JPS61113234A - マスクの欠陥修正方法 - Google Patents
マスクの欠陥修正方法Info
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- JPS61113234A JPS61113234A JP59235826A JP23582684A JPS61113234A JP S61113234 A JPS61113234 A JP S61113234A JP 59235826 A JP59235826 A JP 59235826A JP 23582684 A JP23582684 A JP 23582684A JP S61113234 A JPS61113234 A JP S61113234A
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- Japan
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- ion beam
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- white
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体デバイスの製作に用いられるマスクの
欠陥修正方法に関し、特に、マスクの白点欠陥の修正に
使用して最適な修正方法に関する。
欠陥修正方法に関し、特に、マスクの白点欠陥の修正に
使用して最適な修正方法に関する。
［従来の技術］
半導体製作用のマスクは、通常ガラス基板にクロミウム
を蒸着し、該蒸着膜上にレジストを塗布した後、所望の
パターンを露光し、エツチング処理を施すことによって
製作される。しかしながら、このマスク製作過程で何等
かの原因により欠陥が生じる。この欠陥としては、エツ
チングによって除去すべき部分にクロミウムが残ってい
る黒点欠陥と、本来クロミウムが残っていなければなら
ない部分のクロミウムが除去されている白点欠陥とがあ
る。
を蒸着し、該蒸着膜上にレジストを塗布した後、所望の
パターンを露光し、エツチング処理を施すことによって
製作される。しかしながら、このマスク製作過程で何等
かの原因により欠陥が生じる。この欠陥としては、エツ
チングによって除去すべき部分にクロミウムが残ってい
る黒点欠陥と、本来クロミウムが残っていなければなら
ない部分のクロミウムが除去されている白点欠陥とがあ
る。
［発明が解決しようとする問題点］
従来、黒点欠陥に対しては、その部分にレーザビームあ
るいはイオンビームを照射し、ビームのエネルギによっ
て不要なりロミウム膜を剥離するようにしている。しか
しながら、白点欠陥に対する有効な修正方法は、現在の
ところ実用化されていない。
るいはイオンビームを照射し、ビームのエネルギによっ
て不要なりロミウム膜を剥離するようにしている。しか
しながら、白点欠陥に対する有効な修正方法は、現在の
ところ実用化されていない。
本発明は、上述した点に鑑みてなされたもので、白点欠
陥を簡単に修正することができるマスクの欠陥修正方法
を提供することを目的としている。
陥を簡単に修正することができるマスクの欠陥修正方法
を提供することを目的としている。
［問題点を解決するための手段］
本発明に基づくマスクの欠陥修正方法は、マスクの白点
欠陥部分に収束したイオンビームを照射し、スパッタリ
ング作用によって該欠陥部分のマスク基材表面を凹状化
するようにしたことを特徴としている。
欠陥部分に収束したイオンビームを照射し、スパッタリ
ング作用によって該欠陥部分のマスク基材表面を凹状化
するようにしたことを特徴としている。
［作用コ
マスクの白点欠陥部分にイオンビームか細く収束され、
該欠陥部分で該イオンビームは走査される。該イオンビ
ームが照射されたガラス等のマスク基板は、その表面部
分がスパッタリングされ、例えば、格子状に７字状の溝
が形成される。この溝が形成された部分は、極端に光の
透過率が低下することから、実質的にクロミウム膜を設
けると同等の効果があり、白点欠陥が修正されることに
なる。
該欠陥部分で該イオンビームは走査される。該イオンビ
ームが照射されたガラス等のマスク基板は、その表面部
分がスパッタリングされ、例えば、格子状に７字状の溝
が形成される。この溝が形成された部分は、極端に光の
透過率が低下することから、実質的にクロミウム膜を設
けると同等の効果があり、白点欠陥が修正されることに
なる。
［実施例］
以下本発明の一実施例を添附図面に基づいて詳述する。
第１図は本発明に基づく方法を実施するためのイオンビ
ーム装置の一例を示している。図中１はイオン発生エミ
ッタ、２は該エミッタ１がらのイオンを引出すための引
出し電極、３は加速電極であり、該エミッタ１と該加速
電極３との間には、高電圧が印加されている。該加速さ
れたイオンビームは、アインツエル型の収束レンズ４と
対物レンズ５によってステージ６上に配置されたマスク
７上に細く収束される。該イオンビームはコンピュータ
の如き制御手段８からの偏向信号が供給される静電偏向
板９によって偏向され、該イオンビームのマスク上の照
射位置は走査される。該ステージ６は該制御手段９によ
って制御されている駆動機構１０によって移動させられ
るが、このステージの移動はレーザ干渉計１１によって
監視されており、該ステージ６の移動口に対応した信号
は該制御手段に供給される。
ーム装置の一例を示している。図中１はイオン発生エミ
ッタ、２は該エミッタ１がらのイオンを引出すための引
出し電極、３は加速電極であり、該エミッタ１と該加速
電極３との間には、高電圧が印加されている。該加速さ
れたイオンビームは、アインツエル型の収束レンズ４と
対物レンズ５によってステージ６上に配置されたマスク
７上に細く収束される。該イオンビームはコンピュータ
の如き制御手段８からの偏向信号が供給される静電偏向
板９によって偏向され、該イオンビームのマスク上の照
射位置は走査される。該ステージ６は該制御手段９によ
って制御されている駆動機構１０によって移動させられ
るが、このステージの移動はレーザ干渉計１１によって
監視されており、該ステージ６の移動口に対応した信号
は該制御手段に供給される。
上述した如き構成において、予め、マスク７の白点欠陥
部分は検出され、その位置は制御手段８に記憶されてい
る。第２図（ａ）は欠陥部分の平面図、第２図（ｂ）は
その断面図であり、図中Ｇはガラスで形成されたマスク
基板、Ｃは該基板Ｇの上に選択的に設けられたクロミウ
ム膜である。
部分は検出され、その位置は制御手段８に記憶されてい
る。第２図（ａ）は欠陥部分の平面図、第２図（ｂ）は
その断面図であり、図中Ｇはガラスで形成されたマスク
基板、Ｃは該基板Ｇの上に選択的に設けられたクロミウ
ム膜である。
又、図中点線で囲まれた部分りが白点欠陥部分である。
該制御手段８はマスクの欠陥部分がイオンビームの光軸
上に配置されるようにステージを移動させ、その後、イ
オンビームをマスクの欠陥部分に照射すると共に、偏向
板９に偏向電圧を印加し、該欠陥部分でイオンビームを
走査する。尚、このとき、レーザ干渉計１１によってス
テージ６の移ＷＪ場が監視されており、このステージの
移動誤差は、偏向板９に印加される偏向信号に補正信号
を重畳させることにより補正される。第３図（ａ）はイ
オンご−ムの走査の状態を示しており、イオンビームは
図中実線で示すように白点欠陥部分で格子状に走査され
、その結果、該イオンビームが照射された基板Ｇの表面
は、スパッタされ、第３図（ｂ）に示すように断面が深
いＶ字状の溝Ｍが多数形成される。このように、表面部
分に多数の溝が形成された基板部分の光の透過率は著し
く低下するため、該部分は実質的にクロミウム膜が設け
られている正常部分と同等な状態となり、白点欠陥が修
正されたことになる。
上に配置されるようにステージを移動させ、その後、イ
オンビームをマスクの欠陥部分に照射すると共に、偏向
板９に偏向電圧を印加し、該欠陥部分でイオンビームを
走査する。尚、このとき、レーザ干渉計１１によってス
テージ６の移ＷＪ場が監視されており、このステージの
移動誤差は、偏向板９に印加される偏向信号に補正信号
を重畳させることにより補正される。第３図（ａ）はイ
オンご−ムの走査の状態を示しており、イオンビームは
図中実線で示すように白点欠陥部分で格子状に走査され
、その結果、該イオンビームが照射された基板Ｇの表面
は、スパッタされ、第３図（ｂ）に示すように断面が深
いＶ字状の溝Ｍが多数形成される。このように、表面部
分に多数の溝が形成された基板部分の光の透過率は著し
く低下するため、該部分は実質的にクロミウム膜が設け
られている正常部分と同等な状態となり、白点欠陥が修
正されたことになる。
以上本発明の一実施例を詳述したが、本発明は上述し実
施例に限定されず、幾多の変形が可能である。例えば、
イオンビームの走査によって格子状の溝を形成すること
以外に、多数の平行な線状の溝を形成するようにしても
良く、又、イオンビームを飛翔走査させ、多数の微細な
ホールをスパッタリングによって形成するようにしても
良い。
施例に限定されず、幾多の変形が可能である。例えば、
イオンビームの走査によって格子状の溝を形成すること
以外に、多数の平行な線状の溝を形成するようにしても
良く、又、イオンビームを飛翔走査させ、多数の微細な
ホールをスパッタリングによって形成するようにしても
良い。
［効果］
以上詳述した如く、本発明はマスク基板表面を凹状化す
る簡単な方法により、従来不可能であった白色欠陥の修
正を行うことができる。更に、本発明では、白色欠陥を
イオンビームのスパッタリング作用を用いて修正するよ
うにしているため、黒点欠陥に対しても何等の追加の構
成を必要とせず、同じ装置でスパッタリング作用を利用
してその修正を行うことができ、一度にマスクの黒点欠
陥と白点欠陥の両者の修正を行うことができる。
る簡単な方法により、従来不可能であった白色欠陥の修
正を行うことができる。更に、本発明では、白色欠陥を
イオンビームのスパッタリング作用を用いて修正するよ
うにしているため、黒点欠陥に対しても何等の追加の構
成を必要とせず、同じ装置でスパッタリング作用を利用
してその修正を行うことができ、一度にマスクの黒点欠
陥と白点欠陥の両者の修正を行うことができる。
第１図は本発明の方法を実施するためのイオンビームの
一例を示す図、第２図および第３図はマスクの白点欠陥
部分を示す図である。 １・・・エミッタ ２・・・引出し電極３・・・
加速電極 ４・・・収束レンズ５・・・対物レン
ズ ６・・・ステージ７・・・マスク ８
・・・制御手段９・・・偏向板 １０・・・駆動
機構１１・・・レーザ干渉計
一例を示す図、第２図および第３図はマスクの白点欠陥
部分を示す図である。 １・・・エミッタ ２・・・引出し電極３・・・
加速電極 ４・・・収束レンズ５・・・対物レン
ズ ６・・・ステージ７・・・マスク ８
・・・制御手段９・・・偏向板 １０・・・駆動
機構１１・・・レーザ干渉計
Claims (4)
- （１）マスクの白点欠陥部分に収束したイオンビームを
照射し、スパッタリング作用によつて該欠陥部分のマス
ク基材表面を凹状化するようにしたマスクの欠陥修正方
法。 - （２）該基板表面に格子状のＶ溝を形成するようにした
特許請求の範囲第１項記載のマスクの欠陥修正方法。 - （３）該基板表面に格子状の多数の平行なＶ溝を形成す
るようにした特許請求の範囲第１項記載のマスクの欠陥
修正方法。 - （４）該基板表面に多数の微細ホールを形成するように
した特許請求の範囲第１項記載のマスクの欠陥修正方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59235826A JPS61113234A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | マスクの欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59235826A JPS61113234A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | マスクの欠陥修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61113234A true JPS61113234A (ja) | 1986-05-31 |
Family
ID=16991829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59235826A Pending JPS61113234A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | マスクの欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61113234A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5350649A (en) * | 1988-11-22 | 1994-09-27 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US8815474B2 (en) | 2007-08-10 | 2014-08-26 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Photomask defect correcting method and device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55150225A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Hitachi Ltd | Method of correcting white spot fault of photomask |
-
1984
- 1984-11-08 JP JP59235826A patent/JPS61113234A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55150225A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Hitachi Ltd | Method of correcting white spot fault of photomask |
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| US5350649A (en) * | 1988-11-22 | 1994-09-27 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US5484671A (en) * | 1988-11-22 | 1996-01-16 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US5830606A (en) * | 1988-11-22 | 1998-11-03 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US5948574A (en) * | 1988-11-22 | 1999-09-07 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US6106981A (en) * | 1988-11-22 | 2000-08-22 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US6420075B1 (en) | 1988-11-22 | 2002-07-16 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US6458497B2 (en) | 1988-11-22 | 2002-10-01 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US6548213B2 (en) | 1988-11-22 | 2003-04-15 | Hitachi, Ltd. | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US6733933B2 (en) | 1988-11-22 | 2004-05-11 | Renesas Technology Corporation | Mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacture thereof |
| US7008736B2 (en) | 1988-11-22 | 2006-03-07 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device fabrication method using a mask having a phase shifting film covering region and an opening region |
| US8815474B2 (en) | 2007-08-10 | 2014-08-26 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Photomask defect correcting method and device |
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