JPS6184833A - マスクパタ−ン欠陥検査修正装置 - Google Patents
マスクパタ−ン欠陥検査修正装置Info
- Publication number
- JPS6184833A JPS6184833A JP59207568A JP20756884A JPS6184833A JP S6184833 A JPS6184833 A JP S6184833A JP 59207568 A JP59207568 A JP 59207568A JP 20756884 A JP20756884 A JP 20756884A JP S6184833 A JPS6184833 A JP S6184833A
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- JP
- Japan
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- mask pattern
- ion beam
- secondary electron
- mask
- pattern
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この光切は、半導体集積回路の回路パターン等を転写す
る際の原版であるマスクパターンの欠陥検査ならびに修
正を行う装置に関するものである。
る際の原版であるマスクパターンの欠陥検査ならびに修
正を行う装置に関するものである。
近年、半導体集積＠路技術の進歩に伴い、その製造技術
においてもますます微細な加工か要求されてきている。
においてもますます微細な加工か要求されてきている。
例えば、２５６にビットダイナミックＲＡＭでは２．０
μｍ、ＩＭビットタイナミツクでは１．５μｍ幅のパタ
ーンを精度よく、かつ、再現性曳（製造する技術か必要
であり、技術の進歩と共に要求される加工最小寸法は今
後１．０μｍ以下の領域にはいっていくものと予想され
る。
μｍ、ＩＭビットタイナミツクでは１．５μｍ幅のパタ
ーンを精度よく、かつ、再現性曳（製造する技術か必要
であり、技術の進歩と共に要求される加工最小寸法は今
後１．０μｍ以下の領域にはいっていくものと予想され
る。
こういった中で、集積回路パターンを転写するための原
版であるマスクに対しても必要とされる技術は年々厳し
いものとなっている。特に、マスクパターンに発生した
パターン欠陥は、製品の歩留りを大幅に低下させるため
に、完全に修正する必要がある。しかし、パターン寸法
か小さくなるにつれ従来の修正方法では対応できなくな
っており、さらに制鞘度な欠陥修正方法か望まれている
。
版であるマスクに対しても必要とされる技術は年々厳し
いものとなっている。特に、マスクパターンに発生した
パターン欠陥は、製品の歩留りを大幅に低下させるため
に、完全に修正する必要がある。しかし、パターン寸法
か小さくなるにつれ従来の修正方法では対応できなくな
っており、さらに制鞘度な欠陥修正方法か望まれている
。
まず、従来性われていた方法ならびにその問題点を第３
図、第４図について説明する。
図、第４図について説明する。
第３図は一般的にマスクパターン修正に用いられている
装置の模式図で、１は／−ザヘッド、２は／−ザ光、３
は／ンズ、４はスリッと、５は被修正マスクを示してい
る。／−ザヘッド１から発したＶ−ザ光２は、／ンズ３
により被修正マスク５上疋焦点を結ぶようになっている
。スリット４は平面上の直父するＸ、Ｙの方向および回
転するＵ方向に可変なもので、被修正マスク５上に任意
の形状を持つ矩形状の／−ザ光２を照射できるようにな
っている。被修正マスク５はＸ−Ｙ方向に移動可能で、
欠陥部分まで被修正マスク５を移動した後／−ザ元２を
照射し、欠陥部分暑熱で蒸発させることにより欠陥修正
を行う。
装置の模式図で、１は／−ザヘッド、２は／−ザ光、３
は／ンズ、４はスリッと、５は被修正マスクを示してい
る。／−ザヘッド１から発したＶ−ザ光２は、／ンズ３
により被修正マスク５上疋焦点を結ぶようになっている
。スリット４は平面上の直父するＸ、Ｙの方向および回
転するＵ方向に可変なもので、被修正マスク５上に任意
の形状を持つ矩形状の／−ザ光２を照射できるようにな
っている。被修正マスク５はＸ−Ｙ方向に移動可能で、
欠陥部分まで被修正マスク５を移動した後／−ザ元２を
照射し、欠陥部分暑熱で蒸発させることにより欠陥修正
を行う。
第４図（ａ）、（ｂ）は、この装Ｒを用いてパターン欠
陥部の滲正を行つ際の手順ビ示すもので、−例としてガ
ラス基板上に形成されたＣｒ膜のマスクパターンについ
て運べる。
陥部の滲正を行つ際の手順ビ示すもので、−例としてガ
ラス基板上に形成されたＣｒ膜のマスクパターンについ
て運べる。
第４図において、６ａ、６ｂはマスクパターン、Ｔは欠
陥部、８はＶ−ザ元照射領域、９は欠陥修正跡？示して
いる。
陥部、８はＶ−ザ元照射領域、９は欠陥修正跡？示して
いる。
第４図（ａ）に示すマスクパターン６ａにおいて。
欠陥部７がある場合は、第３図のような装置を用いＶ−
ザ光照射領域８にだけ／−ザ元を照射することにより欠
陥部７（７）Ｃｒ膜を蒸発させることにより修正作業を
行う。しかし、このような方法では、第４図（ｂ）に示
すように修正箇所に欠陥修正跡９が生ずることが多い。
ザ光照射領域８にだけ／−ザ元を照射することにより欠
陥部７（７）Ｃｒ膜を蒸発させることにより修正作業を
行う。しかし、このような方法では、第４図（ｂ）に示
すように修正箇所に欠陥修正跡９が生ずることが多い。
これを家、
（１１ｖ−ザ光の強度分布
（２）Ｖ−ザ光により発生した熱か拡散することにより
近傍のパターンも蒸発する。
近傍のパターンも蒸発する。
などの理由によるものである。欠陥修正跡９の大きさは
０．２μｍ程度またはそれ以上になることも多い。
０．２μｍ程度またはそれ以上になることも多い。
パターンの微細化に伴って、この欠陥修正跡９か無視で
きなくなっており、より精度良くパターン修正か行える
方法か要求されている。
きなくなっており、より精度良くパターン修正か行える
方法か要求されている。
上記のような従来のマスクパターン欠陥修正装置におい
ては、マスクパターンに第３図（ａ）ＶＣ示すよ５な欠
陥個所かあった場合、この欠陥部Ｔに／−ザ光を照射し
て修正するので、欠陥修正跡９か第３図（ｂ）のように
残り、マスクパターンの微細化にとって障害になる欠点
があった。
ては、マスクパターンに第３図（ａ）ＶＣ示すよ５な欠
陥個所かあった場合、この欠陥部Ｔに／−ザ光を照射し
て修正するので、欠陥修正跡９か第３図（ｂ）のように
残り、マスクパターンの微細化にとって障害になる欠点
があった。
この発明は、上記欠点を除去するためになされたもので
、マスクパターン上のパターン欠陥暑さかし出すと同時
にその欠陥を欠陥修正跡か残らないように修正し、０．
１μｍ以下の高精度なマスクパターン修正を可能ならし
めること乞目的とするものである。
、マスクパターン上のパターン欠陥暑さかし出すと同時
にその欠陥を欠陥修正跡か残らないように修正し、０．
１μｍ以下の高精度なマスクパターン修正を可能ならし
めること乞目的とするものである。
この発明に係るマスクパターン欠陥検査修正装置は、集
束イオンビームによりマスクパターン上を走査し、その
時得られる二次電子信号によりパターン欠陥を検出する
と同時に、その欠陥をイオンビームの照射により修正し
、欠陥修正跡か残らないようにしたものでアル。
束イオンビームによりマスクパターン上を走査し、その
時得られる二次電子信号によりパターン欠陥を検出する
と同時に、その欠陥をイオンビームの照射により修正し
、欠陥修正跡か残らないようにしたものでアル。
この発明においては、イオンビームかマスクパターンに
照射されて一定区域毎に走査され、その時に得られる二
次電子信号、と、マスクパターン設計データとの比較か
行われ、その差異に基づいて、すなわち、欠陥部かあれ
ばこれ？修正する。
照射されて一定区域毎に走査され、その時に得られる二
次電子信号、と、マスクパターン設計データとの比較か
行われ、その差異に基づいて、すなわち、欠陥部かあれ
ばこれ？修正する。
第１図はこの発明の一実施ツ］を示すもので、１０はイ
オンビーム鏡筒、１１はイオン源、１２は前記イオン源
１１で発生されたイオンビーム、１３は前記イオンビー
ム１２を集束する静電ンンス、１４は高電圧が印加され
るブランキング電極、１５は前記イオンビーム１２の絞
り、１６はｎｆ＋記イオンビーム１２を偏向する偏向電
極、１７は前記イオンビーム１２の照射により得られる
二次電子を検出する二次電子検出器、１８は試料室、１
９は前記試料室１８内に収容された試料台、２０は前記
イオン源１１の電源、２１は前記静電／ンズ１３の電源
、２２．２３は前記試料台１９上に載置されるマスクバ
ター７に照射されるイオンビーム１２を制御するビーム
偏向制御回路および試料台駆動装置、２４は前記二次電
子信号′ｆ！：２値化するヒデオ信号処理回路、２５は
匍記ヒデオ信号処理回路２４で２値化された信号を格納
するビデオメモリ、２６はＣＰＵ、２Ｔは作成すべきマ
スクパターンの設計データか格納された騒ヌディスク装
置、２ＢはＤＡ前記ＣＰＵ２６と外部機器との間のデー
タのやり取りを行５Ｉ１０ バスを示す。
オンビーム鏡筒、１１はイオン源、１２は前記イオン源
１１で発生されたイオンビーム、１３は前記イオンビー
ム１２を集束する静電ンンス、１４は高電圧が印加され
るブランキング電極、１５は前記イオンビーム１２の絞
り、１６はｎｆ＋記イオンビーム１２を偏向する偏向電
極、１７は前記イオンビーム１２の照射により得られる
二次電子を検出する二次電子検出器、１８は試料室、１
９は前記試料室１８内に収容された試料台、２０は前記
イオン源１１の電源、２１は前記静電／ンズ１３の電源
、２２．２３は前記試料台１９上に載置されるマスクバ
ター７に照射されるイオンビーム１２を制御するビーム
偏向制御回路および試料台駆動装置、２４は前記二次電
子信号′ｆ！：２値化するヒデオ信号処理回路、２５は
匍記ヒデオ信号処理回路２４で２値化された信号を格納
するビデオメモリ、２６はＣＰＵ、２Ｔは作成すべきマ
スクパターンの設計データか格納された騒ヌディスク装
置、２ＢはＤＡ前記ＣＰＵ２６と外部機器との間のデー
タのやり取りを行５Ｉ１０ バスを示す。
次に動作について説明する。
イオン源１１で発生されたイオンビーム１２は静電／ン
ズ１３によって集束され、絞り１５Ｙ経て試料台１９上
に焦点ＹＭぷようになっている。
ズ１３によって集束され、絞り１５Ｙ経て試料台１９上
に焦点ＹＭぷようになっている。
ブランキング電極１４にパルス状の高電圧を印加するこ
とによりイオンビーム１２を大幅に偏向し、イオンビー
ム１２のオン・オフの制御を行う。
とによりイオンビーム１２を大幅に偏向し、イオンビー
ム１２のオン・オフの制御を行う。
また、偏向電極１６に偏向信号を印加することＫより、
イオンビーム１２の偏向を行う。イオンビーム１２をタ
ーゲットに照射したときの二次電子は、二次電子検出器
１７により信号として取出される。
イオンビーム１２の偏向を行う。イオンビーム１２をタ
ーゲットに照射したときの二次電子は、二次電子検出器
１７により信号として取出される。
欠陥渡ｆχ行うべきマスクパターンは、試料台１９上に
載置され、マスクパターンの領域をい（つかに分割する
範囲（イオンビームの走査長に一致させている）毎にイ
オンビーム１２のラスタ走査を行う。この制御はビーム
偏向制御回路２２と試料台駆動装置２３により行う。毎
回の走査を行ったときのマスクパターンからの二次電子
を二次電子検出器１７で信号として取出しビデオ信号処
理回路２４により２値化してビデオメモリ２５に格納し
ていく。
載置され、マスクパターンの領域をい（つかに分割する
範囲（イオンビームの走査長に一致させている）毎にイ
オンビーム１２のラスタ走査を行う。この制御はビーム
偏向制御回路２２と試料台駆動装置２３により行う。毎
回の走査を行ったときのマスクパターンからの二次電子
を二次電子検出器１７で信号として取出しビデオ信号処
理回路２４により２値化してビデオメモリ２５に格納し
ていく。
次に、試料台１９の上のマスクパターンからの二次電子
信号について、第２図（＆）〜（ｃ）Ｙ用いて説明する
。第２図において、２９はマスク基板、３０はマスクパ
ターン、３１はパターン欠陥、３２は走査イオンビーム
、３３は二次電子信号波形である。
信号について、第２図（＆）〜（ｃ）Ｙ用いて説明する
。第２図において、２９はマスク基板、３０はマスクパ
ターン、３１はパターン欠陥、３２は走査イオンビーム
、３３は二次電子信号波形である。
第２図（ａ）、（ｂ）の平面図および断面図に示すよう
なマスクパターン３０上を図のように走査イオンビーム
３２で走査すると、第２図（ｃ）に示すような二次電子
信号波形３３か得られる。これはマスクパターン３０と
マスク基板２９との材質か異なるためにイオン衝激によ
る二次電子放出係数か異なるためと、バクーンエッジ部
からの二次電子放出かマスクパターン３０の中央部から
の二次電子放出よりも多いためである。
なマスクパターン３０上を図のように走査イオンビーム
３２で走査すると、第２図（ｃ）に示すような二次電子
信号波形３３か得られる。これはマスクパターン３０と
マスク基板２９との材質か異なるためにイオン衝激によ
る二次電子放出係数か異なるためと、バクーンエッジ部
からの二次電子放出かマスクパターン３０の中央部から
の二次電子放出よりも多いためである。
このようにして、順次走査した時の２値化された二次電
子信号をビデオメモリ２５に格納してい（。１）／−ム
分か終了すると、次に、あらかじめ２値化されている、
対応するマスクパターン設計データ（磁気ディスク装置
２７に格納されている）ｖｃＰＵ２６により 工１０ハ
ス２８を介してビデオ信号処理回路２４は順次読出して
、ビデオメモリ２５中のデータとの比較を行い、その差
異の有無をチェックする。
子信号をビデオメモリ２５に格納してい（。１）／−ム
分か終了すると、次に、あらかじめ２値化されている、
対応するマスクパターン設計データ（磁気ディスク装置
２７に格納されている）ｖｃＰＵ２６により 工１０ハ
ス２８を介してビデオ信号処理回路２４は順次読出して
、ビデオメモリ２５中のデータとの比較を行い、その差
異の有無をチェックする。
もし、そこに差異かあれば、ビーム偏向制御回路２２に
その座標と大きさのデータを送り、欠陥部にイオンビー
ムを照射することによりその修正を行５゜ この作業ン順次くりかえして行き、マスクパターン全体
の欠陥横歪ならびに修正ケ行う。
その座標と大きさのデータを送り、欠陥部にイオンビー
ムを照射することによりその修正を行５゜ この作業ン順次くりかえして行き、マスクパターン全体
の欠陥横歪ならびに修正ケ行う。
以上説明したように、この分明は、イオンビームを発生
し、マスクパターン上に焦点を結はせる手段と１Ｍ記イ
オンビームｔｔｍ記マスクパターン上の所定領域ごとに
走査する手段と、このイオンビームの走査により前記マ
スクパターンから発生する二次電子信号をメモリに蓄え
る手段と、前記マスクパターン上を前記イオンビームで
走査シタ領域に対応するマスクパターン設計データと前
記二次電子信号とを比較しその差異を検出する手段と、
その差異に対応する場所へイオンビームを照射して対応
するパターンを修正する手段とを備えたので、マスクパ
ターンの検査・修正か同一の装置で行えるとともに、集
束イオンビームによって０１μｍ以下の非常に微細な加
工か容易に行える。
し、マスクパターン上に焦点を結はせる手段と１Ｍ記イ
オンビームｔｔｍ記マスクパターン上の所定領域ごとに
走査する手段と、このイオンビームの走査により前記マ
スクパターンから発生する二次電子信号をメモリに蓄え
る手段と、前記マスクパターン上を前記イオンビームで
走査シタ領域に対応するマスクパターン設計データと前
記二次電子信号とを比較しその差異を検出する手段と、
その差異に対応する場所へイオンビームを照射して対応
するパターンを修正する手段とを備えたので、マスクパ
ターンの検査・修正か同一の装置で行えるとともに、集
束イオンビームによって０１μｍ以下の非常に微細な加
工か容易に行える。
したがって、従来、問題となっている欠陥修正跡を無視
し得る程度に小さくすることか可能となる等の利点か得
られる。
し得る程度に小さくすることか可能となる等の利点か得
られる。
第１図はこの発明の一実施例を示す装置のブロック図、
第２図（ａ）〜（Ｃ）はこの発明によりパターン欠陥を
二次電子信号により検出する方法をａ明するためのもの
で、８ｇ２図（ａ）はパターンの平面図、第２図（ｂ）
は断面図、第２図（ｅ）は二次電子信号を示す図、第３
図は従来用いられていたマスクパターン修正装置の模式
図、第４図（ａ）、 （ｂ）は第３図に示す装ａＷ：
用いてマスク修正７行う従来方法？説明するためのマス
クパターンの平面図である。 図中、１０はイオンビーム鏡筒、１１はイオン源、１２
はイオンビーム、１３は静電／ンズ、１４はグランキン
グ電極、１５は絞り、１６は偏向電標、１７は二次電子
検出器、１Ｂは試料室、１９は試料台、２０．２１は電
源、２２はビーム偏向制御回路、２３は試料台駆動装置
、２４はビデオ信号処理回路、２５はビデオメモリ、２
６はＣＰＵ、２７は磁気ディスク装置、２ＢはＩ１０バ
スである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩 増雄 （外２名） 第１図 １つ、試料台 ″ニ；″： ２ 図 箪 ３ 図 第４図 （ａ） （ｂ）−
第２図（ａ）〜（Ｃ）はこの発明によりパターン欠陥を
二次電子信号により検出する方法をａ明するためのもの
で、８ｇ２図（ａ）はパターンの平面図、第２図（ｂ）
は断面図、第２図（ｅ）は二次電子信号を示す図、第３
図は従来用いられていたマスクパターン修正装置の模式
図、第４図（ａ）、 （ｂ）は第３図に示す装ａＷ：
用いてマスク修正７行う従来方法？説明するためのマス
クパターンの平面図である。 図中、１０はイオンビーム鏡筒、１１はイオン源、１２
はイオンビーム、１３は静電／ンズ、１４はグランキン
グ電極、１５は絞り、１６は偏向電標、１７は二次電子
検出器、１Ｂは試料室、１９は試料台、２０．２１は電
源、２２はビーム偏向制御回路、２３は試料台駆動装置
、２４はビデオ信号処理回路、２５はビデオメモリ、２
６はＣＰＵ、２７は磁気ディスク装置、２ＢはＩ１０バ
スである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩 増雄 （外２名） 第１図 １つ、試料台 ″ニ；″： ２ 図 箪 ３ 図 第４図 （ａ） （ｂ）−
Claims (1)
- イオンビームを発生し、マスクパターン上に焦点を結
ばせる手段と、前記イオンビームを前記マスクパターン
上の所定領域ごとに走査する手段と、このイオンビーム
の走査により前記マスクパターンから発生する二次電子
信号をメモリに蓄える手段と、前記マスクパターン上を
前記イオンビームで走査した領域に対応するマスクパタ
ーン設計データと前記二次電子信号とを比較し、その差
異を検出する手段と、その差異に対応する場所へイオン
ビームを照射して対応するパターンを修正する手段とを
備えたことを特徴とするマスクパターン欠陥検査修正装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207568A JPS6184833A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | マスクパタ−ン欠陥検査修正装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207568A JPS6184833A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | マスクパタ−ン欠陥検査修正装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184833A true JPS6184833A (ja) | 1986-04-30 |
Family
ID=16541900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59207568A Pending JPS6184833A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | マスクパタ−ン欠陥検査修正装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184833A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62174765A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-07-31 | Seiko Instr & Electronics Ltd | マスクリペア装置 |
| JPH03231749A (ja) * | 1990-02-07 | 1991-10-15 | Seiko Instr Inc | 集束イオンビーム装置によるパターン修正方法 |
| US5382484A (en) * | 1992-08-21 | 1995-01-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of correcting defects in the pattern of phase shift mask |
-
1984
- 1984-10-02 JP JP59207568A patent/JPS6184833A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62174765A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-07-31 | Seiko Instr & Electronics Ltd | マスクリペア装置 |
| JPH03231749A (ja) * | 1990-02-07 | 1991-10-15 | Seiko Instr Inc | 集束イオンビーム装置によるパターン修正方法 |
| US5382484A (en) * | 1992-08-21 | 1995-01-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of correcting defects in the pattern of phase shift mask |
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