JP2694264B2 - 集束イオンビーム装置 - Google Patents
集束イオンビーム装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造工程
で使用されるフォトマスクやレチクルの欠陥を認識し、
この欠陥の修正を行う集束イオンビーム（ＦＩＢ）装置
に係わり、更に詳しくはその欠陥認識、欠陥修正時の作
業効率を向上させるようにした集束イオンビーム装置に
関するものである。
で使用されるフォトマスクやレチクルの欠陥を認識し、
この欠陥の修正を行う集束イオンビーム（ＦＩＢ）装置
に係わり、更に詳しくはその欠陥認識、欠陥修正時の作
業効率を向上させるようにした集束イオンビーム装置に
関するものである。
【０００２】近年、半導体素子のＬＳＩが大規模化、高
集積化されるようになった背景の一つには、ＬＳＩ製造
技術の著しい発達をあげることができる。ＬＳＩ製造技
術の一つにＦＩＢ技術があり、このＦＩＢ技術は描写技
術である上に加工技術でもあり、ＬＳＩ回路のフォトマ
スクおよびレクチルの欠陥を認識、修正できるまでなっ
た。
集積化されるようになった背景の一つには、ＬＳＩ製造
技術の著しい発達をあげることができる。ＬＳＩ製造技
術の一つにＦＩＢ技術があり、このＦＩＢ技術は描写技
術である上に加工技術でもあり、ＬＳＩ回路のフォトマ
スクおよびレクチルの欠陥を認識、修正できるまでなっ
た。
【０００３】すなわち、フォトマスクやレチクルには、
その製造段階で余分なＣｒが残留する部分の黒色欠陥お
よび逆にＣｒが欠陥する白色欠陥４がどうしても発生す
る。そこで、それらフォトマスクやレチクルの欠陥認
識、修正に上記ＦＩＢ技術が利用されるようになった。
その製造段階で余分なＣｒが残留する部分の黒色欠陥お
よび逆にＣｒが欠陥する白色欠陥４がどうしても発生す
る。そこで、それらフォトマスクやレチクルの欠陥認
識、修正に上記ＦＩＢ技術が利用されるようになった。
【０００４】
【従来の技術】このＦＩＢ技術を応用したＦＩＢ装置に
おいて、第３図に示されているように、そのフォトマス
ク１やレチクルの欠陥認識を行う場合、そのフォトマス
ク１が形成されているガラス基板２の試料３に集束イオ
ンビームを照射、走査し、その試料から放出される２次
イオン粒子４を第１の荷電粒子検出器５にて検出する。
この検出２次イオン粒子４にはフォトマスク１からのＣ
ｒイオンとガラス基板２からのＳｉイオンが含まれてい
る。そこで、２次イオン質量分析器（図示せず）にて所
定の２次イオン粒子（例えばＣｒイオン）を得、この２
次イオン粒子の強度分布に基づいて、フォトマスク１等
の２次イオン像をＣＲＴ装置（図示せず）に表示し、欠
陥の認識を行っている。
おいて、第３図に示されているように、そのフォトマス
ク１やレチクルの欠陥認識を行う場合、そのフォトマス
ク１が形成されているガラス基板２の試料３に集束イオ
ンビームを照射、走査し、その試料から放出される２次
イオン粒子４を第１の荷電粒子検出器５にて検出する。
この検出２次イオン粒子４にはフォトマスク１からのＣ
ｒイオンとガラス基板２からのＳｉイオンが含まれてい
る。そこで、２次イオン質量分析器（図示せず）にて所
定の２次イオン粒子（例えばＣｒイオン）を得、この２
次イオン粒子の強度分布に基づいて、フォトマスク１等
の２次イオン像をＣＲＴ装置（図示せず）に表示し、欠
陥の認識を行っている。
【０００５】また、上記フォトマスク１の白色欠陥を修
正する場合、ガス銃６を所定位置に降ろし、その欠陥部
分に化合物ガスを吹き付けると共に、集束イオンビーム
１を照射、走査することにより、その欠陥部に堆積した
有機物を炭化し、白色欠陥の修正を行っている。このよ
うな白色欠陥の修正の後、その修正箇所を認識する場
合、試料３の所定領域に集束イオンビームＩを照射、走
査し、その試料３から出力される２次イオン粒子を第２
の荷電粒子検出器７にて検出する。この検出２次イオン
粒子にはフォトマスク１からのＣｒイオン、ガラス基板
２からのＳｉイオンおよび修正箇所の炭化膜からのＣイ
オン等の全てが含まれている。そこで、そのトータル２
次イオン粒子の強度分布を得、この強度分布に基づい
て、試料３表面の２次イオン像をＣＲＴ装置に表示し、
白色欠陥の修正箇所等の認識を行っている。
正する場合、ガス銃６を所定位置に降ろし、その欠陥部
分に化合物ガスを吹き付けると共に、集束イオンビーム
１を照射、走査することにより、その欠陥部に堆積した
有機物を炭化し、白色欠陥の修正を行っている。このよ
うな白色欠陥の修正の後、その修正箇所を認識する場
合、試料３の所定領域に集束イオンビームＩを照射、走
査し、その試料３から出力される２次イオン粒子を第２
の荷電粒子検出器７にて検出する。この検出２次イオン
粒子にはフォトマスク１からのＣｒイオン、ガラス基板
２からのＳｉイオンおよび修正箇所の炭化膜からのＣイ
オン等の全てが含まれている。そこで、そのトータル２
次イオン粒子の強度分布を得、この強度分布に基づい
て、試料３表面の２次イオン像をＣＲＴ装置に表示し、
白色欠陥の修正箇所等の認識を行っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記ＦＩＢ装置におい
ては、フォトマスク１の欠陥、その修正箇所の認識およ
び欠陥修正を行う場合、上記第１の荷電粒子検出器５あ
るいは第２の荷電粒子検出器７の動作を所定に切り替え
て、所定の２次イオン粒子あるいはトータル２次イオン
粒子を検出するようにしている。
ては、フォトマスク１の欠陥、その修正箇所の認識およ
び欠陥修正を行う場合、上記第１の荷電粒子検出器５あ
るいは第２の荷電粒子検出器７の動作を所定に切り替え
て、所定の２次イオン粒子あるいはトータル２次イオン
粒子を検出するようにしている。
【０００７】ところで、第１あるいは第２の荷電粒子検
出器５，７の動作が切り替えられたときには、試料３の
上方のイオン引き込み電界が変化し、その電界にて１次
イオンの集束イオンビームＩが曲げられる。そのため、
第４図の実戦、破線に示されているように、その第１の
荷電粒子検出器５に切り替えられたときの２次イオン像
と第２の荷電粒子検出器７に切り替えられたときの２次
イオン像とはＣＲＴ装置の画面８上にてシフトされる、
つまりその２次イオン像が移動される。特に、上記試料
３の狭い領域を表示する場合、上記２次イオン像の移動
量ｔが画面８より大きいと、フォトマスク１等の欠陥部
分がＣＲＴ装置の画面８から外れ、見れなくなることも
あった。
出器５，７の動作が切り替えられたときには、試料３の
上方のイオン引き込み電界が変化し、その電界にて１次
イオンの集束イオンビームＩが曲げられる。そのため、
第４図の実戦、破線に示されているように、その第１の
荷電粒子検出器５に切り替えられたときの２次イオン像
と第２の荷電粒子検出器７に切り替えられたときの２次
イオン像とはＣＲＴ装置の画面８上にてシフトされる、
つまりその２次イオン像が移動される。特に、上記試料
３の狭い領域を表示する場合、上記２次イオン像の移動
量ｔが画面８より大きいと、フォトマスク１等の欠陥部
分がＣＲＴ装置の画面８から外れ、見れなくなることも
あった。
【０００８】また、フォトマスク１の白色欠陥を修正す
る場合、ガス銃６の昇降により、上記イオン引き込み電
界が変化するため、上記同様に２次イオン像がＣＲＴ装
置の画面８上にてシフトされる。このような場合、正確
な欠陥位置の認識、修正箇所の認識を行うために、上記
ＦＩＢ装置のオペレータが所定操作を行い、Ｘ−Ｙステ
ージ９を所定駆動し、ＣＲＴ装置の画面８を見ながらそ
の位置を捜し出すようにしていた。しかし、そのような
操作は、非常に難しくて慣れないオペレータにとっては
困難であり、作業効率を低下させるという問題点があっ
た。
る場合、ガス銃６の昇降により、上記イオン引き込み電
界が変化するため、上記同様に２次イオン像がＣＲＴ装
置の画面８上にてシフトされる。このような場合、正確
な欠陥位置の認識、修正箇所の認識を行うために、上記
ＦＩＢ装置のオペレータが所定操作を行い、Ｘ−Ｙステ
ージ９を所定駆動し、ＣＲＴ装置の画面８を見ながらそ
の位置を捜し出すようにしていた。しかし、そのような
操作は、非常に難しくて慣れないオペレータにとっては
困難であり、作業効率を低下させるという問題点があっ
た。
【０００９】この発明は上記問題点に艦みなされたもの
であり、その目的は、正確な欠陥あるいはその修正箇所
の認識を容易にし、その欠陥認識、修正作業を効率よく
行うことができるようにした集束イオンビーム装置を提
供することにある。
であり、その目的は、正確な欠陥あるいはその修正箇所
の認識を容易にし、その欠陥認識、修正作業を効率よく
行うことができるようにした集束イオンビーム装置を提
供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、真空室内の所定位置に、Ｘ−Ｙ方向に
駆動するステージと、このステージ上の試料にイオンビ
ームを集束照射するイオンビーム照射光学系と、そのイ
オンビームが照射される試料に化合物ガスを吹き付ける
ガス銃と、その試料からの２次イオン粒子を検出する第
１および第２の荷電粒子検出器と、その第１の荷電粒子
検出器にて検出された所定２次イオン粒子を得る２次イ
オン質量分離器と、この２次イオン質量分離器にて得ら
れた２次イオン粒子をカウントし、その強度分布を得る
第１のカウンティングシステム部と、上記第２の荷電粒
子検出器にて検出された全ての２次イオン粒子をカウン
トし、その強度分布を得る第２のカウンティングシステ
ム部とを備え、上記第１若しくは第２のカウンティング
システム部にて得られた２次イオン粒子の強度分布に基
づき、上記試料の２次イオン像を表示する集束イオンビ
ーム装置において、上記第１および第２の荷電粒子検出
器の動作を切り替えたとき、あるいは、上記ガス銃を昇
降したときに表示される上記２次イオン像の移動量が記
憶されるテーブルを有しているものである。
に、この発明は、真空室内の所定位置に、Ｘ−Ｙ方向に
駆動するステージと、このステージ上の試料にイオンビ
ームを集束照射するイオンビーム照射光学系と、そのイ
オンビームが照射される試料に化合物ガスを吹き付ける
ガス銃と、その試料からの２次イオン粒子を検出する第
１および第２の荷電粒子検出器と、その第１の荷電粒子
検出器にて検出された所定２次イオン粒子を得る２次イ
オン質量分離器と、この２次イオン質量分離器にて得ら
れた２次イオン粒子をカウントし、その強度分布を得る
第１のカウンティングシステム部と、上記第２の荷電粒
子検出器にて検出された全ての２次イオン粒子をカウン
トし、その強度分布を得る第２のカウンティングシステ
ム部とを備え、上記第１若しくは第２のカウンティング
システム部にて得られた２次イオン粒子の強度分布に基
づき、上記試料の２次イオン像を表示する集束イオンビ
ーム装置において、上記第１および第２の荷電粒子検出
器の動作を切り替えたとき、あるいは、上記ガス銃を昇
降したときに表示される上記２次イオン像の移動量が記
憶されるテーブルを有しているものである。
【００１１】上記構成としたので、上記テーブルには、
試料上方にて第１および第２の荷電粒子検出器のイオン
引き込み電界が変化したときの、２次イオン像の移動量
が記憶される。すなわち、その第１の荷電粒子検出器と
第１の荷電粒子検出器とを切り替え、あるいは、ガス銃
の昇降動作により、上記イオン引き込み電界が変化し、
その２次イオン像が移動される。この移動量を予め算出
し、テーブルとして記憶しておき、集束イオンビーム装
置が上記第１の荷電粒子検出器と第２の荷電粒子検出器
とを切り替え、ガス銃の昇降動作を行う際、そのテーブ
ルの移動量に基づいてＸ−Ｙステージが移動される。す
なわち、上記２次イオン像の移動量に対応して、予めＸ
−Ｙステージが移動されるため、ＣＲＴ装置に表示され
る２次イオン像が移動しない。
試料上方にて第１および第２の荷電粒子検出器のイオン
引き込み電界が変化したときの、２次イオン像の移動量
が記憶される。すなわち、その第１の荷電粒子検出器と
第１の荷電粒子検出器とを切り替え、あるいは、ガス銃
の昇降動作により、上記イオン引き込み電界が変化し、
その２次イオン像が移動される。この移動量を予め算出
し、テーブルとして記憶しておき、集束イオンビーム装
置が上記第１の荷電粒子検出器と第２の荷電粒子検出器
とを切り替え、ガス銃の昇降動作を行う際、そのテーブ
ルの移動量に基づいてＸ−Ｙステージが移動される。す
なわち、上記２次イオン像の移動量に対応して、予めＸ
−Ｙステージが移動されるため、ＣＲＴ装置に表示され
る２次イオン像が移動しない。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例を図面に
基づいて説明する。なお、図１中、図３と同一部分には
同一符号を付し重複説明を省略する。図１において、イ
オン源１０の先端部からは、イオン引き出し電極によ
り、イオンビームが真空室８内に引き出される。真空室
１１内には、試料３が裁量されるＸ−Ｙステージ９、イ
オンビームを試料３に集束、照射するための静電型コン
デンサレンズ１２、静電型対物レンズ１３、イオンビー
ムを走査するための走査電極１４、イオンビームが照射
される試料３に化合物ガスを吹き付けるガス銃６、試料
３からの２次イオン粒子４を検出する第１および第２の
荷電粒子検出器５，７が備えられている。
基づいて説明する。なお、図１中、図３と同一部分には
同一符号を付し重複説明を省略する。図１において、イ
オン源１０の先端部からは、イオン引き出し電極によ
り、イオンビームが真空室８内に引き出される。真空室
１１内には、試料３が裁量されるＸ−Ｙステージ９、イ
オンビームを試料３に集束、照射するための静電型コン
デンサレンズ１２、静電型対物レンズ１３、イオンビー
ムを走査するための走査電極１４、イオンビームが照射
される試料３に化合物ガスを吹き付けるガス銃６、試料
３からの２次イオン粒子４を検出する第１および第２の
荷電粒子検出器５，７が備えられている。
【００１３】第１の荷電粒子検出器５にて検出された２
次イオン粒子は２次イオン質量分析器１５に入力され、
そのうちの所定粒子（例えばＣｒの２次イオン粒子）が
得られ、第１のカウンティングシステム部１６にてその
所定イオン粒子がカウントされると共に、その強度分布
が得られる。この強度分布に基づいて、制御装置（ＣＰ
Ｕ）１７にて上記集束イオンビームが照射される所定領
域のイメージ画像（２次イオン像）データが得られる。
このデータにより、ＣＲＴ装置１８にはその試料３の所
定領域が２次イオン像で表示される。
次イオン粒子は２次イオン質量分析器１５に入力され、
そのうちの所定粒子（例えばＣｒの２次イオン粒子）が
得られ、第１のカウンティングシステム部１６にてその
所定イオン粒子がカウントされると共に、その強度分布
が得られる。この強度分布に基づいて、制御装置（ＣＰ
Ｕ）１７にて上記集束イオンビームが照射される所定領
域のイメージ画像（２次イオン像）データが得られる。
このデータにより、ＣＲＴ装置１８にはその試料３の所
定領域が２次イオン像で表示される。
【００１４】一方、第２の荷電粒子検出器７にて検出さ
れる２次イオン粒子は第２のカウンティングシステム部
１９に入力され、その全粒子（例えばＣｒ，Ｓｉ，Ｃ等
の２次イオン粒子）がカウントされると共に、その強度
分布が得られる。この強度分布に基づいて、上記同様に
制御装置（ＣＰＵ）１７にて試料３の所定領域のイメー
ジ画像（２次イオン像）データが得られ、このデータに
基づいて２次イオン像が得られる。
れる２次イオン粒子は第２のカウンティングシステム部
１９に入力され、その全粒子（例えばＣｒ，Ｓｉ，Ｃ等
の２次イオン粒子）がカウントされると共に、その強度
分布が得られる。この強度分布に基づいて、上記同様に
制御装置（ＣＰＵ）１７にて試料３の所定領域のイメー
ジ画像（２次イオン像）データが得られ、このデータに
基づいて２次イオン像が得られる。
【００１５】また、制御装置１７にはテーブル（メモ
リ：図２参照）１７ａが設けられ、このテーブル１７ａ
には第１の荷電粒子検出器５にて検出された２次イオン
粒子による２次イオン像と、第２の荷電粒子検出器７に
て検出された２次イオン粒子による２次イオン像との表
示位置ずれの量（移動量）が記憶されている。
リ：図２参照）１７ａが設けられ、このテーブル１７ａ
には第１の荷電粒子検出器５にて検出された２次イオン
粒子による２次イオン像と、第２の荷電粒子検出器７に
て検出された２次イオン粒子による２次イオン像との表
示位置ずれの量（移動量）が記憶されている。
【００１６】なお、上記第１の荷電粒子検出器５と第２
の荷電粒子検出器７とはＦＩＢ装置の操作に応じてその
動作が切り替えれる。また、Ｘ−Ｙステージ９は、従来
同様に制御装置１７の指示に応じ、Ｘ−Ｙステージコン
トローラ２０にて駆動される。さらに、上記静電型コン
デンサレンズ１１、静電型対物レンズ１２、走査電極１
３およびガス銃１４等は、同様に上記制御装置１７にて
制御される。
の荷電粒子検出器７とはＦＩＢ装置の操作に応じてその
動作が切り替えれる。また、Ｘ−Ｙステージ９は、従来
同様に制御装置１７の指示に応じ、Ｘ−Ｙステージコン
トローラ２０にて駆動される。さらに、上記静電型コン
デンサレンズ１１、静電型対物レンズ１２、走査電極１
３およびガス銃１４等は、同様に上記制御装置１７にて
制御される。
【００１７】次に、上記ＦＩＢ装置の動作を図２を参照
して説明する。まず、このＦＩＢ装置において、ＣＲＴ
装置１８の画面に表示される２次イオン像の移動量が予
めテーブル１７ａに記憶される。すなわち、第１および
第２の荷電粒子検出器５，７の動作を切り替えたとき、
さらにガス銃６を昇降したときに、２次イオン像の移動
する量ｔ1 ，ｔ2 ，・・・が予め制御装置１７にて算出
され、シフトデータとして記憶されている。
して説明する。まず、このＦＩＢ装置において、ＣＲＴ
装置１８の画面に表示される２次イオン像の移動量が予
めテーブル１７ａに記憶される。すなわち、第１および
第２の荷電粒子検出器５，７の動作を切り替えたとき、
さらにガス銃６を昇降したときに、２次イオン像の移動
する量ｔ1 ，ｔ2 ，・・・が予め制御装置１７にて算出
され、シフトデータとして記憶されている。
【００１８】そして、そのＦＩＢ装置にて試料３の認識
操作が行われると、制御装置１７にてＸ−Ｙステージ９
が移動され、試料３の所定領域に集束イオンビームが照
射、走査される。このとき、第１の荷電粒子検出器５の
動作に切り替えられていると、ＣＲＴ装置１８の画面に
は試料３から放出される２次イオン粒子のうちのＣｒイ
オン粒子に基づいた２次イオン像が表示される。すなわ
ち、ＣＲＴ装置１８にはフォトマスクの白色欠陥等が明
瞭に表示される。しかし、既に修正された白色欠陥部分
は、炭化された膜が形成されているため、ＣＲＴ装置に
表示されない。
操作が行われると、制御装置１７にてＸ−Ｙステージ９
が移動され、試料３の所定領域に集束イオンビームが照
射、走査される。このとき、第１の荷電粒子検出器５の
動作に切り替えられていると、ＣＲＴ装置１８の画面に
は試料３から放出される２次イオン粒子のうちのＣｒイ
オン粒子に基づいた２次イオン像が表示される。すなわ
ち、ＣＲＴ装置１８にはフォトマスクの白色欠陥等が明
瞭に表示される。しかし、既に修正された白色欠陥部分
は、炭化された膜が形成されているため、ＣＲＴ装置に
表示されない。
【００１９】そこで、そのＦＩＢ装置の所定操作によ
り、第１の荷電粒子検出器５から第２の荷電粒子検出器
７に切り替えられると、ＣＲＴ装置１８の画面には、試
料３から放出されるトータル２次イオン粒子による２次
イオン像が表示される。すなわち、ＣＲＴ装置１８には
試料３のフォトマスクおよびその白色欠陥の修正部分等
が明瞭に表示される。
り、第１の荷電粒子検出器５から第２の荷電粒子検出器
７に切り替えられると、ＣＲＴ装置１８の画面には、試
料３から放出されるトータル２次イオン粒子による２次
イオン像が表示される。すなわち、ＣＲＴ装置１８には
試料３のフォトマスクおよびその白色欠陥の修正部分等
が明瞭に表示される。
【００２０】その第１の荷電粒子検出器５から第２の荷
電粒子検出器７に切り替えられたときには、集束イオン
ビームが照射される試料３上方のイオン引く込み電界が
変化される。しかし、制御装置１７にて内部のテーブル
のシフトデータｔ1 に基づいてＸ−Ｙステージ９の移動
量が算出され、この算出されたデータがＸ−Ｙステージ
コントローラ２０に出力される。すると、そのデータに
基づき、Ｘ−Ｙステージ９が移動されるため、集束イオ
ンビームの照射位置が変えられる。すなわち、集束イオ
ンビームは、そのイオン引き込み電界の変化により曲げ
られた分、Ｘ−Ｙステージ９の移動で補正される。これ
により、ＣＲＴ装置１８に表示されるフォトマスク等の
２次イオン像は、第１および第２の荷電粒子検出器５，
７の動作を切り替えても、その画面上を移動しない。
電粒子検出器７に切り替えられたときには、集束イオン
ビームが照射される試料３上方のイオン引く込み電界が
変化される。しかし、制御装置１７にて内部のテーブル
のシフトデータｔ1 に基づいてＸ−Ｙステージ９の移動
量が算出され、この算出されたデータがＸ−Ｙステージ
コントローラ２０に出力される。すると、そのデータに
基づき、Ｘ−Ｙステージ９が移動されるため、集束イオ
ンビームの照射位置が変えられる。すなわち、集束イオ
ンビームは、そのイオン引き込み電界の変化により曲げ
られた分、Ｘ−Ｙステージ９の移動で補正される。これ
により、ＣＲＴ装置１８に表示されるフォトマスク等の
２次イオン像は、第１および第２の荷電粒子検出器５，
７の動作を切り替えても、その画面上を移動しない。
【００２１】また、ガス銃６を昇降したときにも、試料
３上方のイオン引き込み電界が変化するが、上記同様制
御装置１７にて内部のテーブルのシフトデータｔ2 に基
づいてＸ−Ｙステージ９の移動量が算出され、この算出
されたデータがＸ−Ｙステージコントローラ２０に出力
される。すると、そのデータに基づき、Ｘ−Ｙステージ
９が移動されるため、集束イオンビームの照射位置が変
えられる。すなわち、集束イオンビームは、そのイオン
引き込み電界の変化により曲げられた分、Ｘ−Ｙステー
ジ９の移動で補正される。したがって、ＣＲＴ装置１８
に表示されるフォトマスク等の２次イオン像は、上記ガ
ス銃６の昇降によって、その画面上を移動しない。
３上方のイオン引き込み電界が変化するが、上記同様制
御装置１７にて内部のテーブルのシフトデータｔ2 に基
づいてＸ−Ｙステージ９の移動量が算出され、この算出
されたデータがＸ−Ｙステージコントローラ２０に出力
される。すると、そのデータに基づき、Ｘ−Ｙステージ
９が移動されるため、集束イオンビームの照射位置が変
えられる。すなわち、集束イオンビームは、そのイオン
引き込み電界の変化により曲げられた分、Ｘ−Ｙステー
ジ９の移動で補正される。したがって、ＣＲＴ装置１８
に表示されるフォトマスク等の２次イオン像は、上記ガ
ス銃６の昇降によって、その画面上を移動しない。
【００２２】このように、第１あるいは第２の荷電粒子
検出器５，７によるイオン引き込み電界に変化が生じた
場合、Ｘ−Ｙステージ９は予めその変化による２次イオ
ン像の移動量に応じて移動される。そのため、ＣＲＴ装
置１８の画面に表示されるフォトマスク等の２次イオン
像はその電界の変化により、その画面上をシフトされな
い。
検出器５，７によるイオン引き込み電界に変化が生じた
場合、Ｘ−Ｙステージ９は予めその変化による２次イオ
ン像の移動量に応じて移動される。そのため、ＣＲＴ装
置１８の画面に表示されるフォトマスク等の２次イオン
像はその電界の変化により、その画面上をシフトされな
い。
【００２３】図５は、本発明の第２の実施例を示す図で
ある。この実施例による集束イオンビーム装置では、Ｘ
−Ｙステージ９は制御装置１７から切り離されて、従来
の集束イオンビーム装置におけると同様、大まかな試料
３の移動を行なって視野設定を行ない得る構成となって
いる。他方この集束イオンビーム装置において、第１の
カウンティングシステム部１６及び第２のカウンティン
グシステム部１９からのカウントデータが入力される制
御装置１７には、その指示データをアナログ信号に変換
するＤ／Ａ変換器２１が接続され、またこのＤ／Ａ変換
器２１には、その出力に従って走査電極に電圧を印加す
る走査電極回路部２２が接続されている。そして制御装
置１７内には図２に示されたのと同様なテーブル１７ａ
が設けられ、このテーブル１７ａには第１の荷電粒子検
出器５にて検出された２次イオン粒子による２次イオン
像と、第２の荷電粒子検出器７にて検出された２次イオ
ン粒子による２次イオン像との表示位置ずれの量（移動
量）ｔ1 ，ｔ2 …が記憶されている。
ある。この実施例による集束イオンビーム装置では、Ｘ
−Ｙステージ９は制御装置１７から切り離されて、従来
の集束イオンビーム装置におけると同様、大まかな試料
３の移動を行なって視野設定を行ない得る構成となって
いる。他方この集束イオンビーム装置において、第１の
カウンティングシステム部１６及び第２のカウンティン
グシステム部１９からのカウントデータが入力される制
御装置１７には、その指示データをアナログ信号に変換
するＤ／Ａ変換器２１が接続され、またこのＤ／Ａ変換
器２１には、その出力に従って走査電極に電圧を印加す
る走査電極回路部２２が接続されている。そして制御装
置１７内には図２に示されたのと同様なテーブル１７ａ
が設けられ、このテーブル１７ａには第１の荷電粒子検
出器５にて検出された２次イオン粒子による２次イオン
像と、第２の荷電粒子検出器７にて検出された２次イオ
ン粒子による２次イオン像との表示位置ずれの量（移動
量）ｔ1 ，ｔ2 …が記憶されている。
【００２４】このため、この実施例に係わるＦＩＢ装置
にて試料３の認識操作が行われている間に第１及び第２
の荷電粒子検出器５，７の動作が切り替えられたり、或
いはガス銃６が昇降せしめられると、制御装置１７内で
は、その時の試料３の２次イオン像の移動量がテーブル
１７ａから読み出される。そして、この制御装置１７内
で制御データが作成されて出力され、この制御データは
Ｄ／Ａ変換器２１にてアナログデータに変換され、次い
で走査電極回路部２２に入力されて走査電極１４を制御
する。これによって、ＣＲＴ装置１８に表示されるフォ
トマスク等の２次イオン像については、第１及び第２の
荷電粒子検出器５，７の動作を切り替えたときの像の移
動がそのときの移動量だけ補正され、結果的には２次イ
オン像は画面上を移動しない。
にて試料３の認識操作が行われている間に第１及び第２
の荷電粒子検出器５，７の動作が切り替えられたり、或
いはガス銃６が昇降せしめられると、制御装置１７内で
は、その時の試料３の２次イオン像の移動量がテーブル
１７ａから読み出される。そして、この制御装置１７内
で制御データが作成されて出力され、この制御データは
Ｄ／Ａ変換器２１にてアナログデータに変換され、次い
で走査電極回路部２２に入力されて走査電極１４を制御
する。これによって、ＣＲＴ装置１８に表示されるフォ
トマスク等の２次イオン像については、第１及び第２の
荷電粒子検出器５，７の動作を切り替えたときの像の移
動がそのときの移動量だけ補正され、結果的には２次イ
オン像は画面上を移動しない。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、荷電粒子検出器によるイオン引き込み電界の変化に
よって、試料の２次イオン像が移動する量をテーブルに
記憶し、このテーブルを参照してその電界の変化に対応
してＸ−Ｙステージを移動するようにしたので、所定２
次イオン粒子を検出するための荷電粒子検出器およびト
ータル２次イオン粒子を検出するための荷電粒子検出器
の動作を切り替え、あるいは、ガス銃の昇降により、試
料上のイオン引き込み電界が変化する場合、テーブルに
記憶されている移動量に基づいて、Ｘ−Ｙステージが移
動され、ＣＲＴ装置に表示されるフォトマスク等の２次
イオン像がシフトすることもなく、試料の欠陥、その修
正部分の認識がし易くなり、欠陥認識、欠陥修正作業の
効率向上を図ることができる。
ば、荷電粒子検出器によるイオン引き込み電界の変化に
よって、試料の２次イオン像が移動する量をテーブルに
記憶し、このテーブルを参照してその電界の変化に対応
してＸ−Ｙステージを移動するようにしたので、所定２
次イオン粒子を検出するための荷電粒子検出器およびト
ータル２次イオン粒子を検出するための荷電粒子検出器
の動作を切り替え、あるいは、ガス銃の昇降により、試
料上のイオン引き込み電界が変化する場合、テーブルに
記憶されている移動量に基づいて、Ｘ−Ｙステージが移
動され、ＣＲＴ装置に表示されるフォトマスク等の２次
イオン像がシフトすることもなく、試料の欠陥、その修
正部分の認識がし易くなり、欠陥認識、欠陥修正作業の
効率向上を図ることができる。
【図１】図１はこの発明の一実施例を示し、表示方法が
適用されるＦＩＢ装置の概略的ブロック図である。
適用されるＦＩＢ装置の概略的ブロック図である。
【図２】図２は上記ＦＩＢ装置に用いられるテーブル図
である。
である。
【図３】図３は従来のＦＩＢ装置の概略的部分ブロック
図である。
図である。
【図４】図４は図３に示すＦＩＢ装置により試料の２次
イオン像のＣＲＴ表示を説明するための図である。
イオン像のＣＲＴ表示を説明するための図である。
【図５】図５はこの発明の他の実施例を示すＦＩＢ装置
の概略的ブロック図である。
の概略的ブロック図である。
１ フォトマスク（Ｃｒ） ２ ガラス基板 ３ 試料 ４ ２次イオン粒子 ５ 第１の荷電粒子検出器 ６ ガス銃 ７ 第２の荷電粒子検出器 ８ 画面（ＣＲＴ装置１８の） ９ Ｘ−Ｙステージ １０ イオン源 １１ 真空室 １２ 静電型コンデンサレンズ １３ 静電型対物レンズ １４ 走査電極 １５ ２次イオン質量分析器 １６ 第１のカウンティングシステム部 １７ 制御装置（ＣＰＵ） １７ａ テーブル（メモリ） １８ ＣＲＴ装置 １９ 第２のカウンティングシステム部 ２０ Ｘ−Ｙステージコントローラ ２１ Ｄ／Ａ変換器
Claims (1)
- 【請求項１】 真空室内の所定位置に、Ｘ−Ｙ方向に駆
動するステージと、前記ステージ上の試料にイオンビー
ムを集束し、走査して照射するイオンビーム照射光学系
と、前記イオンビームが照射されている試料に化合物ガ
スを吹き付けるために設けられ、吹き付け軸に方向に昇
降するガス銃と、前記試料からの２次荷電粒子を検出す
る荷電粒子検出器と、前記荷電粒子検出器から出力に基
づいて前記試料の２次荷電粒子像を表示するＣＲＴ装置
と、前記ガス銃の昇降により前記ＣＲＴ装置に表示され
る前記試料の２次荷電粒子像の移動量を記憶するテーブ
ルと、前記ガス銃が昇降する際に、前記テーブルに記憶
された移動量に基づいて前記イオンビームの走査領域を
補正する制御装置とより構成されることを特徴とする集
束イオンビーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28159295A JP2694264B2 (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 集束イオンビーム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28159295A JP2694264B2 (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 集束イオンビーム装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16937188A Division JP2522992B2 (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 集束イオンビ―ム装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08227145A JPH08227145A (ja) | 1996-09-03 |
| JP2694264B2 true JP2694264B2 (ja) | 1997-12-24 |
Family
ID=17641302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28159295A Expired - Lifetime JP2694264B2 (ja) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | 集束イオンビーム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2694264B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3479838B2 (ja) * | 2000-10-19 | 2003-12-15 | 日本電気株式会社 | パターン修正方法及びパターン修正装置 |
| JP2002341099A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-27 | Seiko Instruments Inc | 複数ノズルの一つを選択可能に昇降駆動できるガス銃 |
-
1995
- 1995-10-30 JP JP28159295A patent/JP2694264B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08227145A (ja) | 1996-09-03 |
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