JP2543680B2 - マスクリペア装置 - Google Patents
マスクリペア装置Info
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- JP2543680B2 JP2543680B2 JP21205086A JP21205086A JP2543680B2 JP 2543680 B2 JP2543680 B2 JP 2543680B2 JP 21205086 A JP21205086 A JP 21205086A JP 21205086 A JP21205086 A JP 21205086A JP 2543680 B2 JP2543680 B2 JP 2543680B2
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- repair
- scanning
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
- G03F1/86—Inspecting by charged particle beam [CPB]
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体素子製造用のフォトマスタやレクチル
（以下単にマスクという）のパタン欠損部（以下白色欠
陥部という）にガス銃により有機化合物蒸気を吹き付
け、同時にイオンビームを走査して繰り返し照射し、白
色欠陥部に吸着した有機化合物分子をポリマー化又は炭
化し、遮光性の膜を付け（以下この操作を単に補修とい
う）白色欠陥を補修し又、パターン余剰部にイオンビー
ムを繰り返し照射し、スパッタエッチングにより黒色欠
陥部を補修する装置（以下黒色欠陥部という）に関す
る。
（以下単にマスクという）のパタン欠損部（以下白色欠
陥部という）にガス銃により有機化合物蒸気を吹き付
け、同時にイオンビームを走査して繰り返し照射し、白
色欠陥部に吸着した有機化合物分子をポリマー化又は炭
化し、遮光性の膜を付け（以下この操作を単に補修とい
う）白色欠陥を補修し又、パターン余剰部にイオンビー
ムを繰り返し照射し、スパッタエッチングにより黒色欠
陥部を補修する装置（以下黒色欠陥部という）に関す
る。
マスクの白色欠陥部に有機化合物蒸気を吹き付け同時
にイオンビームを走査させながら繰り返し照射すること
により白色欠陥部に補修を行いマスクの補修をし又、黒
色欠陥部にイオンビームを繰り返し照射し、スパッタエ
ッチングにより黒色欠陥部を補修するマスクリペア装置
において、マスクの任意の部分を参照パタンとして指定
し、イオンブローブで参照パタンを走査し、参照パタン
画像情報をメモリにビットマップとして記憶する。次に
補修範囲のみを所定回数イオンビームを走査して補修を
行う。その後再度参照パタンをイオンブローブで走査し
ビットマップを得る。先のビットマップと今得られたビ
ットマップを比較し、得られたイオンビームのスポット
位置の変動による参照パタン画像の移動情報に基づき補
修の補正を行い再びイオンの走査を繰り返す。その結
果、補修操作中イオンビームのスポット位置が変動して
も、常に一定範囲に補修を行うことができ精密なマスク
の補修ができる。
にイオンビームを走査させながら繰り返し照射すること
により白色欠陥部に補修を行いマスクの補修をし又、黒
色欠陥部にイオンビームを繰り返し照射し、スパッタエ
ッチングにより黒色欠陥部を補修するマスクリペア装置
において、マスクの任意の部分を参照パタンとして指定
し、イオンブローブで参照パタンを走査し、参照パタン
画像情報をメモリにビットマップとして記憶する。次に
補修範囲のみを所定回数イオンビームを走査して補修を
行う。その後再度参照パタンをイオンブローブで走査し
ビットマップを得る。先のビットマップと今得られたビ
ットマップを比較し、得られたイオンビームのスポット
位置の変動による参照パタン画像の移動情報に基づき補
修の補正を行い再びイオンの走査を繰り返す。その結
果、補修操作中イオンビームのスポット位置が変動して
も、常に一定範囲に補修を行うことができ精密なマスク
の補修ができる。
従来から第４図に示すようなマスクリペア装置が知ら
れていた。１はイオン源であってイオンビーム２を発す
る。３は走査電極であってイオンビーム２のスポットを
XY平面上でラスタスキャンする。４はガス銃であってマ
スクの基板５の表面に配設された金属パタン６の欠陥部
すなわち白色欠陥部７に有機化合物蒸気８を吹き付け
る。９は補修範囲であって白色欠陥７を含み、この範囲
でイオンビーム２が繰り返し走査照射される。その結果
遮光性の補修が行われマスクの白色欠陥７の補修が行わ
れる。又更に黒色欠陥部（クレームの追加）はイオンビ
ームを走査させながら、繰り返しスパッタエッチングに
より黒色欠陥部を除去する。
れていた。１はイオン源であってイオンビーム２を発す
る。３は走査電極であってイオンビーム２のスポットを
XY平面上でラスタスキャンする。４はガス銃であってマ
スクの基板５の表面に配設された金属パタン６の欠陥部
すなわち白色欠陥部７に有機化合物蒸気８を吹き付け
る。９は補修範囲であって白色欠陥７を含み、この範囲
でイオンビーム２が繰り返し走査照射される。その結果
遮光性の補修が行われマスクの白色欠陥７の補修が行わ
れる。又更に黒色欠陥部（クレームの追加）はイオンビ
ームを走査させながら、繰り返しスパッタエッチングに
より黒色欠陥部を除去する。
しかしながら、従来のマスクリペア装置ではイオンビ
ーム走査照射を繰り返し行い補修を続ける間に、イオン
ビームスポット位置の変動が生じた場合、補修範囲が変
動し精密な補修ができないという問題点があった。
ーム走査照射を繰り返し行い補修を続ける間に、イオン
ビームスポット位置の変動が生じた場合、補修範囲が変
動し精密な補修ができないという問題点があった。
本発明は上記の問題点を解決することを目的とする。
そのために以下のマスクリペア装置の構成，手段とし
た。
そのために以下のマスクリペア装置の構成，手段とし
た。
第２図に白色欠陥補修の手段を示す。
第２図（A1）において、６はマスク金属パタン、７は
白色欠陥である。まず白色欠陥７を含む一定の範囲を補
修範囲９としてマニアルで指定しメモリに記憶させる。
この範囲で有機化合物蒸気吹き付け及びイオンビーム走
査照射を行い補修を行う。10は参照パタン指定範囲であ
って任意の参照パタン11を含む範囲に設定される。この
参照パタン指定範囲10内でイオンビームを走査し、参照
パタン11から生じる２次荷電粒子を検出して、参照パタ
ン11の画像情報をメモリに記憶する。
白色欠陥である。まず白色欠陥７を含む一定の範囲を補
修範囲９としてマニアルで指定しメモリに記憶させる。
この範囲で有機化合物蒸気吹き付け及びイオンビーム走
査照射を行い補修を行う。10は参照パタン指定範囲であ
って任意の参照パタン11を含む範囲に設定される。この
参照パタン指定範囲10内でイオンビームを走査し、参照
パタン11から生じる２次荷電粒子を検出して、参照パタ
ン11の画像情報をメモリに記憶する。
次に第２図Ｂにおいて、補修範囲９内でイオンビーム
２を走査して基板５上に膜12を付ける。
２を走査して基板５上に膜12を付ける。
しかしながら、イオン電流の変動等によりイオンビー
ムのビームスポット位置が２′のように変動すると、膜
の位置が12′のようにずれてしまう。かかるズレを補正
し精密な補修を行うため、参照パタン11を利用する。
ムのビームスポット位置が２′のように変動すると、膜
の位置が12′のようにずれてしまう。かかるズレを補正
し精密な補修を行うため、参照パタン11を利用する。
なお、参照パターンとして、第２図（A1）の他、第２
図（A2）のように複数のパターンを参照することも可能
である。
図（A2）のように複数のパターンを参照することも可能
である。
第２図Ｃにおいて、所定回数イオンビーム走査を行い
補修を重ねた後、イオンブローブで参照パタン11のパタ
ン画像情報を得る。そして先のパタン画像情報11と後の
パタン画像情報11′を比較し、その移動量12を算出す
る。移動量13に基づいてメモリ上の補修範囲データを補
正し、イオンビームスポット位置の変動を補償し常に現
実の補修範囲を固定させる。黒色欠陥補修時も同様にイ
オンビーム補修位置を補正し正確な補修を行う。
補修を重ねた後、イオンブローブで参照パタン11のパタ
ン画像情報を得る。そして先のパタン画像情報11と後の
パタン画像情報11′を比較し、その移動量12を算出す
る。移動量13に基づいてメモリ上の補修範囲データを補
正し、イオンビームスポット位置の変動を補償し常に現
実の補修範囲を固定させる。黒色欠陥補修時も同様にイ
オンビーム補修位置を補正し正確な補修を行う。
液体金属イオン源に用いられる引出電圧の変動，イオ
ン光学系の帯電による空間電界分布の歪み，イオン照射
による試料の帯電に基づく空間電界分布の歪み等に起因
してイオンビームスポットの位置が移動する。その移動
量を参照パタン画像情報の経時的な比較から画像の移動
情報として把握する。この移動情報に基づいてメモリ上
の補修範囲データを補正しイオンビームスポット位置の
変動を補正し、常にイオンビームが現実の補修範囲を正
確に走査照射するようにした。
ン光学系の帯電による空間電界分布の歪み，イオン照射
による試料の帯電に基づく空間電界分布の歪み等に起因
してイオンビームスポットの位置が移動する。その移動
量を参照パタン画像情報の経時的な比較から画像の移動
情報として把握する。この移動情報に基づいてメモリ上
の補修範囲データを補正しイオンビームスポット位置の
変動を補正し、常にイオンビームが現実の補修範囲を正
確に走査照射するようにした。
以下図面に基づいて本発明の実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明に基づくマスクリペア装置の全体構成
図を示す。１はイオン源であってイオンビーム２を発す
る。例えばガリウム液体金属イオン源が用いられる。３
は走査電極であってＸ及びＹ電極からなりイオンビーム
スポットをXY平面内で所定範囲に渡り走査するものであ
る。14は対物レンズであってイオンビーム２のスポット
を被照射物であるマスク15の表面に結像させる。４はガ
ス銃であってマスク15の白色欠陥部位に有機化合物蒸気
８（例えばピレン）を吹き付けピレンの単分子吸着層を
形成する。これにイオンビームを走査しながら照射しピ
レンをポリマー化又は炭化し薄膜を作る。この操作を繰
り返し薄膜を重ねて遮光性の膜を付け白色欠陥を補修す
る。16はXYステージであってマスク15を載置しXYはＹ方
向に移動する。16は検出器であってあらかじめ設定され
た参照パタン走査範囲をイオンビームで走査照射したと
き参照パタンから発する２次荷電粒子17（例えばパタン
がクロム金属よりできているときはCrイオン）の強度を
検出する。18はA/D変換器であって、Crイオンの強度ア
ナログデータを適切な閾値の下デジタルビットデータに
変換する。このデジタルビットデータの平面分布が参照
パタンの画像情報となる。19は参照パタン記憶回路であ
って上記したデジタル化された参照パタンの画像情報を
ビットマップとしてメモリ上に記憶させるものである。
この参照パタン画像情報は定期的に参照パタンのイオン
ビーム走査照射を行う毎に更新される。20は初期参照パ
タンメモリであって、参照パタン記憶回路19から一番最
初（時にはその後のもの）の参照パタン画像情報をビッ
トマップとして記憶するものであり、これは更新されな
い。21は移動量演算回路であって、参照パタン記憶回路
19に保持されている最新の参照パタン画像情報と初期参
照パタンメモリ20に保持されている初期参照パタン画像
情報を比較して参照パタンの位置的ズレ（イオンビーム
スポットの位置変動に起因する）を計算する。22は補修
範囲指定回路であって、欠陥部を含む所定の範囲を補修
範囲として指定する。23は補修範囲記憶回路であって指
定された補修範囲をビットマップ上に記憶するものであ
る。補修範囲記憶回路23には移動量演算回路21からの出
力が入力されており、参照パタンの位置的ズレ情報（以
下移動情報という）に基づき、補修範囲を特定するビッ
トマップを補正する。24はイオンビーム走査制御回路で
あって、補修範囲記憶回路23の出力に応じて、イオンビ
ーム走査を制御し所定部分にイオンビームを向ける。25
は参照パタン指定回路であって、マニアルによりマスク
の任意の部分を参照パタンとして選択し、参照パタンを
含む所定の走査範囲を指定する。参照パタン指定回路25
の出力はイオンビーム走査制御回路24に入力され、定期
的に参照パタン指定範囲の走査を行う。26はカウンター
であって、イオンビーム走査制御回路24の出力に接続さ
れ、補修のためのイオンビーム走査回数１フレーム数と
いう）を計測する。その出力を参照パタン記憶回路19に
入力し、定期的に、参照パタン画像情報を表すビットマ
ップを更新する。27は走査回路であってイオンビーム走
査制御回路24の出力に従って、走査電圧（図のＸ及びＹ
波形でありラスタスキャン用である）を走査電極３に供
給する。なお第１図において点線で囲んだ部分はコンピ
ュータ８に内蔵される。
図を示す。１はイオン源であってイオンビーム２を発す
る。例えばガリウム液体金属イオン源が用いられる。３
は走査電極であってＸ及びＹ電極からなりイオンビーム
スポットをXY平面内で所定範囲に渡り走査するものであ
る。14は対物レンズであってイオンビーム２のスポット
を被照射物であるマスク15の表面に結像させる。４はガ
ス銃であってマスク15の白色欠陥部位に有機化合物蒸気
８（例えばピレン）を吹き付けピレンの単分子吸着層を
形成する。これにイオンビームを走査しながら照射しピ
レンをポリマー化又は炭化し薄膜を作る。この操作を繰
り返し薄膜を重ねて遮光性の膜を付け白色欠陥を補修す
る。16はXYステージであってマスク15を載置しXYはＹ方
向に移動する。16は検出器であってあらかじめ設定され
た参照パタン走査範囲をイオンビームで走査照射したと
き参照パタンから発する２次荷電粒子17（例えばパタン
がクロム金属よりできているときはCrイオン）の強度を
検出する。18はA/D変換器であって、Crイオンの強度ア
ナログデータを適切な閾値の下デジタルビットデータに
変換する。このデジタルビットデータの平面分布が参照
パタンの画像情報となる。19は参照パタン記憶回路であ
って上記したデジタル化された参照パタンの画像情報を
ビットマップとしてメモリ上に記憶させるものである。
この参照パタン画像情報は定期的に参照パタンのイオン
ビーム走査照射を行う毎に更新される。20は初期参照パ
タンメモリであって、参照パタン記憶回路19から一番最
初（時にはその後のもの）の参照パタン画像情報をビッ
トマップとして記憶するものであり、これは更新されな
い。21は移動量演算回路であって、参照パタン記憶回路
19に保持されている最新の参照パタン画像情報と初期参
照パタンメモリ20に保持されている初期参照パタン画像
情報を比較して参照パタンの位置的ズレ（イオンビーム
スポットの位置変動に起因する）を計算する。22は補修
範囲指定回路であって、欠陥部を含む所定の範囲を補修
範囲として指定する。23は補修範囲記憶回路であって指
定された補修範囲をビットマップ上に記憶するものであ
る。補修範囲記憶回路23には移動量演算回路21からの出
力が入力されており、参照パタンの位置的ズレ情報（以
下移動情報という）に基づき、補修範囲を特定するビッ
トマップを補正する。24はイオンビーム走査制御回路で
あって、補修範囲記憶回路23の出力に応じて、イオンビ
ーム走査を制御し所定部分にイオンビームを向ける。25
は参照パタン指定回路であって、マニアルによりマスク
の任意の部分を参照パタンとして選択し、参照パタンを
含む所定の走査範囲を指定する。参照パタン指定回路25
の出力はイオンビーム走査制御回路24に入力され、定期
的に参照パタン指定範囲の走査を行う。26はカウンター
であって、イオンビーム走査制御回路24の出力に接続さ
れ、補修のためのイオンビーム走査回数１フレーム数と
いう）を計測する。その出力を参照パタン記憶回路19に
入力し、定期的に、参照パタン画像情報を表すビットマ
ップを更新する。27は走査回路であってイオンビーム走
査制御回路24の出力に従って、走査電圧（図のＸ及びＹ
波形でありラスタスキャン用である）を走査電極３に供
給する。なお第１図において点線で囲んだ部分はコンピ
ュータ８に内蔵される。
次に本マスクリペア装置の動作を第３図の補修範囲補
正フローチャート及び第１図により説明する。先ず補修
範囲指定回路22に補修範囲をマニアルで入力する。補修
範囲は外部のマスク欠陥検査装置によりあらかじめ調べ
られた情報により決定する。同時に参照パタン指定回路
25にマスタ上の任意のパタンを参照パタンとして入力す
る。次にカウンタ26の指数I及びＫを初期化して各々１
を与える。Iは参照インターバルを特定し、Ｋはイオン
ビームによる補修走査のフレーム指定回数を特定する。
次にガス銃４をOFFにしたまま参照パタン指定範囲をイ
オンビームで走査する。得られた参照パタン画像情報を
初期参照パタンメモリ20に記憶する。又入力された補修
範囲をデジタルデータは変換して補修範囲記憶回路23に
ビットマップとして記憶する。Ｋ＞1,I＞１の時、白色
欠陥補修時はガス銃をONにしかつ補修パタンのビットマ
ップに従ってイオンビームを走査し補修を行う。
正フローチャート及び第１図により説明する。先ず補修
範囲指定回路22に補修範囲をマニアルで入力する。補修
範囲は外部のマスク欠陥検査装置によりあらかじめ調べ
られた情報により決定する。同時に参照パタン指定回路
25にマスタ上の任意のパタンを参照パタンとして入力す
る。次にカウンタ26の指数I及びＫを初期化して各々１
を与える。Iは参照インターバルを特定し、Ｋはイオン
ビームによる補修走査のフレーム指定回数を特定する。
次にガス銃４をOFFにしたまま参照パタン指定範囲をイ
オンビームで走査する。得られた参照パタン画像情報を
初期参照パタンメモリ20に記憶する。又入力された補修
範囲をデジタルデータは変換して補修範囲記憶回路23に
ビットマップとして記憶する。Ｋ＞1,I＞１の時、白色
欠陥補修時はガス銃をONにしかつ補修パタンのビットマ
ップに従ってイオンビームを走査し補修を行う。
なお、黒色欠陥補修時は、ガス銃はONせずに、イオン
ビームを走査し、黒色欠陥部をスパッタリングにより除
去する。
ビームを走査し、黒色欠陥部をスパッタリングにより除
去する。
１フレームの走査が終了毎にI及びＫをインクリメント
する。この補修操作を繰り返し、カウンタ26内の指数I
があらかじめ指定された参照インターバルに達したら、
Iを１にリセットするとともに、ガス銃をOFFにして参照
パタンをイオンビームで走査する。なお、黒色欠陥補修
の時は、すでにガス銃はOFFになっているのでそのまま
参照パタンでイオンビームを走査する。得られた参照パ
タン画像情報を参照パタン記憶回路19に入力しメモリに
書き込む。カウンタ26内の指数Ｋ＞1,I＝１なので参照
パタン記憶回路19内の現在の参照パタン画像情報と、初
期参照パタンメモリ20に保存された初期参照パタン画像
情報を比較してイオンビームスポット位置の変動に起因
する参照パタン移動量を計算する。この移動情報に基づ
いて、補修範囲記憶回路23に記憶されている補修パタン
のビットマップをイオンビームスポットの位置変動を相
殺するように補正する。しかして黒色欠陥部の補修の場
合は、ガス銃をONし、黒色欠陥補修の場合はガス銃はOF
Fのままで補正された補修パタンのビットマップに従っ
てイオンビーム走査を繰り返し補修を行う。そしてＫが
指定されたイオンビーム走査フレーム数に達したら、所
定の膜厚が得られたのであるから補修操作を完了する。
黒色欠陥補修の場合、全てのCr層（黒色欠陥部の）が除
去された時に補修操作を完了する。
する。この補修操作を繰り返し、カウンタ26内の指数I
があらかじめ指定された参照インターバルに達したら、
Iを１にリセットするとともに、ガス銃をOFFにして参照
パタンをイオンビームで走査する。なお、黒色欠陥補修
の時は、すでにガス銃はOFFになっているのでそのまま
参照パタンでイオンビームを走査する。得られた参照パ
タン画像情報を参照パタン記憶回路19に入力しメモリに
書き込む。カウンタ26内の指数Ｋ＞1,I＝１なので参照
パタン記憶回路19内の現在の参照パタン画像情報と、初
期参照パタンメモリ20に保存された初期参照パタン画像
情報を比較してイオンビームスポット位置の変動に起因
する参照パタン移動量を計算する。この移動情報に基づ
いて、補修範囲記憶回路23に記憶されている補修パタン
のビットマップをイオンビームスポットの位置変動を相
殺するように補正する。しかして黒色欠陥部の補修の場
合は、ガス銃をONし、黒色欠陥補修の場合はガス銃はOF
Fのままで補正された補修パタンのビットマップに従っ
てイオンビーム走査を繰り返し補修を行う。そしてＫが
指定されたイオンビーム走査フレーム数に達したら、所
定の膜厚が得られたのであるから補修操作を完了する。
黒色欠陥補修の場合、全てのCr層（黒色欠陥部の）が除
去された時に補修操作を完了する。
本発明によれば、イオンビームスポット位置の経時的
変動による参照パタン画像の移動情報に基づき補修パタ
ンのビットマップメモリの補正を行いつつ、補修のため
のイオンビーム走査を繰り返すので、イオンビームのス
ポット位置が経時的に変動しても常に一定範囲に補修を
行うことができ、精密なマスクの白色欠陥及び黒色欠陥
の補修ができるという効果がある。
変動による参照パタン画像の移動情報に基づき補修パタ
ンのビットマップメモリの補正を行いつつ、補修のため
のイオンビーム走査を繰り返すので、イオンビームのス
ポット位置が経時的に変動しても常に一定範囲に補修を
行うことができ、精密なマスクの白色欠陥及び黒色欠陥
の補修ができるという効果がある。
第１図は本発明にかかるマスクリペア装置の全体構成
図、第２図A1,A2B及びＣは動作原理図、第３図は補修範
囲補正フローチャート及び第４図は従来のマスクリペア
装置の概念図である。 １……イオン源、３……走査電極 ４……ガス銃、16……検出器 19……参照パタン記憶回路 20……初期参照パタンメモリ 21……移動量演算回路 22……補修範囲指定回路 23……補修範囲記憶回路 24……イオンビーム走査制御回路 25……参照パタン指定回路 26……カウンタ 27……走査回路
図、第２図A1,A2B及びＣは動作原理図、第３図は補修範
囲補正フローチャート及び第４図は従来のマスクリペア
装置の概念図である。 １……イオン源、３……走査電極 ４……ガス銃、16……検出器 19……参照パタン記憶回路 20……初期参照パタンメモリ 21……移動量演算回路 22……補修範囲指定回路 23……補修範囲記憶回路 24……イオンビーム走査制御回路 25……参照パタン指定回路 26……カウンタ 27……走査回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−123843（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−84833（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−113227（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−123843（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−174765（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−66257（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−90161（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−88261（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−66356（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭61−66354（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭62−60699（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭63−25660（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に形成されているパタン膜のパタン
の欠損部に有機化合物蒸気を吹き付け、同時にイオンビ
ームを走査させながら繰り返し照射することによりパタ
ンの欠損部の修正を行い、又前記パタンの余剰部にイオ
ンビームを走査させながら繰り返しスパッタエッチング
により、余剰部を除去し、前記パタンの修正をするイオ
ンビーム加工装置において、前記欠損部または余剰部を
含む所定の範囲を補修範囲として指定する補修範囲指定
回路と、前記補修範囲指定回路により指定された補修範
囲を記憶する補修範囲記憶回路と、前記パタンの任意の
部分を参照パタンとして指定する参照パタン指定回路
と、前記参照パタンに前記イオンビームを走査させなが
ら照射して２次荷電粒子を検出することにより参照パタ
ンの画像情報を記憶する参照パタン記憶回路と、所定回
数の前記パタンの修正のためのイオンビーム走査毎に、
参照パタンのイオンビーム走査を行い得られた参照パタ
ンの画像情報と先の参照パタンの画像情報を比較し参照
パタン画像の移動量を算出する移動量演算回路とを有
し、前記補修範囲記憶回路は前記移動量に基づいて前記
記憶上の補修範囲が補正されることを特徴とするイオン
ビーム加工装置。 - 【請求項２】前記基板上に形成されているパタン膜のパ
タンはマスクのパタンである請求項１記載のイオンビー
ム加工装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60-219844 | 1985-10-02 | ||
| JP21984485 | 1985-10-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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-
1986
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| JPS62174765A (ja) | 1987-07-31 |
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