JP3544438B2 - イオンビームによる加工装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、集束イオンビーム照射により試料表面の微細加工を行うイオンビーム加工装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、公開平3ー163741号公報にあるように、集束イオンビーム照射による加工の加工領域の大きさに応じた最適のアパーチャ径をコンピュータに記憶させておき、その記憶させた条件から加工条件を選択、設定し加工を行う加工方法であった。
そして、本装置により試料表面の加工は次のように行われ、試料表面への集束イオンビーム照射により、試料表面の画像観察を行い、その画像観察により、集束イオンビーム照射領域(走査領域)を設定し、集束イオンビームを照射領域にて走査照射する。集束イオンビームにより照射された試料表面は、イオンスパッタにより、集束イオンビーム照射領域(走査領域)の表面は除去加工される。また、集束イオンビーム照射と同時に、有機化合物蒸気をその領域に吹き付けると、試料表面に吸着した有機化合物は、イオンビームの照射により、分解されて、固体の薄膜がその領域に形成される。
また、有機化合物蒸気の代わりに、試料構成物質に対してエッチング作用を及ぼす物質の蒸気を吹き付けると、集束イオンビーム照射により試料構成物質とその蒸気とか反応し、より速いエッチング除去加工ができる。
【0003】
【発明が解決しようとしている課題】
従来方法によると、加工領域の大小によりイオンビーム電流を選び、それによりスループットは向上するが、イオンビームの電流を変えたときに焦点のズレや像のズレなどが生じる。そのため、複数個の加工を自動的に精度良く連続加工を行うことができなかった。特に、所定の集束イオンビーム照射条件にて、集束イオンビームを試料表面に照射して、試料表面を観察し、その試料観察像により、集束イオンビームの照射領域(加工領域)を設定する。その後、集束イオンビームの照射条件(電動可変マルチアパーチャの開口径)を変えて、集束イオンビームを前記照射領域に繰り返し走査照射走査して、試料表面を加工する。稼働マルチアパーチャの開口径を変えると、集束イオンビームのイオンビーム電流が変わるが、集束イオンビームの照射軌跡もずれてしまう。従って、観察した像で、集束イオンビーム照射により試料表面を加工すると、加工領域が目的の領域と異なり、正確な加工ができない。そして、そのずれを解消するためには、変えた電動可変マルチアパーチャの開口径にて、集束イオンビームを走査・照射し画像観察して、加工領域を設定し直さなければならない。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明は、使用するイオンビーム電流量に応じて焦点などのイオンビーム光学的条件および像のズレ量などの異なったイオンビーム電流量間の差異をコンピュータに記憶させておき、その記憶させたファイルから条件を選択し、さらにイオンビーム光学系をその条件値に設定することにより、焦点のズレや像のズレなどを補正するものである。
複数個の加工を自動的に精度良く連続加工が可能となり、スループットを向上させることができた。
【0005】
【実施例】
以下本発明の実施例を説明する。
図1は、集束イオンビーム加工装置のブロック図である。イオンはビームとしてイオン源1から発生させられる。イオン源1は通常、液体金属イオン源を用いる。イオンビームは、ビーム軸30に沿って備えられた集束レンズ2と対物レンズ6により、試料11の表面で集束イオンビーム9として微小スポット径になるように集束される。また、ビーム軸30に沿って備えられた走査電極8により、集束イオンビーム9が所定の領域で走査するように偏向される。走査電極8は、集束イオンビーム9をX方向及びY方向に偏向させるために2対設けられている。ビーム軸30に沿って備えられた非点補正電極7は、集束イオンビーム9の非点(ビーム断面径の偏平)を補正するものであり、ブランキング電極4は、集束イオンビーム9の試料11表面への照射を止めるため集束イオンビーム9をビーム軸30から大きく離すものである。
【0006】
更に、ビーム軸30上に、電動可変マルチアパーチャ5が備えられている。電動可変マルチアパーチャ5は、各種の開口径を有する穴を一列に備えたアパーチャであり、電動可変マルチアパーチャ5を列方向にモータ等(図示せず)により移動させることができる。電動可変マルチアパーチャ5の移動により、ビーム軸30を通過させるアパーチャ穴径を切り換えることができ、集束イオンビーム9のイオン電流を切り換えるものである。
更にまた、ビーム軸30に沿って、アライメント電極4が備えられ、イオン光学系制御部15からの信号により、アライメント電極4は集束イオンビーム9の照射軌跡を所定量ずらすものである。
【0007】
集束イオンビーム9の試料11表面照射位置から発生する2次荷電粒子10を検出するため、2次荷電粒子検出器14が集束イオンビーム9の照射位置に向けて設けられている。2次荷電粒子検出器14からの信号は、イメージ制御部16により、2値化、コントラスト等の信号処理をされ、コンピューターシステム19に入力される。そして、コンピューターシステム19に接続さた表示装置20に、2次荷電粒子検出器14により検出された2次荷電粒子10の強度に基づいて試料11表面の状態が画像表示される。
試料11は、試料ステージ12に載置されている。ステージ制御部17からの信号により試料ステージ12は、試料11を所定のXYZ方向移動、XY平面法線を軸にした試料11の回転、及びXYの2軸での傾斜・回転する。
【0008】
ガス銃13は、試料11の表面の集束イオンビーム9照射位置に有機化合物蒸気、もしくはエッチング特性を有する蒸気を吹き付けるためのものである。試料11表面の集束イオンビーム9の照射と同時にガス銃13から化合物蒸気、もしくはエッチング特性を有する蒸気を吹き付けることにより、試料11表面に吸着された化合物は、集束イオンビーム9により分解され、集束イオンビーム9の照射領域にパターン膜が形成されたり、もしくはエッチング除去(増速エッチング)される。パターン膜は、化合物に金属成分が含まれていない場合、炭化膜になり、金属成分が含まれている場合は、金属膜になる。ガス銃13からの化合物蒸気の吹き付けのオン・オフ及びオン時のガス流量は、蒸気制御部18を介してコンピュータシステム19により制御される。
【0009】
ガス銃13がオンの時は、試料11の表面の所定領域にパターン膜が形成されたり、もしくは増速エッチングされ、ガス銃13がオフの時は、試料11の表面の所定領域がエッチング除去される。エッチング除去される領域が試料11の表面に形成されているパターン膜であれば、パターン膜のパターンの一部を除去し、修正することもできる。また、パターン膜や試料11表面部の断面を観察するための断面加工をすることもできる。
【0010】
ここで、集束イオンビーム加工装置にて、試料11を加工する時、パターン膜のパターン形状の修正のための除去加工、断面観察のための除去加工、除去加工の材質、炭化膜の膜付け加工、金属膜の膜付け加工、その他加工面積や加工精度により、加工の際の集束イオンビーム9のイオン電流を適宜に変えることが、スループットを上げるのには必要である。つまり、それぞれの加工には、それぞれ適当な集束イオンビーム電流がある。
【0011】
集束イオンビーム9の走査・照射により、試料11表面の画像観察して加工領域を決定した後、所定加工領域のみ適宜にイオン電流を設定する。イオン電流の設定は、電動可変マルチアパーチャ5に設けられた複数の開口のうち適当な開口径のものに切り換える。また、集束レンズ2の印加電圧を切り換えることにより、イオン電流を変えることもできる。ここで、イオン電流を切り換えて集束イオンビーム9の照射を行うと、集束イオンビーム9のビーム軸30がずれたり(XY方向にシフトしたり)、焦点位置が試料11の表面位置(Z方向)から外れたり、集束イオンビーム9の軸と垂直な断面計上か真円から楕円に変化したりする。ここで、イオンビーム光学系の調整を行う。
【0012】
なお、イオンビーム光学系の調整としては、電流量・ビームアライメント・焦点・非点等の調整などである。電流量の調整とは集束レンズ2の印加電圧および電動可変マルチアパーチャ5のアパーチャ径を変化させることである。具体的にいうと、ビームアライメント補正とは集束レンズ2の印加電圧を変化させることにより伴うビームの軸30のズレ(軸のビームシフト)をアライメント電極4に電圧を印加して補正することである。そして、電動可変マルチアパーチャ5のアパーチャ径を変えることによりビーム電流を調整する際に、電動可変マルチアパーチャ5のアパーチャから下のビーム軸30が試料11表面までのずれ(照射軸のシフト)を走査電極8に入力する走査信号にDC成分を重畳させ、ビーム照射位置をオフセットさせることで達成する。焦点の修正とは試料11上でビームが集束するように対物レンズ6の印加電圧を変化させることである。また、非点補正とは対物レンズ6で集束されたイオンビーム9の断面形状を、非点補正電極7に印加する電圧を変えて、丸くすることである。なお、イオンビーム光学系の調整するためには、ビームの観察が欠かせないが、これは従来から各種あるのでここでは説明を省略する。
【0013】
集束レンズ2の印加電圧、電動可変マルチアパーチャ5の使用開口径にて各組合せを取り、その各条件にて、イオンビーム光学系の調整を行う。つまり、焦点を結んだ真円のビームスポットが、試料11の表面に、ビーム軸30からシフトしないで照射するように、アライメント電極4への印加電圧、対物レンズ6への印加電圧、非点補正電極7に印加する電圧を求める。この調整したイオンビーム光学系の値をコンピュータシステム19に記憶する。
【0014】
ここで、例えば、イオン電流値を設定するために、電動可変マルチアパーチャー5の開口径を切り替えたときは、表示装置20に表示される画像は、図2aから図2bのようにビーム照射位置の位置ズレが生じる。このアパーチャの開口径間の差異によるビーム軸30のズレ(シフト)に基づく画像のずれを、走査電極8に入力する走査信号にDC成分を重畳させ、ビーム照射位置をオフセットさせることで達成する。つまり、図2cのように調整を行い、図2aと同じ位置にビームが照射されるようにし、それらの調整した値をコンピュータシステム19に記憶する。
【0015】
次に、試料を観察した後、加工領域の位置・加工領域を設定する。この位置・加工領域設定値は、コンピュータシステム19に記憶され、位置・加工領域設定値に基づいて、所定領域を集束イオンビーム9が走査・照射すように、イオン光学系制御部15から走査電極8に走査信号が入力される。次に、加工の種類(観察か、パターン形状の修正か断面観察の為の除去加工か、金属か遮光の膜付け加工か、加工面積、除去加工の時の除去材質)をコンピュータシステム19に入力する。コンピュータシステム19には、それらの条件に適した、集束レンズ2の印加電圧、及び電動可変マルチアパーチャー5の開口径が記憶されている。集束レンズ2の印加電圧と、電動可変マルチアパーチャー5の開口径はその記憶された値になるように、イオン光学系制御部15を介して設定される。
【0016】
集束レンズ2の印加電圧と、電動可変マルチアパーチャー5の開口径はその記憶された値になるように、イオン光学系制御部15を介して設定されると、イオンビーム光学系の調整が必要になる。イオン軸30のずれの調整のためにコンピュータシステム19に記憶されたアライメント電極への印加電圧、焦点調整のために対物レンズ6への印加電圧、非点補正のための非点補正電極7への印加電圧、集束イオンビーム9の試料11への照射ずれ補正のための走査電極8へ重畳するDC成分の印加補正を、イオン光学系制御部15を介して印加される。
また、コンピュータシステム19入力された除去加工か、膜付け加工(膜質等も)かの加工条件により、ガス銃13のオン・オフはイオン光学系制御部15を介して設定される。
【0017】
加工領域の設定としては、一画面内における設定だけでなく試料ステージ12を動かし離散した複数の加工も可能であり、ステージ移動を行い加工領域を決定する際ステージ位置情報も加工内容と共にコンピュータシステム19に記憶することにより行う。また、加工領域を設定する際に、その加工領域の、それは通常、矩形で設定されるものであるが、辺が、集束イオンビームの主走査方向と平行になっていないで、傾斜を有している場合、その傾斜角度に基づいて、集束イオンビームの走査方向を傾ける。つまり、矩形である加工領域の一辺と集束イオンビームの主走査方向を平行にする。このことにより、容易に加工領域を設定することができるものである。走査信号の変換については、特開昭63−241953号公報に開示されているので、ここではその変換式についての説明は省略する。複数の加工領域を有する場合、それぞれの領域と平行な集束イオンビームの主・副走査方向になるように、それぞれの領域に応じた変換式をコンピュータシステム19に記憶させる。これにより、各加工領域に対して、連続的な加工をすることができる。さらにまた、コンピュータシステム19には、あらかじめ電動可変アパーチャの各開口径ごとのビーム電流量および各材料ごとのエッチングレートを記憶させておき加工を行いたい深さを入力することにより各開口径での走査回数および加工時間をコンピューターが算出し表示され、加工時間および加工のダレなどを考慮した選択が可能である。
【0018】
そして、設定した加工をコンピューターに記憶した加工内容に従って加工を行う際、あらかじめコンピューターシステム19に記憶しておいたイオンビーム光学条件をイオンビームの電流量が変化するごとに選択し、イオンビーム光学系をその条件に設定する事により加工位置ズレなどのない連続加工を行うことができる。
【0019】
[実施例2]
本実施例では、ステージ12移動を伴う連続加工において精度良く加工を行う方法について説明する。
ステージ12移動を伴う加工では、ステージの絶対精度が必要となる。しかし、ステージ12において絶対精度が±0.05μm以下のステージの作製は難しく、現在のステージ精度ではステージ移動を伴う精度の良い加工を行うことは困難である。そこで、加工領域31設定の際、図3aのような試料11の加工領域31の近傍の特徴的な形状およびコントラストを有するもの(以下リファレンスポイントと略す)とリファレンスポイント32と加工領域31の位置関係および加工条件を同時に記憶する。このリファレンスポイント32としては、集束イオンビームにより試料を加工した穴や加工対象物の表面の凹凸、加工対象物の材料に違いなどによる二次荷電粒子像のコントラスト差などが考えられる。
【0020】
加工条件設定後、加工を行う場合ステージ12移動を伴った加工のためステージ精度の問題により図3bのようにビーム照射位置がずれる。先ず、コンピュータシステム19に記憶された加工位置に基づいて、ステージ制御部17を介して、試料11を載置したステージ12の移動する。試料11を移動させた後、画像認識などによりこのリファレンスポイント32を検出、認識し、リファレンスポイントを基準にしてビームシフトなどの精度の良いシフト方法により、図3cのようにイオンビーム照射位置を補正し加工を行うことにより精度の良いステージ移動を伴う連続加工が可能である。またこのステージ移動を伴う精度の良い連続加工は、個々の加工条件に付随するステージ情報によるステージ移動だけでなく、あらかじめ決められた間隔に加工を行いたい領域が存在する場合にも適用できる。
【0021】
【発明の効果】
本発明により、0.1μm以下の精度でステージ移動を伴った連続加工が可能になり、集束イオンビームによる加工においてスループットの向上が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】集束イオンビーム加工装置の概略ブロック図である。
【図2】本発明の実施例1を説明するための試料表面の平面図で図2aはアパーチャー切り替え前、図2bはアパーチャー切り替え直後(アパーチャー切り替えにより像がシフトしている)、図2cはビームシフトにより補正を行った後である。
【図3】本発明の実施例2を説明するための試料表面の平面図であり、図3aはリファレンスポイントおよび加工の設定時、図3bはステージ移動によりリファレンスポイントがシフトしている時、図3cはビームシフトによりリファレンスポイントの位置ズレを補正した後である。
【符号の説明】
1 イオン源
2 集束レンズ
3 ブランキング電極
4 アライメント電極
5 電動可変マルチアパーチャ
6 対物レンズ
7 非点補正電極
8 走査電極
9 集束オンビーム
10 2次荷電粒子
11 試料
12 試料ステージ
13 ガス銃
14 2次荷電検出器
15 イオン光学系制御部
16 イメージ制御部
17 ステージ制御部
18 蒸気制御部
19 コンピューターシステム
20 表示装置
30 ビーム軸
Claims (9)
- イオンビームを発生するイオン源と、前記イオンビームを集束させるレンズ系と、前記イオンビームの電流を制限する電動可変マルチアパーチャと、前記イオンビームで加工しようとする試料を載せるステージと、前記イオンビームを前記試料上に照射する時に発生する二次粒子を検出する検出器と、前記電動可変マルチアパーチャをコントロールするイオン光学系制御部と、前記二次粒子に基づき前記試料の加工を制御するコンピュータシステムよりなる集束イオンビーム加工装置において、イオンビームの電流量に対応して、レンズの設定、非点補正値、アパーチャ径、ビームアライメントへの印加電圧及び対物レンズへの印加電圧などのイオンビーム光学的条件及び、複数個の加工内容を前記コンピュータに記憶させておき、前記加工内容に従って光学的条件を選択、設定し、複数個の加工を行うことを特徴とするイオンビーム加工装置。
- イオンビームを発生するイオン源と、前記イオンビームを集束させるレンズ系と、前記イオンビームの電流を制限する電動可変マルチアパーチャと、前記イオンビームで加工しようとする試料を載せるステージと、前記イオンビームを前記試料上に照射する時に発生する二次粒子を検出する検出器と、前記電動可変マルチアパーチャをコントロールするイオン光学系制御部と、前記二次粒子に基づき前記試料の加工を制御するコンピュータシステムよりなる集束イオンビーム加工装置において、イオンビームの電流量に対応して、レンズの設定、非点補正値、アパーチャ径、ビームアライメントへの印加電圧及び対物レンズへの印加電圧などのイオンビーム光学的条件及び、複数個の加工内容を前記コンピュータに記憶させておき、前記加工内容に従って光学的条件を選択、設定し、複数個の加工を行うことを特徴とするイオンビーム加工方法。
- イオンビームを発生するイオン源と、前記イオンビームを集束させるレンズ系と、前記イオンビームの電流を制限する電動可変マルチアパーチャと、前記イオンビームで加工しようとする試料を載せるステージと、前記イオンビームを前記試料上に照射する時に発生する二次粒子を検出する検出器と、前記電動可変マルチアパーチャをコントロールするイオン光学系制御部と、前記二次粒子に基づき前記試料の加工を制御するコンピュータシステムよりなる集束イ オンビーム加工装置において、
前記コンピュータシステムは、
あらかじめ、イオンビーム電流に対応して、アパーチャ径あるいは集束レンズへの印加電圧、イオンビーム軸のズレ調整のためのアライメント電極への印加電圧及び非点補正のための非点補正電極への印加電圧などのイオンビーム光学的条件を記憶させる手段と、
複数の加工位置、加工領域を設定し、記憶させる手段と、
加工の種類に適したイオンビーム電流を記憶する手段と、
前記複数の加工領域の加工の種類を入力する手段とを有し、
前記複数の加工領域の各加工領域を加工する時に、前記記憶された各加工領域の加工の種類に適したイオンビーム電流に対応して、前記あらかじめ記憶された光学的条件を設定し、
前記複数の加工領域を自動的に連続加工することを特徴とするイオンビーム加工装置。 - 前記連続加工が前記ステージの移動を伴う加工においては、前記コンピュータはステージの位置情報も記憶する手段を有することを特徴とする請求項3記載のイオンビーム加工装置。
- 前記複数の加工領域が矩形形状であり、かつ、このうちある加工領域が集束イオンビームの主走査方向に対し傾斜している場合、該加工領域の一辺と集束イオンビームの主走査方向を平行にする変換式を記憶する工程を有していることを特徴とする請求項1、3、または4記載のイオンビーム加工装置。
- イオンビームを発生するイオン源と、前記イオンビームを集束させるレンズ系と、前記イオンビームの電流を制限する電動可変マルチアパーチャと、前記イオンビームで加工しようとする試料を載せるステージと、前記イオンビームを前記試料上に照射する時に発生する二次粒子を検出する検出器と、前記電動可変マルチアパーチャをコントロールするイオン光学系制御部と、前記二次粒子に基づき前記試料の加工を制御するコンピュータシステムよりなる集束イオンビーム加工装置を用いたイオンビーム加工方法において、
あらかじめ、イオンビーム電流に対応して、アパーチャ径あるいは集束レンズへの印加電圧、イオンビーム軸のズレ調整のためのアライメント電極への印加電圧及び非点補正のための非点補正電極への印加電圧などのイオンビーム光学的条件を記憶させる工程と、
複数の加工位置、加工領域を設定し、記憶させる工程と、
加工の種類に適したイオンビーム電流を記憶する工程と、
前記複数の加工領域の加工の種類を入力する工程と、
前記複数の加工領域の各加工領域を加工する時に、前記記憶された各加工領域の加工の種類に適したイオンビーム電流に対応して、前記あらかじめ記憶された光学的条件を設定し、前記複数の加工領域を自動的に連続加工することを特徴とするイオンビーム加工方法。 - 前記連続加工が前記ステージの移動を伴う加工においては、前記ステージの位置情報も前記コンピュータに記憶することを特徴とする請求項6記載のイオンビーム加工方法。
- 前記複数の加工領域が矩形形状であり、かつ、このうちある加工領域が集束イオンビームの主走査方向に対し傾斜している場合、該加工領域の一辺と集束イオンビームの主走査方向を平行にするように集束イオンビームの走査方向を傾けて加工することを特徴とする請求項2、6、または7記載のイオンビーム加工方法。
- イオンビームを発生するイオン源と、前記イオンビームを集束させるレンズ系と、前記イオンビームの電流を制限する電動可変マルチアパーチャと、前記イオンビームで加工しようとする試料を載せるステージと、前記イオンビームを前記試料上に照射する時に発生する二次粒子を検出する検出器と、前記電動可変マルチアパーチャのアパーチャ径、及びアライメント電極への印加電圧をコントロールするイオン光学系制御部と、前記イオン光学系制御部を制御するコンピュータシステム、および前記検出器からの信号に基づいて試料の表面画像を表示する表示装置とからなる集束イオンビーム加工装置を用いたイオンビーム加工方法において、
試料の所定領域の観察時と、該所定領域の加工時に使用するイオンビーム電流 量の違いに応じて発生する、像のズレ量をあらかじめ前記コンピュータに記憶させておき、その記憶させたファイルから条件を選択し、さらにイオンビーム光学系をその条件値に設定することにより、像のズレを補正することを特徴とするイオンビーム加工方法。
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