JPH0135342B2 - - Google Patents
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- JPH0135342B2 JPH0135342B2 JP21984585A JP21984585A JPH0135342B2 JP H0135342 B2 JPH0135342 B2 JP H0135342B2 JP 21984585 A JP21984585 A JP 21984585A JP 21984585 A JP21984585 A JP 21984585A JP H0135342 B2 JPH0135342 B2 JP H0135342B2
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- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 43
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010000 carbonizing Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ 産業上の利用分野
本発明はイオンビーム走査照射により半導体素
子製造用フオトマスクやレチクル（以下単にマス
クという）のパタン欠損欠陥（以下白色欠陥とい
う）を正確に特定した後、ガス銃で有機化合物蒸
気を吹き付け同時にイオンビームを走査しながら
繰り返し照射し、遮光性の膜を白色欠陥部に形成
してマスクの白色欠陥を修正する方法に関する。
子製造用フオトマスクやレチクル（以下単にマス
クという）のパタン欠損欠陥（以下白色欠陥とい
う）を正確に特定した後、ガス銃で有機化合物蒸
気を吹き付け同時にイオンビームを走査しながら
繰り返し照射し、遮光性の膜を白色欠陥部に形成
してマスクの白色欠陥を修正する方法に関する。
Ｂ 発明の概要
本発明はイオンビームを走査しながらマスクに
照射して白色欠陥の位置を特定したのちガス銃に
より白色欠陥部に有機化合物蒸気を吹き付け同時
にイオンビームを走査して繰り返し照射して膜付
けを行ない白色欠陥を修正する方法において、ガ
ス銃の噴射ノズルをマスク表面に接近させた状態
でイオンビームを走査照射して白色欠陥部の像観
察及び膜付範囲の特定を行ない、この状態で有機
化合物蒸気の吹付け及びイオンビーム走査照射に
よる有機化合物の炭化又はポリマー化膜付けを行
なうことにより、白色欠陥像観察位置特定に用い
るイオンビームの軌跡と、膜付けに用いられるイ
オンビームの軌跡が常に一致させ正確な膜付けが
できるという効果がある。
照射して白色欠陥の位置を特定したのちガス銃に
より白色欠陥部に有機化合物蒸気を吹き付け同時
にイオンビームを走査して繰り返し照射して膜付
けを行ない白色欠陥を修正する方法において、ガ
ス銃の噴射ノズルをマスク表面に接近させた状態
でイオンビームを走査照射して白色欠陥部の像観
察及び膜付範囲の特定を行ない、この状態で有機
化合物蒸気の吹付け及びイオンビーム走査照射に
よる有機化合物の炭化又はポリマー化膜付けを行
なうことにより、白色欠陥像観察位置特定に用い
るイオンビームの軌跡と、膜付けに用いられるイ
オンビームの軌跡が常に一致させ正確な膜付けが
できるという効果がある。
Ｃ 従来の技術
従来ガス銃をマスク表面に近接させず後退させ
た状態で、白色欠陥の像観察を行ない、その後ガ
ス銃を接近させて白色欠陥の膜付けを行なうマス
ク白色欠陥修正方法が知られていた。
た状態で、白色欠陥の像観察を行ない、その後ガ
ス銃を接近させて白色欠陥の膜付けを行なうマス
ク白色欠陥修正方法が知られていた。
Ｄ 発明が解決しようとする問題点
しかし従来の方法には以下の問題点があつた。
第２図に従つて説明する。第２図Ａは白色欠陥の
像観察時、マスク平面（図示せず）を上から観察
したときの図である。１はマスク表面に照射され
るイオンビームのスポツトを表わす。イオンビー
ムスポツト１から放出される２次荷電粒子（マス
クパタンがクロム金属膜よりなるときはC+ rイオ
ン図示せず）は検出器２によつてその強度が検出
される。検出器２は検出器カバー３と、その内部
にある引出電極４と、チヤンネルトロン等の２次
荷電粒子検出器（図示せず）よりなる。２次荷電
粒子を有効に検出器に取り入れるため、接地電位
の検出器カバー３に対して、引出電極４に強い負
の電圧（例えば−1KV）を印加してある。第２
図Ａにその等電位線５が示されている。第２図Ｂ
は膜付けを行なうためガス銃のノズル６を近接さ
せた図ある。ノズル６は接地されている。これが
接近するため等電位線５が歪む。等電位線が歪む
とイオンビームの軌跡に影響がでる。第２図Ｃは
ノズル６が存在する場合としない場合のイオンビ
ームの軌跡を示めす。イオンビーム８はノズル６
が近傍に存在しない場合で例えば直進している。
イオンビーム８′はノズル６が近傍に存在してい
る場合で、例えば左側に曲つている。その結果基
板７上のスポツト位置と、白色欠陥膜付け時のス
ポツト位置がズレているため、観察時に特定した
画像情報に従つて、白色欠陥部に膜付けしようと
しても、正確な膜付けができないという問題点が
あつた。
第２図に従つて説明する。第２図Ａは白色欠陥の
像観察時、マスク平面（図示せず）を上から観察
したときの図である。１はマスク表面に照射され
るイオンビームのスポツトを表わす。イオンビー
ムスポツト１から放出される２次荷電粒子（マス
クパタンがクロム金属膜よりなるときはC+ rイオ
ン図示せず）は検出器２によつてその強度が検出
される。検出器２は検出器カバー３と、その内部
にある引出電極４と、チヤンネルトロン等の２次
荷電粒子検出器（図示せず）よりなる。２次荷電
粒子を有効に検出器に取り入れるため、接地電位
の検出器カバー３に対して、引出電極４に強い負
の電圧（例えば−1KV）を印加してある。第２
図Ａにその等電位線５が示されている。第２図Ｂ
は膜付けを行なうためガス銃のノズル６を近接さ
せた図ある。ノズル６は接地されている。これが
接近するため等電位線５が歪む。等電位線が歪む
とイオンビームの軌跡に影響がでる。第２図Ｃは
ノズル６が存在する場合としない場合のイオンビ
ームの軌跡を示めす。イオンビーム８はノズル６
が近傍に存在しない場合で例えば直進している。
イオンビーム８′はノズル６が近傍に存在してい
る場合で、例えば左側に曲つている。その結果基
板７上のスポツト位置と、白色欠陥膜付け時のス
ポツト位置がズレているため、観察時に特定した
画像情報に従つて、白色欠陥部に膜付けしようと
しても、正確な膜付けができないという問題点が
あつた。
Ｅ 問題点を解決するための手段
本発明は上記の問題点を解決するため以下のマ
スク白色欠陥修正方法とした。すなわちあらかじ
めガス銃のノズルをマスク近傍に近接させておき
この状態でイオンビームをマスクに照射走査させ
て白色欠陥の像観察、位置特定を行なう。その後
同一の状態でガス銃のノズルから有機化合物蒸気
を噴射し、先に得られた白色欠陥位置情報に従つ
てイオンビームを走査照射し、白色欠陥部に膜付
けを行なう。
スク白色欠陥修正方法とした。すなわちあらかじ
めガス銃のノズルをマスク近傍に近接させておき
この状態でイオンビームをマスクに照射走査させ
て白色欠陥の像観察、位置特定を行なう。その後
同一の状態でガス銃のノズルから有機化合物蒸気
を噴射し、先に得られた白色欠陥位置情報に従つ
てイオンビームを走査照射し、白色欠陥部に膜付
けを行なう。
Ｆ 作用
本発明によれば白色欠陥像観察時と白色欠陥膜
付け時において、イオンビームは同一の等電位分
布空間を通過する。従つて像観察時のイオンビー
ムと膜付け時のイオンビームは同一の軌跡を通過
し、イオンビームスポツト位置に誤差は生じな
い。
付け時において、イオンビームは同一の等電位分
布空間を通過する。従つて像観察時のイオンビー
ムと膜付け時のイオンビームは同一の軌跡を通過
し、イオンビームスポツト位置に誤差は生じな
い。
Ｇ 実施例
以下図面に基いて本発明の実施例を詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明にかかるマスク白色欠陥修正方
法を実施するためのマスクリペア装置の全体構成
図である。９はイオン源であつてイオンビーム８
を発する。イオン源として例えばガリウム液体金
属イオン源が使われる。１０は焦束レンズであつ
てイオンビームを細くするものである。１１は走
査電極でありＸ及びＹ電極からなり、イオンビー
ムスポツトをマスク１２のXY平面上ラスタスキ
ヤンするものである。１３は走査回路であつて、
走査電極１１に走査電圧を供給する。１４は対物
レンズであつてイオンビームスポツトをマスク１
２の平面上に結像させる。２は検出器であつて、
イオンビームによりマスクパタンからたたき出さ
れた２次荷電粒子１６（マスクパタンがクロムよ
りできている場合はC+ rイオン）の強度を検出す
る。１５は演算回路であり、検出器２の出力を分
析し、白色欠陥範囲、位置を特定する。この演算
回路１５の出力によつて走査回路１３が制御され
所定の白色欠陥範囲にイオンビームを照射させ膜
付けをする。１７はXYステージであつてマスク
１２を載置する。１８はガス銃であつてノズル６
の先端から有機化合物蒸気１９をマスクに向かつ
て噴射する。２０はエアシリンダであつて制御回
路２１の制御に従つてノズル６を前後に移動させ
る。２４はコンダクタンスバルブであつてノズル
６とガス留２５をつないでおり蒸気１９の噴射を
制御する。２２はチヤンバーであつてイオンビー
ム照射系、検出系、ガス銃及びXYステージを高
真空中に保持するものであり、真空ポンプ２３で
高真空に引かれる。
法を実施するためのマスクリペア装置の全体構成
図である。９はイオン源であつてイオンビーム８
を発する。イオン源として例えばガリウム液体金
属イオン源が使われる。１０は焦束レンズであつ
てイオンビームを細くするものである。１１は走
査電極でありＸ及びＹ電極からなり、イオンビー
ムスポツトをマスク１２のXY平面上ラスタスキ
ヤンするものである。１３は走査回路であつて、
走査電極１１に走査電圧を供給する。１４は対物
レンズであつてイオンビームスポツトをマスク１
２の平面上に結像させる。２は検出器であつて、
イオンビームによりマスクパタンからたたき出さ
れた２次荷電粒子１６（マスクパタンがクロムよ
りできている場合はC+ rイオン）の強度を検出す
る。１５は演算回路であり、検出器２の出力を分
析し、白色欠陥範囲、位置を特定する。この演算
回路１５の出力によつて走査回路１３が制御され
所定の白色欠陥範囲にイオンビームを照射させ膜
付けをする。１７はXYステージであつてマスク
１２を載置する。１８はガス銃であつてノズル６
の先端から有機化合物蒸気１９をマスクに向かつ
て噴射する。２０はエアシリンダであつて制御回
路２１の制御に従つてノズル６を前後に移動させ
る。２４はコンダクタンスバルブであつてノズル
６とガス留２５をつないでおり蒸気１９の噴射を
制御する。２２はチヤンバーであつてイオンビー
ム照射系、検出系、ガス銃及びXYステージを高
真空中に保持するものであり、真空ポンプ２３で
高真空に引かれる。
次に本発明にかかるマスク白色欠陥修正方法を
説明する。
説明する。
１ ノズル６を後退させた状態で、XYステージ
１７に載置されたマスクを移動させ、白色欠陥
が存在する部分をイオンビーム系の直下にもつ
ていく。この場合ノズル６を後退させておくの
は、ノズル先端とマスクのガイド（図示せず）
が衝突しないようにするためである。勿論ガス
銃のコンダクタンスバルブ２４は閉状態にあ
る。
１７に載置されたマスクを移動させ、白色欠陥
が存在する部分をイオンビーム系の直下にもつ
ていく。この場合ノズル６を後退させておくの
は、ノズル先端とマスクのガイド（図示せず）
が衝突しないようにするためである。勿論ガス
銃のコンダクタンスバルブ２４は閉状態にあ
る。
２ ガス銃１８のノズル６を前進させマスク表面
に近接させる。ノズル６の先端とマスク１２の
表面間距離は／mm以下が好ましい。
に近接させる。ノズル６の先端とマスク１２の
表面間距離は／mm以下が好ましい。
３ イオンビームを走査しながらマスク表面を照
射する。
射する。
４ 検出器２により２次荷電粒子１６の平面強度
分布を知り、演算回路１５により白色欠陥像の
位置、範囲の特定をする。
分布を知り、演算回路１５により白色欠陥像の
位置、範囲の特定をする。
５ ガス銃１８のコンダクタンスバルブ２４を開
き、有機化合物蒸気１９（例えばピレン）を白
色欠陥部に吹き付け、ピレンの吸着層を作る。
ノズル６をマスク表面に近接させるのは、でき
るだけ蒸気１９の噴射量を少なく押え、真空ポ
ンプの負担を軽減し、チヤンバ２２内を汚染さ
せないためである。
き、有機化合物蒸気１９（例えばピレン）を白
色欠陥部に吹き付け、ピレンの吸着層を作る。
ノズル６をマスク表面に近接させるのは、でき
るだけ蒸気１９の噴射量を少なく押え、真空ポ
ンプの負担を軽減し、チヤンバ２２内を汚染さ
せないためである。
６ 同時に演算回路１５の情報に基き、イオンビ
ームを走査して、白色欠陥部に正確に照射し、
ピレン付着膜を炭化ポリマー化させる。この操
作を繰り返して、遮光性の膜を白色欠陥部に付
ける。
ームを走査して、白色欠陥部に正確に照射し、
ピレン付着膜を炭化ポリマー化させる。この操
作を繰り返して、遮光性の膜を白色欠陥部に付
ける。
７ 膜付け修正を終えたらノズル６を後退させ、
併せてコンダクタンスバルブ２４を閉じる。そ
して次の新たな修正作業に移る。
併せてコンダクタンスバルブ２４を閉じる。そ
して次の新たな修正作業に移る。
Ｈ 発明の効果
以上述べたように本発明によれば、白色欠陥像
観察時と白色欠陥膜付時において、ノズル、マス
ク、検出器が同一の配置状態にあるため、検出器
の作る等電位分布が等しい。従つて像観察時のイ
オンビームと膜付け時のイオンビームは同一の軌
跡を通過し、イオンビームスポツト位置に誤差は
生じない。従つて白色欠陥像観察データに基いて
正確な膜付けができるという効果が生じる。
観察時と白色欠陥膜付時において、ノズル、マス
ク、検出器が同一の配置状態にあるため、検出器
の作る等電位分布が等しい。従つて像観察時のイ
オンビームと膜付け時のイオンビームは同一の軌
跡を通過し、イオンビームスポツト位置に誤差は
生じない。従つて白色欠陥像観察データに基いて
正確な膜付けができるという効果が生じる。
第１図は本発明にかかるマスク白色欠陥修正方
法を実施するためのマスクリペア装置の全体構成
図、第２図は従来の方法の説明図である。 ２…検出器、６…ノズル、８…イオンビーム、
９…イオン源、１１…走査電極、１２…マスク、
１３…走査回路、１５…演算回路、１７…XYス
テージ、１８…ガス銃、１９…有機化合物蒸気、
２０…エアシリンダ、２１…制御回路、２４…コ
ンダクタンスバルブ。
法を実施するためのマスクリペア装置の全体構成
図、第２図は従来の方法の説明図である。 ２…検出器、６…ノズル、８…イオンビーム、
９…イオン源、１１…走査電極、１２…マスク、
１３…走査回路、１５…演算回路、１７…XYス
テージ、１８…ガス銃、１９…有機化合物蒸気、
２０…エアシリンダ、２１…制御回路、２４…コ
ンダクタンスバルブ。
Claims (1)
- １ マスクにイオンビームを走査しながら照射し
２次荷電粒子を検出することにより白色欠陥位置
の特定をした後、ガス銃で有機化合物蒸気を白色
欠陥部に吹き付け同時にイオンビームを走査しな
がら繰り返し白色欠陥部に照射し、遮光性の膜を
付けるマスク白色欠陥修正方法において、ガス銃
のコンダクタンスバルブを閉状態にしてガス銃を
マスク表面に前進接近させ、イオンビームを走査
しながらマスクに照射し白色欠陥の位置を特定
し、ガス銃のコンダクタンスバルブを開状態にし
て有機化合物蒸気を白色欠陥部に吹き付け、イオ
ンビームを走査しながら繰り返し白色欠陥部に照
射し膜付けを行なつた後、ガス銃を後退させると
ともにガス銃のコンダクタンスバルブを閉状態に
することを特徴とするマスク白色欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219845A JPS6279465A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | マスク白色欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219845A JPS6279465A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | マスク白色欠陥修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6279465A JPS6279465A (ja) | 1987-04-11 |
| JPH0135342B2 true JPH0135342B2 (ja) | 1989-07-25 |
Family
ID=16741960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60219845A Granted JPS6279465A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | マスク白色欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6279465A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2522992B2 (ja) * | 1988-07-06 | 1996-08-07 | セイコー電子工業株式会社 | 集束イオンビ―ム装置 |
| US6225627B1 (en) * | 1998-03-06 | 2001-05-01 | Seiko Instruments Inc. | Focused ion beam system |
| US6368753B1 (en) * | 1999-08-27 | 2002-04-09 | Agere Systems Guardian Corp. | Mask repair |
-
1985
- 1985-10-02 JP JP60219845A patent/JPS6279465A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6279465A (ja) | 1987-04-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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