JP3379044B2 - 基板の試験方法 - Google Patents
基板の試験方法Info
- Publication number
- JP3379044B2 JP3379044B2 JP00192899A JP192899A JP3379044B2 JP 3379044 B2 JP3379044 B2 JP 3379044B2 JP 00192899 A JP00192899 A JP 00192899A JP 192899 A JP192899 A JP 192899A JP 3379044 B2 JP3379044 B2 JP 3379044B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- secondary particles
- detector
- detection signal
- particle beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Description
向け、それによって放出された二次粒子を検出器で検出
し、評価する基板の試験方法及び装置に関する。
中間段階でたびたびチェックされなければならない複数
の微小な電子的素子あるいは微小な機械的素子を有す
る。これらの素子は、例えば、カラーフィルターを組み
合わせる前のガラス板上の液晶表示マトリクス、ICを
装着する前のマルチチップモジュール基板の接続ネット
ワーク、切断及びボンディング前のウエハー上の集積回
路のトランジスター、対向電極の組み付けと真空排気前
のFED表示装置用のエミッターアレイの電子エミッタ
ー及び配線、及びそれらの特別の支持基板上のあらゆる
種類のセンサーの薄膜トランジスター、あるいは、他の
能動素子を含む。
グ、堆積等から成る複数の処理工程において、生産され
るのが普通である。この場合、欠陥が、パーティクル、
誤調整、不良処理装置などによって生じる。これらの欠
陥は、基板上の個々の素子の特性を破壊する。それゆえ
に、更なる処理の前に個々の素子の機能を試験できるこ
とが望ましい。これにより、該当する基板を排除する
か、あるいは処理中の欠陥を識別して除去すると同時に
基板を修正できる。
ので、装置及び方法は、特別の要求を満足する必要があ
る。電気量の測定に対する機械的接触は、測定点のサイ
ズとともにますます困難になり、大変高い程度の正確性
を必要とする。
に伴う接触表面の破壊のために許容されない。試験装置
を機械的に作動させることによる機械的量などの他の量
を測定する場合にも、同様の要求がある。
ムを使って、無接触の機能試験を可能にする装置及び方
法が開発されている。従って、集積回路の欠陥分析のた
めに、電子ビーム測定装置及び方法が知られている。
は、粒子線の偏向によって走査される。しかしながら、
粒子線の偏向によっては、基板の数平方センチメーター
しかカバーされない。現在のマルチチップモジュール基
板は、20×20cmを超える寸法を有する。
面積を有する基板を試験できるようにするために、基板
を保持し、かつ電子ビームに垂直な平面に移動可能な移
動テーブルを用いるようになった。この方法では、基板
の走査面積は、十分な範囲に拡大されるようになった。
る基板の走査よりもかなり多くの回数必要であるという
欠点を甘受しなければならない。それゆえ、粒子線の偏
向によって、基板上で走査され評価される面積を拡大す
る試みが成されている。
きな偏向角の場合でさえも、粒子線が十分に小さい寸法
に集中されなければならないという問題が発生した。こ
れを達成するために、ダイナミック焦点合わせ及び非点
収差補正のための装置が備えられるようになった。
面積を走査中に、特定の場所で放出された二次粒子を検
出器に案内するのに困難が生じた。EP−B−0 37
0276には、全体の走査面にわたって検出特性ができ
るだけ均一である特別な検出器及び収集装置が記載され
ている。
述の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とす
るところは、大面積を有する基板の試験をさらに改良し
た基板の試験装置及び方法を提供することにある。
めに、本発明では、粒子線を基板上に向け、それによっ
て放出された二次粒子を検出器で検出して評価する基板
の試験方法において、検出器の位置に対する二次粒子の
基板上での放出位置(X1,X2)を試験中に考慮に入れ
るものである。
を案内するための案内手段を設け、この案内手段を、検
出器の位置に対する二次粒子の基板上での放出位置(X
1,X2)の関数にしたがって制御する。
段を、検出器での検出信号が位置(X1,X2)とは無関
係となるように制御する。
偏向される。
板上での放出位置(X1,X2)を評価中に考慮に入れ
る。
と比較される検出信号を生成する。
1,X2)で放出された二次粒子に基づいた検出信号を発
生し、この検出信号を所望の信号と比較し、これによ
り、検出器の位置に対する二次粒子の基板上での放出位
置(X1,X2)が比較中に考慮に入れられる。
偏向され、さらに、基板は移動可能なテーブル上に保持
され、テーブルの移動と同時にかつ同期して偏向を行
う。
手段を制御するための値が決定され記憶されるように較
正処理を実行する。
御するための値は、位置依存関数の手段によって、検出
の直前に計算する。
めの発生手段と、粒子線により基板上に放出された二次
粒子を検出し検出信号を生成するための検出器と、この
検出信号の評価を行う評価装置とを有する基板の試験装
置において、二次粒子を検出器に案内するための案内手
段と、この案内手段を、二次粒子の放出位置の関数に従
って、放出位置と無関係の検出信号が生成されるように
制御する。
手段は、偏向電極によって形成されている。
めの生成手段と、基板の特定位置上に粒子線を偏向する
ための偏向手段と、基板上で粒子線により放出された二
次粒子を検出するための検出器と、この検出信号の評価
を行う評価装置とを有する基板の試験装置において、粒
子線の偏向手段と検出信号の評価手段とに接続された制
御装置を有し、この制御装置は、検出器の位置に対する
二次粒子の放出位置を検出信号の評価中に考慮するよう
に評価手段を制御する。
ブルが設けられている。
二次粒子の基板上での放出位置が検出器に達する二次粒
子の数に大きく影響を与える限りにおいて、検出特性も
変化する。すなわち、検出信号は、検出器の位置に対す
る二次粒子の基板上での放出位置と共に、大きな範囲で
変動する。それゆえ、全体の面積上で均一な信号の評価
を達成するために、検出位置に対する二次粒子の基板上
での放出位置を、試験中に考慮するものである。この場
合、原理的には、二つの異なる形態が存在する。
する案内手段を設け、二次粒子放出位置に無関係な検出
信号が検出器に設定されるように案内手段を制御するこ
とである。
所望信号との比較を行う評価のステップまで考慮に入れ
ずに、評価の際に、検出信号を位置に関係した所望信号
と比較するか、あるいは、検出信号を位置の関数に従っ
て補正した後所望の信号と比較する。
の特徴であり、以下の記載及び図面を参照して、より詳
細に説明される。
は、粒子線源1、特に、粒子線2を生成するための電子
ビーム源、粒子線の焦点を合わせる(フォーカスさせ
る)ための光学系3、偏向装置4及び検出器5とから成
る。
子線源1は、ビームブランキング装置1aを有する。粒
子線を補正するために、特に、大きな偏向の場合には、
焦点の補正を行う補正手段6と、非点収差の補正を行う
補正手段7とが設置されている。粒子線2は、試験され
るべき基板8に向けられ、二次粒子9を放出させ、少な
くともその幾部分かが検出器5によって検出される。検
出器5では、検出された二次粒子線9は、電気的な検出
信号10に変換されて、検出信号を評価するための評価
装置11に供給され、そこで、検出信号10は、所望の
信号と比較される。
検出器5の位置に対する二次粒子9の基板8上での放出
位置を、試験中に考慮するようになっている。この場
合、原理的に、異なる二つの形態が考えられる。これら
は、別々に使用されることもできるし、あるいは、互い
に有利に組合わされて使用されるかもしれない。
粒子を案内するための案内手段12を設け、これらの案
内手段12を、制御装置13により、検出器5の位置に
対する二次粒子の放出位置の関数に従って制御するもの
である。
つの異なった場所X1とX2について、他の条件、特に、
放出された二次粒子の数が等しいならば、異なった検出
信号が発生されるということである。これは、放出粒子
が基板8上で異なった方向に放出されるとの事実に基づ
いており、それゆえに、検出器5に二次粒子を案内する
ことが必要である。このため、数平方センチメートルの
小さい走査面積に対して満足する結果を導くために、抽
出電極が備えられる。しかし、偏向が大きくなると共
に、明らかに異なった検出信号が発生する。ただし、基
板上で試験されるべき対象が、完全に同定可能な状態で
機能し、基板上のその位置のみで減少した検出信号とな
り、もはや、必要な所望の値には達しない。
段12は、多くの板状偏向電極から成る。これらは、二
次粒子の放出位置に応じて、異なった電圧にチャージさ
れる。それゆえに、粒子線の各走査点について対応した
較正を行うことによって、適当な電圧が、二次粒子を案
内するための案内手段に印加される。この結果、走査面
全体にわたって均一な検出信号が得られる。
4と二次粒子を案内する案内手段12とに接続された制
御装置13を有する。これにより、二次粒子を案内する
案内手段12の同期した制御が、粒子線が向けられた場
所の関数として保証される。
な制御信号は、例えば、基板上の各場所に対して記憶さ
れ、好ましくは、走査フィールドの異なった点に対する
較正動作において経験的に決定される。これに代る方法
として、制御信号を、場所依存関数に従って、信号検出
の直前に計算することも可能である。
二次粒子の放出場所への依存性を、検出信号の評価のと
きまでは考慮に入れないという事実に基づいている。し
たがって、各ケースにおいて決定される検出信号が、夫
々の場所に依存した所望信号と比較されることが考えら
れる。この代替例として、場所に依存した検出信号は、
まず初めに、場所に依存しない検出信号に補正され、そ
の後に、所望の信号と比較されることも可能である。
を、検出信号を評価する評価装置11が利用できるよう
に、この評価装置11は、偏向装置4を制御する制御装
置13に接続されている。
形態、即ち、二次粒子を案内する案内手段の位置依存制
御と、位置に依存した評価とが考慮される。
をビーム偏向によって試験できるように大きく選ばれる
とき、大きな表面積にわたって走査する特別な設計が行
われる。そのようなユニットは、例えば、ガラス板上の
さらなるマトリックスと共に配置される表示マトリック
スにより構成される。また、そのようなユニットは、多
くの印刷回路ボードから必要なだけ切出される前に生産
される印刷回路ボードによっても構成される。
と、二次電子検出のために上述の補正及び準備をもって
しても、ビーム偏向だけによる走査は、もはや実行不可
能である。しかし、ビーム偏向を基板の機械的移動と組
み合わせれば、試験は可能となる。この目的のために、
基板8は、少なくとも粒子線に垂直な平面において移動
可能なテーブル14上に保持される。粒子線の偏向を、
好ましくは、一方向に行い、一方、基板を、それに垂直
な方向に機械的に移動させれば、二次粒子検出の特性が
最適化される。
めの関数及びデータは、試験片によっても影響されるの
で、特定のタイプのテストについてそれに固有のデータ
及び関数を記憶するための準備がおこなわれる。
始に先立って、試験片に固有の検出パラメーターが、試
験片のタイプの識別に基づいて、自動的にセットされ
る。さらに、加速電圧、ビーム電流、レンズ電流、ビー
ムパルス期間などの動作パラメーターが記憶される。
必要な補正素子6,7に対する制御信号は、ビームの位
置決めの直前に、例えば、試験点座標を再計算すること
によって、補正制御信号として生成される。この場合、
例えば、装置の歪みを考慮して、装置に特有な補正が行
われる。この試験点座標は、ビームを位置決めする直前
に、試験片データから計算される。したがつて、例え
ば、試験されるべきTFTマトリックスのデータベース
は、元の座標、周期性(ピッチ)、行あるいは列の数な
どのデータから構成される。試験の間に、対応する画像
点座標が、ビームの各位置を決める直前に、これらのデ
ータから計算される。
ファイルから読み出されることも可能である。この設計
は、例えば、印刷回路ボードの試験中に使用される。な
ぜなら、アドレスされるべき接触点は、規則的な順序で
配置されていないからである。
点の順序は、隣接する試験点の間の偏向角が最小になる
ように計算可能である。TFTマトリックスの試験の場
合、この方法の操作は、例えば、各画像点をそれぞれ列
毎に或いは行毎に曲がりくねった形式で、例えば、隣接
する行あるいは列をそれぞれ反対方向に走査することか
らなる。
の位置に対する二次粒子の基板上の放出場所を考慮して
行われる。この結果、30cm以上までの基板が試験可
能である。
る。
Claims (3)
- 【請求項1】 粒子線を基板上に向け、それによって放
出された二次粒子を検出器で検出して評価する基板の試
験方法において、 検出器の位置に対する二次粒子の基板上での放出位置
(X1,X2)を試験中に考慮に入れ、 前記検出器は、基板上の特定の位置(X1,X2)で放
出された二次粒子に基づいた検出信号を発生し、この検出信号を所望の信号と比較するステップにおい
て、前記検出器の位置に対する二次粒子の基板上での放
出位置(X1,X2)を考慮に入れる ことを特徴とする
基板の試験方法。 - 【請求項2】 前記比較処理は、前記検出信号を前記放
出位置に依存した所望信号と比較することにより実施さ
れることを特徴とする請求項1の基板の試験方法。 - 【請求項3】 前記比較処理は、前記検出信号を前記放
出位置の関数に従って補正した後に前記所望信号と比較
することにより実施されることを特徴とする請求項1の
基板の試験方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19802848.2 | 1998-01-26 | ||
DE19802848A DE19802848B4 (de) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | Verfahren und Vorrichtung zum Testen eines Substrats |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002288350A Division JP2003132833A (ja) | 1998-01-26 | 2002-10-01 | 基板の試験方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11265676A JPH11265676A (ja) | 1999-09-28 |
JP3379044B2 true JP3379044B2 (ja) | 2003-02-17 |
Family
ID=7855683
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP00192899A Expired - Lifetime JP3379044B2 (ja) | 1998-01-26 | 1999-01-07 | 基板の試験方法 |
JP2002288350A Pending JP2003132833A (ja) | 1998-01-26 | 2002-10-01 | 基板の試験方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002288350A Pending JP2003132833A (ja) | 1998-01-26 | 2002-10-01 | 基板の試験方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6730906B2 (ja) |
EP (1) | EP0932182A3 (ja) |
JP (2) | JP3379044B2 (ja) |
KR (1) | KR100530656B1 (ja) |
DE (1) | DE19802848B4 (ja) |
TW (1) | TW419700B (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7129694B2 (en) | 2002-05-23 | 2006-10-31 | Applied Materials, Inc. | Large substrate test system |
DE10227332A1 (de) | 2002-06-19 | 2004-01-15 | Akt Electron Beam Technology Gmbh | Ansteuervorrichtung mit verbesserten Testeneigenschaften |
US6833717B1 (en) | 2004-02-12 | 2004-12-21 | Applied Materials, Inc. | Electron beam test system with integrated substrate transfer module |
US20060038554A1 (en) * | 2004-02-12 | 2006-02-23 | Applied Materials, Inc. | Electron beam test system stage |
US7355418B2 (en) * | 2004-02-12 | 2008-04-08 | Applied Materials, Inc. | Configurable prober for TFT LCD array test |
US7319335B2 (en) | 2004-02-12 | 2008-01-15 | Applied Materials, Inc. | Configurable prober for TFT LCD array testing |
US7075323B2 (en) | 2004-07-29 | 2006-07-11 | Applied Materials, Inc. | Large substrate test system |
US7256606B2 (en) | 2004-08-03 | 2007-08-14 | Applied Materials, Inc. | Method for testing pixels for LCD TFT displays |
US7317325B2 (en) | 2004-12-09 | 2008-01-08 | Applied Materials, Inc. | Line short localization in LCD pixel arrays |
US7535238B2 (en) | 2005-04-29 | 2009-05-19 | Applied Materials, Inc. | In-line electron beam test system |
US20060273815A1 (en) * | 2005-06-06 | 2006-12-07 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with integrated prober drive |
TWI323788B (en) * | 2006-03-14 | 2010-04-21 | Applied Materials Inc | Method to reduce cross talk in a multi column e-beam test system |
US7602199B2 (en) * | 2006-05-31 | 2009-10-13 | Applied Materials, Inc. | Mini-prober for TFT-LCD testing |
US7786742B2 (en) | 2006-05-31 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Prober for electronic device testing on large area substrates |
US20080251019A1 (en) * | 2007-04-12 | 2008-10-16 | Sriram Krishnaswami | System and method for transferring a substrate into and out of a reduced volume chamber accommodating multiple substrates |
EP2654069B1 (en) * | 2012-04-16 | 2016-02-24 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Multi channel detector, optics therefore and method of operating thereof |
JP6514409B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2019-05-15 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線応用装置 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE370276C (de) | 1921-04-21 | 1923-03-01 | Fritz Walther | Selbstladepistole mit feststehendem Lauf |
GB1304344A (ja) | 1969-02-01 | 1973-01-24 | ||
JPS5572807A (en) * | 1978-11-27 | 1980-06-02 | Hitachi Ltd | Electron-beam mask check unit |
NL7902963A (nl) * | 1979-04-13 | 1980-10-15 | Philips Nv | Detektor voor elektronenmikroskoop. |
NL7906632A (nl) * | 1979-09-05 | 1981-03-09 | Philips Nv | Automatische bundelcorrektie in stem. |
US4559450A (en) * | 1982-08-06 | 1985-12-17 | Unisearch Limited | Quantitative compositional analyser for use with scanning electron microscopes |
GB8327737D0 (en) * | 1983-10-17 | 1983-11-16 | Texas Instruments Ltd | Electron detector |
SE452526B (sv) | 1984-05-09 | 1987-11-30 | Stiftelsen Inst Mikrovags | Forfarande for att inspektera integrerade kretsar eller andra objekt |
DE3676846D1 (de) | 1985-03-28 | 1991-02-21 | Integrated Circuit Testing | Verfahren zur indirekten bestimmung der intensitaetsverteilung der in einem korpuskularstrahl-messgeraet erzeugten korpuskularstrahlpulse. |
US4766372A (en) | 1987-02-10 | 1988-08-23 | Intel Corporation | Electron beam tester |
US4829243A (en) * | 1988-02-19 | 1989-05-09 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Electron beam testing of electronic components |
US4983833A (en) * | 1988-11-21 | 1991-01-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Device for the detecting of charged secondary particles |
JPH04264243A (ja) * | 1991-02-20 | 1992-09-21 | Jeol Ltd | オージェ像計測におけるピークエネルギーシフト補正法 |
US5118941A (en) * | 1991-04-23 | 1992-06-02 | The Perkin-Elmer Corporation | Apparatus and method for locating target area for electron microanalysis |
US5717204A (en) * | 1992-05-27 | 1998-02-10 | Kla Instruments Corporation | Inspecting optical masks with electron beam microscopy |
JP3453009B2 (ja) * | 1995-07-20 | 2003-10-06 | 富士通株式会社 | 電子ビーム露光装置及びこの装置に於けるマーク位置検出方法 |
WO1997005644A1 (de) * | 1995-07-25 | 1997-02-13 | Nmi Naturwissenschaftliches Und Medizinisches Institut An Der Universität Tübingen In Reutlingen | Verfahren und vorrichtung zur ionendünnung in einem hochauflösenden transmissionselektronenmikroskop |
JP3514070B2 (ja) | 1997-04-25 | 2004-03-31 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡 |
US5990483A (en) * | 1997-10-06 | 1999-11-23 | El-Mul Technologies Ltd. | Particle detection and particle detector devices |
US6039000A (en) * | 1998-02-11 | 2000-03-21 | Micrion Corporation | Focused particle beam systems and methods using a tilt column |
-
1998
- 1998-01-26 DE DE19802848A patent/DE19802848B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-11-25 EP EP98122381A patent/EP0932182A3/de not_active Withdrawn
- 1998-12-17 TW TW087121068A patent/TW419700B/zh not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-01-07 JP JP00192899A patent/JP3379044B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-01-23 KR KR10-1999-0002063A patent/KR100530656B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-10-15 US US09/977,549 patent/US6730906B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-10-01 JP JP2002288350A patent/JP2003132833A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20020024023A1 (en) | 2002-02-28 |
EP0932182A3 (de) | 2001-07-25 |
JPH11265676A (ja) | 1999-09-28 |
JP2003132833A (ja) | 2003-05-09 |
KR19990068090A (ko) | 1999-08-25 |
US6730906B2 (en) | 2004-05-04 |
KR100530656B1 (ko) | 2005-11-22 |
EP0932182A2 (de) | 1999-07-28 |
DE19802848B4 (de) | 2012-02-02 |
DE19802848A1 (de) | 1999-07-29 |
TW419700B (en) | 2001-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3379044B2 (ja) | 基板の試験方法 | |
US7276693B2 (en) | Inspection method and apparatus using charged particle beam | |
JPS6335094B2 (ja) | ||
US7423274B2 (en) | Electron beam writing system and electron beam writing method | |
US7956324B2 (en) | Charged particle beam apparatus for forming a specimen image | |
JPH1073424A (ja) | 欠陥検査装置 | |
JP3711244B2 (ja) | ウエハの欠陥検査装置 | |
JP2001148016A (ja) | 試料検査装置,試料表示装置、および試料表示方法 | |
WO2022033661A1 (en) | Method for defect review measurement on a substrate, apparatus for imaging a substrate, and method of operating thereof | |
CN116134578A (zh) | 使用带电粒子束装置对样品进行成像的方法、校准带电粒子束装置的方法及带电粒子束装置 | |
JPH10339711A (ja) | 半導体装置の検査装置 | |
CN1078740C (zh) | 电子束单元投影刻印系统 | |
JP2002245960A (ja) | 荷電粒子ビーム装置及びそのような装置を用いたデバイス製造方法 | |
JP2003045925A (ja) | 基体検査方法及び装置 | |
JPS62195838A (ja) | 検査装置 | |
JP2002340990A (ja) | 半導体デバイスの評価方法及び装置。 | |
JPS62191Y2 (ja) | ||
JPS6184833A (ja) | マスクパタ−ン欠陥検査修正装置 | |
JP3725093B2 (ja) | リブ内蛍光体埋込量検査方法およびその検査装置 | |
KR20060035159A (ko) | 반도체 기판 검사 장치 | |
JP2001133234A (ja) | 欠陥検査方法、欠陥検査装置及びそれらを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
JP2845994B2 (ja) | 荷電粒子ビームの照射位置ずれ補正方法及び荷電粒子ビーム装置 | |
JPH1123482A (ja) | ビームの照射位置調整方法、レーザビームを用いた異物検出装置、走査型電子顕微鏡及び組成分析装置 | |
JPS61168853A (ja) | 検査装置 | |
KR20130062174A (ko) | 멀티 전자 칼럼과 시료표면의 수직정렬 감지장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20021030 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071213 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081213 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081213 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091213 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101213 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101213 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111213 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111213 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121213 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131213 Year of fee payment: 11 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |