情況下，由校正標記A1、A2、A3、A4提供P3。對於每個序列元組，使用虛線表示組的校正標記之間的連接線，其中更詳細地標記了來自第二組的校正標記到來自第四組的校正標記的連接線（501、502、503）。根據本發明，置放校正標記可以利用工作區域位於由序列元組跨越的多邊形內（例如，在三角形、梯形、矩形、五邊形等內）的方式。舉例來說，可利用其凸套以界定出工作區域（或包含工作區域）的方式配置校正標記。在這情況下，實施方式可為工作區域完全被連接線包圍並且沒有序列元組的連接線與工作區域相交。因此狀況為，校準窗口（其通過序列元組的校正標記跨越）完全包圍工作區域500的包絡線或輪廓。因此，相對於工作區域，整個工作區域或粒子束的畸變，可內插在校準窗口上。舉例來說，校準窗口可用於失真補償，其能夠測量和補償粒子束的位移，也作為一階像差。舉例來說，這些情況是針對圖5b中的序列元組P1和P2，而非針對序列元組P3。在序列元組P3中，校正標記A4至校正標記A2的連線503與工作區域500相交，因此相交點533位於校準窗口外。舉例來說，因為失真補償（藉由校準窗口執行）在這情況下會實施外推，邊緣位置（例如，缺陷）的精度可能會降低。在工作區域（例如，缺陷）的處理製程中，這可能導致電子束沒有以最佳方式（例如，沒有沿著期望的軌跡）通過工作區域（例如，缺陷）的邊緣（或輪廓）。在確定標記位置時，這些情況可能會進一步使測量誤差擴大。因此，可避免產生序列元組P3樣式的校正標記。如果仍然產生這樣的序列元組（例如，由於產生差異），則可優選藉由校準方法排除這類型的序列元組或者避免形成校準窗口。替代上，可基於從另一組中選擇的標記來選擇來自一組的標記，使得排除此類型的序列元組。

圖5c示出本發明中粒子束參數轉換的主題，例如應用於光罩的前述四組校正標記（以類似於圖5a和圖5b的方式）。使用粒子束（例如，電子束）照射的期間，光罩可能帶靜電。這些充電現象尤其對粒子束具有非線性影響，因此如果沒有進行技術調整，則在製程中改變序列元組時會影響粒子束的軌跡。舉例來說，圖5c呈現了與序列元組相關聯的相對軌跡。在沒有額外干預的情況下，在校準期間將會橫越這些粒子束軌跡。在這情況下，軌跡510與序列元組C1、C2、C3、C4相關聯，而軌跡520與序列元組B1、B2、B3、B4相關聯。此外，軌跡530與序列元組A1、A2、A3、A4相關聯。

這些影響不必然會導致粒子束的顯著偏移（如圖5c中示意性所示）。然而，操作中蝕刻或沉積結構的邊緣的質量可能衰變，因為粒子束沒有相同通過工作區域500的邊緣，如藉由軌跡510、520、530示意性呈現。舉例來說，這可利用結構的更平坦的側壁角度而使其變得明顯。確定每個序列元組的數學轉換可解決這種現象，該數學轉換補償序列元組之間的差異。在校準期間可另外考慮這種轉換（例如，除了修復形狀的失真補償之外）。因此，即使在使用不同的序列元組進行校準的情況下，也可確保粒子束的軌跡保持相同。最初，可以確定序列元組的所有校正標記的全局位置及/或所有校正標記相對於彼此的相對（初始）位置以建立轉換。附加上，可確定特殊光罩結構的對應位置。舉例來說，利用x和y距離（例如，通過＜x,y＞距離向量）可根據向量指定相對位置。

隨後可利用多種方式確定轉換，例如利用確定序列元組X和序列元組Y的相對位置。例如，可知道初始序列元組Y與序列元組X之間的向量間隔V1 = ＜50 nm, 0 nm＞（例如，由多個元組的（兩或多個）對應標記之間的間隔來定義）。最初，只有序列元組X可以在該方法的範圍內使用。然而，當在該方法的過程中從序列元組X更改為序列元組Y時，可能會發現序列元組Y現在與序列元組X的向量間隔V2 = ＜100 nm, 10 nm＞。該資訊可用於轉換，使得因此可調適粒子束，以產生恆定的軌跡（以補償明顯改變的間隔）。

舉例來說，也可藉由相對於序列元組X和序列元組Y的位置建立（特定）光罩結構以建立轉換。最初，只有序列元組X可在該方法的範圍內使用。最初，（特定）光罩結構與序列元組X的間隔可為V3 = ＜500 nm, 500 nm＞，並且與序列元組Y的間隔可為V4 = ＜550 nm, 500 nm＞。然而，當在該方法的過程中從序列元組X更改為序列元組Y時，則可能結果是，例如，V3 = ＜600 nm, 400 nm＞ 和V4 = ＜700 nm, 350 nm＞。該資訊可用於轉換，使得因此調適粒子束，以產生恆定的軌跡。

圖6示出裝置600的幾個組件的剖面圖，根據本發明的方法的實施例，裝置600的幾個組件可以用於檢查及/或處理光罩（或通常在介紹部分提到的本發明可使用目標之一）。舉例來說，參考圖6以及即將遵照圖5a至5c的光罩510的描述，儘管這不應被理解為限制性方式。替代上可使用其他微影光罩或物件。

裝置600包含一真空腔室602和一位於真空腔室602中的掃描粒子顯微鏡620。在圖6的示例中，掃描粒子顯微鏡620是掃描電子顯微鏡（SEM）620。作為粒子束的電子束具有以下優點：基本上待檢查或處理的光罩510可不毀損，或是僅造成輕微程度上的損壞。然而，也有可能是其他帶電粒子束，例如聚焦離子束（FIB）系統的離子束（圖6未示出）。

SEM 620包含作為主要部件的粒子槍622和柱體624，電子光學單元或射束光學單元626設置在柱體624中。粒子槍622產生電子束628並且電子或射束光學單元626聚焦電子束628並且在柱體624的輸出處將電子束628引導到光罩510上（或者通常引導至在微影樣品或物件上）。光罩510具有表面520，其帶一或多個結構530，上文已經進行詳細解說。可能存在於光罩510上的表面電荷並未在圖6中示出。

光罩510配置在樣品載台605上。如圖6中的箭頭所示，樣品載台605可相對於SEM 620的電子束628在三個空間方向上移動。

光譜儀-探測器組合640區分在測量點635處由電子束628產生的二次電子及/或由光罩510反向散射的電子，然後根據其的能量將其轉換成電測量信號。然後將測量信號傳遞到電腦系統670的評估單元676。

為了間隔能量，光譜儀-探測器組合640可包含濾波器或濾波系統，以區分能量中的電子（圖6未示出）。

類似於光譜儀-探測器組合640，能量分辨光譜儀可配置在SEM 620的柱體624之外。然而，也可在SEM 620的柱體624中配置光譜儀以及相關聯的探測器。在圖6所示的實例中，一光譜儀645和一探測器650結合在SEM 620的柱體624。除了光譜儀-探測器組合640或其替代上，光譜儀645和探測器650可用於裝置600中。

此外，圖6中的裝置600可選地包括探測器655，其用於檢測由入射電子束628在測量點635處生成的光子。探測器655例如可對生成的光子的能譜進行光譜解析，進而結論出關於表面520的組成物或光罩510表面附近的層的組成物。

此外，裝置600可包含一離子源（未示出），其其在光罩510或其表面520是電絕緣或半導體並且具有負表面電荷的情況下在測量點635的區域中提供低能離子。在離子源的幫助下，可局部並以受控的方式減少光罩表面520的負電荷。

如果光罩表面520具有非期望的正表面電荷分佈，例如由光罩510的處理引起，則電子束628可用於減少光罩表面520的電荷。

電腦系統670包含一掃描單元672，其位於光罩510上並且特別在標記540、580及/或缺陷550上掃描電子束628。掃描單元672控制SEM 620的柱體624中的偏轉元件，圖6未示出。此外，電腦系統670包含一設定單元674以設置和控制SEM 620的各種參數。設定單元674可設置的參數例可例如為：放大倍數、電子束628的焦點、一或多個像差補償器的設定、射束位移、電子源的位置及/或一或多個止動件（圖6未示出）。

掃描單元672及/或設置單元674可使用本發明的方法的實施例來執行或控制或輔助例如對工作區域560中的光罩510進行檢查及/或處理。

此外，電腦系統670包含一記憶體單元676，其中例如可儲存多個用於執行本發明的方法的實施例之指令。電腦系統670可包含一或多個處理器，其被設計成執行該等指令，也就是說根據命令來控制及致動裝置600的相對組件（例如SEM 620、掃描單元672、設定單元674及/或尚未描述的氣體供給系統）。例如，處理器可包含強大的圖形處理器。

圖6中的電腦系統670可整合在裝置600中，或其可亦為專用裝置的形式。電腦系統670可使用硬體、軟體、韌體或其組合具體實施。

為了處理光罩510的缺陷550及/或為了將（第一及/或第二）參考標記540及/或580寫到光罩510上，圖6的裝置600優選上具有複數個不同的儲存容器用於不同的製程或前驅物氣體。在舉例給出的裝置600中，示出兩儲存容器。然而，裝置600也可具有兩個以上的儲存容器，用於處理光罩510及/或將參考標記540、580寫到光罩510上。第一儲存容器652儲存前驅物氣體或沉積氣體，其可用於與SEM 620的電子束628一起作用以沉積材料，例如用於產生光罩510的參考標記540、580。此外，SEM 620的電子束628可用於例如將光罩510的多個圖案元件之一者的缺失吸收材料沉積。第二儲存容器662包含一蝕刻氣體，例如藉助於該蝕刻氣體可蝕刻該缺陷550。

每個儲存容器652、662分別配備有自己的閥654和664，以控制在光罩510的表面520上電子束628的入射位置635處，每單位時間提供的氣體粒子量或氣體流速。此外，兩儲存容器652、662分別具有其自己的氣體進料口656、666，其在電子束628在光罩510上的入射點635附近終端為噴嘴658、668。在圖6中示出裝置600的示例，閥654、664在儲存容器附近結合。在替代實施例中，閥654、664可分別配置在相對噴嘴658和668附近（圖6未示出）。每個儲存容器652、662可具有用於自身的單獨溫度設置和控制元件。設定溫度能加熱或冷卻每種前驅物氣體。此外，氣體進料656、666同樣可分別具有用於自身設置和監測在反應位置處所提供的每種前驅物氣體的溫度（圖6同樣未示出）。

圖6中的裝置600可包含幫浦系統以產生和維持所需的真空。為了圖示清楚起見，圖6未示出幫浦系統。此外，裝置600可包含一抽吸提取裝置（圖6同樣未示出）。一幫浦或幫浦系統結合的抽吸提取裝置使其可在前體氣體分解製程中產生並且在局部化學反應中不被需要的碎片或成分，基本上會在原點就從裝置600的真空室602中被抽取。由於不需要的氣體成分在裝置600的真空室602外的光罩510上電子束628的入射位置就被抽走，然後其可被分配和安置於真空腔室602中，防止了真空腔室602的污染。以下說明本發明的進一步實施例。

實施例1是有關於一種使用粒子束在用於微影的物件上產生校正標記的方法，特別是用於校準操作，該方法包括： a. 產生校正標記的一第一組（A1、B1、C1）； b. 產生校正標記的一第二組（A2、B2、C2）； c. 其中在該第一組和該第二組中的該校正標記的間隔小於來自該第一組的校正標記與來自該第二組的該校正標記之間的間隔；

實施例2：如實施例1所述的方法，其中該第一組及/或該第二組包含具有至少部分相同形式的校正標記。

實施例3：如實施例1至2中任一項所述的方法，其中來自該第一組及/或該第二組的至少一校正標記是由複數個幾何形狀組成。

實施例4：如實施例1至3中任一項所述的方法，其中來自該第一組及/或該第二組的該校正標記的數量是至少3個，優選是至少4個。

實施例5：如實施例1至4中任一項所述的方法，其中該第一組及/或該第二組中的校正標記的間隔至少小於來自第一組的校正標記與來自第二組的校正標記之間的間隔的五分之一，優選係至少小於其十分之一，特別優選係至少小於其二十分之一。

實施例6：如實施例1至5中任一項所述的方法，其中該產生是至少部分基於粒子束誘導沉積製程及/或粒子束誘導蝕刻製程。

實施例7：如實施例1至6中任一項所述的方法，其更包含： 產生校正標記的至少一第三組（A3、B3、C3）， 各組中的校正標記間隔小於來自兩不同組的校正標記之間的間隔。

實施例8：如實施例7所述的方法，其中該產生的組圍繞操作的工作區域（500），使得不同組的兩校正標記之間的連接線能夠圍繞該工作區域而不與該工作區域相交。

實施例9是有關於一種藉助於使用粒子束的間隔校正標記的至少一局部組（A1、B1、C1；A2、B2、C2）以校準在用於微影的物件操作的方法，該方法包括下列順序： S1. 選擇序列元組（A1；A2），該序列元組包含至少一組校正標記的子集； S2. 執行校準，至少部分基於該序列元組（A1；A2）； S3. 執行至少部分的該操作，至少部分基於該已執行的校準。

實施例10：如實施例9所述的方法，其中選擇該序列元組至少部分基於一預定標準的評估，該預定標準與該至少一組中的至少一校正標記相關聯。

實施例11：如實施例10所述的方法，其中該預定標準包含下列標準之至少一者： 該至少一校正標記的磨損程度、該至少一校正標記的對比度、該至少一校正標記的梯度圖像、該至少一校正標記的圖像的自相關函數、該至少一校正標記的至少兩圖像的互相關函數。

實施例12：如實施例9至11中任一項所述的方法，其中該序列係重複至少一次並選擇至少兩序列元組，其包含校正標記的不同子集。

實施例13：如實施例9至12中任一項所述的方法，其中選擇該序列元組，其包含來自至少m組校正標記中的每組校正標記的子集，其中m大於或等於2，並且其中各組中校正標記的間隔小於跨越來自兩不同組的校正標記之間的間隔。

實施例14：如實施例13所述的方法，其中選擇該序列元組至少部分基於該操作期間的預期序列的數量。

實施例15：如實施例9至14中任一項所述的方法，其中在該操作序列上選擇該序列元組是根據一預定順序而實施。

實施例16：如實施例9至15中任一項所述的方法，其中實施該選擇是根據序列元組的循環順序、序列元組的隨機順序及/或一列相同序列元組。

實施例17：如實施例9至16中任一項所述的方法，其中該方法更包括： 確定有關兩序列元組的粒子束參數的轉換； 至少部分基於該所確定的轉換來執行校準。

實施例18：如實施例17所述的方法，其中確定該轉換包含下列之至少一者： 確定不同序列元組的校正標記相對於彼此的相對位置； 確定不同序列元組的校正標記相對於用於微影的物件的一或多個結構的相對位置。

實施例19：如實施例1至18中任一項所述的方法，其中該校準包含確定該粒子束的漂移及/或校正該粒子束的漂移。

實施例20：如實施例1至19中任一項所述的方法，其中該操作包含修復缺陷。

實施例21是有關於一種使用粒子束在用於微影及/或校準操作的物件上產生校正標記的裝置，該裝置包含： a.用於執行如實施例1至20中任一項所述的方法的構件， b.用於執行電腦程式的構件。

實施例22是有關於一種包括多個指令的電腦程式，當執行該等指令時，使如實施例21所述之裝置執行如實施例1至20中任一項所述的方法步驟。

實施例23：一種如實施例21所述之裝置，其具有一記憶體，該記憶體包含如實施例22所述之電腦程式。

100:圖表 105:左圖像部分 110:光罩 120:光罩表面 130:結構元件 140:電荷/電位分佈 150:電荷/電位分佈 160:掃描電子顯微鏡（SEM） 165:輸出 170:電子束 172:射束軸 174:軌跡 175:偏轉系統 176:路徑運動 178:掃描尺寸 180:實際尺寸 184:路徑運動 186:路徑運動 188:測量尺寸 195:右圖像部分 200:光罩 210:基材 220:圖案元件 230:圖案元件 240:標記 250:缺點 260:工作區 265:輪廓線 310:實曲線 320:時間 330:參考位置 340:時間 350:偏移或改變 400:圖表 410:曲線 420:曲線 430:箭頭 440:箭頭 500:工作區 501:更正標記 502:更正標記 503:更正標記 510:軌跡/遮罩 520:軌跡/表面 530:軌跡/結構 533:相交點 600:裝置 602:真空腔室 605:樣品載台 620:掃描粒子顯微鏡/掃描電子顯微鏡（SEM） 622:粒子槍 624:柱體 626:電子光學單元/射束光學單元 628:電子束 635:測量點 640:光譜儀-探測器組合 645:光譜儀 650:探測器 652:第一儲存容器 654:閥 655:探測器 656:氣體進料口 658:噴嘴 662:第二儲存容器 664:閥 666:氣體進料口 668:噴嘴 670:電腦系統 672:掃描單元 674:設定單元 676:評估單元；記憶體單元 A1:序列元組/校正標記 A2:序列元組/校正標記 A3:序列元組/校正標記 A4:序列元組/校正標記 B1:序列元組/校正標記 B2:序列元組/校正標記 B3:序列元組/校正標記 B4:序列元組/校正標記 C1:序列元組/校正標記 C2:序列元組/校正標記 C3:序列元組/校正標記 C4:序列元組/校正標記 P1:序列元組 P2:序列元組 P3:序列元組 V1:向量間隔 V2:向量間隔 V3:向量間隔 V4:向量間隔 X:序列元組 Y:序列元組

下述實施方式結合附圖描述本發明的技術背景資訊和示例性實施例，其中：

圖1示出在用電子束檢查及/或處理微影物件時出現問題的一態樣，其中元件具有帶電表面。

圖2示出先前技術中描述的微影光罩的缺陷的示例性修復情況的俯視示意圖。

圖3示出根據先前技術的補償電子束相對於由靜電荷引起的示意標記漂移。

圖4示出重現修復圖2的缺陷期間標記相對於x軸和y軸的位移。

圖5a至圖5c示出本發明的各個態樣。在這情況下，圖5a示出本發明用於在光罩上校準操作的校正標記的示例。圖5b示出操作的序列元組選擇。圖5c示出本發明中粒子束參數轉換的主題。

圖6最終示出用於執行根據本發明的方法之裝置的一些組件示意圖。

500:工作區域

A1:序列元組/校正標記

A2:序列元組/校正標記

A3:序列元組/校正標記

A4:序列元組/校正標記

B1:序列元組/校正標記

B2:序列元組/校正標記

B3:序列元組/校正標記

B4:序列元組/校正標記

C1:序列元組/校正標記

C2:序列元組/校正標記

C3:序列元組/校正標記

C4:序列元組/校正標記

Claims (23)

1. 一種使用粒子束在用於微影的物件上產生校正標記的方法，特別是用於校準操作，該方法包括： a. 產生校正標記的一第一組（A1、B1、C1）； b. 產生校正標記的一第二組（A2、B2、C2）； c. 其中在該第一組和該第二組中的該校正標記的間隔小於來自該第一組的校正標記與來自該第二組的該校正標記之間的間隔； 其中在該第一組及/或該第二組中的該校正標記的間隔至少小於來自該第一組的校正標記與來自該第二組的該校正標記之間的間隔的五分之一。
2. 如請求項1所述之方法，其中該第一組及/或該第二組中的該校正標記的間隔至少小於來自該第一組的該校正標記與來自該第二組的該校正標記之間的間隔的十分之一，優選至少小於其二十分之一。
3. 如請求項1或2所述之方法，其中該第一組及/或該第二組包含具有至少部分相同形式的校正標記。
4. 如請求項1至3中任一項所述之方法，其中來自該第一組及/或該第二組的至少一校正標記是由複數個幾何形狀組成。
5. 如請求項1至4中任一項所述之方法，其中來自該第一組及/或該第二組的該校正標記的數量至少為三個，優選至少為四個。
6. 如請求項1至5中任一項所述之方法，其中該產生是至少部分基於粒子束誘導沉積製程及/或粒子束誘導蝕刻製程。
7. 如請求項1至6中任一項所述之方法，更包含： 產生校正標記的至少一第三組（A3、B3、C3）， 各組中的校正標記間隔小於來自兩不同組的校正標記之間的間隔。
8. 如請求項7所述之方法，其中該產生的組圍繞操作的工作區域（500），使得不同組的兩校正標記之間的連接線能夠圍繞該工作區域而不與該工作區域相交。
9. 一種藉助於使用粒子束的間隔校正標記的至少一局部組（A1、B1、C1；A2、B2、C2）以校準在用於微影的物件操作的方法，該方法包括下列順序： S1. 選擇一序列元組（A1；A2），該序列元組包含至少一組的校正標記的子集； S2. 執行校準，至少部分基於該序列元組（A1；A2）； S3. 執行至少部分的該操作，至少部分基於該已執行的校準。
10. 如請求項9所述之方法，其中選擇該序列元組至少部分基於一預定標準的評估，該預定標準與該至少一組中的至少一校正標記相關聯。
11. 如請求項10所述之方法，其中該預定標準包含下列標準之至少一者： 該至少一校正標記的磨損程度、該至少一校正標記的對比度、該至少一校正標記的梯度圖像、該至少一校正標記的圖像的自相關函數、該至少一校正標記的至少兩圖像的互相關函數。
12. 如請求項9至11中任一項所述之方法，其中該序列係重複至少一次並選擇至少兩序列元組，其包含校正標記的不同子集。
13. 如請求項9至12中任一項所述之方法，其中選擇該序列元組，其包含來自至少m組校正標記中的每組校正標記的子集，其中m大於或等於2，並且其中各組中校正標記的間隔小於跨越來自兩不同組的校正標記之間的間隔。
14. 如請求項13所述之方法，其中選擇該序列元組至少部分基於該操作期間的預期序列的數量。
15. 如請求項9至14中任一項所述之方法，其中在該操作序列上選擇該等序列元組是根據一預定順序而實施。
16. 如請求項9至15中任一項所述之方法，其中實施該選擇是根據序列元組的循環順序、序列元組的隨機順序及/或一列相同序列元組。
17. 如請求項9至16中任一項所述之方法，其中該方法更包括： 確定有關兩序列元組的粒子束參數的轉換； 至少部分基於該所確定的轉換來執行校準。
18. 如請求項17所述之方法，其中確定該轉換包含下列之至少一者： 確定不同序列元組的校正標記相對於彼此的相對位置； 確定不同序列元組的校正標記相對於用於微影的物件的一或多個結構的相對位置。
19. 如請求項1至18中任一項所述之方法，其中該校準包含確定該粒子束的漂移及/或校正該粒子束的漂移。
20. 如請求項1至19中任一項所述之方法，其中該操作包含修復缺陷。
21. 一種使用粒子束在用於微影及/或校準操作的物件上產生校正標記的裝置，該裝置包含： a. 用於執行如請求項1至20中任一項所述的方法的構件； b. 用於執行電腦程式的構件。
22. 一種含有多個指令的電腦程式，當執行該等指令時，使如請求項21所述之裝置執行如請求項1至20中任一項所述之方法的多個方法步驟。
23. 一種如請求項21所述之裝置，其具有記憶體，該記憶體包含如請求項22所述之電腦程式。

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