JP2522992B2 - 集束イオンビ―ム装置 - Google Patents
集束イオンビ―ム装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、半導体製造工程で使用されるフォトマス
クやレチクルの欠陥を認識し、この欠陥の修正を行う集
束イオンビーム（FIB）装置に係り、更に詳しくはその
欠陥認識、欠陥修正時の作業効率を向上させるようにし
た集束イオンビーム装置に関するものである。
クやレチクルの欠陥を認識し、この欠陥の修正を行う集
束イオンビーム（FIB）装置に係り、更に詳しくはその
欠陥認識、欠陥修正時の作業効率を向上させるようにし
た集束イオンビーム装置に関するものである。
発明の概要 近年、半導体素子のLSIが大規模化、高集積化される
ようになった背景の一つには、そのLSI製造技術の著し
い発達をあげることができる。LSI製造技術の一つにFIB
技術があり、このFIB技術は描写技術である上に加工技
術でもあり、LSI回路のフォトマスクおよびレチクルの
欠陥を認識、修正できるまでなった。
ようになった背景の一つには、そのLSI製造技術の著し
い発達をあげることができる。LSI製造技術の一つにFIB
技術があり、このFIB技術は描写技術である上に加工技
術でもあり、LSI回路のフォトマスクおよびレチクルの
欠陥を認識、修正できるまでなった。
すなわち、フォトマスクやレチクルには、その製造段
階で余分なCrが残留する部分の黒色欠陥および逆にCrが
欠落する白色欠陥４がどうしても発生する。そこで、そ
れらフォトマスクやレチクルの欠陥認識、修正に上記FI
B技術が利用されるようになった。
階で余分なCrが残留する部分の黒色欠陥および逆にCrが
欠落する白色欠陥４がどうしても発生する。そこで、そ
れらフォトマスクやレチクルの欠陥認識、修正に上記FI
B技術が利用されるようになった。
従来の技術 このFIB技術を応用したFIB装置において、第３図に示
されているように、そのフォトマスク１やレチクルの欠
陥認識を行う場合、そのフォトマスク１が形成されてい
るガラス基板２の試料３に集束イオンビームを照射、走
査し、その試料から放出される２次イオン粒子４を第１
の荷電粒子検出器５にて検出する。この検出２次イオン
粒子４にはフォトマスク１からのCrイオンとガラス基板
２からのSiイオンが含まれている。そこで、２次イオン
質量分析器（図示せず）にて所定の２次イオン粒子（例
えばCrイオン）を得、この２次イオン粒子の強度分布に
基づいて、フォトマスク１等の２次イオン像をCRT装置
（図示ぜず）に表示し、欠陥の認識を行っている。
されているように、そのフォトマスク１やレチクルの欠
陥認識を行う場合、そのフォトマスク１が形成されてい
るガラス基板２の試料３に集束イオンビームを照射、走
査し、その試料から放出される２次イオン粒子４を第１
の荷電粒子検出器５にて検出する。この検出２次イオン
粒子４にはフォトマスク１からのCrイオンとガラス基板
２からのSiイオンが含まれている。そこで、２次イオン
質量分析器（図示せず）にて所定の２次イオン粒子（例
えばCrイオン）を得、この２次イオン粒子の強度分布に
基づいて、フォトマスク１等の２次イオン像をCRT装置
（図示ぜず）に表示し、欠陥の認識を行っている。
また、上記フォトマスク１の白色欠陥を修正する場
合、ガス銃６を所定位置に降ろし、その欠陥部分に化合
物ガスを吹き付けると共に、集束イオンビーム１を照
射、走査することにより、その欠陥部に堆積した有機物
を炭化し、白色欠陥の修正を行っている。このような白
色欠陥の修正の後、その修正箇所を認識する場合、試料
３の所定領域に集束イオンビームＩを照射、走査し、そ
の試料３から出力される２次イオン粒子を第２の荷電粒
子検出器７にて検出する。この検出２次イオン粒子には
フォトマスク１からのCrイオン、ガラス基板２からのSi
イオンおよび修正箇所の炭化膜からのＣイオン等の全て
が含まれている。そこで、そのトータル２次イオン粒子
の強度分布を得、この強度分布に基づいて、試料３表面
の２次イオン像をCRT装置に表示し、白色欠陥の修正箇
所等の認識を行っている。
合、ガス銃６を所定位置に降ろし、その欠陥部分に化合
物ガスを吹き付けると共に、集束イオンビーム１を照
射、走査することにより、その欠陥部に堆積した有機物
を炭化し、白色欠陥の修正を行っている。このような白
色欠陥の修正の後、その修正箇所を認識する場合、試料
３の所定領域に集束イオンビームＩを照射、走査し、そ
の試料３から出力される２次イオン粒子を第２の荷電粒
子検出器７にて検出する。この検出２次イオン粒子には
フォトマスク１からのCrイオン、ガラス基板２からのSi
イオンおよび修正箇所の炭化膜からのＣイオン等の全て
が含まれている。そこで、そのトータル２次イオン粒子
の強度分布を得、この強度分布に基づいて、試料３表面
の２次イオン像をCRT装置に表示し、白色欠陥の修正箇
所等の認識を行っている。
発明が解決しようとする課題 上記FIB装置においては、フォトマスク１の欠陥、そ
の修正箇所の認識および欠陥修正を行う場合、上記第１
の荷電粒子検出器５あるいは第２の荷電粒子検出器７の
動作を所定に切り替えて、所定の２次イオン粒子あるい
はトータル２次イオン粒子を検出するようにしている。
の修正箇所の認識および欠陥修正を行う場合、上記第１
の荷電粒子検出器５あるいは第２の荷電粒子検出器７の
動作を所定に切り替えて、所定の２次イオン粒子あるい
はトータル２次イオン粒子を検出するようにしている。
ところで、第１あるいは第２の荷電粒子検出器5,7の
動作が切り替えられたときには、試料３の上方のイオン
引き込み電界が変化し、その電界にて１次イオンの集束
イオンビームＩが曲げられる。そのため、第４図の実
線、破線に示されているように、その第１の荷電粒子検
出器５に切り替えられたときの２次イオン像と第２の荷
電粒子検出器７に切り替えられたときの２次イオン像と
はCRT装置の画面８上にてシフトされる、つまりその２
次イオン像が移動される。特に、上記試料３の狭い領域
を表示する場合、上記２次イオン像の移動量ｔが画面８
より大きいと、フォトマスク１等の欠陥部分がCRT装置
の画面８から外れ、見れなくなることもあった。
動作が切り替えられたときには、試料３の上方のイオン
引き込み電界が変化し、その電界にて１次イオンの集束
イオンビームＩが曲げられる。そのため、第４図の実
線、破線に示されているように、その第１の荷電粒子検
出器５に切り替えられたときの２次イオン像と第２の荷
電粒子検出器７に切り替えられたときの２次イオン像と
はCRT装置の画面８上にてシフトされる、つまりその２
次イオン像が移動される。特に、上記試料３の狭い領域
を表示する場合、上記２次イオン像の移動量ｔが画面８
より大きいと、フォトマスク１等の欠陥部分がCRT装置
の画面８から外れ、見れなくなることもあった。
また、フォトマスク１の白色欠陥を修正する場合、ガ
ス銃６の昇降により、上記イオン引き込み電界が変化す
るため、上記同様に２次イオン像がCRT装置の画面８上
にてシフトされる このような場合、正確な欠陥位置の認識、修正箇所の
認識を行うために、上記FIB装置のオペレータが所定操
作を行い、Ｘ−Ｙステージ９を所定駆動し、CRT装置の
画面８を見ながらその位置を捜し出すようにしていた。
しかし、そのような操作は、非常に難しくて慣れないオ
ペレータにとっては困難であり、作業効率を低下させる
という問題点があった。
ス銃６の昇降により、上記イオン引き込み電界が変化す
るため、上記同様に２次イオン像がCRT装置の画面８上
にてシフトされる このような場合、正確な欠陥位置の認識、修正箇所の
認識を行うために、上記FIB装置のオペレータが所定操
作を行い、Ｘ−Ｙステージ９を所定駆動し、CRT装置の
画面８を見ながらその位置を捜し出すようにしていた。
しかし、そのような操作は、非常に難しくて慣れないオ
ペレータにとっては困難であり、作業効率を低下させる
という問題点があった。
この発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、そ
の目的は、正確な欠陥あるいはその修正箇所の認識を容
易にし、その欠陥認識、修正作業を効率よく行うことが
できるようにした集束イオンビーム装置を提供すること
にある。
の目的は、正確な欠陥あるいはその修正箇所の認識を容
易にし、その欠陥認識、修正作業を効率よく行うことが
できるようにした集束イオンビーム装置を提供すること
にある。
課題を解決するための手段 上記目的を達成するために、この発明は、真空室内の
所定位置に、Ｘ−Ｙ方向に駆動するステージと、このス
テージ上の試料にイオンビームを集束照射するイオンビ
ーム照射光学系と、そのイオンビームが照射される試料
に化合物ガスを吹き付けるガス銃と、その試料からの２
次イオン粒子を検出する第１および第２の荷電粒子検出
器と、その第１の荷電粒子検出器にて検出された所定２
次イオン粒子を得る２次イオン質量分離器と、この２次
イオン質量分離器にて得られた２次イオン粒子をカウン
トし、その強度分布を得る第１のカウンティングシステ
ム部と、上記第２の荷電粒子検出器にて検出された全て
の２次イオン粒子をカウントし、その強度分布を得る第
２のカウンティングシステム部とを備え、上記第１若し
くは第２のカウンティングシステム部にて得られた２次
イオン粒子の強度分布に基づき、上記試料の２次イオン
像を表示する集束イオンビーム装置において、上記第１
および第２の荷電粒子検出器の動作を切り替えたとき、
あるいは、上記ガス銃を昇降したときに表示される上記
２次イオン像の移動量が記憶されるテーブルを有してい
るものである。
所定位置に、Ｘ−Ｙ方向に駆動するステージと、このス
テージ上の試料にイオンビームを集束照射するイオンビ
ーム照射光学系と、そのイオンビームが照射される試料
に化合物ガスを吹き付けるガス銃と、その試料からの２
次イオン粒子を検出する第１および第２の荷電粒子検出
器と、その第１の荷電粒子検出器にて検出された所定２
次イオン粒子を得る２次イオン質量分離器と、この２次
イオン質量分離器にて得られた２次イオン粒子をカウン
トし、その強度分布を得る第１のカウンティングシステ
ム部と、上記第２の荷電粒子検出器にて検出された全て
の２次イオン粒子をカウントし、その強度分布を得る第
２のカウンティングシステム部とを備え、上記第１若し
くは第２のカウンティングシステム部にて得られた２次
イオン粒子の強度分布に基づき、上記試料の２次イオン
像を表示する集束イオンビーム装置において、上記第１
および第２の荷電粒子検出器の動作を切り替えたとき、
あるいは、上記ガス銃を昇降したときに表示される上記
２次イオン像の移動量が記憶されるテーブルを有してい
るものである。
作用 上記構成としたので、上記テーブルには、試料上方に
て第１および第２の荷電粒子検出器のイオン引き込み電
界が変化したときの、２次イオン像の移動量が記憶され
る。すなわち、その第１の荷電粒子検出器と第１の荷電
粒子検出器とを切り替え、あるいは、ガス銃の昇降動作
により、上記イオン引き込み電界が変化し、その２次イ
オン像が移動される。
て第１および第２の荷電粒子検出器のイオン引き込み電
界が変化したときの、２次イオン像の移動量が記憶され
る。すなわち、その第１の荷電粒子検出器と第１の荷電
粒子検出器とを切り替え、あるいは、ガス銃の昇降動作
により、上記イオン引き込み電界が変化し、その２次イ
オン像が移動される。
この移動量を予め算出し、テーブルとして記憶してお
き、集束イオンビーム装置が上記第１の荷電粒子検出器
と第２の荷電粒子検出器とを切り替え、ガス銃の昇降動
作を行う際、そのテーブルの移動量に基づいてＸ−Ｙス
テージが移動されるすなわち、上記２次イオン像の移動
量に対応して、予めＸ−Ｙステージが移動されるため、
CRT装置に表示される２次イオン像が移動しない。
き、集束イオンビーム装置が上記第１の荷電粒子検出器
と第２の荷電粒子検出器とを切り替え、ガス銃の昇降動
作を行う際、そのテーブルの移動量に基づいてＸ−Ｙス
テージが移動されるすなわち、上記２次イオン像の移動
量に対応して、予めＸ−Ｙステージが移動されるため、
CRT装置に表示される２次イオン像が移動しない。
実 施 例 以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
なお、第１図中、第３図と同一部分には同一符号を付し
重複説明を省略する。
なお、第１図中、第３図と同一部分には同一符号を付し
重複説明を省略する。
第１図において、イオン源10の先端部からは、イオン
引き出し電極により、イオンビームが真空室11内に引き
出される。真空室11内には、試料３が載置されるＸ−Ｙ
ステージ９、イオンビームを試料３に集束、照射するた
めの静電型コンデンサレンズ12,静電型対物レンズ13、
イオンビームを走査するための走査電極14、イオンビー
ムが照射される試料３に化合物ガスを吹き付けるガス銃
６、試料３からの２次イオン粒子４を検出する第１およ
び第２の荷電粒子検出器5,7が備えられている。
引き出し電極により、イオンビームが真空室11内に引き
出される。真空室11内には、試料３が載置されるＸ−Ｙ
ステージ９、イオンビームを試料３に集束、照射するた
めの静電型コンデンサレンズ12,静電型対物レンズ13、
イオンビームを走査するための走査電極14、イオンビー
ムが照射される試料３に化合物ガスを吹き付けるガス銃
６、試料３からの２次イオン粒子４を検出する第１およ
び第２の荷電粒子検出器5,7が備えられている。
第１の荷電粒子検出器５にて検出された２次イオン粒
子は２次イオン質量分析器15に入力され、そのうちの所
定粒子（例えばCrの２次イオン粒子）が得られ、第１の
カウンティングシステム部16にてその所定イオン粒子が
カウントされると共に、その強度分布が得られる。その
強度分布に基づいて、制御装置（CPU）17にて上記集束
イオンビームが照射される所定領域のイメージ画像（２
次イオン像）データが得られる。このデータにより、CR
T装置18にはその試料３の所定領域が２次イオン像で表
示される。
子は２次イオン質量分析器15に入力され、そのうちの所
定粒子（例えばCrの２次イオン粒子）が得られ、第１の
カウンティングシステム部16にてその所定イオン粒子が
カウントされると共に、その強度分布が得られる。その
強度分布に基づいて、制御装置（CPU）17にて上記集束
イオンビームが照射される所定領域のイメージ画像（２
次イオン像）データが得られる。このデータにより、CR
T装置18にはその試料３の所定領域が２次イオン像で表
示される。
一方、第２の荷電粒子検出器７にて検出される２次イ
オン粒子は第２のカウンティングシステム部19に入力さ
れ、その全粒子（例えばCr,Si,C等の２次イオン粒子）
がカウントされると共に、その強度分布が得られる。こ
の強度分布に基づいて、上記同様に制御装置（CPU）17
にて試料３の所定領域のイメージ画像（２次イオン像）
データが得られ、このデータに基づいて２次イオン像が
得られる。
オン粒子は第２のカウンティングシステム部19に入力さ
れ、その全粒子（例えばCr,Si,C等の２次イオン粒子）
がカウントされると共に、その強度分布が得られる。こ
の強度分布に基づいて、上記同様に制御装置（CPU）17
にて試料３の所定領域のイメージ画像（２次イオン像）
データが得られ、このデータに基づいて２次イオン像が
得られる。
また、制御装置17にはテーブル（メモリ：第２図参
照）17aが設けられ、このテーブル17aには第１の荷電粒
子検出器５にて検出された２次イオン粒子による２次イ
オン像と、第２の荷電粒子検出器７にて検出された２次
イオン粒子による２次イオン像との表示位置ずれの量
（移動量）が記憶されている。
照）17aが設けられ、このテーブル17aには第１の荷電粒
子検出器５にて検出された２次イオン粒子による２次イ
オン像と、第２の荷電粒子検出器７にて検出された２次
イオン粒子による２次イオン像との表示位置ずれの量
（移動量）が記憶されている。
なお、上記第１の荷電粒子検出器５と第２の荷電粒子
検出器７とはFIB装置の操作に応じてその動作が切り替
えれる。またＸ−Ｙステージ９は、従来同様に制御装置
17の指示に応じ、Ｘ−Ｙステージコントローラ20にて駆
動される。さらに、上記静電型コンデンサレンズ11,静
電型対物レンズ12、走査電極13およびガス銃14等は、同
様に上記制御装置17にて制御される。
検出器７とはFIB装置の操作に応じてその動作が切り替
えれる。またＸ−Ｙステージ９は、従来同様に制御装置
17の指示に応じ、Ｘ−Ｙステージコントローラ20にて駆
動される。さらに、上記静電型コンデンサレンズ11,静
電型対物レンズ12、走査電極13およびガス銃14等は、同
様に上記制御装置17にて制御される。
次に、上記FIB装置の動作を第２図を参照して説明す
る。
る。
まず、このFIB装置において、CRT装置18の画面に表示
される２次イオン像の移動量が予めテーブル17aに記憶
される。すなわち、第１および第２の荷電粒子検出器5,
7の動作を切り替えたとき、さらにガス銃６を昇降した
ときに、２次イオン像の移動する量t1,t2,…が予め制御
装置17にて算出され、シフトデータとして記憶されてい
る。
される２次イオン像の移動量が予めテーブル17aに記憶
される。すなわち、第１および第２の荷電粒子検出器5,
7の動作を切り替えたとき、さらにガス銃６を昇降した
ときに、２次イオン像の移動する量t1,t2,…が予め制御
装置17にて算出され、シフトデータとして記憶されてい
る。
そして、そのFIB装置にて試料３の認識操作が行われ
ると、制御装置17にてＸ−Ｙステージ９が移動され、試
料３の所定領域に集束イオンビームが照射、走査され
る。このとき、第１の荷電粒子検出器５の動作に切り替
えられていると、CRT装置18の画面には試料３から放出
される２次イオン粒子のうちのCrイオン粒子に基づいた
２次イオン像が表示される。すなわち、CRT装置18には
フォトマスクの白色欠陥等が明瞭に表示される。しか
し、既に修正された白色欠陥部分は、炭化された膜が形
成されているため、CRT装置に表示されない。
ると、制御装置17にてＸ−Ｙステージ９が移動され、試
料３の所定領域に集束イオンビームが照射、走査され
る。このとき、第１の荷電粒子検出器５の動作に切り替
えられていると、CRT装置18の画面には試料３から放出
される２次イオン粒子のうちのCrイオン粒子に基づいた
２次イオン像が表示される。すなわち、CRT装置18には
フォトマスクの白色欠陥等が明瞭に表示される。しか
し、既に修正された白色欠陥部分は、炭化された膜が形
成されているため、CRT装置に表示されない。
そこで、このFIB装置の所定操作により、第１の荷電
粒子検出器５から第２の荷電粒子検出器７に切り替えら
れると、CRT装置18の画面には、試料３から放出される
トータル２次イオン粒子による２次イオン像が表示され
る。すなわち、CRT装置18には試料３のフォトマスクお
よびその白色欠陥の修正部分等が明瞭に表示される。
粒子検出器５から第２の荷電粒子検出器７に切り替えら
れると、CRT装置18の画面には、試料３から放出される
トータル２次イオン粒子による２次イオン像が表示され
る。すなわち、CRT装置18には試料３のフォトマスクお
よびその白色欠陥の修正部分等が明瞭に表示される。
その第１の荷電粒子検出器５から第２の荷電粒子検出
器７に切り替えられたときには、集束イオンビームが照
射される試料３上方のイオン引く込み電界が変化され
る。しかし、制御装置17にて内部のテーブルのシフトデ
ータt1に基づいてＸ−Ｙステージ９の移動量が算出さ
れ、この算出されたデータがＸ−Ｙステージコントロー
ラ20に出力される。すると、そのデータに基づき、Ｘ−
Ｙステージ９が移動されるため、集束イオンビームの照
射位置が変えられる。すなわち、集束イオンビームは、
そのイオン引き込み電界の変化により曲げられた分、Ｘ
−Ｙステージ９の移動で補正される。これにより、CRT
装置18に表示されるフォトマスク等の２次イオン像は、
第１および第２の荷電粒子検出器5,7の動作を切り替え
ても、その画面上を移動しない。
器７に切り替えられたときには、集束イオンビームが照
射される試料３上方のイオン引く込み電界が変化され
る。しかし、制御装置17にて内部のテーブルのシフトデ
ータt1に基づいてＸ−Ｙステージ９の移動量が算出さ
れ、この算出されたデータがＸ−Ｙステージコントロー
ラ20に出力される。すると、そのデータに基づき、Ｘ−
Ｙステージ９が移動されるため、集束イオンビームの照
射位置が変えられる。すなわち、集束イオンビームは、
そのイオン引き込み電界の変化により曲げられた分、Ｘ
−Ｙステージ９の移動で補正される。これにより、CRT
装置18に表示されるフォトマスク等の２次イオン像は、
第１および第２の荷電粒子検出器5,7の動作を切り替え
ても、その画面上を移動しない。
また、ガス銃６を昇降したときにも、試料３上方のイ
オン引き込み電界が変化するが、上記同様制御装置17に
て内部のテーブルのシフトデータt2に基づいてＸ−Ｙス
テージ９の移動量が算出され、この算出されたデータが
Ｘ−Ｙステージコントローラ20に出力される。すると、
そのデータに基づき、Ｘ−Ｙステージ９が移動されるる
ため、集束イオンビームの照射位置が変えられる。すな
わち、集束イオンビームは、そのイオン引き込み電界の
変化により曲げられた分、Ｘ−Ｙステージ９の移動で補
正される。したがって、CRT装置18に表示されるフォト
マスク等の２次イオン像は、上記ガス銃６の昇降によっ
て、その画面上を移動しない。
オン引き込み電界が変化するが、上記同様制御装置17に
て内部のテーブルのシフトデータt2に基づいてＸ−Ｙス
テージ９の移動量が算出され、この算出されたデータが
Ｘ−Ｙステージコントローラ20に出力される。すると、
そのデータに基づき、Ｘ−Ｙステージ９が移動されるる
ため、集束イオンビームの照射位置が変えられる。すな
わち、集束イオンビームは、そのイオン引き込み電界の
変化により曲げられた分、Ｘ−Ｙステージ９の移動で補
正される。したがって、CRT装置18に表示されるフォト
マスク等の２次イオン像は、上記ガス銃６の昇降によっ
て、その画面上を移動しない。
このように、第１あるいは第２の荷電粒子検出器5,7
によるイオン引き込み電界に変化が生じた場合、Ｘ−Ｙ
ステージ９は予めその変化による２次イオン像の移動量
に応じて移動される。そのため、CRT装置18の画面に表
示されるフォトマスク等の２次イオン像はその電界の変
化により、その画面上をシフトされない。
によるイオン引き込み電界に変化が生じた場合、Ｘ−Ｙ
ステージ９は予めその変化による２次イオン像の移動量
に応じて移動される。そのため、CRT装置18の画面に表
示されるフォトマスク等の２次イオン像はその電界の変
化により、その画面上をシフトされない。
第５図は、本発明の第２の実施例を示す図である。こ
の実施例による集束イオンビーム装置では、Ｘ−Ｙステ
ージ９は制御装置17から切り離されて、従来の集束イオ
ンビーム装置におけると同様、大まかな試料３の移動を
行なって視野設定を行ない得る構成となっている。他方
この集束イオンビーム装置において、第１のカウンティ
ングシステム部16及び第２のカウンティングシステム部
19からのカウントデータが入力される制御装置17には、
その指示データをアナログ信号に変換するD/A変換器21
が接続され、またこのD/A変換器21には、その出力に従
って走査電極に電圧を印加する走査電極回路部22が接続
されている。そして制御装置17内には第２図に示された
のと同様なテーブル17aが設けられ、このテーブル17aに
は第１の荷電粒子検出器５にて検出された２次イオン粒
子による２次イオン像と、第２の荷電粒子検出器７にて
検出された２次イオン粒子による２次イオン像との表示
位置ずれの量（移動量）t1,t2,…が記憶されている。
の実施例による集束イオンビーム装置では、Ｘ−Ｙステ
ージ９は制御装置17から切り離されて、従来の集束イオ
ンビーム装置におけると同様、大まかな試料３の移動を
行なって視野設定を行ない得る構成となっている。他方
この集束イオンビーム装置において、第１のカウンティ
ングシステム部16及び第２のカウンティングシステム部
19からのカウントデータが入力される制御装置17には、
その指示データをアナログ信号に変換するD/A変換器21
が接続され、またこのD/A変換器21には、その出力に従
って走査電極に電圧を印加する走査電極回路部22が接続
されている。そして制御装置17内には第２図に示された
のと同様なテーブル17aが設けられ、このテーブル17aに
は第１の荷電粒子検出器５にて検出された２次イオン粒
子による２次イオン像と、第２の荷電粒子検出器７にて
検出された２次イオン粒子による２次イオン像との表示
位置ずれの量（移動量）t1,t2,…が記憶されている。
このため、この実施例に係るFIB装置にて試料３の認
識操作が行われている間に第１及び第２の荷電粒子検出
器5,7の動作が切り替えられたり、或はガス銃６が昇降
せしめられると、制御装置17内では、その時の試料３の
２次イオン像の移動量がテーブル17aから読み出され
る。そして、この制御装置17内で制御データが作成され
て出力され、この制御データはD/A変換器21にてアナロ
グデータに変換され、次いで走査電極回路部22に入力さ
れて走査電極14を制御する。これによって、CRT装置18
に表示されるフォトマスク等の２次イオン像について
は、第１及び第２の荷電粒子検出器5,7の動作を切り替
えたときの象の移動がそのときの移動量だけ補正され、
結果的には２次イオン像は画面上を移動しない。
識操作が行われている間に第１及び第２の荷電粒子検出
器5,7の動作が切り替えられたり、或はガス銃６が昇降
せしめられると、制御装置17内では、その時の試料３の
２次イオン像の移動量がテーブル17aから読み出され
る。そして、この制御装置17内で制御データが作成され
て出力され、この制御データはD/A変換器21にてアナロ
グデータに変換され、次いで走査電極回路部22に入力さ
れて走査電極14を制御する。これによって、CRT装置18
に表示されるフォトマスク等の２次イオン像について
は、第１及び第２の荷電粒子検出器5,7の動作を切り替
えたときの象の移動がそのときの移動量だけ補正され、
結果的には２次イオン像は画面上を移動しない。
発明の効果 以上説明したように、この発明によれば、荷電粒子検
出器によるイオン引き込み電界の変化によって、試料の
２次イオン像が移動する量をテーブルに記憶し、このテ
ーブルを参照してその電界の変化に対応してＸ−Ｙステ
ージを移動するようにしたので、所定２次イオン粒子を
検出するための荷電粒子検出器およびトータル２次イオ
ン粒子を検出するための荷電粒子検出器の動作を切り替
え、あるいは、ガス銃の昇降により、試料上のイオン引
き込み電界が変化する場合、テーブルに記憶されている
移動量に基づいて、Ｘ−Ｙステージが移動され、CRT装
置に表示されるフォトマスク等の２次イオン像がシフト
することもなく、試料の欠陥、その修正部分の認識がし
易くなり、欠陥認識、欠陥修正作業の効率向上を図るこ
とができる。
出器によるイオン引き込み電界の変化によって、試料の
２次イオン像が移動する量をテーブルに記憶し、このテ
ーブルを参照してその電界の変化に対応してＸ−Ｙステ
ージを移動するようにしたので、所定２次イオン粒子を
検出するための荷電粒子検出器およびトータル２次イオ
ン粒子を検出するための荷電粒子検出器の動作を切り替
え、あるいは、ガス銃の昇降により、試料上のイオン引
き込み電界が変化する場合、テーブルに記憶されている
移動量に基づいて、Ｘ−Ｙステージが移動され、CRT装
置に表示されるフォトマスク等の２次イオン像がシフト
することもなく、試料の欠陥、その修正部分の認識がし
易くなり、欠陥認識、欠陥修正作業の効率向上を図るこ
とができる。
第１図はこの発明の一実施例を示し、表示方法が適用さ
れるFIB装置の概略的ブロック図、第２図は上記FIB装置
に用いられるテーブル図、第３図は従来のFIB装置の概
略的部分ブロック図、第４図は第３図に示すFIB装置に
より試料の２次イオン像のCRT表示を説明するための
図、第５図はこの発明の他の実施例を示すFIB装置の概
略的ブロック図である。 １……フォトマスク（Cr）、２……ガラス基板、３……
試料、４……２次イオン粒子、５……第１の荷電粒子検
出器、６……ガス銃、７……第２の荷電粒子検出器、８
……画面（CRT装置18の）９……Ｘ−Ｙステージ、10…
…イオン源、11……真空室、12……静電型コンデンサレ
ンズ,13……静電型対物レンズ、14……走査電極、15…
…２次イオン質量分析器、16……第１のカウンティング
システム部、17……制御装置（CPU）、17a……テーブル
（メモリ）,18……CRT装置,19……第２のカウンティン
グシステム部,20……Ｘ−Ｙステージコントローラ,21…
…D/A変換器。
れるFIB装置の概略的ブロック図、第２図は上記FIB装置
に用いられるテーブル図、第３図は従来のFIB装置の概
略的部分ブロック図、第４図は第３図に示すFIB装置に
より試料の２次イオン像のCRT表示を説明するための
図、第５図はこの発明の他の実施例を示すFIB装置の概
略的ブロック図である。 １……フォトマスク（Cr）、２……ガラス基板、３……
試料、４……２次イオン粒子、５……第１の荷電粒子検
出器、６……ガス銃、７……第２の荷電粒子検出器、８
……画面（CRT装置18の）９……Ｘ−Ｙステージ、10…
…イオン源、11……真空室、12……静電型コンデンサレ
ンズ,13……静電型対物レンズ、14……走査電極、15…
…２次イオン質量分析器、16……第１のカウンティング
システム部、17……制御装置（CPU）、17a……テーブル
（メモリ）,18……CRT装置,19……第２のカウンティン
グシステム部,20……Ｘ−Ｙステージコントローラ,21…
…D/A変換器。
Claims (1)
- 【請求項１】真空室内の所定位置に、Ｘ−Ｙ方向に駆動
するステージと、前記ステージ上の試料にイオンビーム
を集束し、走査して照射するイオンビーム照射光学系
と、前記試料からの２次イオン粒子を検出する第１およ
び第２の荷電粒子検出器と、前記第１の荷電粒子検出器
にて検出された所定２次イオン粒子を得る２次イオン質
量検出器と、前記２次イオン質量検出器にて得られた２
次イオン粒子をカウントし、その強度分布を得る第１の
カウンティングシステム部と、前記第２の荷電粒子検出
器にて検出された全ての２次イオン粒子をカウントし、
その強度分布を得る第２のカウンティングシステム部
と、前記第１若しくは第２のカウンティングシステム部
にて得られた２次イオン粒子の強度分布に基づき、前記
試料の２次イオン像を表示するCRT装置と、前記第１の
カウンティングシステムからの強度分布に基づいて得ら
れる前記CRT装置への前記試料の２次イオン像と前記第
２のカウンティングシステムからの強度分布に基づいて
得られる前記CRT装置への前記試料の２次イオン像との
移動量を記憶するテーブルと、前記第１と前記第２の荷
電粒子検出器との動作を切り換えた際に、前記テーブル
に記憶された移動量に基づいて前記イオンビームの走査
領域を補正する制御装置とより構成されることを特徴と
する集束イオンビーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16937188A JP2522992B2 (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 集束イオンビ―ム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16937188A JP2522992B2 (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 集束イオンビ―ム装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28159295A Division JP2694264B2 (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 集束イオンビーム装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0218561A JPH0218561A (ja) | 1990-01-22 |
| JP2522992B2 true JP2522992B2 (ja) | 1996-08-07 |
Family
ID=15885350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16937188A Expired - Fee Related JP2522992B2 (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 集束イオンビ―ム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2522992B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6279465A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-11 | Seiko Instr & Electronics Ltd | マスク白色欠陥修正方法 |
| JP2543680B2 (ja) * | 1985-10-02 | 1996-10-16 | セイコー電子工業株式会社 | マスクリペア装置 |
| JPH0320831Y2 (ja) * | 1985-12-16 | 1991-05-07 |
-
1988
- 1988-07-06 JP JP16937188A patent/JP2522992B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0218561A (ja) | 1990-01-22 |
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Legal Events
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