DE102015216673A1 - Verfahren und Vorrichtungen zum Untersuchen einer elektrisch geladenen Probenoberfläche - Google Patents

Verfahren und Vorrichtungen zum Untersuchen einer elektrisch geladenen Probenoberfläche Download PDF

Info

Publication number
DE102015216673A1
DE102015216673A1 DE102015216673.2A DE102015216673A DE102015216673A1 DE 102015216673 A1 DE102015216673 A1 DE 102015216673A1 DE 102015216673 A DE102015216673 A DE 102015216673A DE 102015216673 A1 DE102015216673 A1 DE 102015216673A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sample surface
potential distribution
subregion
scanning
electrical potential
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102015216673.2A
Other languages
English (en)
Inventor
Michael Budach
Michael Schnell
Bernd Schindler
Markus Boese
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Priority to DE102015216673.2A priority Critical patent/DE102015216673A1/de
Priority to TW105127857A priority patent/TWI631343B/zh
Priority to KR1020160111887A priority patent/KR101858351B1/ko
Priority to US15/253,795 priority patent/US10068747B2/en
Priority to JP2016170510A priority patent/JP6523228B2/ja
Publication of DE102015216673A1 publication Critical patent/DE102015216673A1/de
Priority to US16/106,083 priority patent/US11170970B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q10/00—Scanning or positioning arrangements, i.e. arrangements for actively controlling the movement or position of the probe
    • G01Q10/04—Fine scanning or positioning
    • G01Q10/06—Circuits or algorithms therefor
    • G01Q10/065—Feedback mechanisms, i.e. wherein the signal for driving the probe is modified by a signal coming from the probe itself
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q30/00—Auxiliary means serving to assist or improve the scanning probe techniques or apparatus, e.g. display or data processing devices
    • G01Q30/02—Non-SPM analysing devices, e.g. SEM [Scanning Electron Microscope], spectrometer or optical microscope
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/165—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values
    • G01R19/16566—Circuits and arrangements for comparing voltage or current with one or several thresholds and for indicating the result not covered by subgroups G01R19/16504, G01R19/16528, G01R19/16533
    • G01R19/16576—Circuits and arrangements for comparing voltage or current with one or several thresholds and for indicating the result not covered by subgroups G01R19/16504, G01R19/16528, G01R19/16533 comparing DC or AC voltage with one threshold
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
    • G01R29/12—Measuring electrostatic fields or voltage-potential
    • G01R29/14—Measuring field distribution
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/026—Means for avoiding or neutralising unwanted electrical charges on tube components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/22—Optical or photographic arrangements associated with the tube
    • H01J37/222—Image processing arrangements associated with the tube
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/36—Gas-filled discharge tubes for cleaning surfaces while plating with ions of materials introduced into the discharge, e.g. introduced by evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/004—Charge control of objects or beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/004—Charge control of objects or beams
    • H01J2237/0041—Neutralising arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/004—Charge control of objects or beams
    • H01J2237/0048—Charging arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/153—Correcting image defects, e.g. stigmators
    • H01J2237/1538—Space charge (Boersch) effect compensation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26—Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28—Scanning microscopes
    • H01J2237/2818—Scanning tunnelling microscopes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3174—Etching microareas

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Untersuchen einer Probenoberfläche (120) mit einer Sonde (1070) eines Rastersondenmikroskops (1060), wobei die Probenoberfläche (120) eine elektrische Potentialverteilung (850) aufweist, und wobei das Verfahren die Schritte aufweist: (a) Bestimmen der elektrischen Potentialverteilung (850) zumindest eines ersten Teilbereichs (820) der Probenoberfläche (120); und (b) Modifizieren der elektrischen Potentialverteilung (850) in dem zumindest einen ersten Teilbereich (830) der Probenoberfläche (120) und/oder Modifizieren eines elektrischen Potentials der Sonde (1070) des Rastersondenmikroskops (1060) vor einem Scannen zumindest eines zweiten Teilbereichs (830) der Probenoberfläche (120).

Description

  • 1. Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft Verfahren und Vorrichtungen zum Untersuchen einer elektrisch geladenen Probenoberfläche.
  • 2. Stand der Technik
  • Die Fortschritte der Nanotechnologie ermöglichen das Herstellen von Bauelementen mit immer kleiner werdenden Strukturelementen. Zum Darstellen und zum Bearbeiten der Nanostrukturen werden Werkzeuge benötigt, die diese Strukturen in mehreren Dimensionen abtasten können, so dass aus den Messdaten dieser Werkzeuge Bilder erzeugt werden können. Ferner werden zum Herstellen mikrostrukturierter Bauelemente Photomasken benötigt, deren Pattern-Elemente die winzigen Strukturelemente der Bauelemente oder Nanostrukturen in den auf einen Wafer aufgebrachten Photolack projizieren können.
  • Ein leistungsfähiges Werkzeug zum lokalen Analysieren einer Probe ist ein Rasterelektronenmikroskop (SEM für Scanning Electron Microscope), dessen Elektronenstrahl sehr fein fokussiert werden kann, so dass der Strahldurchmesser im Fokus im einstelligen Nanometerbereich ist. Dieses Messinstrument rastert oder scannt den Elektronenstrahl über die Oberfläche einer Probe. Infolge der Wechselwirkung der Elektronen mit der Probe werden unter anderem Sekundärelektronen (SE für Secondary Electrons) und rückgestreute Elektronen (BSE für Back-Scattered Electrons) erzeugt.
  • Die Auflösung eines Rasterelektronenmikroskops bzw. die Qualität der erzeugten Bilder sinkt jedoch deutlich, wenn die zu untersuchende Probe eine signifikante Oberflächenladung aufweist. Die 1 veranschaulicht dieses Problem. Falls eine Probe eine positive elektrische Ladung aufweist, erzeugt ein Elektronenstrahl ein zu großes Bild von einem auf der Probenoberfläche angeordneten Strukturelement. Ist hingegen die Oberfläche der Probe negativ aufgeladen, bildet das SEM das Strukturelement zu klein ab. Dies kann beispielsweise beim Untersuchen der kritischen Abmessung (CD für Critical Dimension) und/oder von Platzierungsfehlern von Strukturelementen einer Photomaske, eines entwickelten Fotolacks oder eines Bauelements auf einem Wafer zu großer Unsicherheit beim Bestimmen der Prozessausbeute führen.
  • Rastersondenmikroskope (SPM für Scanning Probe Microscopes) sind ebenfalls mächtige Analysewerkzeuge in der Nanotechnologie. SPMs tasten mit einer Sondenspitze eine Probe bzw. deren Oberfläche ab und erzeugen so eine wirklichkeitsnahe Topographie der Probenoberfläche. Je nach Art der Wechselwirkung zwischen der Messspitze und der Probenoberfläche werden verschiedene SPM Typen unterschieden, beispielsweise Rastertunnelmikroskope (STM für Scanning Tuneling Microscope) oder Rasterkraftmikroskope (AFM für Atomic Force Microscope oder SFM für Scanning Force Microscope). Zum Beispiel tasten Rasterkraftmikroskope eine Probenoberfläche ab, indem deren Sonden- oder Messspitze in sehr dichtem Abstand (d.h. im Bereich einiger Nanometer) über die Oberfläche der Probe geführt wird (Nicht-Kontakt-Modus) oder diese sogar berührt (Kontakt-Modus).
  • Befindet sich nun eine elektrische Ladungsverteilung auf einer Probe bzw. deren Oberfläche, d.h. weisen die Probenoberfläche und die Messspitze des AFM ein verschiedenes elektrischen Potential auf, können bei Kontakt zwischen Messspitze und Probenoberfläche oder bei geringem Abstand von der Probe Ausgleichsströme fließen oder es können elektrische Überschläge auftreten, die zu einer Beschädigung oder Zerstörung einer feinen Messspitze und/oder einer empfindlichen Probe führen können. Die 2 veranschaulicht diese Thematik.
  • Eine elektrische Aufladung einer isolierenden und/oder halbleitenden Probe kann durch die Bestrahlung der Probe mit einem Elektronenstrahl oder allgemein mit einem geladenen Teilchenstrahl erfolgen. Ferner kann bereits das Handling einer Probe zu einer elektrostatischen Aufladung von deren Oberfläche führen. Falls es sich bei der Probe um einen zu prozessierenden Wafer handelt, können zudem Belackungsprozesse und/oder Ätzprozesse in einer elektrischen Aufladung der Probe resultieren.
  • Somit ist für Untersuchungen, die von einem Rasterelektronenmikroskop oder einem Rastersondenmikroskop ausgeführt werden, eine elektrische Aufladung der Probenoberfläche höchst unerwünscht.
  • Bei Proben, deren Oberfläche elektrisch leitfähig ist, kann eine elektrische Aufladung durch das Erden der Probe umgangen werden. Bei elektrisch isolierenden oder halbleitenden Proben können Oberflächenladungen durch Aufdampfen einer dünnen leitfähigen Schicht auf die Oberfläche einer zu untersuchenden Probe verhindert werden. Für viele Anwendungsfälle ist letzteres jedoch nicht möglich, insbesondere dann, wenn die o.g. Analysewerkzeuge in der Produktion beispielsweise von mikrostrukturierten Halbleiterbauelementen oder der Herstellung von Photomasken eingesetzt werden.
  • Die Autoren K.M. Satyalakshmi et al. berichten in dem Artikel „Charge induced pattern distortion in low energy electron beam lithography", J. Vac. Sci. Technol. B. 18(6), Nov/Dez. 2000, S. 3122–3125 über Untersuchungen zur Bestimmung der Ablenkung eines Elektronenstrahls als Funktion in der Nähe des Auftreffpunkts erzeugter Ladungsverteilungen auf einer Probenoberfläche.
  • Um zu verhindern, dass eine elektrische Aufladung das Messen von Strukturelementen von Halbleiterbauelementen während deren Produktion beeinträchtigt, schlägt die US 5 736 863 das Aufbringen von geerdeten Teststrukturen in den Zwischenräumen zwischen den einzelnen Chips vor.
  • Die US 2002/0 070 340 A1 beschreibt den Einsatz von zwei Elektronenstrahlen unterschiedlicher Energie, wobei der niederenergetische Strahl, der eine Elektronengenerationsrate < 1 aufweist, die Elektronengenerationsrate des höherenergetischen Strahls, die > 1 ist, kompensiert, so dass keine Oberflächenladungen entstehen.
  • Zum Kompensieren von Oberflächenladungen schlägt die US 6 507 474 B1 vor, die Aufladung der Oberfläche mit einem Ladungssensor zu messen und mit Hilfe eines Ionisators zu kompensieren.
  • Die US 2004/0 051 040 A1 offenbart ein Rasterelektronenmikroskop, das die Bestrahlungsintensität des Elektronenstrahls so steuert, dass eine Volumenänderung eines Photolacks aufgrund der Elektronenbestrahlung möglichst gering bleibt.
  • Die oben genannten Dokumente befassen sich hauptsächlich mit der Vermeidung bzw. der Verringerung von elektrischen Aufladungen.
  • Die US 2002/0 211 899 A beschreibt den Einsatz von einem oder mehreren Elektrometern, um die elektrische Aufladung einer Wafer-Oberfläche zu bestimmen.
  • Elektrometer haben jedoch den Nachteil, dass sie eine elektrische Ladungsverteilung nicht lokal sondern nur großflächig, d.h. im Bereich von Quadratmillimetern bis Quadratzentimetern messen können.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt daher das Problem zu Grunde, Verfahren und Vorrichtungen zum Untersuchen einer Probenoberfläche mit einem geladenen Teilchenstrahl und/oder einem Rastersondenmiktroskop anzugeben, deren Oberfläche eine elektrische Potentialverteilung aufweist.
  • 3. Zusammenfassung der Erfindung
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird dieses Problem durch ein Verfahren nach Anspruch 1 gelöst. In einer Ausführungsform weist das Verfahren zum Untersuchen einer Probenoberfläche, die eine elektrische Potentialverteilung aufweist, mit einer Sonde eines Rastersondenmikroskops, die Schritte auf: (a) Bestimmen der elektrischen Potentialverteilung zumindest eines ersten Teilbereichs der Probenoberfläche; und (b) Modifizieren der elektrischen Potentialverteilung in dem zumindest einen ersten Teilbereich der Probenoberfläche und/oder Modifizieren eines elektrischen Potentials der Sonde des Rastersondenmikroskops vor einem Scannen zumindest eines zweiten Teilbereichs der Probenoberfläche.
  • Durch das Wissen um die elektrische Potentialverteilung in dem Bereich der Probenoberfläche, der von einer Sonde oder Messspitze eines Rastersondenmikroskops gescannt werden soll, kann verhindert werden, dass eine feine Sonde und/oder eine empfindliche Probe einer Beschädigung oder gar einer Zerstörung ausgesetzt werden. Ferner kann eine übermäßige Abnutzung einer Sonde eines SPMs durch große Ausgleichsströme vermieden werden. Darüber hinaus kann durch Beseitigen oder zumindest Verringern der Potentialdifferenz zwischen Sonde und Probe eine fehlerhafte Interpretation der mit der Sonde aufgenommenen Scan- oder Messdaten verhindert werden. Eine Verringerung dieser Potentialdifferenz kann durch Maßnahmen herbeigeführt werden, die auf die lokale Potentialverteilung in dem Scan-Bereich des Rastersondenmikroskops wirken, die auf das Potential der Messspitze wirken oder die sowohl auf die lokale elektrische Potentialverteilung wie auch auf das Potential der Messspitze wirken.
  • Nach einem anderen Aspekt wird der Schritt (b) ausgeführt, wenn ein Betrag der elektrischen Potentialverteilung in dem zumindest einen ersten Teilbereich der Probenoberfläche eine erste Schwelle übersteigt.
  • Falls die Potentialdifferenz zwischen einer Messspitze eines Rastersondenmikroskop und der elektrischen Potentialverteilung der Probenoberfläche nur einen geringen Zahlenwert aufweist, beispielsweise kleiner als 1 Volt, kann es günstig sein, auf eine Maßnahme zur Verringerung dieser geringen Potentialdifferenz zu verzichten. Der Messaufwand kann dadurch verringert werden.
  • Ein weiterer Aspekt weist ferner den Schritt auf: Scannen des zumindest einen zweiten Teilbereichs der Probenoberfläche mit der Sonde des Rastersondenmikroskops, wenn ein Betrag der elektrischen Potentialverteilung in dem zumindest einen ersten Teilbereich der Probenoberfläche kleiner oder gleich der ersten Schwelle ist.
  • Falls das Bestimmen der lokalen Potentialverteilung um den zu scannenden Teil der Probenoberfläche herum ergibt, dass der Betrag der gemessenen lokalen Potentialverteilung einen ersten Schwellenwert nicht überschreitet, kann der Teil der Probenoberfläche ohne Gefahr für die Sonde und die Probe gescannt oder gerastert werden. Der erste Schwellenwert wird vorzugsweise von außen vorgegeben und kann von der verwendeten Messspitze, des Materials und/oder von der Topographie der Oberfläche der Probe abhängen.
  • Nach einem anderen Aspekt umfasst das Modifizieren des elektrischen Potentials der Sonde des Rastersondenmikroskops das Anlegen einer Spannung an die Sonde, die im Wesentlichen der bestimmten elektrischen Potentialverteilung in dem zumindest einen zweiten Teilbereich der Probenoberfläche entspricht.
  • Indem die Messspitze des Rastersondenmikroskops auf das gleiche elektrische Potential gebracht wird, das die zu scannende lokale Probenoberfläche aufweist, weisen die Scan- oder Messdaten keinen systematischen Messfehler auf und können in einfacher Weise analysiert werden.
  • Der Ausdruck „im Wesentlichen“ bedeutet hier wie auch an anderen Stellen der Beschreibung, die Angabe einer Messgröße innerhalb eines Messfehlers, der beim Einsatz von Messgeräten nach dem Stand der Technik auftritt.
  • In noch einem weiteren Aspekt umfasst das Modifizieren der elektrischen Potentialverteilung in dem zumindest einen ersten Teilbereich der Probenoberfläche das Bestrahlen der Probenoberfläche mit einem geladenen Teilchenstrahl.
  • Eine bestehende elektrische Aufladung einer Probenoberfläche kann kompensiert werden, in dem Ladungsträger, die eine entgegengesetzte elektrische Ladung aufweisen, auf den ersten Teilbereich der Probenoberfläche aufgebracht werden.
  • Nach einem bevorzugten Aspekt umfasst das Modifizieren der elektrischen Potentialverteilung das Anwenden einer Plasma-Entladung auf zumindest den ersten Teilbereich der Probenoberfläche.
  • Plasmen enthalten freie Ladungsträger mit positivem und negativem Vorzeichen. Durch eine entsprechende Prozessführung können mit Plasmen sowohl positive als auch negative Aufladungen einer Probe weitgehend entladen werden.
  • Ein vorteilhafter Aspekt umfasst ferner den Schritt: Festlegen einer Bestrahlungsdosis des geladenen Teilchenstrahls in Abhängigkeit der bestimmten elektrischen Potentialverteilung des zumindest einen ersten Teilbereichs der Probenoberfläche und/oder Festlegen einer Zeitdauer der Plasma-Entladung in Abhängigkeit der bestimmten elektrischen Potentialverteilung des zumindest einen ersten Teilbereichs der Probenoberfläche.
  • Es ist günstig, die lokale Bestrahlungsdosis oder die Zeitdauer, während der ein Plasma brennt, an die lokale Potentialverteilung anzupassen, um den Teilbereich der Probenoberfläche soweit wie möglich zu entladen und/oder andererseits eine Beschädigung der Probe zu vermeiden.
  • Ein bevorzugter Aspekt weist ferner den Schritt auf: Modifizieren der elektrischen Potentialverteilung in dem zumindest einen ersten Teilbereich der Probenoberfläche, wenn der Betrag der bestimmten elektrischen Potentialverteilung des zumindest einen ersten Teilbereichs eine zweite Schwelle übersteigt, die größer als die erste Schwelle ist.
  • Eine lokale Potentialverteilung kann betragsmäßig einen so großen Wert aufweisen, beispielsweise im Kilovolt-Bereich, dass es schwierig und aufwändig bzw. gar nicht möglich ist, die Messspitze des Rastersondenmikroskop auf dieses Potential zu bringen. In diesem Fall ist es vorteilhaft, die lokale Potentialverteilung auf der Probenoberfläche soweit zu reduzieren, dass das Potential der Messspitze des SPM darauf angepasst werden kann.
  • Noch ein anderer Aspekt umfasst ferner den Schritt: (a) Erneutes Bestimmen der elektrischen Potentialverteilung zumindest in dem ersten Teilbereich der Probenoberfläche; und (b) Scannen des zumindest einen zweiten Teilbereichs der Probenoberfläche mit der Sonde des Rastersondenmikroskops, wenn der Betrag der elektrischen Potentialverteilung in dem zumindest einen ersten Teilbereich kleiner oder gleich der ersten Schwelle ist; oder (c) Erneutes Modifizieren der elektrischen Potentialverteilung in dem zumindest einen zweiten Teilbereich der Probenoberfläche und/oder Modifizieren des elektrischen Potentials der Sonde vor dem Scannen des zumindest einen zweiten Teilbereichs, wenn der Betrag der elektrischen Potentialverteilung in dem zumindest einen ersten Teilbereich der Probenoberfläche die erste Schwelle übersteigt und kleiner als die zweite Schwelle ist.
  • Eine betragsmäßig sehr große Potentialverteilung kann in einem ersten Prozessschritt auf ein Niveau gebracht werden, so dass die Sonde eines SPM mit oder ohne Potentialanpassung zum Scannen in dem vorgesehenen Bereich eingesetzt werden kann. Nach dem ersten Prozessschritt ist vorteilhaft zu kontrollieren, ob die eventuell verbliebene Potentialverteilung in dem Scan-Bereich der Sonde des SPM kleiner als ein vorgegebener Schwellenwert ist.
  • Gemäß einem vorteilhaften Aspekt liegt die erste Schwelle in einem elektrischen Spannungsintervall von 0,1 Volt–20 Volt, bevorzugt von 0,2 Volt–15 Volt, mehr bevorzugt von 0,5 Volt–10 Volt, und am meisten bevorzugt von 1 Volt–5 Volt. Nach einem anderen Aspekt liegt die zweite Schwelle in einem elektrischen Spannungsintervall von 25 Volt–50000 Volt, bevorzugt von 30 Volt–20000 Volt, mehr bevorzugt von 40 Volt–10000 Volt, und am meisten bevorzugt von 50 Volt–5000 Volt.
  • Wie bereits oben ausgeführt, kann der zweite Teilbereich der Probenoberfläche mit der Sonde des Rastersondenmikroskops gefahrlos gescannt werden, wenn die elektrische Potentialverteilung in dem ersten Teilbereich der Probenoberfläche betragsmäßig kleiner oder gleich der ersten Schwelle ist. Falls die Potentialverteilung im ersten Teilbereich betragsmäßig größer als die erste Schwelle aber betragsmäßig kleiner als die zweite Schwelle ist, kann das Potential der Sonde des Rastersondenmikroskops an die Potentialverteilung der Probenoberfläche angepasst werden. Falls jedoch der Betrag der Potentialverteilung die zweite Schwelle übersteigt, ist es bevorzugt, die Potentialverteilung der Probenoberfläche betragsmäßig zu verringern.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt umfasst der zumindest eine erste Teilbereich der Probenoberfläche den zumindest einen zweiten Teilbereich der Probenoberfläche.
  • Nach einem günstigen Aspekt weist der zumindest eine zweite Teilbereich der Probenoberfläche eine Fläche von ≤ 400 µm2, bevorzugt ≤ 200 µm2, mehr bevorzugt ≤ 100 µm2, und am meisten bevorzugt 50 µm2 auf. Gemäß einem weiteren Aspekt ist der zumindest eine erste Teilbereich der Probenoberfläche um einen Faktor 1,2, bevorzugt eine Faktor 1,5, mehr bevorzugt einen Faktor 2, und am meisten bevorzugt einen Faktor 5 größer als der zumindest eine zweite Teilbereich der Probenoberfläche.
  • Gemäß einem anderen Aspekt umfasst das Rastersondenmikroskop ein Rasterkraftmikroskop.
  • Nach einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird das der vorliegenden Anmeldung zugrunde liegende Problem durch ein Verfahren nach Anspruch 10 gelöst. In einer Ausführungsform weist das Verfahren zum Untersuchen einer Probenoberfläche, die eine elektrische Potentialverteilung aufweist, mit einem geladenen Teilchenstrahl eines Rasterteilchenmikroskops, die Schritte auf: (a) Bestimmen der elektrischen Potentialverteilung zumindest eines ersten Teils der Probenoberfläche; (b) Korrigieren zumindest einer Einstellung des Rasterteilchenmikroskops aufgrund der in Schritt (a) bestimmten Potentialverteilung zum Bearbeiten zumindest eines zweiten Teilbereichs der Probenoberfläche mit dem geladenen Teilchenstrahl; und/oder (c) Scannen zumindest eines ersten Teilbereichs der Probenoberfläche mit dem geladenen Teilchenstrahl des Rasterteilchenmikroskops; und (d) Korrigieren eines aus den Scan-Daten des zumindest einen zweiten Teilbereichs erzeugten Rasterteilchenmikroskop-Bildes mittels der in Schritt (a) bestimmten Potentialverteilung.
  • Auf der Basis der bekannten Potentialverteilung kann ein Bild eines Rasterteilchenmikroskops in einem Post-Processing-Prozess nachbearbeitet werden und die durch die Oberflächenladung verursachten Artefakte können zumindest zum Teil korrigiert werden. Bei Kenntnis der Potentialverteilung der Probenoberfläche ist es auch möglich, eine oder mehrere Einstellungen eines Rasterteilchenmikroskops so zu wählen, dass bei einem Bearbeitungsprozess eines Teilbereichs der Probenoberfläche trotz der vorhandenen Oberflächenladungen genau der vorgesehene Teilbereich bearbeitet wird und der Teilchenstrahl beim Auftreffen auf den Teilbereich die beabsichtigten Parameter aufweist.
  • Ein günstiger Aspekt weist ferner den Schritt auf: Bestimmen der elektrischen Potentialverteilung aus den in Schritt (c) erzeugten Scan-Daten.
  • Es ist bevorzugt, aus einem Datensatz, der beim Scannen eines Teilbereichs der Probenoberfläche gewonnen wurde, sowohl die in diesem Potentialbereich herrschende Potentialverteilung als auch ein Bild des gescannten Teilbereichs der Probenoberfläche zu ermitteln. Das Bild kann dann auf der Basis der ermittelten elektrischen Potentialverteilung nachbearbeitet werden. Dadurch wird das Problem vermieden, dass ein erstes Scannen zum Ermitteln der auf der Probe vorhandenen Daten die Potentialverteilung beim nachfolgenden Scannen des Teilbereichs zum Aufnehmen eines Rasterteilchenmikroskop-Bildes die elektrische Potentialverteilung verändert, so dass die Nachbearbeitung des Bildes nicht auf der tatsächlichen beim Aufnehmen des Bildes herrschenden Verteilung der Oberflächenladungen beruht.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt umfasst die zumindest eine Einstellung des Rastersondenmikroskops: das Ändern einer Vergrößerung, das Ändern eines Fokus, das Ändern eines Stigmators, das Ändern einer Beschleunigungsspannung, das Ändern einer Strahlverschiebung, das Justieren einer Position der Teilchenquelle des Rasterteilchenmikroskops, und/oder das Ändern einer Blende. Ferner können die Einstellungen von am Rasterteilchenmikroskop angebrachten Teilchendetektoren modifiziert werden, insbesondere eine Energieskala bei Energie-selektiven und/oder Energie-sensitiven Detektoren.
  • Darüber hinaus umfasst ein weiterer Aspekt das Bearbeiten des zumindest einen zweiten Teilbereichs der Probenoberfläche das Bereitstellen zumindest eines Ätzgases und/oder zumindest eines Präkursor-Gases zum Abscheiden von Material in dem zumindest einen ersten Teilbereich der Probenoberfläche.
  • Eine zweite Ausführungsform des oben definierten Verfahrens kann eingesetzt werden, um überschüssiges Material in einem zweiten Teilbereich mit Hilfe eines Teilchenstrahl-induzierten Ätzprozess zu entfernen und/oder um im zweiten Teilbereich fehlendes Material durch einen Teilchenstrahl-induzierten Depositionsprozess abzuscheiden. Indem die Auswirkungen einer Aufladung der Probenoberfläche zumindest zum Teil bei diesen Prozessen berücksichtigt werden, können diese Prozesse zielgenauer ausgeführt und damit verbessert werden.
  • Ein noch anderer Aspekt weist ferner den Schritt auf: Pixelweises Korrigieren des Rasterteilchenmikroskop-Bildes in Schritt d. und/oder Pixelweises Korrigieren der zumindest einen Einstellung des Rasterteilchenmikroskops in Schritt b.
  • Das Bestimmen der elektrischen Potentialverteilung kann auf der Basis einzelner Pixel eines Rasterteilchenmikroskop-Bildes erfolgen. Dadurch wird es möglich, bei einer Bildnachbearbeitung die Pixel einzeln zu korrigieren. Darüber hinaus kann die Einstellung eines Rasterteilchenmikroskops bei einem Bearbeitungsprozess der Probe Pixelgenau gesteuert werden.
  • Nach einem günstigen Aspekt umfasst das Korrigieren eines aus den Scan-Daten erzeugten Rasterteilchenmikroskop-Bildes in Schritt (d) das Korrigieren einer kritischen Abmessung und/oder eines Platzierungsfehlers eines Strukturelements einer Photomaske, eines Strukturelements eines auf einem Wafer angeordneten Photolacks und/oder eines Strukturelements eines Bauelements auf einem Wafer.
  • Gemäß noch einem anderen Aspekt umfasst das Rasterteilchenmikroskop ein Rasterelektronenmikroskop.
  • Nach einem weiteren Aspekt umfasst das Bestimmen der elektrischen Potentialverteilung zumindest des ersten Teilbereichs der Probenoberfläche das Analysieren einer Energieverteilung von Sekundärelektronen mittels eines Spektrometers des zumindest einen ersten Teilbereichs der Probenoberfläche, wobei die Sekundärelektronen beim Scannen des zumindest einen ersten Teils der Probenoberfläche mit einem Teilchenstrahl eines Rasterteilchenmikroskops erzeugt werden.
  • Indem die erzeugen Sekundärelektronen sowohl hinsichtlich der Anzahl als auch bezüglich ihrer Energieverteilung analysiert werden, kann neben der Materialzusammensetzung und der Probentopographie zusätzlich die elektrische Potentialverteilung der geladenen Oberfläche untersucht werden.
  • In einem anderen vorteilhaften Aspekt umfasst das Bestimmen der elektrischen Potentialverteilung des zumindest einen ersten Teilbereichs der Probenoberfläche das Bestimmen einer Verschiebung der Energieverteilung der Sekundärelektronen.
  • Gemäß einem günstigen Aspekt erfolgt das Bestimmen der Verschiebung der Energieverteilung der Sekundärelektronen bezüglich einer Probenoberfläche, die im Wesentlichen kein elektrisches Potential aufweist.
  • Das Erdungspotential stellt in dieser Anmeldung den Referenzpunkt für das Bestimmen der durch Oberflächenladungen auf der Probe verursachten elektrischen Potentialverteilung dar.
  • In einem nutzbringenden Aspekt umfasst das Bestimmen der Verschiebung der Verteilung der Sekundärelektronen das Anlegen eines elektrischen Feldes über den zumindest einen ersten Teil der Probenoberfläche. Nach noch einem weiteren Aspekt weisen die Feldlinien des elektrischen Feldes von der Probenoberfläche weg.
  • Beim Vorliegen einer positiven Aufladung eines Teilbereichs einer Probenoberfläche können in diesem Bereich aufgrund der anziehenden Wirkung der Oberflächenladungen nur ein Teil der erzeugten Sekundärelektronen die Probenoberfläche verlassen. Deshalb steht in diesem Fall nur ein Teil generierten Sekundärelektronen für die Analyse der Probe zur Verfügung. Durch Anlegen eines elektrischen Feldes, das die Wirkung der Oberflächenladungen kompensiert, wird es möglich, dass im Wesentlichen das gesamte Spektrum der erzeugten Sekundärelektronen einer nachfolgenden Analyse zugeführt werden kann.
  • Gemäß einem vorteilhaften Aspekt umfasst das Bestimmen der elektrischen Potentialverteilung des zumindest einen ersten Teilbereichs der Probenoberfläche das Bestimmen eines Maximums der Energieverteilung rückgestreuter Elektronen in dem zumindest einen ersten Teilbereich der Probenoberfläche, wobei die rückgestreuten Elektronen beim Scannen des zumindest einen ersten Teilbereichs der Probenoberfläche erzeugt werden.
  • Indem neben der Verschiebung des Energiespektrums der Sekundärelektronen noch der Peak der rückgestreuten Elektronen ermittelt wird, ist es beispielsweise möglich, Nullpunktsschwankungen eines Spektrometers oder Unsicherheiten, die im Extraktionsfeld begründet sind, zu eliminieren.
  • Nach einem vorteilhaften Aspekt umfasst eine Vorrichtung zum Untersuchen einer Probenoberfläche, die eine elektrische Potentialverteilung aufweist, mit einer Sonde eines Rastersondenmikroskops: (a) Mittel zum Bestimmen der elektrischen Potentialverteilung zumindest eines ersten Teilbereichs der Probenoberfläche; und (b) Mittel zum Modifizieren der elektrischen Potentialverteilung des zumindest einen ersten Teilbereichs der Probenoberfläche und/oder Mittel zum Modifizieren eines elektrischen Potentials der Sonde des Rastersondenmikroskops vor einem Scannen zumindest eines zweiten Teilbereichs der Probenoberfläche, wenn ein Betrag der elektrischen Potentialverteilung in dem zumindest einen ersten Teilbereich der Probenoberfläche eine erste Schwelle übersteigt.
  • Gemäß noch einem anderen Aspekt ist die Vorrichtung ausgebildet, die Verfahrensschritte nach einem der obigen Aspekte auszuführen
  • Nach einem günstigen Aspekt umfasst eine Vorrichtung zum Untersuchen einer Probenoberfläche, die eine elektrische Potentialverteilung aufweist, mit einem geladenen Teilchenstrahl eines Rasterteilchenmikroskops: (a) Mittel zum Bestimmen der elektrischen Potentialverteilung zumindest eines ersten Teilbereichs der Probenoberfläche; (b) Mittel zum Korrigieren zumindest einer Einstellung des Rasterteilchenmikroskops aufgrund der bestimmten Potentialverteilung zum Bearbeiten zumindest eines zweiten Teilbereichs der Probenoberfläche mit dem geladenen Teilchenstrahl; und/oder (c) Mittel zum Scannen des zumindest einen ersten Teilbereichs der Probenoberfläche mit dem geladenen Teilchenstrahl des Rasterteilchenmikroskops; und (d) Mittel zum Korrigieren eines aus den Scan-Daten des zumindest einen zweiten Teilbereichs erzeugten Rasterteilchenmikroskop-Bildes mittels der bestimmten Potentialverteilung.
  • Gemäß noch einem weiteren Aspekt ist die Vorrichtung ausgebildet, die Verfahrensschritte nach einem der oben angegebenen Aspekte auszuführen.
  • Schließlich umfasst in noch einem anderen günstigen Aspekt die Vorrichtung zumindest ein Spektrometer.
  • 4. Beschreibung der Zeichnungen
  • In der folgenden detaillierten Beschreibung werden derzeit bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben, wobei
  • 1 einen Aspekt der Problematik beim Untersuchen einer geladenen Oberfläche mit einem Elektronenstrahl veranschaulicht;
  • 2 einen Aspekt der Thematik beim Scannen einer geladenen Probenoberfläche mit einer Sonde eines Rastersondenmikroskops symbolisiert;
  • 3 ein schematisches Energiespektrum der Elektronen darstellt, die ein auf eine Probe auftreffender Elektronenstrahl erzeugt;
  • 4 einen schematischen Schnitt durch eine Vorrichtung zum Bestimmen einer lokalen elektrischen Potentialverteilung einer geladenen Probenoberfläche darstellt, wobei die Vorrichtung auch zum Erzeugen eines Bildes eines Ausschnitts der geladenen Probenoberfläche und zum Bearbeiten der geladenen Probenoberfläche eingesetzt werden kann;
  • 5 eine Säule eines Rasterelektronenmikroskops mit einem in die Säule außerhalb der Achse eingebauten Vielkanal-Spektrometer zeigt, sowie simulierte Trajektorien von Sekundärelektronen darstellt;
  • 6 gemessene Spektren von Sekundärelektronen als Funktion des Oberflächenpotentials einer Probe zeigt;
  • 7 schematisch nach der Energie abgeleitete Spektren von Sekundär- und rückgestreuten Elektronen als Funktion des Potentials der Probenoberfläche wiedergibt;
  • 8 schematisch im oberen Teilbild einen Probenausschnitt mit einem Strukturelement zeigt, das einen Defekt aufweist, im mittleren Teilbild eine Aufsicht auf die elektrische Potentialverteilung des Probenausschnitts des oberen Teilbildes repräsentiert, und das untere Teilbild zwei eindimensionale Potentialverteilungen entlang zweier Schnittlinien darstellt;
  • 9 eine Variation der kritischen Abmessung als eine Funktion des elektrischen Potentials auf der Probenoberfläche zeigt;
  • 10 einen schematischen Schnitt durch eine Vorrichtung darstellt, die ein Rasterteilchenmikroskop und ein Rastersondenmikroskop vereinigt;
  • 11 ein Flussdiagramm der essentiellen Schritte eines ersten Verfahrens zum Untersuchen einer geladenen Probenoberfläche mit einer Sonde eines Rastersondenmikroskops zeigt;
  • 12 eine Flussdiagramm des ersten Verfahren der 11 in größerem Detaillierungsgrad darstellt; und
  • 13 ein Flussdiagramm eines zweiten Verfahrens zum Untersuchen einer geladenen Probenoberfläche mit einem geladenen Teilchenstrahl eines Rasterteilchenmikroskops angibt.
  • 5. Detaillierte Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele
  • Im Folgenden werden derzeit bevorzugte Ausführungsformen zweier erfindungsgemäßer Verfahren zum Untersuchen einer geladenen Probenoberfläche am Beispiel eines geladenen Elektronenstrahls und einer Sonde eines Rasterkraftmikroskops (AFM) samt der zugehörigen Vorrichtungen zum Ausführen dieser Verfahren genauer erläutert. Die erfindungsgemäßen Verfahren sind jedoch nicht auf die im Folgenden diskutierten Beispiele beschränkt. Vielmehr können diese für einen beliebigen geladenen Teilchenstrahl und ein beliebiges Rastersondenmikroskop eingesetzt werden. Darüber hinaus ist die Anwendung von erfindungsgemäßen Verfahren nicht auf die im Folgenden erwähnten Proben eingeschränkt. Vielmehr können der geladene Teilchenstrahl und die Sonde zum Untersuchen beliebiger elektrisch isolierender und/oder halbleitender Proben benutzt werden.
  • Das Diagramm 100 der 1 zeigt schematische Schnitte durch eine geladene Probe 110 und einen Ausgang 165 eines Rasterelektronenmikroskops 160. Die Probe 110 kann beispielsweise ein elektrisch isolierendes Substrat einer Photomaske sein. Die Probe 110 kann ein zu prozessierender Wafer sein oder sie kann durch einen Photolack auf einem Wafer realisiert werden. Die Probe 110 weist auf ihrer Oberfläche 120 eine Verteilung von Oberflächenladungen auf, die eine elektrische Potentialverteilung hervorrufen. Auf dem linken Teilbild weist die Probenoberfläche 120 eine positive Aufladung 140 auf. Im rechten Teilbild zeigt die Probenoberfläche 120 einen Überschuss negativer Ladungen 150. Im Folgenden werden die Bezugszeichen 140 und 150 verwendet, um sowohl eine Verteilung von Oberflächenladungen auf einer Probenoberfläche 120 als auch die von den geladenen Oberflächen verursachten elektrischen Potentialverteilungen zu bezeichnen.
  • Eine elektrische Aufladung 140, 150 einer Probenoberfläche 120 kann durch einen geladenen Teilchenstrahl, beispielsweise den Elektronenstrahl 175 eines Rasterelektronenmikroskops (SEM) hervorgerufen werden. Eine elektrische Potentialverteilung 140, 150 einer Probenoberfläche 120 kann durch einen Bearbeitungsprozess entstehen, zum Beispiel beim Prozessieren der Probe 110 mit einem Ionenstrahl, kann bei einen Plasma-Prozess eines Wafers und/oder einem Bearbeitungsprozess eines auf einem Wafer angeordneten Photolacks verursacht werden. Ferner kann eine elektrische Aufladung einer Probe 110 beispielsweise durch das Handling der Probe 110 hervorgerufen werden.
  • In dem Ausschnitt der Probe 110, der in dem Diagramm 100 der 1 repräsentiert ist, weist die Verteilung der Oberflächenladungen 140, 150 eine gleichmäßige Dichte auf. Dies stellt jedoch für das Anwenden der hier diskutierten Verfahren keine Voraussetzung dar. Vielmehr können die in dieser Anmeldung vorgestellten Verfahren und Vorrichtungen auch mit Ladungsdichteänderungen umgehen, die innerhalb kleiner lateraler Distanzen variieren. Dieser Sachverhalt wird nachfolgende im Kontext der Diskussion der 8 erläutert.
  • Im Beispiel der 1 lenkt ein Ablenksystem 165 den Elektronenstrahl 175 ab und scannt diesen über die Probenoberfläche 120 zum Bestimmen der Dimensionen des Strukturelements 130. Beispielsweise kann ein Strukturelement 130 ein Element einer Absorberstruktur einer photolithographischen Maske sein. Ebenso kann ein Strukturelement 130 ein Element sein, das eine Photomaske in einen Photolack projiziert hat. In einem anderen Beispiel ist das Strukturelement 130 ein Element eines Chips eines Wafers.
  • Wie im linken Teilbild des Diagramms 100 dargestellt ist, wird durch die anziehende Wirkung einer positiven Aufladung 140 der Probenoberfläche 120 ein das Strukturelement 130 rastender Elektronenstrahl 175 in der Nähe der Probenoberfläche in Richtung der optischen Achse des 172 abgelenkt und folgt der Trajektorie 174. Ohne elektrische Potentialverteilung 140 würde der Elektronenstrahl 175 der Bahn 176 folgen. Die gerasterte Abmessung 178 erscheint in einem von dem Elektronenstrahl 175 erzeugten SEM-Bild größer als die tatsächliche Abmessung 180 des Strukturelements 130 ist.
  • Analog veranschaulicht das rechte Teilbild der 1 die abstoßende Wirkung einer negativ geladenen 150 Probenoberfläche 120 auf die Bahnbewegung 184 der Elektronen 170 eines Elektronenstrahls. Durch die zusätzliche Ablenkung des Elektronenstrahls 175 in der Nähe der Probenoberfläche 120 als Folge der Ladungsverteilung 150 scheint die tatsächliche Abmessung 180 des Strukturelements 130 in einem aus den Scan-Daten erzeugten SEM-Bild eine kleinere Dimension 188 aufzuweisen.
  • Gelingt es den Ladungszustand, d.h. die lokale elektrische Potentialverteilung 140, 150 der Probenoberfläche 120 um einen zu scannenden Bereich herum zu bestimmen, kann die fehlerhafte Interpretation der Scan- oder Messdaten des Elektronenstrahls 175 des SEM 160 korrigiert werden. Bei einer Bearbeitung beispielsweise des Strukturelements 130 durch einem Elektronenstrahl 175 und einem oder mehreren Prozessgasen kann zudem durch geeignete Einstellungen der Parameter des SEM 160 sichergestellt werden, dass das Strukturelement 130 tatsächlich in einem beabsichtigten Bereich bearbeitet wird.
  • Das Diagramm 200 der 2 illustriert die Problematik beim Scannen eines Rasterkraftmikroskops 250 über eine geladene 150 Probenoberfläche 120. Der Ausschnitt der Probe 110 des Diagramms 200 ist identisch mit dem Ausschnitt des linken Teilbilds des Diagramms 100. Das AFM 250 umfasst einen Piezo-Aktuator 255, mit dessen Hilfe die Sonde 260 des AFM 250 über die Oberfläche 120 der Probe 110 gescannt werden kann. Die Sonde 260 umfasst einen beweglichen Hebelarm 265, der im Folgenden Cantilever 265 genannt wird. Am freien Ende des Cantilevers 265 ist die Messspitze 270 angebracht. Der Cantilever 265 und die Messspitze 270 können einstückig oder als zwei verbundene Komponenten ausgeführt werden. Das AFM 250 ist an dem Ende des Piezo-Aktuators 255, das dem Cantilever 265 gegenüberliegt, an einer Halterung 275 befestigt. Die Halterung 275 ist normalerweise geerdet. Damit liegt die Messspitze 270 des AFM 250 typischerweise auf Erdpotential. Bei Annäherung der geerdeten Messspitze 270 an eine geladene 150 Probenoberfläche 120 kann es zu elektrischen Überschlägen 280 zwischen der geladenen 150 Probenoberfläche 120 und der Messspitze 270 kommen. Der Abstand der Messspitze 270 des AFM 250 kann in der Nicht-Kontakt-Betriebsart in den einstelligen Nanometerbereich reichen. Der Durchmesser einer feinen Messspitze 270 kann ebenfalls in diesem Bereich liegen. Deshalb reichen bereits geringe Potentialdifferenzen oder Spannungen von einigen Volt zwischen Messspitze 270 und Probenoberfläche 120 aus, um große elektrische Spitzenfeldstärken zu erzeugen, die zu unkontrollierten Überschlägen 280 führen können.
  • Unkontrollierbare Spannungsüberschläge 280 können feine Messspitzen 270 beschädigen oder zerstören. Bei Messspitzen 270, die an ihrem freien Ende einen größeren Krümmungsradius aufweisen, führen Spannungsüberschläge 280 zu einem schnellen Verschleiß der Messspitze 270. Überdies ist die Interpretation von Scan- oder Messdaten beim Auftreten unkontrollierter Spannungsüberschläge 280 sehr schwierig. Schließlich können Spannungsüberschläge 280 zwischen der Probenoberfläche 120 und der Messspitze 270 eine empfindliche Probenoberfläche 120 schädigen und dadurch eine Probe 110 möglicherweise zerstören.
  • Es ist deshalb wichtig, die elektrische Potentialverteilung 150 im Scan-Bereich eines AFMs 250 zu kennen, um der geschilderten Problematik durch geeignete Gegenmaßnahmen entgegenwirken zu können.
  • Bei der Bestrahlung einer Probe 110 mit den Elektronen 175 eines Elektronenstrahls wechselwirken die Elektronen 175 mit der Probe 110. Der Wechselwirkungsprozess des einfallenden Elektronenstrahls 175 mit den Atomen der Probe 110 generiert Elektronen. Ein Teil der in dem Wechselwirkungsprozess erzeugten Elektronen kann die Probenoberfläche 120 verlassen und wird mit einem oder mehreren Detektoren nachgewiesen und zum Erzeugen eines SEM-Bildes der Probenoberfläche 120 benutzt. Das Diagramm 300 der 3 zeigt schematisch das Energiespektrum der von einem Elektronenstrahl 175 erzeugten Elektronen. Diese Figur ist dem Buch „Scanning Electron Microscopy“ des Autors L. Reimer entnommen. Das Energiespektrum der von einer Probe 120 emittierten Elektronen wird in zwei Hauptgruppen eingeteilt. Niederenergetische Elektronen mit einer kinetischen Energie bis zu 50 eV werden Sekundärelektronen (SE) genannt. Alle anderen generierten Elektronen, deren spektrale Energieverteilung von 50 eV im Wesentlichen bis zur kinetischen Energie der Elektronen 175 des einfallenden Elektronenstrahl reicht (E = e·U), werden als rückgestreute Elektronen (BSE) bezeichnet.
  • Falls die Oberfläche 120 einer Probe 110 keine Oberflächenladungen aufweist, zeigt das Energiespektrum der Sekundärelektronen einen ausgeprägten Material- und/oder Topographie-spezifischen Peak 310 im Bereich einiger Volt. Im Energiebereich von ungefähr 50 eV bis ungefähr 2 keV können ebenfalls Material-spezifische Peaks in dem Spektrum rückgestreuter Elektronen auftreten, die durch Auger-Elektronen (AE) verursacht werden. Am oberen Ende des Energiespektrums rückgestreuter Elektronen zeigt sich ein elastischer Peak 320, der von Elektronen hervorgerufen wird, die im Wesentlichen mit der kinetischen Energie der einfallenden Elektronen 175 von der Probenoberfläche 120 reflektiert werden. Unterhalb dieses Peak 320 schließt sich der sogenannte LLE-(Low Loss Electron)Bereich an, in den rückgestreute Elektronen fallen, deren Energie typischerweise 10 eV bis 100 eV geringer als die kinetische Energie der einfallenden Elektronen 175 ist. Der LLE-Bereich umfasst auch den Bereich der Plasma-Anregung (plasmos losses), so dass in diesem Spektralbereich relativ wenig rückgestreute Elektronen die Probenoberfläche 120 verlassen.
  • Die 4 zeigt schematisch im Schnitt einige Komponenten einer Vorrichtung 400 oder einer Messvorrichtung 400, die in einer Vakuumkammer 402 ein Rasterteilchenmikroskop 420 aufweist. In dem Beispiel der 4 ist das Rasterteilchenmikroskop 420 ein Rasterelektronenmikroskop (SEM) 420. Ein Elektronenstrahl als Teilchenstrahl hat den Vorteil, dass dieser die Probe 110 im Wesentlichen nicht oder nur in geringem Umfang schädigen kann. Es sind jedoch auch andere geladene Teilchenstrahlen möglich, etwa ein Ionenstrahl eines FIB-(Focused Ion Beam)Systems (in der 4 nicht dargestellt).
  • Das SEM 420 umfasst als wesentliche Komponenten eine Teilchenkanone 422 und eine Säule 424, in der die Elektronenoptik oder Strahloptik 426 angeordnet ist. Die Elektronenkanone 422 erzeugt einen Elektronenstrahl 428 und die Elektronen- oder Strahloptik 426 bündelt den Elektronenstrahl 428 und richtet ihn am Ausgang der Säule 424 auf eine Probe 110, die mit der Probe 110 der 1 und 2 identisch sein kann.
  • Die Probe 110 wird auf einem Probentisch 405 angeordnet. Wie in der 4 durch die Pfeile symbolisiert, kann der Probentisch 405 in drei Raumrichtungen relativ zum Elektronenstrahl 428 des SEM 420 bewegt werden.
  • Am unteren Ende der Säule 424, an der der Elektronenstrahl 428 aus der in der Säule 424 angeordneten Elektronenoptik 426 austritt, ist in der in der 4 beispielhaft dargestellten Vorrichtung 400 ein Gitter 430 an der Säule 424 befestigt. Mit Hilfe dieses Gitters kann die Energie der Sekundärelektronen, die die Probenoberfläche 120 verlassen können, eingestellt werden.
  • Eine Spektrometer-Detektor-Kombination 440 diskriminiert die von dem Elektronenstrahl 428 an dem ersten Messpunkt 435 erzeugten Sekundärelektronen und/oder von der Probe 110 rückgestreuten Elektronen nach deren Energie und setzt diese dann in ein elektrisches Messsignal um. Das Messsignal wird dann an eine Auswerteeinheit 476 des Computersystems 470 weitergeleitet.
  • Zur Energieseparierung kann die Spektrometer-Detektor-Kombination 440 ein Filter oder ein Filtersystem enthalten, um die Elektronen in der Energie zu diskriminieren (in der 4 nicht dargestellt). In der Literatur sind mehrere Arten von Energiefiltern oder Spektrometern für Elektronen bekannt. Beispiele hierfür sind Retarding-Field-Spektrometer, ablenkende Spektrometer, die ein Magnetfeld oder ein elektrostatisches Feld verwenden, etwa in Form von zylindrischen Spiegelanalysatoren (CMA, Cylindrical Mirror Analyzer) oder zylindrischen Ablenkanalysatoren (CDA, Cylindrical Deflection Analyzer). Ferner können Vielkanal-Spektrometer eingesetzt werden, die gleichzeitig im Wesentlichen das gesamte Energiespektrum der Sekundärelektronen und/oder der rückgestreuten Elektronen bestimmen können.
  • Energie-auflösende Spektrometer können – wie die Spektrometer-Detektor-Kombination 440 – außerhalb der Säule 424 des SEM 420 angeordnet werden. Es ist aber auch möglich, ein Spektrometer und den dazugehörigen Detektor in der Säule 424 eines SEM 420 anzuordnen. In dem in der 4 dargestellten Beispiel ist ein Spektrometer 445 und ein Detektor 450 in der Säule 424 eines SEM 420 eingebaut. Das Spektrometer 445 und der Detektor 450 können zusätzlich oder alternativ zur Spektrometer-Detektor-Kombination 440 in der Vorrichtung 400 eingesetzt werden. Die Spektrometer-Detektor-Kombination 440 kann den gleichen Typ Spektrometer enthalten wie das Spektrometer 445 oder einen anderen Typ.
  • Das Diagramm 500 der 5 gibt simulierte Trajektorien eines Vielkanal-Spektrometers wieder, das in der Säule 424 außerhalb der Achse des Elektronenstrahls angeordnet ist. Die 5 wie auch die nachfolgende 6 ist dem Buch „Scanning Electron Microscope Optics and Spectrometers“ des Autors A. Khursheed entnommen. Die 6 zeigt Messungen der spektralen Energieverteilung von Sekundärelektronen als eine Funktion des Oberflächenpotentials 140, 150 einer Probenoberfläche 120, die mit Hilfe eines außerhalb der Säule angebauten Immersions-Linsen-Spektrometers aufgenommen wurden. Sowohl die Intensität als auch die energetische Lage des Peaks der Sekundärelektronen 310 ändern sich als Funktion des Oberflächenpotentials 140, 150 der Probenoberfläche 120.
  • Wieder mit Bezug auf die 4 kann die Vorrichtung 400 ferner optional einen Detektor 455 zum Nachweisen der von dem einfallenden Elektronenstrahl 428 am Messpunkt 435 erzeugten Photonen aufweisen. Der Detektor 455 kann beispielsweise das Energiespektrum der erzeugten Photonen spektral auflösen und somit Rückschlüsse auf die Zusammensetzung der Oberfläche 120 bzw. oberflächennaher Schichten der Probe 110 ermöglichen.
  • Darüber hinaus kann die Messvorrichtung 400 eine Ionenquelle 460 umfassen, die niederenergetische Ionen im Bereich des Messpunkts 435 für den Fall bereitstellt, dass die Probe 110 bzw. deren Oberfläche 120 elektrisch isolierend oder halbleitend ist und eine negative Oberflächenladung 140 aufweist. Mit Hilfe der Ionenquelle 460 kann eine negative Aufladung der Probenfläche 120 lokal und kontrolliert verringert werden.
  • Falls die Probenoberfläche 120 eine unerwünschte Verteilung positiver Oberflächenladungen aufweisen sollte, verursacht etwa durch das Handling der Probe 110, kann der Elektronenstrahl 428 benutzt werden, um die Aufladung der Probenoberfläche 120 zu verringern. Ferner kann eine Plasma-Entladung eingesetzt werden, um Oberflächenladungen 140, 150 von der Probenoberfläche 120 zu entfernen.
  • Das Computersystem 470 umfasst eine Scan-Einheit 472, die den Elektronenstrahl 428 über die Probe scannt. Die Scan-Einheit 472 steuert Ablenkelemente in der Säule 424 des SEM 420, die in der 4 nicht dargestellt sind. Ferner umfasst das Computersystem 470 eine Einstelleinheit 474, um die verschiedenen Parameter des SEM 420 einzustellen und zu kontrollieren. Von der Einstelleinheit 474 einstellbare Parameter können beispielsweise sein: die Vergrößerung, der Fokus es Elektronenstrahl 428, eine oder mehrere Einstellungen des Stigmators, die Strahlverschiebung, die Position der Elektronenquelle und/oder eine oder mehrere Blenden (in der 4 nicht dargestellt). Ferner können die Einstellungen von am SEM 420 angeschlossenen Teilchendetektoren modifiziert werden. Insbesondere ist es günstig, die Energieskala von Energie-selektiven und/oder Energie-sensitiven Detektoren anzupassen.
  • Überdies umfasst das Computersystem 470 eine Auswerteeinheit 476, die die Messsignale der Spektrometer-Detektor-Kombination 440 und/oder des Spektrometers 445 und des Detektors 450 sowie ggf. des Detektors 455 analysieren und speichern kann. Da zumindest ein Energie-Spektrometer 445 in der Vorrichtung 400 vorhanden ist, kann die Auswerteeinheit 476 die spektrale Verteilung der von dem Elektronenstrahl 428 generierten Sekundärelektronen bestimmen. Wie bereits oben erwähnt, hängt die spektrale Verteilung der Sekundärelektronen von der elektrischen Potentialverteilung der Probenoberfläche 120 ab.
  • Das Diagramm 700 der 7 veranschaulicht in den verschiedenen Teildiagrammen (A), (B) und (C) schematisch die Variation der spektralen Verteilung dN(E)/dE der erzeugten Sekundärelektronen und der rückgestreuten Elektronen in Abhängigkeit einer elektrischen Potentialverteilung. Der Typ des verwendeten Spektrometers 445 bestimmt die Art des von dem bzw. den Detektoren 440, 450 erzeugten Signals. Daraus wiederum leitet sich ab, welche Operationen an dem von dem bzw. den Detektoren 440, 450 gelieferten primären Messsignal ausgeführt werden. Falls der Detektor 440, 450 bereits die Anzahl der pro Energie-Intervall erzeugten Sekundärelektronen und rückgestreuten Elektronen, d.h. dN(E)/dE ausgibt, liefert er bereits das in der 7 dargestellte Spektrum. Falls das Spektrometer 445 ein Retarding-Field-Spektrometer ist, gibt dieses eine sogenannte S-Kurve aus, deren Ableitung die in der 7 dargestellte spektrale Verteilung ergibt. Die Ableitung der S-Kurve kann beispielsweise von der Auswerteeinheit 476 des Computersystems 470 ausgeführt werden.
  • Im oberen Teildiagramm (A) weist die Probenoberfläche 120 keine Oberflächenladungen auf, d.h. US = 0V. Ähnlich wie in der 3 weist die Ableitung der spektralen Energieverteilung im Bereich der Sekundärelektronen einen ausgeprägten Peak 710 auf. In der Nähe der kinetischen Energie der auf die Probe 110 einfallenden Elektronen 428 zeigt das Spektrum dN(E)/dE einen Peak 720 rückgestreuter Elektronen.
  • Das mittlere Teilbild (B) repräsentiert die nach der Energie abgeleitete Elektronengenerationsrate, wenn die Probenoberfläche 120 eine negative Ladungsverteilung 150 aufweist (US < 0V). Die repulsiven Kraft der Oberflächenladungen 150 ermöglichen zum einen, dass mehr Sekundärelektronen die Oberfläche verlassen können und zum anderen, dass das Spektrum der Sekundärelektronen zu einer größeren kinetischen Energie verschoben wird. Der Peak 720 des Teilbildes (A), der durch die Energie Umax gekennzeichnet ist, wird im Teilbild (B) zum verschobenen Peak 730, dessen Peak-Energie sich aus Umax und dem Oberflächenpotential US zusammensetzt. Da der auf die Probe 110 einfallende Elektronenstrahl 428 durch die repulsive Kraft der negativen Oberflächenladung 150 in etwa die Energie verliert, die die rückgestreuten Elektronen im Bereich der maximalen Energie aus dem Feld der elektrischen Potentialverteilung gewinnen, bleibt der Peak 740 gegenüber dem Peak 720 des Teilbildes (A) im Wesentlichen ohne Verschiebung.
  • Das untere Teilbild (C) des Diagramms 700 zeigt spektral aufgelöst die Größe dN(E)/dE als Funktion der Energie der generierten Elektronen, wobei die Oberfläche 120 ein positives elektrisches Potential 140 aufweist (US > 0V). Die attraktive Kraft der positiven Potentialverteilung hindert Sekundärelektronen, die eine geringere kinetische Energie als e·US mitbringen, am Verlassen der Probenoberfläche 120, wobei e die Elementarladung ist. Je nach Größe des elektrischen Potentials nimmt damit die Anzahl der zur Analyse zur Verfügung stehenden Elektronen drastisch ab. Das Bestimmen des zu niedrigeren Energien verschobenen Peaks 750 erfolgt dadurch nur indirekt und ist damit nur mit großem Fehler messbar.
  • Indem ein elektrisches Feld über der Probenoberfläche 120 erzeugt wird, kann das Spektrum der Sekundärelektronen im Teilbild (C) um einen durch das elektrische Feld definierten Betrag zu größeren Energien verschoben werden, so dass dessen Peak 750 zuverlässig detektiert werden kann. Die Auswerteeinheit 476 berücksichtigt dann numerisch den Effekt eines elektrischen Feldes. Beispielsweise kann eine Einstelleinheit 474 des Computersystems 470 durch Anlegen eines elektrischen Potentials an das Gitter 430, das am Ausgang der Säule 424 des SEM 420 angebracht ist, ein definiertes statisches elektrischen Feld über der Probenoberfläche 120 erzeugen. Bezüglich des Peaks 760 wird auf die obige Diskussion des mittleren Teilbildes (B) verwiesen.
  • In den schematischen Teilbildern (A), (B) und (C) des Diagramms 700 ist zu beachten, dass die Abszisse eine nichtlineare Skala aufweist. Ferner sind aus Übersichtlichkeitsgründen alle Peaks der Teilbilder in der Höhe normiert. Die weiteren Strukturen des Spektrums der Energieverteilung der 3 sind in dem Diagramm 700 der 7 der Übersichtlichkeit wegen unterdrückt. Diese Strukturen sind zudem normalerweise nur in hochauflösenden Spektrometern sichtbar.
  • Wie sich aus der bisherigen Diskussion des Diagramms 700 ergibt, muss zur Analyse der Verschiebung des Peaks im Spektrum dN(E)/dE nicht das gesamte Energiespektrum der erzeugten Elektronen N(E) gemessen werden. Vielmehr ist es ausreichend, das Spektrum der Sekundärelektronen N(ESE) zu untersuchen. Dies kann beispielsweise mit einem einfacheren Spektrometer 445 und/oder mit einer größeren spektralen Auflösung ausgeführt werden. Andererseits ermöglicht das zusätzliche Bestimmen des Peaks 720, 740, 760 bei der maximalen Energie rückgestreuter Elektronen Nullpunktschwankungen des Spektrometers 445 und/oder der Spektrometer-Detektor-Kombination 440 und/oder Unsicherheiten, deren Ursache im Extraktionsfeld begründet sind, zu eliminieren.
  • Die Diskussion des Diagramms 700 zeigt, insbesondere in Verbindung mit den Erläuterungen zu den 4 bis 6, dass das Spektrum der Sekundärelektronen-Verteilung gut geeignet ist, eine elektrische Potentialverteilung 140, 150 einer Probenoberfläche 120 zu detektieren. Bearbeitungsprozesse einer Probe 110 können eine elektrische Aufladung im Bereich der ersten Schwelle und darüber hinaus bewirken. Das Handling einer Probe 110 kann eine große lokale elektrische Aufladung der Probe bewirken, deren Vorzeichen positiv oder negativ sein kann, so dass der Betrag eines lokalen Potentials der Probe den Bereich von einem 1 keV erreichen kann. Prinzipiell kann ein Elektronenstrahl 175 die Probe betragsmäßig auf das Potential aufladen, das der kinetischen Energie der Elektronen des Elektronenstrahls 175 entspricht. Das Potential einer stark positiv aufgeladenen Probenoberfläche 120 wird durch das Scannen der Probe mit einem Elektronenstrahl 428 eines SEM 420 zum Bestimmen der Potentialverteilung auf eine Spannung im Bereich einiger Volt reduziert.
  • Ein Elektronenstrahl 428 selber kann, im Energiebereich in dem seine Elektronenerzeugungsrate > 1 ist – dies ist typischerweise bei einer mittleren kinetische Energie der Fall – eine positive Aufladung einer Probenoberfläche 120 im Bereich einiger Volt bewirken. Andererseits kann ein Elektronenstrahl, dessen Elektronen eine große Energie aufweisen, zu einer stark negativen Aufladung der Probenoberfläche führen, die mehrere 100 Volt betragen kann.
  • Wieder mit Bezug auf die 4 weist die Vorrichtung 400 zur Bearbeitung eines bzw. mehrerer Defekte der Oberfläche 120 der Probe 110 bevorzugt mehrere verschiedene Vorratsbehälter für verschiedene Gase oder Präkursorgase auf. In der beispielhaften Vorrichtung 400 sind zwei Vorratsbehälter dargestellt. Eine Vorrichtung 400 kann jedoch auch mehr als zwei Vorratsbehälter zum Bearbeiten einer Probe 110 aufweisen. Der erste Vorratsbehälter 452 speichert ein Präkursorgas oder ein Depositionsgas, das im Zusammenwirken mit dem Elektronenstrahl 428 des SEM 420 zum Abscheiden von Material auf der Probenoberfläche 120 und/oder eines Strukturelements 130 benutzt werden kann. Der zweite Vorratsbehälter 462 beinhaltet ein Ätzgas, mit dessen Hilfe die Probenoberfläche 120 und/oder ein Strukturelement 130 geätzt werden können.
  • Jeder Vorratsbehälter 452, 462 ist mit einem eigenen Ventil 454 bzw. 464 ausgestattet, um die Menge der pro Zeiteinheit bereitgestellten Gaspartikel oder den Gasmengenstrom am Ort des Auftreffens 435 des Elektronenstrahls 428 auf die Oberfläche 120 der Probe 110 zu kontrollieren. Außerdem haben die beiden Vorratsbehälter 452, 462, eigene Gaszuführungen 456, 466, die mit einer Düse 458, 468 nahe am Auftreffpunkt 435 des Elektronenstrahls 428 auf die Probe 110 enden. In der in der 4 dargestellten beispielhaften Vorrichtung 400 sind die Ventile 454, 464 in der Nähe der Vorratsbehälter eingebaut. In einer alternativen Ausführungsform können die Ventile 454, 464 in der Nähe der entsprechenden Düse 458 bzw. 468 angeordnet werden (in der 4 nicht gezeigt). Jeder Vorratsbehälter 452, 462 kann sein eigenes Element zur individuellen Temperatureinstellung und Kontrolle aufweisen. Die Temperatureinstellung ermöglicht sowohl eine Kühlung als auch eine Heizung für jedes Gas. Zusätzlich können die Gaszuführungen 456, 466 ebenfalls jeweils ein eigenes Element zur Einstellung und zur Überwachung der Bereitstellungstemperatur der Gase am Reaktionsort aufweisen (in der 4 ebenfalls nicht gezeigt).
  • Die Vorrichtung 400 der 4 kann ein Pumpensystem aufweisen, um das erforderliche Vakuum zu erzeugen und aufrechtzuerhalten. Das Pumpensystem ist in der 4 aus Übersichtlichkeitsgründen nicht gezeigt. Darüber hinaus kann die Vorrichtung 400 eine Absaugvorrichtung enthalten (in der 4 ebenfalls nicht dargestellt). Die Absaugvorrichtung in Kombination mit einer Pumpe oder einem Pumpensystem macht es möglich, dass die bei der Zerlegung eines Präkursorgas entstehenden Fragmente oder Bestandteile, die nicht für die lokale chemische Reaktion benötigt werden, im Wesentlichen am Ort des Entstehens aus der Vakuumkammer 402 der Vorrichtung 400 abzusaugen. Da die nicht benötigten Gasbestandteile lokal an der Stelle des Auftreffens des Elektronenstrahls 428 auf die Probe 110 aus der Vakuumkammer 402 der Vorrichtung 400 abgepumpt werden, bevor sie sich in dieser verteilen und absetzen können, wird eine Kontamination der Vakuumkammer 402 verhindert.
  • Zur Initialisierung einer Ätzreaktion oder eines Abscheideprozesses wird in der beispielhaften Vorrichtung 400 der 4 vorzugsweise ausschließlich ein fokussierter Elektronenstrahl 428 verwendet.
  • Anhand des Diagramms 800 der 8 wird nun das Bearbeiten der Probe 110 anhand eines Ätzprozesses beschrieben, wobei die Probleme einer in dem Bearbeitungsbereich vorhandenen Potentialverteilung bei dem Ätzprozess berücksichtigt werden. Die 8 zeigt im oberen Teilbild einen Ausschnitt 810 der Oberfläche 120 der Probe 110. Die Probe 110 kann mit dem Ausschnitt der Probe 110 der 1 übereinstimmen. Das Strukturelement 130 weist einen Defekt 840 auf, der durch überschüssiges Absorbermaterial verursacht wird. Dieses überschüssige Material und damit der Defekt 840 sollen mit einem Elektronenstrahl-induzierten Ätzprozess entfernt werden. Dazu wird die Probenoberfläche in einem zweiten Teilbereich 830 mit Hilfe eines Elektronenstrahls 428 und eines Ätzgases bearbeitet. Der zweite Teilbereich 830 stellt somit der Bearbeitungsfläche für die Defektkorrektur dar. Um sicherzustellen, dass der Bearbeitungsprozess nicht durch elektrische Potentialspitzen in der Nähe der Bearbeitungsfläche gestört wird, wird der erste Teilbereich 820, der den zweiten Teilbereich 830 enthält, mit einem Elektronenstrahl 428 gerastert oder gescannt.
  • Aus den Daten, die während des Scans aufgenommen werden, d.h. den Scan-Daten wird zum einen die Position und die Größe des Defekts 840 auf der Probenoberfläche 120 ermittelt. Wie im Kontext der 7 diskutiert, kann aus den Scan-Daten des Elektronenstrahls 428 über den Ausschnitt 810 oder den ersten Teilbereich 820 die lokale Verteilung der Oberflächenladungen ermittelt werden. Das mittlere Teilbild des Diagramms 800 zeigt schematisch eine Aufsicht auf die zweidimensionale (2D) Verteilung der Oberflächenladungen 850 oder die 2D elektrische Potentialverteilung 850.
  • Das untere Teilbild des Diagramms 800 zeigt die entlang der Schnittlinien 860 und 865 gemessene eindimensionale (1D) Potentialverteilungen 870 bzw. 875. In dem in der 8 dargestellten Beispiel weist das elektrische Potential innerhalb des Strukturelements 130 und des Defekts 840 durchgehend einen niedrigen positiven Zahlenwert UMIN860,865 im Bereich einiger Elektronenvolt auf, der zudem über das Strukturelement 130 und den Defekt 840 hinweg konstant ist. Zum Anwenden der hier beschriebenen Verfahren ist dies jedoch keine Voraussetzung. Zum rechten Rand des ersten 820 und zweiten Teilbereichs 830 wächst die Dichte der Oberflächenladungen 850. Das 1D Potential 870 der entlang der Schnittlinie 860 weist ein Maximum in der Nähe des rechten Rands des ersten Teilbereichs 820 auf (UMAX860). Die 1D elektrische Potentialverteilung 870 hat ein erstes Maximum UMAX875,1 am rechten Rand des zweiten Teilbereichs 830 und ein zweites größeres Maximum UMAX875,2 am rechten Rand des ersten Teilbereichs 820. In dem in der 8 dargestellten Beispiel weist die Oberflächendichte der Ladungen 850 in den Randbereichen des ersten Teilbereich keine Potentialspitzen auf, die eine Bildauswertung der Scan-Daten in dem zweiten Teilbereich 830 über Gebühr beeinträchtigen und/oder eine Bearbeitung des Defekts 840 in dem zweiten Teilbereich behindern.
  • Aus den Scan-Daten des ersten Teilbereichs 820 kann ein SEM-Bild des Defekts 840 und seiner Umgebung erstellt werden und auf dem Display 480 zur Anzeige gebracht werden. Das SEM-Bild kann den ersten Teilbereich 820 oder nur den kleineren zweiten Teilbereich umfassen. Welche Darstellung günstiger ist, wird dies durch die Art der Potentialverteilung 850 im ersten Teilbereich 820 bestimmt. Falls die ermittelte Potentialverteilung 850 keine Anzeichen ergibt, dass der Randbereich des ersten Teilbereichs 820 in dem erzeugten SEM-Bild keine signifikanten Artefakte enthält, kann der gesamte erste Teilbereich 820 auf dem Display 480 angezeigt werden. Andernfalls wird die Bildanzeige auf den zweiten Teilbereich 830 beschränkt. Wie bereits erwähnt, erfolgt eine Bildbearbeitung typischerweise in dem zweiten Teilbereich 830.
  • Auf der Basis der ebenfalls aus den Scan-Daten bestimmten elektrischen Potentialverteilung 850 können die Scan-Daten korrigiert werden und damit ein SEM-Bild generiert werden, das die von der elektrischen Potentialverteilung 860, 870 hervorgerufenen Artefakte des SEM-Bildes zumindest zum Teil beseitigt.
  • Zum Korrigieren der Scan-Daten aufgrund der elektrischen Potentialverteilung 850 können verschieden Verfahren benutzt werden. Zum einen ist es möglich, einen 2D Mittelwert der Potentialverteilung 850 innerhalb des zweiten Teilbereichs 830 zur Korrektur zugrunde zu legen. Die Gewichtung der Ladungsverteilung in den verschiedenen Bereichen (d.h. des Strukturelements 130, des Defekts 840 und der Oberfläche 120) innerhalb des ersten 820 und/oder des zweiten Teilbereichs 830 kann frei gewählt werden. Es ist auch möglich, Mittelwerte über Teilflächen des zweiten Teilbereichs 830 zu bilden und diese für die Korrektur einzusetzen. Beispielsweise könnten für 5×5 oder 10×10 Pixel ein Mittelwert für das elektrische Potential 850 gebildet werden. Schließlich erlaubt das diskutierte Verfahren für jedes Pixel des ersten 820 und/oder zweiten Teilbereichs 830 einen eigenen Potentialwert zu bestimmen, der zum Korrigieren der Scan-Daten verwendet wird.
  • Die ermittelten Korrekturwerte können in einem Speicher des Computersystems 470 abgelegt werden. Die ermittelte Potentialverteilung 850 kann auch auf dem Display 480 des Computersystems 470 dargestellt werden. Auf der Basis der dargestellten Potentialverteilung 850 des zweiten Teilbereichs 830 des Ausschnitts 810 kann festgelegt werden, welches Verfahren zum Ermitteln der Korrekturwerte für die Scan-Daten am besten geeignet ist.
  • Wie bereits oben ausgeführt, kann neben der Potentialverteilung 850 aus den Scan-Daten, die beim Rastern des zweiten Teilbereichs 830 aufgenommen wurden, ein SEM-Bild erzeugt und in dem Display 480 angezeigt werden. Diese Ausführungsform ist bevorzugt, reicht doch ein Scan des ersten Teilbereichs 820 aus, um Bilddaten und gleichzeitig Korrekturdaten zu generieren. In einer alternativen Ausführungsform kann jeweils ein eigener Scan durchgeführt, um zum einen Bilddaten und zum anderen eine Potentialverteilung 850 in dem ersten Teilbereich 820 aufzunehmen. Die für die Potentialverteilung 850 bestimmten Korrekturwerte können eingesetzt werden, um die Artefakte des SEM-Bildes zumindest zum Teil zu korrigieren. Durch das korrigierte oder verbesserte SEM-Bild werden die Position und die Größe des Defekts 840 bestmöglich bestimmt.
  • Auf der Basis des korrigierten SEM-Bildes des Defekts 840 kann dieser mit Hilfe des Elektronenstrahls 428 und dem Bereitstellen eines Ätzgases 462 am Auftreffpunkt 435 des Elektronenstrahls durch Ätzen beseitigt werden. Für den Ätzprozess werden dabei die Parameter des SEM 420 so eingestellt, dass trotz der geladenen Oberfläche 120 im zweiten Teilbereich 830, in dem der Elektronenstrahl 428 während des Ätzprozesses gescannt wird, die Elektronen auch tatsächlich an den dafür vorgesehenen Position mit der vorgesehenen Energie auf der Probenoberfläche 120 auftreffen. Bei Bedarf wird der Ätzprozess unterbrochen und die aktuelle Potentialverteilung 850 wird in dem zweiten Teilbereich 830 erneut ermittelt. Falls sich die elektrische Potentialverteilung 850 wesentlich geändert hat, werden die Parameter des SEM 420 nachjustiert, so dass wieder ein optimierter Elektronenstrahl 428 für den weiteren Ätzprozess zur Verfügung steht. Zum Bestimmen der aktuellen Potentialverteilung 850 der Probenoberfläche 120 muss der Ätzvorgang nicht eigens unterbrochen werden. Vielmehr kann das Potential der Oberflächenladungen 850 bestimmt werden, wenn der Elektronenstrahl 428 ohne Ätzgas 462 über den zweiten Teilbereich 830 gerastert wird, um den Fortschritt bei der Beseitigung des Defekts 840 zu kontrollieren. In einer alternativen Ausführungsform kann das Potential der Oberflächenladungen 850 während des laufenden Ätzprozesses ermittelt werden, d.h. ohne Abschalten des Ätzgases 462.
  • Zum Korrigieren eines SEM-Bildes beinhaltet die Auswerteeinheit 476 einen oder mehrere Algorithmen, die dafür ausgelegt sind, aus den Messsignalen bzw. den Scan-Daten der Spektrometer-Detektor-Kombination 440 und/oder aus dem Spektrometer 445 und dem Detektor 450 Bilddaten zu erzeugen. Überdies korrigiert die Auswerteeinheit 476 in einem Nachbearbeitungsprozess die Bilddaten mit den Korrekturwerten für die Potentialverteilung 860, 870 und korrigiert so Artefakte der Bilddaten, die die Oberflächenladungen 140, 150, 850 hervorrufen. Beispielsweise kann bei bekannter Verteilung des elektrischen Potentials auf der Probenoberfläche 120 für jeden Bildpunkt eine Trajektorie der Elektronen simuliert werden und deren Auftreffpunkt auf die Probenoberfläche 120 kann berechnet werden. Damit kann eine 2D Karte von Verschiebungsvektoren erstellt werden, die benutzt werden kann, ein korrigiertes SEM Bild zu berechnen.
  • Die 9 repräsentiert ein Beispiel einer Kalibrierungskurve, die die Veränderung der kritischen Abmessung oder CD (Critical Dimension) als Funktion des elektrischen Potentials 140, 150, 850 der Probenoberfläche 120 beschreibt. Mit Hilfe dieser Kurve können in einfacher Weise CD-Werte korrigiert werden, wenn die Potentialverteilung bei der Aufnahme der Scan-Daten bekannt ist.
  • Nochmals mit Bezug auf die 4 kann das Computersystem 470 in die Vorrichtung 400 integriert sein oder es kann als ein eigenes Gerät ausgebildet sein. Das Computersystem 470 kann in Hardware, Software, Firmware oder einer Kombination ausgeführt werden.
  • Die Vorrichtung 1000 der 10 veranschaulicht eine Kombination der Vorrichtung 400 der 4 in die zusätzlich ein Rasterkraftmikroskop (AFM) 1060 integriert ist. Das AFM 1060 ist an dieser Stelle beispielhaft für ein beliebiges Rastersondenmikroskop zu sehen und dient lediglich zur Illustration der Messprinzipien. Die Vorrichtung 400 ist bei der Beschreibung der 4 ausführlich behandelt worden. Auf diese Diskussion wird an dieser Stelle verwiesen. Als Beispiel eines Rastersondenmikroskops ist anhand der 2 ein AFM 250 beschrieben.
  • Mit der Halterung 1068 ist das AFM 1060 an der Vorrichtung 1000 befestigt. Das obere Ende des Piezo-Aktuators 1066 des AFM 1060 ist mit der Halterung 1068 verbunden.
  • Das andere Ende des Piezoaktuators 1066 trägt die Sonde 1070 des AFM 1060. Die Sonde 1070 umfasst einen Hebelarm 1064 oder Cantilever 1064 und eine Messspitze 1062, die der Cantilever 1064 an seinem freien Ende hält. Die Messspitze 1062 tritt an dem Messpunkt 1075 mit der Probe 110 bzw. deren Oberfläche 120 in Wechselwirkung. Das AFM 1060 wird von dem Computersystem 470 gesteuert bzw. kontrolliert.
  • Durch den Piezo-Aktuator 1066 ist die Sonde des AFM 1060 normalerweise potentialmäßig von der Halterung 1068 getrennt. Falls dies nicht der Fall sein sollte, wird eine elektrische Isolationsschicht zwischen dem Piezo-Aktuator 1066 und der Sonde 1070 und/oder zwischen dem Piezo-Aktuator 1066 und der Halterung 1068 eingefügt. Eine Zuleitung wird in dem Piezo-Aktuator 1066 von der Sonde 1070 über die Halterung 1068 an eine Spannungsquelle geführt; weder die Zuleitung noch die Spannungsquelle sind in der 10 dargestellt. Damit wird es möglich, den Cantilever 1064 und die Messspitze 1062 auf eine bezüglich des Erdpotentials definierte Spannung zu bringen und somit an die Potentialverteilung 850 der Probenoberfläche 120 anzupassen.
  • Um unkontrollierte Spannungsüberschläge 280 zwischen der Messspitze 1062 und der Probenoberfläche 120 zu vermeiden, scannt der Elektronenstrahl 428 des SEM 420 einen ersten Teilbereich 820 der Probenoberfläche 120. Aus den dabei gewonnenen Scan-Daten erzeugt das Computersystem 470, wie oben beschrieben, ein SEM-Bild und eine elektrische Potentialverteilung 850. Wie oben ausgeführt, kann aus der Potentialverteilung 850 auf verschiedene Arten ein globaler Mittelwert, d.h. ein Mittelwert für den gesamten zweiten Teilbereich 830 gebildet werden. Beim Scannen der Messspitze 1062 über den zweiten Teilbereich 830 wird deren Potential auf den globalen oder auf die jeweiligen lokalen Mittelwerte angepasst. Alternativ können aus der Potentialverteilung 850 verschiedene lokale Mittelwerte bestimmt werden und das Potential der Messspitze 1062 kann an den gerade gescannten Teil des zweiten Teilbereichs 830 adaptiert werden. Zudem ist es möglich, jedes Pixel der 2D Potentialverteilung 850 nach einer entsprechenden Transformation in das Koordinatensystem des AFM-Scans zur Verringerung einer Spannung zwischen der lokalen Probenoberfläche 120 und der Messspitze 1062 des AFM 1060 einzusetzen.
  • Falls die Potentialverteilung 850 betragsmäßig so große Zahlenwerte aufweist, dass eine Anpassung des Potentials an diese Potentialwerte nicht ohne eine Gefahr der Beschädigung oder gar der Zerstörung der Sonde 1070 möglich ist, wird der Betrag die Potentialverteilung 850 beispielsweise durch Bestrahlen mit geladenen Teilchen verringert. Daran anschließend wird mit dem Elektronenstrahl 428, wie oben ausgeführt, erneut die Potentialverteilung 850 in dem zweiten Teilbereich 830 gemessen. Wenn die Potentialverteilung nun einen für die Messspitze 1062 ungefährlichen Betrag aufweist, wird der zweite Teilbereich 830 von der Messspitze 1062 des AFM 1060, wie oben beschrieben, gescannt.
  • Das Flussdiagramm 1100 der 11 repräsentiert Schritte des Verfahrens zum Untersuchen einer Probenoberfläche 120 mit einer Sonde 1070 eines Rastersondenmikroskops 1060. Das Verfahren beginnt bei Schritt 1110. Im ersten Schritt 1120 wird eine elektrische Potentialverteilung 850 in einem ersten Teilbereich 830 einer Probenoberfläche 120 bestimmt. Im zweiten Schritt 1130 wird die bestimmte Potentialverteilung 850 im ersten Teilbereich 820 der Probenoberfläche 120 modifiziert und/oder das elektrische Potential der Sonde 1070 des Rastersondenmikroskops 1060 wird modifiziert. Schließlich wird im dritten Schritt 1140 ein zweiter Teilbereich 830 der Probenoberfläche 120 mit der Sonde 1070 des Rastersondenmikroskops 1060 gescannt. Das Verfahren endet mit Schritt 1150.
  • Das Flussdiagramm 1200 der 12 illustriert das Verfahren zum Untersuchen einer Probenoberfläche 120 mit einer Sonde 1070 eines Rastersondenmikroskops 1060 in einem größeren Detaillierungsgrad. Das Verfahren beginnt bei Schritt 1210. Während des ersten Schrittes 1220 wird eine elektrische Potentialverteilung 850 in einem ersten Teilbereich 830 einer Probenoberfläche 120 bestimmt. Sodann wird bei Entscheidungsblock 1230 analysiert, ob die Potentialverteilung 850 eine vorgegebene zweite Schwelle übersteigt. Falls dies zutrifft, wird bei Schritt 1240 die elektrische Potentialverteilung modifiziert. Daran anschließend wird erneut bei Entscheidungsblock 1230 überprüft, ob der Betrag der modifizierten Potentialverteilung noch immer größer als die zweite Schwelle ist. Falls die modifizierte Potentialverteilung unterhalb der zweiten Schwelle bleibt, schreitet das Verfahren zu Entscheidungsblock 1250 fort, bei dem untersucht wird, ob die modifizierte Potentialverteilung größer als ein ersten Schwellenwert ist. Falls dies zutrifft, wird bei Schritt 1260 die Potentialverteilung im ersten Teilbereich 820 der Probenoberfläche 120 modifiziert und/oder das elektrische Potential der Sonde 1070 des Rastersondenmikroskops 1060 wird modifiziert. Anschließend wird bei Schritt 1270 ein zweiter Teilbereich 830 der Probenoberfläche 120 mit der Sonde 1070 des Rastersondenmikroskops 1060 gescannt. Falls bei Entscheidungsblock 1250 festgestellt wird, dass die Potentialverteilung kleiner als der ersten Schwellenwert ist, fährt das Verfahren mit dem Schritt 1270 fort und rastert den zweiten Teilbereich 830 der Probenoberfläche 120 mit der Sonde 1070 des Rastersondenmikroskops 1060. Das Verfahren endet mit Schritt 1280.
  • Schließlich fasst das Flussdiagramm 1300 der 13 nochmals die Schritte des beschriebenen Verfahrens zum Untersuchen einer Probenoberfläche 120 mit einem geladenen Teilchenstrahl 428 eines Rasterteilchenmikroskops 420 zusammen. Das Verfahren beginnt bei Schritt 1310. Im nächsten Schritt 1320 erfolgt das Bestimmen einer elektrischen Potentialverteilung 850 eines ersten Teilbereichs 820 der Probenoberfläche 120. Das Verfahren verzweigt dann. Es kann im Schritt 1330 das Korrigieren von einer oder mehreren Einstellungen eines Rasterteilchenmikroskops 420 auf der Basis der bestimmten Potentialverteilung 850 ausführen zum Bearbeiten eines zweiten Teilbereichs 830 der Probenoberfläche 120. Das Verfahren kann dann bei Schritt 1340 enden. Von Schritt 1330 kann das Verfahren auch zu Schritt 1350 fortschreiten, indem ein erster Teilbereich 820 der Probenoberfläche 120 mit dem geladenen Teilchenstrahl 428 des Rasterteilchenmikroskops gescannt wird. Im Schritt 1360 erfolgt sodann das Korrigieren eines aus den Scan-Daten des zweiten Teilbereichs 830 erzeugten Rasterteilchenmikrokop-Bildes mittels der bestimmten Potentialverteilung 850. Das Verfahren endet anschließend bei Schritt 1370. Zudem ist es möglich, dass das Verfahren nach Ausführen des Schrittes 1320 zu Schritt 1350 fortschreitet, ohne Schritt 1330 auszuführen. In dieser Ausführungsform endet das Verfahren wiederum bei Schritt 1370 nach Ausführen des Schritts 1360.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 5736863 [0011]
    • US 2002/0070340 A1 [0012]
    • US 6507474 B1 [0013]
    • US 2004/0051040 A1 [0014]
    • US 2002/0211899 A [0016]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • K.M. Satyalakshmi et al. berichten in dem Artikel „Charge induced pattern distortion in low energy electron beam lithography“, J. Vac. Sci. Technol. B. 18(6), Nov/Dez. 2000, S. 3122–3125 [0010]

Claims (26)

  1. Verfahren zum Untersuchen einer Probenoberfläche (120) mit einer Sonde (1070) eines Rastersondenmikroskops (1060), wobei die Probenoberfläche (120) eine elektrische Potentialverteilung (850) aufweist, das Verfahren die Schritte aufweisend: a. Bestimmen der elektrischen Potentialverteilung (850) zumindest eines ersten Teilbereichs (820) der Probenoberfläche (120); und b. Modifizieren der elektrischen Potentialverteilung (850) in dem zumindest einen ersten Teilbereich (830) der Probenoberfläche (120) und/oder Modifizieren eines elektrischen Potentials der Sonde (1070) des Rastersondenmikroskops (1060) vor einem Scannen zumindest eines zweiten Teilbereichs (830) der Probenoberfläche (120).
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt b. ausgeführt wird, wenn ein Betrag der elektrischen Potentialverteilung (850) in dem zumindest einen ersten Teilbereich (830) der Probenoberfläche (120) eine erste Schwelle übersteigt.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, ferner den Schritt aufweisend: Scannen des zumindest einen zweiten Teilbereichs (830) der Probenoberfläche (120) mit der Sonde (1070) des Rastersondenmikroskops (1060), wenn ein Betrag der elektrischen Potentialverteilung (850) in dem zumindest einen ersten Teilbereich (820) der Probenoberfläche (120) kleiner oder gleich der ersten Schwelle ist.
  4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Modifizieren des elektrischen Potentials der Sonde (1070) des Rastersondenmikroskops (1060) das Anlegen einer Spannung an die Sonde (1060) umfasst, die im Wesentlichen der bestimmten elektrischen Potentialverteilung (850) in dem zumindest einen zweiten Teilbereich (830) der Probenoberfläche (120) entspricht.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Modifizieren der elektrischen Potentialverteilung (850) in dem zumindest einen ersten Teilbereich (820) der Probenoberfläche (120) das Bestrahlen der Probenoberfläche (120) mit einem geladenen Teilchenstrahl umfasst.
  6. Verfahren nach einem vorhergehenden Ansprüche, wobei das Modifizieren der elektrischen Potentialverteilung (850) das Anwenden einer Plasma-Entladung auf zumindest den ersten Teilbereich (830) der Probenoberfläche (120) umfasst.
  7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, ferner den Schritt umfassend: Festlegen einer Bestrahlungsdosis des geladenen Teilchenstrahls und/oder Festlegen einer Zeitdauer der Plasma-Entladung in Abhängigkeit der bestimmten elektrischen Potentialverteilung des zumindest einen ersten Teilbereichs.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner den Schritt umfassend: Modifizieren der elektrischen Potentialverteilung (850) in dem zumindest einen ersten Teilbereich (820) der Probenoberfläche (120), wenn der Betrag der bestimmten elektrischen Potentialverteilung (850) des zumindest einen ersten Teilbereichs (820) eine zweite Schwelle übersteigt, die größer als die erste Schwelle ist.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, ferner die Schritte umfassend: a. Erneutes Bestimmen der elektrischen Potentialverteilung (850) zumindest in dem ersten Teilbereich (820) der Probenoberfläche (120); und b. Scannen des zumindest einen zweiten Teilbereichs (830) der Probenoberfläche (120) mit der Sonde (1070) des Rastersondenmikroskops (1060), wenn der Betrag der elektrischen Potentialverteilung (850) in dem zumindest einen ersten Teilbereich (820) kleiner oder gleich der ersten Schwelle ist; oder c. Erneutes Modifizieren der elektrischen Potentialverteilung (850) in dem zumindest einen zweiten Teilbereich (830) der Probenoberfläche (120) und/oder Modifizieren des elektrischen Potentials der Sonde (1070) vor dem Scannen des zumindest einen zweiten Teilbereichs (830), wenn der Betrag der elektrischen Potentialverteilung (850) in dem zumindest einen ersten Teilbereich (820) der Probenoberfläche (120) die erste Schwelle übersteigt und kleiner als die zweite Schwelle ist.
  10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der zumindest eine erste Teilbereich (820) der Probenoberfläche (120) den zumindest einen zweiten Teilbereich (830) der Probenoberfläche (120) umfasst.
  11. Verfahren zum Untersuchen einer Probenoberfläche (120) mit einem geladenen Teilchenstrahl (428) eines Rasterteilchenmikroskops (420), wobei die Probenoberfläche (120) eine elektrische Potentialverteilung (850) aufweist, das Verfahren die Schritte aufweisend: a. Bestimmen der elektrischen Potentialverteilung (850) zumindest eines ersten Teilbereichs (820) der Probenoberfläche (120); b. Korrigieren zumindest einer Einstellung des Rasterteilchenmikroskops (420) aufgrund der in Schritt a. bestimmten Potentialverteilung (850) zum Bearbeiten zumindest eines zweiten Teilbereichs (830) der Probenoberfläche (120) mit dem geladenen Teilchenstrahl (428); und/oder c. Scannen zumindest eines ersten Teilbereichs (820) der Probenoberfläche (120) mit dem geladenen Teilchenstrahl (428) des Rasterteilchenmikroskops (420); und d. Korrigieren eines aus den Scan-Daten des zumindest einen zweiten Teilbereichs (830) erzeugten Rasterteilchenmikroskop-Bildes mittels der in Schritt a. bestimmten Potentialverteilung (850).
  12. Verfahren nach Anspruch 11, ferner den Schritt aufweisend: Bestimmen der elektrischen Potentialverteilung (850) aus den in Schritt c. erzeugten Scan-Daten.
  13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, wobei die zumindest eine Einstellung des Rasterteilchenmikroskops (420) umfasst: Ändern einer Vergrößerung, Ändern eines Fokus, Ändern eines Stigmators, Ändern einer Beschleunigungsspannung, Ändern einer Strahlverschiebung, Justieren einer Position der Teilchenquelle des Rasterteilchenmikroskops (420), und/oder Ändern einer Blende.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11–13, wobei das Bearbeiten des zumindest einen zweiten Teilbereichs (830) der Probenoberfläche (120) umfasst: Bereitstellen zumindest eines Ätzgases (462) und/oder zumindest eines Präkursor-Gases (452) zum Abscheiden von Material in dem zumindest einen zweiten Teilbereich (830) der Probenoberfläche (120).
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 11–14, ferner den Schritt aufweisend: Pixelweises Korrigieren des Rasterteilchenmikroskop-Bildes in Schritt d. und/oder Pixelweises Korrigieren der zumindest einen Einstellung des Rasterteilchenmikroskops (420) in Schritt b.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 11–15, wobei das Korrigieren eines aus den Scan-Daten erzeugten Rasterteilchenmikroskop-Bildes in Schritt d. das Korrigieren einer kritischen Abmessung und/oder eines Platzierungsfehlers eines Strukturelements (130) einer Photomaske, eines Strukturelements (130) eines auf einem Wafer angeordneten Photolacks und/oder eines Strukturelements (130) eines Bauelements auf einem Wafer umfasst.
  17. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Bestimmen der elektrischen Potentialverteilung (850) des zumindest einen ersten Teilbereichs (820) der Probenoberfläche (120) das Analysieren einer Energieverteilung von Sekundärelektronen mittels eines Spektrometers (445) des zumindest einen ersten Teilbereichs (820) der Probenoberfläche (120) umfasst, wobei die Sekundärelektronen beim Scannen des zumindest einen ersten Teilbereichs (820) der Probenoberfläche (120) mit einem Teilchenstrahl (428) eines Rasterteilchenmikroskops (420) erzeugt werden.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, wobei das Bestimmen der elektrischen Potentialverteilung (850) des zumindest einen ersten Teilbereichs (820) der Probenoberfläche (120) das Bestimmen einer Verschiebung der Energieverteilung der Sekundärelektronen umfasst.
  19. Verfahren nach Anspruch 18, wobei das Bestimmen der Verschiebung der Energieverteilung der Sekundärelektronen bezüglich einer Probenoberfläche (120) erfolgt, die im Wesentlichen kein elektrisches Potential aufweist.
  20. Verfahren nach Anspruch 18 oder 19, wobei das Bestimmen der Verschiebung der Verteilung der Sekundärelektronen das Anlegen eines elektrischen Feldes über den zumindest einen ersten Teilbereich (820) der Probenoberfläche (120) umfasst.
  21. Verfahren nach einem der Ansprüche 17–20, wobei das Bestimmen der elektrischen Potentialverteilung (850) des zumindest einen ersten Teilbereichs (820) der Probenoberfläche (120) das Bestimmen eines Maximums der Energieverteilung rückgestreuter Elektronen in dem zumindest einen ersten Teilbereich (820) der Probenoberfläche (120) umfasst, wobei die rückgestreuten Elektronen beim Scannen des zumindest einen ersten Teilbereichs (820) der Probenoberfläche (120) erzeugt werden.
  22. Vorrichtung (1000) zum Untersuchen einer Probenoberfläche (120) mit einer Sonde (1070) eines Rastersondenmikroskops (1060), wobei die Probenoberfläche (120) eine elektrische Potentialverteilung (850) aufweist, die Vorrichtung (1000) umfassend: a. Mittel zum Bestimmen der elektrischen Potentialverteilung (850) zumindest eines ersten Teilbereichs (820) der Probenoberfläche (120); und b. Mittel zum Modifizieren der elektrischen Potentialverteilung (850) des zumindest einen ersten Teilbereichs (820) der Probenoberfläche (120) und/oder Mittel zum Modifizieren eines elektrischen Potentials der Sonde (1070) des Rastersondenmikroskops (1060) vor einem Scannen zumindest eines zweiten Teilbereichs (830) der Probenoberfläche (120), wenn ein Betrag der elektrischen Potentialverteilung (850) in dem zumindest einen ersten Teilbereich (830) der Probenoberfläche (120) eine erste Schwelle übersteigt.
  23. Vorrichtung (1000) nach Anspruch 22, wobei die Vorrichtung (1000) ausgebildet ist, die Verfahrensschritte nach einem der Ansprüche 1–10 und 17–21 auszuführen.
  24. Vorrichtung (400) zum Untersuchen einer Probenoberfläche (120) mit einem geladenen Teilchenstrahl (428) eines Rasterteilchenmikroskops (420), wobei die Probenoberfläche (120) eine elektrische Potentialverteilung (850) aufweist, aufweisend: a. Mittel zum Bestimmen der elektrischen Potentialverteilung (850) zumindest eines ersten Teilbereichs (820) der Probenoberfläche (120); b. Mittel zum Korrigieren zumindest einer Einstellung des Rasterteilchenmikroskops (420) aufgrund der bestimmten Potentialverteilung (850) zum Bearbeiten zumindest eines zweiten Teilbereichs (830) der Probenoberfläche (120) mit dem geladenen Teilchenstrahl (428); und/oder c. Mittel zum Scannen des zumindest einen ersten Teilbereichs (850) der Probenoberfläche (120) mit dem geladenen Teilchenstrahl (428) des Rasterteilchenmikroskops (420); und d. Mittel zum Korrigieren eines aus den Scan-Daten des zumindest einen zweiten Teilbereichs (830) erzeugten Rasterteilchenmikroskop-Bildes mittels der bestimmten Potentialverteilung (850).
  25. Vorrichtung (400) nach Anspruch 24, wobei die Vorrichtung (400) ausgebildet ist die Verfahrensschritte nach einem der Ansprüche 11–21 auszuführen.
  26. Vorrichtung (400) nach Anspruch 24 oder 25, wobei die Vorrichtung (400) zumindest ein Spektrometer (445) umfasst.
DE102015216673.2A 2015-09-01 2015-09-01 Verfahren und Vorrichtungen zum Untersuchen einer elektrisch geladenen Probenoberfläche Pending DE102015216673A1 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015216673.2A DE102015216673A1 (de) 2015-09-01 2015-09-01 Verfahren und Vorrichtungen zum Untersuchen einer elektrisch geladenen Probenoberfläche
TW105127857A TWI631343B (zh) 2015-09-01 2016-08-30 檢測帶電荷試件表面的方法及裝置
KR1020160111887A KR101858351B1 (ko) 2015-09-01 2016-08-31 전기적으로 하전된 표본 표면을 검사하기 위한 방법 및 장치
US15/253,795 US10068747B2 (en) 2015-09-01 2016-08-31 Methods and devices for examining an electrically charged specimen surface
JP2016170510A JP6523228B2 (ja) 2015-09-01 2016-09-01 荷電試料面を検査する方法及びデバイス
US16/106,083 US11170970B2 (en) 2015-09-01 2018-08-21 Methods and devices for examining an electrically charged specimen surface

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015216673.2A DE102015216673A1 (de) 2015-09-01 2015-09-01 Verfahren und Vorrichtungen zum Untersuchen einer elektrisch geladenen Probenoberfläche

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102015216673A1 true DE102015216673A1 (de) 2017-03-02

Family

ID=58011615

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102015216673.2A Pending DE102015216673A1 (de) 2015-09-01 2015-09-01 Verfahren und Vorrichtungen zum Untersuchen einer elektrisch geladenen Probenoberfläche

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10068747B2 (de)
JP (1) JP6523228B2 (de)
KR (1) KR101858351B1 (de)
DE (1) DE102015216673A1 (de)
TW (1) TWI631343B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020114533A1 (de) * 2018-12-07 2020-06-11 Forschungszentrum Jülich GmbH Verfahren zur elektrischen untersuchung von elektronischen bauelementen eines integrierten schaltkreises

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015216673A1 (de) 2015-09-01 2017-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtungen zum Untersuchen einer elektrisch geladenen Probenoberfläche
DE102017211957A1 (de) * 2017-07-12 2019-01-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Untersuchen einer Messspitze eines Rastersondenmikroskops
KR102512164B1 (ko) * 2017-07-21 2023-03-21 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 포토리소그래피 마스크의 과잉 재료의 폐기를 위한 방법 및 장치
CN108445310B (zh) * 2018-06-05 2023-10-27 沈阳工业大学 一种聚合物表面电荷与陷阱能级特性测量装置及方法
JP6808700B2 (ja) * 2018-10-05 2021-01-06 日本電子株式会社 元素マップの生成方法および表面分析装置
US20220246394A1 (en) * 2019-05-08 2022-08-04 Hitachi High-Tech Corporation Charged Particle Beam System and Method For Determining Observation Conditions in Charged Particle Beam Device
JP7149906B2 (ja) * 2019-08-07 2022-10-07 株式会社日立ハイテク 走査電子顕微鏡及びパタン計測方法
JP7237769B2 (ja) * 2019-08-08 2023-03-13 株式会社日立ハイテク 荷電粒子線装置
JP7008671B2 (ja) * 2019-09-13 2022-01-25 日本電子株式会社 荷電粒子線装置および分析方法
KR102122295B1 (ko) 2019-09-16 2020-06-12 김천재 교반기구를 갖는 농약분무기구
WO2022070258A1 (ja) * 2020-09-29 2022-04-07 株式会社日立ハイテク 半導体検査装置および半導体試料の検査方法
US20220238390A1 (en) * 2021-01-28 2022-07-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Manufacturing process with atomic level inspection
CN113358056B (zh) * 2021-05-31 2023-06-27 深圳中科飞测科技股份有限公司 工件表面形貌的扫描方法、扫描系统及存储介质

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19532838A1 (de) * 1995-08-28 1997-03-06 Heinz Dr Sturm Vorrichtung und Verfahren in der kontaktfreien Kraftwechselwirkungs-Mikroskopie zur Kompensation elektrischer Aufladungen und Messung der Höhe und Polarität dieser Aufladungen mit hoher Genauigkeit
US5736863A (en) 1996-06-19 1998-04-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Abatement of electron beam charging distortion during dimensional measurements of integrated circuit patterns with scanning electron microscopy by the utilization of specially designed test structures
US20020070340A1 (en) 2000-05-15 2002-06-13 Lee Veneklasen Apparatus for inspection of semiconductor wafers and masks using a low energy electron microscope with two illuminating beams
US6507474B1 (en) 2000-06-19 2003-01-14 Advanced Micro Devices, Inc. Using localized ionizer to reduce electrostatic charge from wafer and mask
US20040051040A1 (en) 2001-08-29 2004-03-18 Osamu Nasu Method for measuring dimensions of sample and scanning electron microscope
US6946656B2 (en) * 2001-07-12 2005-09-20 Hitachi, Ltd. Sample electrification measurement method and charged particle beam apparatus
US7745782B2 (en) * 2007-02-28 2010-06-29 Hitachi High-Technologies Corporation Electrostatic charge measurement method, focus adjustment method, and scanning electron microscope
US20110057101A1 (en) * 2006-03-23 2011-03-10 Hitachi High-Technologies Corporation Charged particle beam system
DE112012002811T5 (de) * 2011-08-03 2014-07-10 Hitachi High-Technologies Corp. Ladungsteilchenstrahlvorrichtung
US20140366228A1 (en) * 2012-01-31 2014-12-11 The University Of Utah Research Foundation Method for height control for single electron tunneling force spectroscopy and dynamic tunneling force microscopy

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0469314A3 (en) * 1990-07-31 1992-06-03 Siemens Aktiengesellschaft Method for neutralizing electric charges built up on a specimen in a vacuum chamber
JPH08195181A (ja) 1995-01-17 1996-07-30 Toshiba Corp 走査型電子顕微鏡
JPH09196929A (ja) * 1996-01-18 1997-07-31 Canon Inc 表面観察装置と表面観察方法、記録装置と記録方法、及び再生装置と再生方法
JPH11154479A (ja) * 1997-11-20 1999-06-08 Hitachi Ltd ２次電子画像検出方法及びその装置並びに集束荷電粒子ビームによる処理方法及びその装置
IL137208A0 (en) * 2000-07-06 2001-07-24 Yeda Res & Dev Method for depth profiling of a sample
JP2002257702A (ja) * 2001-03-01 2002-09-11 Ulvac Japan Ltd 帯電試料の除電方法
JP2005055388A (ja) 2003-08-07 2005-03-03 Nec Tokin Corp 帯電防止型試料台
JP4812019B2 (ja) * 2006-10-31 2011-11-09 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 試料操作装置
JP2008224412A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Hitachi Kenki Fine Tech Co Ltd 走査プローブ顕微鏡
JP2009014343A (ja) * 2007-06-29 2009-01-22 Sharp Corp 走査型プローブ顕微鏡による表面観察方法および走査型プローブ顕微鏡による表面検査装置
JP5179253B2 (ja) * 2008-05-16 2013-04-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電極ユニット、及び荷電粒子線装置
JP2010153208A (ja) * 2008-12-25 2010-07-08 Toppan Printing Co Ltd 走査型電子顕微鏡のチャージアップ検出方法
US7884334B2 (en) * 2009-01-22 2011-02-08 Hermes Microvision, Inc. Charged particle beam imaging method and system thereof
JP5695917B2 (ja) * 2011-01-26 2015-04-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
JP5453664B1 (ja) * 2013-07-16 2014-03-26 Ｗａｆｅｒ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ株式会社 自己検知型カンチレバーを用いた走査型探針顕微鏡式プローバ
DE102015216673A1 (de) 2015-09-01 2017-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtungen zum Untersuchen einer elektrisch geladenen Probenoberfläche

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19532838A1 (de) * 1995-08-28 1997-03-06 Heinz Dr Sturm Vorrichtung und Verfahren in der kontaktfreien Kraftwechselwirkungs-Mikroskopie zur Kompensation elektrischer Aufladungen und Messung der Höhe und Polarität dieser Aufladungen mit hoher Genauigkeit
US5736863A (en) 1996-06-19 1998-04-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Abatement of electron beam charging distortion during dimensional measurements of integrated circuit patterns with scanning electron microscopy by the utilization of specially designed test structures
US20020070340A1 (en) 2000-05-15 2002-06-13 Lee Veneklasen Apparatus for inspection of semiconductor wafers and masks using a low energy electron microscope with two illuminating beams
US6507474B1 (en) 2000-06-19 2003-01-14 Advanced Micro Devices, Inc. Using localized ionizer to reduce electrostatic charge from wafer and mask
US6946656B2 (en) * 2001-07-12 2005-09-20 Hitachi, Ltd. Sample electrification measurement method and charged particle beam apparatus
US20040051040A1 (en) 2001-08-29 2004-03-18 Osamu Nasu Method for measuring dimensions of sample and scanning electron microscope
US20110057101A1 (en) * 2006-03-23 2011-03-10 Hitachi High-Technologies Corporation Charged particle beam system
US7745782B2 (en) * 2007-02-28 2010-06-29 Hitachi High-Technologies Corporation Electrostatic charge measurement method, focus adjustment method, and scanning electron microscope
DE112012002811T5 (de) * 2011-08-03 2014-07-10 Hitachi High-Technologies Corp. Ladungsteilchenstrahlvorrichtung
US20140366228A1 (en) * 2012-01-31 2014-12-11 The University Of Utah Research Foundation Method for height control for single electron tunneling force spectroscopy and dynamic tunneling force microscopy

Non-Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Ch. Thomas et al.: "Electron-beam-induced potentials in semiconductors: calculation and measurement with an SEM/SPM hybrid system", J. Phys. D: Appl. Phys. 37, pp. 2785-2794 (2004) *
J.H. Lee et al.: "Surface potential and electric field mapping of p-well/n-well junction by secondary electron potential contrast and in-situ nanoprobe biasing," Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2012 19th IEEE International Symposium on the, Singapore, 2012, pp. 1-3 *
K. Okamoto et al.: "The elimination of the ‘artifact’ in the electrostatic force measurement using a novel noncontact atomic force microscope/electrostatic force microscope", Applied Surface Science 188 (2002) 381-385
K. Okamoto et al.: "The elimination of the 'artifact' in the electrostatic force measurement using a novel noncontact atomic force microscope/electrostatic force microscope", Applied Surface Science 188 (2002) 381-385 *
K.M. Satyalakshmi et al. berichten in dem Artikel „Charge induced pattern distortion in low energy electron beam lithography", J. Vac. Sci. Technol. B. 18(6), Nov/Dez. 2000, S. 3122–3125
N. Okai, Y. Sohda: "Study on Image Drift Induced by Charging during Observation by Scanning Electron Microscope", Jpn. J. Appl. Phys. 51, 06FB11 (2012) *
P. Kazemian et al.: "Quantitative secondary electron energy filtering in a scanning electron microscope and its applications", Ultramicroscopy 107, pp. 140-150 (2007) *
P. Kazemian et al.: "Quantitative secondary electron energy filtering in a scanning electron microscope and its applications", Ultramicroscopy 107, pp. 140–150 (2007)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020114533A1 (de) * 2018-12-07 2020-06-11 Forschungszentrum Jülich GmbH Verfahren zur elektrischen untersuchung von elektronischen bauelementen eines integrierten schaltkreises
DE102018009623B4 (de) * 2018-12-07 2021-03-18 Forschungszentrum Jülich GmbH Verfahren zur elektrischen Untersuchung von elektronischen Bauelementen eines integrierten Schaltkreises

Also Published As

Publication number Publication date
TWI631343B (zh) 2018-08-01
US10068747B2 (en) 2018-09-04
US11170970B2 (en) 2021-11-09
KR20170028263A (ko) 2017-03-13
KR101858351B1 (ko) 2018-05-15
US20190035601A1 (en) 2019-01-31
TW201710682A (zh) 2017-03-16
JP2017075935A (ja) 2017-04-20
US20170062180A1 (en) 2017-03-02
JP6523228B2 (ja) 2019-05-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102015216673A1 (de) Verfahren und Vorrichtungen zum Untersuchen einer elektrisch geladenen Probenoberfläche
DE69433937T2 (de) Rasterelektronenmikroskop
DE102008040426B4 (de) Verfahren zur Untersuchung einer Oberfläche eines Objekts
DE102014111372A1 (de) Iridium-spitze, gasfeld-ionenquelle, einrichtung eines fokussierten ionenstrahls, elektronenquelle, elektronenmikroskop, einrichtung zur analyse unter anwendung eines elektronenstrahls, ionen-elektronen- mehrfachstrahl-einrichtung, abtastsondenmikroskop und masken- reparatureinrichtung
WO2020064035A1 (de) Teilchenstrahl-system zur stromregulierung von einzel-teilchenstrahlen
DE102012217761B4 (de) Verfahren zur Vermeidung von Artefakten beim Serial Block Face Imaging
DE112014004151B4 (de) Verfahren zur Korrektur der Neigung eines Strahls geladener Teilchen und mit einem Strahl geladener Teilchen arbeitende Vorrichtung
DE102019200696B4 (de) Vorrichtung, Verfahren und Computerprogram zum Bestimmen einer Position eines Elements auf einer fotolithographischen Maske
DE102018210522B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Untersuchung eines Strahls geladener Teilchen
DE102018210098B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Untersuchen und/oder zum Bearbeiten einer Probe
DE102017211957A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Untersuchen einer Messspitze eines Rastersondenmikroskops
DE102014212563B4 (de) Messvorrichtung und Verfahren zum Bestimmen einer Positionsänderung eines Teilchenstrahls eines Rasterteilchenmikroskops
DE112012004821B4 (de) Rasterionenmikroskop und Sekundärteilchen-Steuerungsverfahren
DE602004012056T2 (de) Fokussierlinse für Strahlen geladener Teilchen
DE102015001297B4 (de) Teilchenstrahlmikroskop und Verfahren zum Betreiben eines Teilchenstrahlmikroskops
DE102016223659B4 (de) Verfahren und Vorrichtungen zum Verlängern einer Zeitspanne bis zum Wechseln einer Messspitze eines Rastersondenmikroskops
DE102016204034A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Vermeiden von Schäden beim Analysieren einer Probenoberfläche mit einem Rastersondenmikroskop
DE102018207645A1 (de) Verfahren zum Betrieb eines Teilchenstrahlerzeugers für ein Teilchenstrahlgerät und Teilchenstrahlgerät mit einem Teilchenstrahlerzeuger
DE102020122535A1 (de) Verfahren zum Betrieb eines Strahlgeräts, Computerprogrammprodukt und Strahlgerät zum Durchführen des Verfahrens sowie Objekthalter für ein Objekt
DE112007003536T5 (de) Ladungsteilchenstrahl-Untersuchungsgerät und einen Ladungsteilchenstrahl verwendendes Untersuchungsverfahren
DE102018131614B3 (de) Partikelstrahlsystem und Verfahren zum Betreiben eines Partikelstrahlsystems
DE102015210893B4 (de) Analyseeinrichtung zur Analyse der Energie geladener Teilchen und Teilchenstrahlgerät mit einer Analyseeinrichtung
WO2021234035A2 (de) Verfahren zum betreiben eines teilchenstrahlmikroskops
DE102008064856B3 (de) Vorrichtung zur Untersuchung einer Oberfläche eines Objekts
DE112016006118T5 (de) Feldionisationsquelle, Ionenstrahlvorrichtung und Bestrahlungsverfahren

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R082 Change of representative

Representative=s name: BARDEHLE PAGENBERG PARTNERSCHAFT MBB PATENTANW, DE

R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication