JP5969229B2 - 集束イオンビーム装置およびイオンビーム光学系の調整方法 - Google Patents
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Description
しかしながら、バイポテンシャルレンズの入射側電極は、引出電極として機能するとともに、集束レンズの一部としても機能する。そのため、引出電圧を変更するとレンズ電界も変更され、イオンビームの集束状態が変化する。イオンビームの集束状態を維持するためには、引出電圧を変更するたび集束電圧の調整を行う必要がある。しかも、絞り径の異なる複数種類のアパーチャを備えている場合には、アパーチャごとに集束電圧の設定を行う必要があり、多大な工数を必要とする問題がある。
集束電圧の計算値からの実験値のずれは、イオン源と集束レンズとの距離が設計値から寸法誤差によりずれることや、集束レンズ制御信号のオフセット等で発生する。イオン源と集束レンズとの寸法誤差や制御信号のオフセットは、アパーチャの種類によらず一定であるから、集束電圧の計算値と実験値とのずれ量である補正値も、アパーチャの種類によらず一定になる。
そこで本発明は、複数種類のアパーチャについて記録された計算値に、それぞれ補正値を加算して集束電圧の設定値を求め、集束電圧テーブルに記録する構成とした。これにより、基準アパーチャのみについて基準イオンビーム電流が得られる集束電圧の実験値を求めるだけで、他のアパーチャについての集束電圧の設定値を求めることができる。したがって、集束電圧テーブルを簡単かつ精度良く作成することができる。この集束電圧テーブルに基づいて集束電圧を設定することにより、集束電圧の設定を簡単かつ精度良く実施することができる。
これにより、特定の引出電圧において基準アパーチャのみについて集束電圧の実験値を求めるだけで、全ての引出電圧において全てのアパーチャについて集束電圧の設定値を求めることができる。したがって、集束電圧テーブルを極めて簡単に作成することができる。
イオン源の長時間使用により針先形状が変化した場合には、イオンビームの発生が不安定になるため、引出電圧の変更が必要になる。ここで、イオン源の針先形状の変化により、イオン源と集束レンズとの距離が変化していれば、集束電圧の補正値も変化することになる。
そこで本発明は、引出電圧ごとに補正値を求めて集束電圧の設定値を算出する構成とした。これにより、集束電圧テーブルを精度良く作成することができる。
任意イオンビーム電流を得るための集束電圧の計算値は、基準イオンビーム電流を得るための集束電圧の計算値とは異なり、計算式から求めることが困難である。一方で、イオン源と集束レンズとの距離は、イオンビーム電流によらず一定であるから、集束電圧の補正値もイオンビーム電流によらず一定になる。すなわち、任意イオンビーム電流を得る場合の補正値は、基準イオンビーム電流を得る場合の補正値に一致する。
そこで本発明は、第1セットについて、任意イオンビーム電流が得られる第1実験値から、基準イオンビーム電流を得る場合の第1補正値を減算して、任意イオンビーム電流が得られる第1計算値を求める構成とした。第1計算値が既知であれば、第2セットについて、その第1計算値に、基準イオンビーム電流を得る場合の第2補正値を加算するだけで、任意イオンビーム電流が得られる集束電圧の任意設定値を求めることができる。したがって、集束電圧の任意設定値が記録された集束電圧テーブルを簡単に作成することができる。
これにより、基準アパーチャのみについて基準イオンビーム電流が得られる集束電圧の実験値を求めるだけで、他のアパーチャについての集束電圧の設定値を求めることができる。したがって、集束電圧テーブルを簡単かつ精度良く作成することができる。
(第1実施形態、集束イオンビーム装置)
図1は、実施形態に係る集束イオンビーム装置の概略構成図である。荷電粒子ビーム装置である集束イオンビーム装置(FIB)1は、試料Mに荷電粒子ビームであるイオンビームIを照射することによって、試料Mの表面の加工等を行うものである。例えばウエハを試料Mとして配置し、TEM(透過型電子顕微鏡)観察用の試料を作製することが可能であり、あるいは、フォトリソグラフィ技術におけるフォトマスクを試料Mとして、フォトマスクを修正することなどが可能である。以下、本実施形態における集束イオンビーム装置1の詳細について説明する。
真空チャンバー3には、試料Mが載置される試料台2と、試料Mから放出された二次電子を検出する二次電子検出器4と、試料Mの表面に加工用ガスを供給するガス銃5とが設けられている。試料台2は、3軸ステージ(不図示)により試料Mを各方向に移動させることができる。また試料台2には、後述する集束電圧設定処理で使用するファラデーカップ(不図示)が設けられている。二次電子検出器4は、イオンビームIの照射により試料Mから放出された2次電子を検出して、試料Mの状態観察を可能にする。ガス銃5は、試料Mの加工内容に応じて、エッチング用ガスやデポジション用ガスを供給する。なお真空チャンバー3には真空ポンプ(不図示)が接続されていて、内部3aを高真空雰囲気まで排気可能である。
集束レンズ(コンデンサレンズ:CL)20は、イオンビームIが通過する貫通孔を備えた3枚の電極を、イオンビームIの照射経路に沿って配置したものである。3枚の電極として、筒体8の基端側から先端側にかけて順番に、入射側電極22、中間電極24および出射側電極26が配置されている。
本実施形態では、集束レンズ20としてバイポテンシャルレンズが採用されている。
図2は、バイポテンシャルレンズの説明図である。バイポテンシャルレンズでは、イオン源10と集束レンズ20の入射側電極22との間に引出電圧電源22aが接続されている。この引出電圧電源22aで引出電圧を印加することにより、イオン源10からイオンを引き出してイオンビームIを発生させることができる。また、中間電極24には集束電圧電源24aが接続されている。この集束電圧電源24aで集束電圧を印加することにより、発散状態のイオンビームIを略平行に集束させることができる。一方、出射側電極26は接地されている。なお上述したように、イオン源10は加速電圧電源10aに接続されている。この加速電圧電源10aで加速電圧を印加することにより、イオンビームIを加速させることができる。
試料Mの加工レートや加工精度は、イオンビームIのビーム電流やビーム径などに依存する。イオンビームIのビーム電流やビーム径は、アパーチャ30の絞り径や集束電圧の大きさ等によって決まる。そこで制御端末50は、オペレータの指示に基づいて、アパーチャ制御部30cを制御してアパーチャ30の種類(絞り径)を選択するとともに、集束電圧電源24aを制御して集束電圧を設定する。
なおビーム電流が大きいイオンビームIは、ガス銃5から供給された加工用ガスを飛散させ、十分なガスアシスト効果が得られない恐れがある。そこで、ビーム径が極小となる基準ビーム電流(例えば図3のA10)よりも小さいビーム電流(例えば図3のA11)をユーザーが設定して、集束イオンビーム装置1を使用する場合もある。
本実施形態の制御端末50は、集束電圧を設定するための集束電圧テーブルを備えている。集束電圧テーブルには、引出電圧の大きさおよびアパーチャの種類ごとに、集束電圧の設定値が記録されている。以下、集束電圧テーブルについて詳述する。
図4は、集束電圧テーブルの説明図である。集束電圧テーブルは、引出電圧ごとに記録されている。例えば図4の集束電圧テーブルでは、引出電圧が6.9kVの場合と7.0kVの場合とが記録されている。集束電圧テーブルには、引出電圧ごとに、各アパーチャ(AP)#1−#5について、集束電圧の計算値、設定値および補正値が記録されている。
図5は第1実施形態に係るイオンビーム光学系の調整方法のフローチャートである。
図6(a)は集束電圧設定処理サブルーチンのフローチャートであり、図6(b)は集束電圧調整処理サブルーチンのフローチャートである。
図7は集束電圧設定処理における制御端末の表示画面であり、図8は集束電圧調整処理における制御端末の表示画面である。
図6(a)に示す集束電圧設定処理(S10)は、制御端末50のメモリーに記録された集束電圧設定処理プログラムを実行することで開始する。
集束電圧設定処理プログラムを実行すると、制御端末50のディスプレイに図7の画面60が表示される。画面中でスタートボタン62を押下げると、集束イオンビーム装置1の試料台2が移動して、試料台2に形成されたファラデーカップがイオンビーム鏡筒6の照射口7に対向配置される。画面中のモニタ部60aには、ファラデーカップ近傍の走査イオン顕微鏡像が表示される。
図4に示す集束電圧テーブルには、予め各引出電圧および各アパーチャ30について集束電圧の計算値が記録されている。例えば、引出電圧6.9kVでアパーチャ#1の場合には、集束電圧の計算値として−17.9kVが記録されている。ここで画面中の設定ボタン67の押下げにより、集束電圧の実験値として−17.53kVが設定値の欄に記録される。これと同時に、集束電圧の実験値から計算値が減算され、集束電圧の補正値として0.37kVが記録される。
以上により、集束電圧設定処理が完了する。
集束電圧調整処理(S30)は、制御端末50のメモリーに記録された集束電圧調整処理プログラムを実行することで開始する。
集束電圧調整処理プログラムを実行すると、制御端末50のディスプレイに図8の画面80が表示される。画面中でスタートボタン81を押下げると、制御端末50は引出電圧の値を読み込む(S32)。次に、画面中で設定ボタン82を押下げると、制御端末50は各アパーチャ30の集束電圧を再設定する(S34)。具体的には、制御端末50が集束電圧テーブルを参照し、当該引出電圧の各アパーチャ30に対応する集束電圧の設定値を読み出す。そして、アパーチャ30を交換したとき自動的に集束電圧が設定されるように、アパーチャ30と集束電圧の設定値との対応付けを行う。
以上により、集束電圧調整処理が完了する。
集束電圧の計算値からの実験値のずれは、イオン源10と集束レンズ20との距離が設計値から寸法誤差によりずれることや、集束レンズ制御信号のオフセット等で発生する。イオン源10と集束レンズ20との寸法誤差や制御信号のオフセットは、アパーチャ30の種類によらず一定であるから、集束電圧の計算値と実験値とのずれ量である補正値も、アパーチャ30の種類によらず一定になる。
そこで、全てのアパーチャ#1−#5について記録された計算値に、それぞれ補正値を加算して集束電圧の設定値を求め、集束電圧テーブルに記録する構成とした。これにより、基準アパーチャ#1のみについて基準ビーム電流A10が得られる集束電圧の実験値を求めるだけで、他のアパーチャについて集束電圧の設定値を求めることができる。したがって、集束電圧テーブルを簡単かつ精度良く作成することができる。この集束電圧テーブルに基づいて集束電圧を設定することにより、集束電圧の設定を簡単かつ精度良く実施することができる。なお、集束電圧の計算値をそのまま設定値とする場合に比べて、本実施形態では集束電圧の実験値から補正値を求めて設定値を算出するので、基準ビーム電流を精度良く得ることができる。
これにより、特定の引出電圧において基準アパーチャ#1のみについて集束電圧の実験値を求めるだけで、全ての引出電圧において全てのアパーチャ#1−#5について集束電圧の設定値を求めることができる。したがって、集束電圧テーブルを極めて簡単に作成することができる。
次に、第2実施形態に係る集束イオンビーム装置およびイオンビーム光学系の調整方法について説明する。
第1実施形態では、特定の引出電圧において求めた補正値を、異なる引出電圧において記録された計算値に加算して、集束電圧の設定値を求めた。これに対して第2実施形態では、引出電圧ごとに求めた補正値を、引出電圧ごとに記録された計算値に加算して、集束電圧の設定値を求める点で異なっている。なお第1実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
図9は、第2実施形態の集束電圧テーブルの説明図である。第2実施形態の集束電圧テーブルでは、引出電圧が6.9kVの場合には補正値として0.37kVを適用し、引出電圧が7.0kVの場合には補正値として0.4kVを適用している。
これにより、イオン源の長時間使用により針先形状が変化し、イオン源と集束レンズとの距離が変化した場合でも、引出電圧ごとに補正値を求めて集束電圧の設定値を算出することで、集束電圧テーブルを精度良く作成することができる。
次に、第3実施形態に係る集束イオンビーム装置およびイオンビーム光学系の調整方法について説明する。
第1および第2実施形態の集束電圧テーブルには、基準ビーム電流が得られる集束電圧の設定値のみが記録されていた。これに加えて、第3実施形態の集束電圧テーブルには、任意ビーム電流が得られる集束電圧の設定値が記録されている点で異なっている。なお、第1および第2実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
図11(a)に示す第1集束電圧テーブルでは、全てのビーム電流についての集束電圧の補正値として0.37kVが記録されている。これに対して、図11(b)に示す第2集束電圧テーブルでは、全てのビーム電流についての集束電圧の補正値として0.39kVが記録されている。
第3実施形態では、図11(a)に示す第1集束電圧テーブルにおいて、基準ビーム電流A10が得られる集束電圧の各値のみが記録され、任意ビーム電流A11が得られる集束電圧の各値が記録されていない状態からスタートする。ここで、第1セットに関して基準ビーム電流A10を得る場合の集束電圧の補正値を第1補正値とする。例えば図11(a)の第1集束電圧テーブルでは、第1補正値として0.37kVが記録されている。
次に、基準ビーム電流A10を得る場合の第2補正値を、任意ビーム電流A11を得る場合の補正値として展開し、第2集束電圧テーブルに記録する(S52)。
以上で第2集束電圧テーブルが完成する。
これにより、任意ビーム電流A11が得られる集束電圧の任意設定値を効率的に求めて、集束電圧テーブルを簡単に作成することができる。
例えば、実施形態の集束イオンビーム装置には、必要に応じて様々な構成要素を付加することが可能である。
Claims (5)
- イオンを供給するイオン源と、
前記イオン源から引き出されたイオンビームを集束させる集束レンズと、
集束されたイオンビームを絞るための絞り径が異なる複数種類のアパーチャと、を備え、
前記集束レンズは、前記イオン源との間に引出電圧を印加して前記イオン源からイオンビームを引き出す第1電極と、前記イオン源との間に集束電圧を印加して前記イオン源から引き出されたイオンビームを集束させる第2電極と、を少なくとも備えたバイポテンシャルレンズであり、
前記集束電圧を設定する制御部をさらに備え、
前記制御部は、前記引出電圧の大きさおよび前記アパーチャの種類に対応して、イオンビーム径が極小となる基準イオンビーム電流が得られる前記集束電圧の設定値が記録された集束電圧テーブルを備え、前記集束電圧テーブルに基づいて前記集束電圧を設定し、
前記制御部は、
複数種類の前記アパーチャについて、前記基準イオンビーム電流が得られる前記集束電圧の計算値を、予め前記集束電圧テーブルに記録しておき、
基準となる前記アパーチャについて、前記基準イオンビーム電流が得られる前記集束電圧の実験値を求め、
前記実験値から、前記基準アパーチャについて記録された前記計算値を減算して、前記集束電圧の補正値を求め、
複数種類の前記アパーチャについて記録された前記計算値に、それぞれ前記補正値を加算して前記設定値を求め、前記集束電圧テーブルに記録する、
ことを特徴とする集束イオンビーム装置。 - 前記制御部は、
特定の前記引出電圧において前記基準アパーチャについて求めた前記補正値を、前記特定引出電圧とは異なる前記引出電圧において複数種類の前記アパーチャについて記録された前記計算値に、それぞれ加算して前記設定値を求め、前記集束電圧テーブルに記録する、
ことを特徴とする請求項1に記載の集束イオンビーム装置。 - 前記制御部は、
前記引出電圧ごとに、前記実験値を求め、
前記引出電圧ごとに、前記実験値から、前記基準アパーチャについて記録された前記計算値を減算して、前記補正値を求め、
前記引出電圧ごとに、複数種類の前記アパーチャについて記録された前記計算値に、それぞれ前記補正値を加算して前記設定値を求め、前記集束電圧テーブルに記録する、
ことを特徴とする請求項1に記載の集束イオンビーム装置。 - 前記集束電圧テーブルには、任意のイオンビーム電流が得られる前記集束電圧の任意設定値が記録され、
前記制御部は、
前記イオン源および前記集束レンズの第1セットについて、第1の前記補正値を求めた後に、
前記任意イオンビーム電流が得られる前記集束電圧の第1実験値を求め、
前記第1実験値から、前記第1補正値を減算して、前記任意イオンビーム電流が得られる前記集束電圧の第1計算値を求め、
前記イオン源および前記集束レンズのうち少なくとも一方が前記第1セットとは異なる第2セットについて、第2の前記補正値を求め、
前記第1計算値に、前記第2補正値を加算して、前記任意設定値を求め、前記集束電圧テーブルに記録する、
ことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の集束イオンビーム装置。 - イオンを供給するイオン源と、
前記イオン源から引き出されたイオンビームを集束させる集束レンズと、
集束されたイオンビームを絞るための絞り径が異なる複数種類のアパーチャと、を備え、
前記集束レンズは、前記イオン源との間に引出電圧を印加して前記イオン源からイオンビームを引き出す第1電極と、前記イオン源との間に集束電圧を印加して前記イオン源から引き出されたイオンビームを集束させる第2電極と、を少なくとも備えたバイポテンシャルレンズであり、
前記引出電圧の大きさおよび前記アパーチャの種類に対応して、イオンビーム径が極小となる基準イオンビーム電流が得られる前記集束電圧の設定値が記録された集束電圧テーブルをさらに備え、
前記集束電圧テーブルに基づいて前記集束電圧を設定する集束イオンビーム装置についての、イオンビーム光学系の調整方法であって、
前記集束電圧テーブルを作成する際に、
複数種類の前記アパーチャについて、前記基準イオンビーム電流が得られる前記集束電圧の計算値を、予め前記集束電圧テーブルに記録しておき、
基準となる前記アパーチャについて、前記基準イオンビーム電流が得られる前記集束電圧の実験値を求め、
前記実験値から、前記基準アパーチャについて記録された前記計算値を減算して、前記集束電圧の補正値を求め、
複数種類の前記アパーチャについて記録された前記計算値に、それぞれ前記補正値を加算して前記設定値を求め、前記集束電圧テーブルに記録する、
ことを特徴とするイオンビーム光学系の調整方法。
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