WO2019186937A1 - 荷電粒子線装置 - Google Patents

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charged
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恒典 野間口
俊一 本村
忠寛 川崎
竜視 吉田
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株式会社日立ハイテクノロジーズ
一般財団法人ファインセラミックスセンター
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    • H01J2237/26—Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28—Scanning microscopes

Definitions

  • the present invention relates to a charged particle beam apparatus for irradiating a sample with a charged particle beam.
  • Charged particle beam devices such as Scanning Electron Microscope (SEM) and Focused Ion Beam System (FIB) focus and focus on the charged particle beam on the sample to observe, analyze, and process at the nano level. I do.
  • SEM Scanning Electron Microscope
  • FIB Focused Ion Beam System
  • These charged particle beam devices are widely used in the semiconductor field, material field, and bio field where nano-level observation, analysis, and processing are required.
  • further improvement in image resolution and processing accuracy are demanded in various fields including the semiconductor field where miniaturization advances.
  • Patent Document 1 has an entrance plate and an exit plate, a circular aperture is formed in one of them, an annular aperture is formed in the other, and a voltage is applied between the entrance plate and the exit plate.
  • the spherical aberration corrector disclosed in Patent Document 1 is provided between a circular electrode (refers to a plate provided with a circular opening) and an annular electrode (refers to a plate provided with an annular opening).
  • a circular electrode refers to a plate provided with a circular opening
  • an annular electrode refers to a plate provided with an annular opening.
  • a charged particle beam source that generates a charged particle beam, a charged particle beam diaphragm having an annular shape, and a charged particle beam diaphragm power source that applies a voltage to the charged particle beam diaphragm
  • the charged particle beam diaphragm power source applies a voltage having a polarity opposite to the charge of the charged particle beam to the charged particle beam diaphragm.
  • the aberration correction effect of the aberration corrector of Patent Document 1 is obtained by bending an equipotential line in the vicinity of the circular hole.
  • an aberration correction effect is obtained by eliminating the circular hole electrode and applying a predetermined voltage to the annular charged particle beam diaphragm. The knowledge that it was possible was obtained. As described above, the presence of the circular hole electrode causes a focus shift of the charged particle beam.
  • the charged particle beam diaphragm has an annular shape, and even if there is no circular hole electrode, this annular charged particle beam It has been found that an aberration correction effect can be obtained by applying a predetermined voltage to the diaphragm.
  • the action of the circular hole electrode is to stably generate an equipotential line in the vicinity of the annular opening, and it is recognized that it is necessary to apply a larger voltage than when the circular hole electrode is present.
  • the charged particle beam is an electron
  • a positive voltage having a polarity opposite to the negative charge of the electron is applied.
  • the charged particle beam is a positive ion
  • a negative voltage having the opposite polarity to the positive charge of the positive ion is applied.
  • a ring-shaped charged particle beam aperture may be applied.
  • Fig. 1 shows an outline of a charged particle beam device.
  • the charged particle beam apparatus mainly includes a charged particle beam source 101 for generating a charged particle beam, an acceleration electrode 102 for accelerating the charged particle beam emitted from the charged particle beam source 101, and an objective lens 105 from the acceleration electrode 102.
  • Charged particle beam diaphragm 120 having an annular shape that shields the part, insulating material 123 that electrically insulates charged particle beam diaphragm 120, support material and drive mechanism that supports charged particle beam diaphragm 120 and charged particle beam diaphragm
  • a focusing objective lens 105 and a sample 114 are arranged.
  • a controller for controlling each component of the above-described charged particle optical system a charged particle beam source controller 151 for controlling the charged particle beam source 101, an acceleration electrode controller 152 for controlling the acceleration electrode 102, a first controller First and second condenser lens controllers 153 and 154 for controlling the first and second condenser lenses 103 and 104, a charged particle beam diaphragm controller 169 for controlling the charged particle beam diaphragm 121, and a charged particle beam diaphragm It has a charged particle beam aperture power source controller 158 that controls the power source 108, an objective lens controller 155 that controls the objective lens 105, and a detector controller 168 that controls the detector 118.
  • controllers are controlled by an integrated computer 170 that controls the operation of the entire charged particle beam apparatus and constructs a charged particle beam image from the secondary charged particle beam detected by the detector 118.
  • the integrated computer 170 is connected to a controller (keyboard, mouse, etc.) 171 and a display 172.
  • the operator inputs various instructions such as irradiation conditions, voltage conditions and position conditions of the charged particle beam aperture from the controller 171 and the like. Acquired images and control screens can be displayed.
  • the charged particle beam apparatus has a configuration such as a deflection system for scanning and shifting the charged particle beam, which is omitted in FIG.
  • the objective lens 105 includes a lens that does not leak a magnetic field outside the magnetic path, but may be a lens that leaks a magnetic field outside the magnetic path, or both a type that leaks a magnetic field and a type that does not leak A compound objective lens may be used.
  • the condenser lenses 103 and 104 and the objective lens 105 may be electrostatic lenses for the above-mentioned purposes, or may be objective lenses that use a magnetic field lens and an electrostatic lens together, such as a booster optical system and a retarding optical system,
  • the type of the lens is not limited.
  • the beam tube 112 is at the GND potential (reference potential), but a predetermined voltage is applied in the booster optical system.
  • the shape and the number of constituent members are not limited.
  • the detector 118 for detecting secondary charged particles may be arranged in the sample chamber 115 as shown in FIG. 1, or may be arranged in a column on which a charged particle optical system is mounted. Further, it may be arranged both in the sample chamber 115 and in the column. For the purpose of detecting secondary charged particles, the number and the arrangement location are not limited.
  • FIG. 1 shows a charged particle beam apparatus including one charged particle beam column, but a composite charged particle beam apparatus including a plurality of charged particle beam columns may be used.
  • FIG. 2A The configuration of the charged particle beam diaphragm is shown in FIG. 2A.
  • (A) is a top view and (b) is a cross-sectional view.
  • the charged particle beam diaphragm 120 is formed directly on the charged particle beam diaphragm plate 124, and a voltage is applied to the charged particle beam diaphragm plate 124 from the charged particle beam diaphragm power supply 108.
  • the charged particle beam diaphragm plate 124 is attached to the charged particle beam diaphragm plate support 125 by screws 140, and the charged particle beam diaphragm plate support 125 is supported by the insulating material 123.
  • the present invention is not limited to this, and the charged particle beam diaphragm plate 124 and the charged particle beam diaphragm plate support base 125 may be integrally formed.
  • a voltage is applied to the charged particle beam diaphragm plate 124, the surrounding material and the potential can be separated by the insulating material 123.
  • a high-resistance conductive member may be used instead of an insulating material.
  • One or more charged particle beam diaphragms 120 are arranged on the charged particle beam diaphragm plate 124.
  • a plurality of apertures are arranged, there is an advantage that even when one aperture is contaminated or damaged, observation and processing can be resumed immediately after switching to another aperture. Further, the shapes of the plurality of charged particle beam apertures 120 need not be the same. In this case, there is an advantage that a charged particle beam aperture suitable for different observation conditions such as acceleration voltage and processing conditions can be used properly.
  • the charged particle beam diaphragm 120a has the same annular shape from the upper side (charged particle beam source side) to the lower side (objective lens side) of the plate to be formed (FIG. 2B).
  • the upper side of the plate has an annular shape
  • the lower side of the plate which is the back side, has a cylindrical shape (120b: FIG. 2C) having a larger diameter than the annular shape. It has a conical shape (120c: FIG. 2D) whose diameter gradually increases from an annular shape.
  • a part of the charged particle beam that passes through the charged particle beam stop 120 collides with the side wall of the charged particle beam stop to generate secondary charged particles (electrons).
  • the charged particle beam device is an electron microscope
  • the secondary electrons generated on the side wall of the charged particle beam diaphragm reach the sample, the effect is the same as when the electron beam irradiates the sample. May cause degradation of observation performance. Therefore, especially when the charged particle beam source 101 is an electron source, the shape as shown in FIG. 2C and FIG. 2D that can reduce the collision with the side wall of the charged particle beam aperture 120 is the shape shown in FIG. 2B. More preferred.
  • the thickness of the annular part must not be too thin, from the viewpoint of the strength of the annular part. However, it is desirable that the thickness is somewhat thick. For this reason, the thickness of the annular portion is preferably 1 ⁇ m or more.
  • the thickness of the charged particle beam diaphragm plate 124 is about 10 ⁇ m or more.
  • the insulating material 123 is charged so that at least the charged particle beam generated from the charged particle beam source 101 is not irradiated onto the insulating material 123. It is desirable to be in a position that cannot be seen from the particle beam path. As an example, as shown in FIG. 1, when the insulating material 123 is disposed outside the beam tube 112, a structure that cannot be seen from the path of the charged particle beam can be easily realized.
  • the charged particle beam diaphragm 120 is formed in a rectangular plate material.
  • the diaphragm plate 124 has a disk shape and is supported by a disk-shaped support base 125 with screws 140.
  • position adjusting members 141a to 141d are provided for the support base 125.
  • the insulating material 123 that supports the disk-shaped support base 125 may have a cylindrical shape as shown in the figure, or may be composed of a plurality of blocks.
  • the insulating material 123 has a structure invisible from the path of the charged particle beam, and therefore, the insulating material 123 is disposed outside the beam tube 112. Also in this case, it is desirable that the shape of the charged particle beam aperture 120 is as shown in FIGS. 2C and 2D.
  • FIG. 4 shows a support structure for fixing the charged particle beam diaphragm 120 (circular or square shape, regardless of the shape of the plate on which the diaphragm is formed) to the charged particle beam diaphragm support base 122.
  • (A) is a top view and (b) is a cross-sectional view.
  • the charged particle beam aperture 120 is placed in the concave portion of the charged particle beam aperture support base 122 and pressed by a male screw 126 having a screw cut on the side surface from above.
  • the concave portion is formed, for example, on the support base 122 by spot facing.
  • a thread part exists in an upper part (charged particle beam source side), a thread part may exist in a lower part (objective lens side).
  • the groove 126b of the male screw 126 is provided for screwing the male screw 126 into the support base 122.
  • FIG. 5 shows an example in which one charged particle beam aperture is formed on one plate
  • FIG. 6 shows an example in which a plurality of charged particle beam apertures are formed on one aperture plate.
  • the method of fixing the charged particle beam diaphragm directly or indirectly using a screw has been described, but the pressing member can be fixed by other than a screw.
  • the charged particle beam aperture 120 is a consumable item, a configuration that can be easily detached from the support base is desirable.
  • FIG. 7 shows a configuration in which the charged particle beam aperture unit 128 is fixed to the charged particle beam aperture unit support base 129. If the outer diameter of the charged particle beam aperture unit 128 and the inner diameter of the support portion of the charged particle beam aperture unit support base 129 are fitted together and the position of the charged particle beam aperture in the charged particle beam aperture unit 128 is controlled accurately, it can be attached and detached. And displacement of the charged particle beam aperture caused by the exchange can be suppressed. In order to facilitate attachment and detachment even in the structure of FIG. 7, the charged particle beam aperture unit 128 is fixed to the charged particle beam aperture unit support base 129 by a press plate 127 coupled to the charged particle beam aperture unit support base 129 by screws 140. Yes.
  • the charged particle beam center unit 128 is charged at the center of the charged particle beam aperture unit 128 using FIB or the like.
  • a method of processing the line drawing 120 can be considered. 4 to 7, the charged particle beam aperture 120 and the charged particle beam aperture support 122 can be separated from the potentials of the surrounding structures so that the charged particle beam aperture can be separated through an insulating material. Need to be supported by the vessel 121. This can be realized by adopting the same configuration as in FIG. 2A.
  • the support structure described above has a configuration in which all members to which a voltage is applied are exposed, but a part of these members may be covered with a member that is a GND (reference potential) of the charged particle beam apparatus. Absent.
  • a lens generated by applying a voltage to the charged particle beam diaphragm 120 is a concave lens generated in the annular opening.
  • a concave lens positive spherical aberration of a convex lens such as an objective lens is corrected. For this reason, if focus adjustment is performed before voltage application to the charged particle beam diaphragm 120, focus blurring hardly occurs after voltage application to the charged particle beam diaphragm 120. This is very advantageous in searching for a voltage to be applied to the charged particle beam diaphragm 120 in order to obtain an appropriate aberration correction effect.
  • FIG. 8 shows an example of a GUI screen for adjusting the aberration correction amount displayed on the display 172.
  • the GUI screen 800 is provided with a live screen 801 for displaying a charged particle beam image and a control screen 804 for controlling the image quality while viewing the image quality of the live screen 801.
  • the control screen 804 is provided with a slide bar 802 for adjusting the size of each parameter and a numerical value input field 803 for directly inputting a numerical value for each parameter.
  • “aberration correction” 805 is provided as one of the parameters. By controlling this value, the voltage applied to the charged particle beam diaphragm 120 is controlled, and the aberration correction amount can be adjusted.
  • a controller 171 (operation console) can be provided with a control switch such as a knob to adjust the applied voltage so as to adjust the voltage to the best image quality.
  • a control switch such as a knob to adjust the applied voltage so as to adjust the voltage to the best image quality.
  • FIG. 9A shows a structure of a diaphragm using a charged particle beam diaphragm having two annular shapes arranged along the optical axis direction of the charged particle beam.
  • a voltage is applied to the charged particle beam diaphragm power source with respect to the charged particle beam diaphragm 120d on the upper side (charged particle beam source side).
  • This configuration is the same in that the aberration correction effect described above can be obtained.
  • most of the secondary charged particles generated on the side wall with respect to the charged particle beam stop 120d on the upper side (charged particle beam source side) are blocked by the charged particle beam stop 120e on the lower side (objective lens side). It is done.
  • the thickness of the lower annular diaphragm 120e is thinner than the thickness of the upper annular diaphragm 120d. This is because the upper annular diaphragm 120d achieves a spherical aberration correction effect, and the lower annular diaphragm 120e mainly aims to suppress secondary charged particles reaching the sample as much as possible. . Although it is preferable to provide a difference in the thickness of the diaphragm as described above, a certain effect can be expected even when the same circular diaphragm diaphragm is used.
  • the opening width d 2 of the lower annular diaphragm 120e may be narrower than the opening width d 1 of the upper annular aperture 120d.
  • the two charged particle beam apertures 120d and 120e are in contact with each other via the conductive spacer 130 and are electrically connected, but may be configured to be electrically independent.
  • the role of each charged particle beam stop becomes clear.
  • the two annular diaphragms are electrically independent, it is desirable that the insulating material be hidden from the path of the charged particle beam.
  • the spacer 900 includes an inner spacer 901 and an outer spacer 902 having a larger diameter, and the inner spacer 901 and the outer spacer 902 are connected via an insulating material 903. Since the charged particle beam passes through the opening 904 of the spacer 900, the insulating material 903 can be disposed at a position where it cannot be seen from the path of the charged particle beam.

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Abstract

荷電粒子線用の電磁レンズが有する正の球面収差を補正する装置として、円孔電極と円環電極を組み合わせた球面収差補正装置が知られている。この球面収差補正装置では円孔電極と円環電極の間に電圧を印加した際に、円孔電極に生じる凸レンズ効果によって、荷電粒子線装置のフォーカスが変化してしまう。このため、荷電粒子線を発生させる荷電粒子線源（１０１）と、円環形状を有する荷電粒子線絞り（１２０）と、荷電粒子線絞りに電圧を印加する荷電粒子線絞り電源（１０８）とを有する荷電粒子線装置において、荷電粒子線絞り電源は、荷電粒子線の電荷と逆極性となる電圧を荷電粒子線絞りに印加するよう構成する。

Description

荷電粒子線装置
　本発明は、試料に荷電粒子線を照射する荷電粒子線装置に関する。
　走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）や集束イオンビーム装置（ＦＩＢ：Focused Ion Beam System）といった荷電粒子線装置は、荷電粒子線を試料に集束することで、ナノレベルの観察や解析、加工を行う。これら荷電粒子線装置は、ナノレベルの観察や解析、加工が求められる半導体分野や材料分野、バイオ分野で幅広く用いられている。そして、微細化が進む半導体分野を筆頭に、様々な分野で、さらなる像分解能の向上や加工精度の向上が求められている。
　特許文献１には、入射プレートと射出プレートとを有し、そのいずれか一方に円形開孔を形成し、他方に円環開孔を形成し、入射プレートと射出プレートとの間に電圧を加えることで円環開孔に形成される電場により正の球面収差を解消する発散をもたらすことにより、簡単な構造で実現可能な球面収差補正器が開示されている。
国際公開第２０１６／１７４８９１号
　特許文献１に開示される球面収差補正器は、円孔電極（円形開孔が設けられているプレートを指す）と円環電極（円環開孔が設けられているプレートを指す）の間に電圧を印加することにより、円孔電極に凸レンズ効果が生じることにより、荷電粒子線のフォーカスが変化してしまう。また、円孔電極と円環電極とを異なる電位とするために、その間に絶縁シートを介して円孔電極と円環電極とを配置する必要がある。この絶縁材がチャージアップすると、円孔電極と円環電極との間に所望の電圧を印加することができず、収差補正性能が劣化するおそれもある。
　一実施の形態である荷電粒子線装置においては、荷電粒子線を発生させる荷電粒子線源と、円環形状を有する荷電粒子線絞りと、荷電粒子線絞りに電圧を印加する荷電粒子線絞り電源とを有し、荷電粒子線絞り電源は、荷電粒子線の電荷と逆極性となる電圧を荷電粒子線絞りに印加する。
　その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかにされる。
　荷電粒子線絞りに電圧を印加した際に生じるフォーカス変化を抑制しつつ、球面収差補正効果を得ることができる。
荷電粒子線装置の概略図である。 荷電粒子線絞り部の構成を示す概略図である。 荷電粒子線絞りの断面図である。 荷電粒子線絞りの断面図である。 荷電粒子線絞りの断面図である。 荷電粒子線絞り部の構成を示す概略図である。 荷電粒子線絞りの支持構造を示す概略図である。 荷電粒子線絞りの支持構造を示す概略図である。 荷電粒子線絞りの支持構造を示す概略図である。 荷電粒子線絞りの支持構造を示す概略図である。 ＧＵＩ画面の一例である。 ２枚の円環形状絞りを用いた荷電粒子線絞りの構造を示す概略図である。 ２枚の円環形状絞りを絶縁する場合のスペーサの例である。
　特許文献１の収差補正器の収差補正効果は、円環開孔の近傍で等電位線が屈曲することで得られている。本願発明者らが、荷電粒子線装置の分解能を向上させるため鋭意検討した結果、円孔電極をなくし、円環形状の荷電粒子線絞りに所定の電圧を印加することにより、収差補正効果を得ることが可能であるとの知見を得た。前述の通り、円孔電極が存在することにより荷電粒子線のフォーカスずれを生じさせる。しかしながら、荷電粒子光学系を構成する鏡筒内は比較的安定した電場環境が形成されており、荷電粒子線絞りを円環形状とし、円孔電極がなくとも、この円環形状の荷電粒子線絞りに対して所定の電圧を印加することで収差補正効果を得られることを見出した。ただし、円孔電極の作用は円環状の開口の近傍で等電位線を安定的に作り出すことであると考えられ、円孔電極がある場合よりも大きな電圧を印加する必要性は認められる。荷電粒子線が電子の場合は、電子のもつ負電荷と逆極性となる正の電圧を印加し、荷電粒子線が正イオンである場合には、正イオンのもつ正電荷と逆極性となる負の電圧を円環形状の荷電粒子線絞りを印加すればよい。
　本発明の実施の形態につき、図面を参照しながら説明する。本実施の形態は本発明を実現する一例に過ぎない。また、各図において共通の構成については同一の参照番号が付されている。
　図１に荷電粒子線装置の概略を示す。荷電粒子線装置はその主要部に、荷電粒子線を発生する荷電粒子線源101と、荷電粒子線源101から放出された荷電粒子線を加速する加速電極102と、加速電極102から対物レンズ105下端近傍にかけて配置されたビーム管112と、荷電粒子線源から放出された荷電粒子線を集束する第１、第２のコンデンサーレンズ103, 104と、荷電粒子線源101から放出した荷電粒子の一部を遮蔽する円環形状を有する荷電粒子線絞り120と、荷電粒子線絞り120を電気的に絶縁する絶縁材123と、荷電粒子線絞り120や荷電粒子線絞りを支持する支持材や駆動機構など荷電粒子線絞りを移動させる上で必要な一連の部品を含む荷電粒子線絞り器121と、荷電粒子線絞り120に電圧を印加する荷電粒子線絞り電源108と、荷電粒子線を試料114に集束する対物レンズ105と、試料114を配置する試料室115と、試料114から放出された二次荷電粒子を検出する検出器118とを有している。また、前述した荷電粒子光学系の各構成要素を制御する制御器として、荷電粒子線源101を制御する荷電粒子線源制御器151と、加速電極102を制御する加速電極制御器152と、第１と第２のコンデンサーレンズ103, 104を制御する第１、第２のコンデンサーレンズ制御器153, 154と、荷電粒子線絞り器121を制御する荷電粒子線絞り制御器169と、荷電粒子線絞り電源108を制御する荷電粒子線絞り電源制御器158と、対物レンズ105を制御する対物レンズ制御器155とを有し、また検出器118を制御する検出器制御器168を有している。これらの制御器は、荷電粒子線装置全体の動作の制御および検出器118で検出された二次荷電粒子線より荷電粒子線像の構築を行う統合コンピュータ170により制御される。統合コンピュータ170はコントローラ（キーボード、マウスなど）171、ディスプレイ172と接続されており、オペレータはコントローラ171から照射条件や荷電粒子線絞りの電圧条件や位置条件といった各種指示等を入力し、ディスプレイ172に取得した像や制御画面を表示させることができる。その他、荷電粒子線装置は、荷電粒子線を走査、シフトするための偏向系などの構成を備えているが、図１では省略している。
　なお、図１の例では、２つのコンデンサーレンズ103, 104を備えているが、対物レンズ105に入射する荷電粒子をコントロールする目的においてコンデンサーレンズの数は問わない。対物レンズ105は、磁路の外に磁場を漏らさないタイプのレンズを備えているが、磁路の外に磁場を漏らすタイプのレンズでもよいし、磁場を漏らすタイプと漏らさないタイプの両方を備える複合対物レンズでもよい。また、コンデンサーレンズ103, 104および対物レンズ105は、前述した目的において静電レンズでもよく、ブースター光学系やリターディング光学系などのように磁場レンズと静電レンズとを併用する対物レンズでもよく、試料114に荷電粒子線を集束する目的においてレンズのタイプは問わない。
　また、図１では、ビーム管112はＧＮＤ電位（基準電位）となっているが、ブースター光学系では所定の電圧が印加される。荷電粒子線の経路を覆う目的において、形状および構成部材の数は問わない。また、二次荷電粒子を検出する検出器118は、図１のように試料室115に配置されてもよいし、荷電粒子光学系が実装されるカラム内に配置されてもよい。また、試料室115とカラム内との両方に配置されてもよい。二次荷電粒子を検出する目的において、その数と配置場所は問わない。また、図１は、荷電粒子線カラムを１つ備える荷電粒子線装置であるが、複数の荷電粒子線カラムを備える複合荷電粒子線装置でも構わない。
　荷電粒子線絞り部の構成を図２Ａに示す。（ａ）に上面図、（ｂ）に断面図を示している。図２Ａの例では、荷電粒子線絞り120は荷電粒子線絞り板124に直接形成されており、荷電粒子線絞り板124に対して荷電粒子線絞り電源108より電圧が印加される。荷電粒子線絞り板124はネジ140により荷電粒子線絞り板支持台125に取り付けられ、荷電粒子線絞り板支持台125は絶縁材123に支持されている。これに限られず、荷電粒子線絞り板124と荷電粒子線絞り板支持台125が一体で形成されていてもよい。また、荷電粒子線絞り板124に電圧を印加するため、絶縁材123により周辺の構造物と電位を分離可能としている。その目的において、絶縁材ではなく高抵抗の導電性部材を用いても構わない。また、荷電粒子線絞り120は、荷電粒子線絞り板124に１つまたは複数配置されている。複数配置されている場合には、１つの絞りが汚染または損傷した場合でも、別の絞りに切り替えて直ぐ観察や加工を再開できるといった利点がある。また、複数配置された荷電粒子線絞り120の形状は同一でなくてもよい。この場合、加速電圧など観察条件や加工条件の違いによって適した荷電粒子線絞りを使い分けることができる利点がある。
　図２Ｂ～Ｄに荷電粒子線絞りの断面図を示す。荷電粒子線絞り120aは形成される板の上側（荷電粒子線源側）から下側（対物レンズ側）まで同じ円環形状をしている（図２Ｂ）。一方、荷電粒子線絞り120b, 120cでは、板の上側が円環形状をしており、その裏側である板の下側は、円環形状よりも径の大きい筒形状（120b：図２Ｃ）または円環形状から径が次第に広がる円錐形状（120c：図２Ｄ）をしている。荷電粒子線絞り120を通過する荷電粒子線の一部は、荷電粒子線絞りの側壁に衝突し、二次荷電粒子（電子）を発生する。例えば、荷電粒子線装置が電子顕微鏡であった場合、荷電粒子線絞りの側壁で発生した二次電子が試料まで到達した場合には、試料に照射する電子線が広がったのと同様な影響を与え、観察性能の劣化を引き起こす可能性がある。したがって、特に荷電粒子線源101が電子源である場合においては、荷電粒子線絞り120の側壁への衝突を軽減することができる図２Ｃ、図２Ｄのような形状の方が、図２Ｂの形状よりも好ましい。但し、荷電粒子線絞り120による球面収差補正効果は、絞りの円環部に形成される電場によってもたらされるため、円環部の厚みは薄すぎてはならないし、円環部の強度の観点からもある程度厚みがある方が望ましい。このような理由から、円環部の厚みは、１μｍ以上が望ましい。なお、荷電粒子線絞り板124の厚みは１０μｍ程度以上とする。絞り板124に絞り120を形成する方法については、金型によるプレスによる成形、エッチングによる成形、ＦＩＢによる成形等が可能である。
　また、絶縁材123に荷電粒子が衝突するとチャージアップを引き起こすことから、少なくとも荷電粒子線源101から発生される荷電粒子線が絶縁材123に照射されることがないように、絶縁材123は荷電粒子線の経路から見えない位置にあることが望ましい。一例として図１に示すように、絶縁材123をビーム管112の外側に配置すると、荷電粒子線の経路から見えない構造を容易に実現することができる。
　また、図２Ａでは、荷電粒子線絞り120は長方形の板材に形成されているが、図３に示すように絞り板124を円盤状とし、ネジ140により円盤状の支持台125に支持されるようにしても良い。この例では、絞り120の光軸調整を行うために、支持台125に対して位置調整用部材141a～dを設けている。また、円盤状の支持台125を支える絶縁材123は、図に示すような筒形状でもよいし、複数のブロックから構成されていてもよい。これにより、絞りの電位と周辺の構造物との電位とを分離することができる。この場合も、絶縁材123は、荷電粒子線の経路から見えない構造である方が望ましいため、ビーム管112の外側に配置されている。また、この場合についても、荷電粒子線絞り120の形状は図２Ｃや図２Ｄのようなものであることが望ましい。
　以下に、荷電粒子線絞り120の支持構造の変形例を説明する。図４は、荷電粒子線絞り120（絞りが形成される板の形状は問わない、円形や方形等）を、荷電粒子線絞り支持台122に固定する支持構造である。（ａ）に上面図、（ｂ）に断面図を示している。この例では、荷電粒子線絞り支持台122の凹部に荷電粒子線絞り120を載せ、その上から側面にネジが切ってあるオサエネジ126で押さえる構成となっている。凹部は例えば支持台122に座ぐり加工により形成する。また、図の例ではネジ部が上部（荷電粒子線源側）にあるが、ネジ部が下部（対物レンズ側）にあっても構わない。なお、オサエネジ126の溝126bはオサエネジ126を支持台122にねじ込むために設けられている。
　図４のタイプの支持構造の変形例を説明する。上面図は図４の上面図とほぼ同等であるため、いずれも断面図のみを示す。図５、図６は、荷電粒子線絞り支持台122に荷電粒子線絞り120を載せ、これを別のオサエ板127を介してネジ140によりねじ止めしている。図５は１枚の板に荷電粒子線絞りが１つ形成されている例であり、図６は１枚の絞り板に荷電粒子線絞りが複数形成されている例である。本構成では、ネジを用いて直接または間接的に荷電粒子線絞りを固定する方法を示したが、オサエ部材としてはネジ以外による固定も可能である。但し、荷電粒子線絞り120は消耗品であることから、支持台から容易に着脱できる構成が望ましい。
　また、図７に、荷電粒子線絞りユニット128を荷電粒子線絞りユニット支持台129に固定する構成を示す。荷電粒子線絞りユニット128の外径と荷電粒子線絞りユニット支持台129における支持部の内径とを嵌め合いとし、荷電粒子線絞りユニット128における荷電粒子線絞りの位置を精度良くコントロールすれば、着脱や交換によって生じる荷電粒子線絞りの位置ズレを抑制することができる。図７の構造でも着脱容易とするため、ネジ140により荷電粒子線絞りユニット支持台129に結合されるオサエ板127により、荷電粒子線絞りユニット128は荷電粒子線絞りユニット支持台129に固定されている。荷電粒子線絞りユニット128における荷電粒子線絞り120の位置を精度良くコントロールする方法としては、荷電粒子線絞りユニット128を組立てた後に、ＦＩＢなどを用いて荷電粒子線絞りユニット128の中心に荷電粒子線絞り120を加工する方法などが考えられる。なお、図４～図７の構造においても、荷電粒子線絞り120及び荷電粒子線絞り支持台122の電位を周囲の構造物の電位と分離可能とするため、絶縁材を介して荷電粒子線絞り器121に支持される必要がある。これは図２Ａと同様の構成とすることで実現可能である。
　以上、説明した支持構造は、電圧が印加される部材全てが露出した構成となっているが、それら部材の一部を、荷電粒子線装置のＧＮＤ（基準電位）である部材で覆っても構わない。
　円環形状を有する荷電粒子線絞り120を用いる場合、荷電粒子線絞り120に電圧を印加することによって生じるレンズは、円環開口部に発生する凹レンズとなる。この凹レンズを用いて、対物レンズ等の凸レンズの持つ正の球面収差を補正する。このため、荷電粒子線絞り120への電圧印加前にフォーカス調整がなされていれば、荷電粒子線絞り120への電圧印加後にフォーカスボケは殆ど発生しない。これは、適正な収差補正効果を得るために荷電粒子線絞り120に印加する電圧を探索する上で非常に有利となる。荷電粒子線絞り120に電圧を印加することでフォーカスボケが発生するとなると、荷電粒子線絞り120への印加電圧を変更する度に、フォーカス調整を行わなければ像質の改善を確認することができない。すなわち、荷電粒子線絞り120への印加電圧の調整とフォーカスの調整とを繰り返し行う必要がある。しかし、本実施例ではフォーカスボケが発生しないので、荷電粒子線絞り120の印加電圧を変更しながら、リアルタイムで像質の改善を確認できる。
　図８にディスプレイ172に表示される収差補正量を調整するためのＧＵＩ画面の一例を示す。ＧＵＩ画面800には、荷電粒子線像を表示するライブ画面801とライブ画面801の像質を見ながら画質を制御する制御画面804とが設けられている。図では、制御画面804は、各パラメータの大きさを調整するためのスライドバー802、各パラメータの値を直接数値入力するための数値入力欄803が設けられている。そのパラメータの一つとして「収差補正」805が設けられている。この値を制御することにより、荷電粒子線絞り120への印加電圧が制御され、収差補正量を調整することができる。ＧＵＩ画面800による調整のみならず、コントローラ171（操作卓）にツマミのような制御スイッチを設けて印加電圧を調整し、最も像質が良くなる電圧に調整するようにすることもできる。このように、円孔電極をなくし、円環形状を有する荷電粒子線絞り120に電圧を印加することで球面収差補正を実現することにより、操作性を大きく向上させることができる。
　図９Ａに荷電粒子線の光軸方向に沿って配置された２枚の円環形状を有する荷電粒子線絞りを用いた絞り部の構造を示す。この荷電粒子線絞りでは、上側（荷電粒子線源側）の荷電粒子線絞り120dに対して荷電粒子線絞り電源に電圧を印加する。本構成においても、前述した収差補正効果を得られる点は同じである。さらに、本構成では、上側（荷電粒子線源側）の荷電粒子線絞り120dに対して側壁で生じた二次荷電粒子の多くが、下側（対物レンズ側）の荷電粒子線絞り120eで遮られる。これにより、二次荷電粒子による観察性能の劣化を抑制することができる。また、図の例では、上側の円環絞り120dの厚みよりも、下側の円環絞り120eの厚みの方が薄くなっている。これは、上側の円環絞り120dは、球面収差補正効果を実現し、下側の円環絞り120eは、主に試料に到達する二次荷電粒子を極力抑制することを目的としているためである。このように絞りの厚みに差異を設けるのが好ましい構成ではあるが、上下同一の円環絞りを用いた場合でも一定の効果は、期待できる。また、試料に到達する二次荷電粒子を抑制するという観点から、下側の円環絞り120eの開口幅ｄ２を、上側の円環絞り120dの開口幅ｄ１より細くしても良い。また、図では２枚の荷電粒子線絞り120d, 120eは、導電性スペーサ130を介して接触しており、電気的に導通しているが、電気的に独立した構成としてもよい。上側の荷電粒子線絞り120dにのみ電圧が印加され、下側の荷電粒子線絞り120eに電圧が印加されない場合には、各荷電粒子線絞りの役割がはっきりする。但し、２枚の円環絞りを電気的に独立させる場合には、絶縁材を荷電粒子線の経路から見えないようにする構成が望ましい。図９Ｂに絶縁材の配置を考慮したスペーサの（ａ）上面図、（ｂ）断面図、（ｃ）下面図を示す。この例ではスペーサ900は、内側スペーサ901とそれよりも径の大きい外側スペーサ902とを有し、内側スペーサ901と外側スペーサ902とは絶縁材903を介して接続されている。荷電粒子線はスペーサ900の開口部904を通過するため、絶縁材903は荷電粒子線の経路から見えない位置に配置することができる。
101：荷電粒子線源、102：加速電極、103：第１のコンデンサーレンズ、104：第２のコンデンサーレンズ、105：対物レンズ、108：荷電粒子線絞り電源、112：ビーム管、114：試料、115：試料室、118：検出器、120：円環形状を有する荷電粒子線絞り、121：荷電粒子線絞り器、122：荷電粒子線絞り支持台、123：絶縁材、124：荷電粒子線絞り板、125：荷電粒子線絞り板支持台、126：オサエネジ、127：オサエ板、128：荷電粒子線絞りユニット、129：荷電粒子線絞りユニット支持台、130：導電性スペーサ、151：荷電粒子線源制御器、152：加速電極制御器、153：第１のコンデンサーレンズ制御器、154：第２のコンデンサーレンズ制御器、155：対物レンズ制御器、158：荷電粒子線絞り電源制御器、168：検出器制御器、169：荷電粒子線絞り制御器、170：統合コンピュータ、171：コントローラ、172：ディスプレイ。

Claims (14)

  1. 　荷電粒子線を発生させる荷電粒子線源と、
    　円環形状を有する荷電粒子線絞りと、
    　前記荷電粒子線絞りに電圧を印加する荷電粒子線絞り電源とを有し、
    　前記荷電粒子線絞り電源は、前記荷電粒子線の電荷と逆極性となる電圧を前記荷電粒子線絞りに印加する荷電粒子線装置。
  2. 　請求項１において、
    　前記荷電粒子線絞りが形成され、前記荷電粒子線絞り電源により電圧が印加される荷電粒子線絞り板と、
    　前記荷電粒子線絞り板の電位を周囲の構造物の電位と分離する絶縁材とを有し、
    　前記絶縁材は前記荷電粒子線の経路から見えない位置に配置される荷電粒子線装置。
  3. 　請求項２において、
    　前記荷電粒子線絞り板に複数の前記荷電粒子線絞りが形成される荷電粒子線装置。
  4. 　請求項１において、
    　前記荷電粒子線絞りが形成され、前記荷電粒子線絞り電源により電圧が印加される荷電粒子線絞り板を有し、
    　前記荷電粒子線絞りは、前記荷電粒子線絞り板の前記荷電粒子線源側では円環形状をしており、その裏側では前記円環形状よりも大きい径の筒形状をしている荷電粒子線装置。
  5. 　請求項１において、
    　前記荷電粒子線絞りが形成され、前記荷電粒子線絞り電源により電圧が印加される荷電粒子線絞り板を有し、
    　前記荷電粒子線絞りは、前記荷電粒子線絞り板の前記荷電粒子線源側では円環形状をしており、その裏側では前記円環形状から径が次第に広がる円錐形状をしている荷電粒子線装置。
  6. 　請求項１において、
    　凹部を有し、前記荷電粒子線絞りが前記凹部にオサエ部材により固定される荷電粒子線絞り支持台と、
    　前記荷電粒子線絞り支持台の電位を周囲の構造物の電位と分離する絶縁材とを有し、
    　前記絶縁材は前記荷電粒子線の経路から見えない位置に配置される荷電粒子線装置。
  7. 　請求項６において、
    　前記オサエ部材は、ねじにより前記荷電粒子線絞りを前記荷電粒子線絞り支持台に固定するまたは、オサエ板を介して前記荷電粒子線絞りを前記荷電粒子線絞り支持台に固定する荷電粒子線装置。
  8. 　請求項１において、
    　前記荷電粒子線絞りが固定された荷電粒子線絞りユニットと、
    　凹部を有し、前記荷電粒子線絞りユニットの外径が前記凹部の内径と嵌め合いとされる荷電粒子線絞り支持台と、
    　前記荷電粒子線絞りユニットを前記荷電粒子線絞り支持台に固定するオサエ部材と、
    　前記荷電粒子線絞り支持台の電位を周囲の構造物の電位と分離する絶縁材とを有し、
    　前記絶縁材は前記荷電粒子線の経路から見えない位置に配置される荷電粒子線装置。
  9. 　荷電粒子線を発生させる荷電粒子線源と、
    　円環形状を有する第１の荷電粒子線絞りと、
    　前記第１の荷電粒子線絞りに対して前記荷電粒子線の光軸方向に配置され、円環形状を有する第２の荷電粒子線絞りと、
    　前記第１の荷電粒子線絞りに前記荷電粒子線の電荷と逆極性となる電圧を印加する荷電粒子線絞り電源とを有し、
    　前記第１の荷電粒子線絞りは前記第２の荷電粒子線絞りよりも前記荷電粒子線源側に配置される荷電粒子線装置。
  10. 　請求項９において、
    　前記第２の荷電粒子線絞りの厚みは、前記第１の荷電粒子線絞りの厚みよりも薄い荷電粒子線装置。
  11. 　請求項９において、
    　前記第２の荷電粒子線絞りの開口幅は、前記第１の荷電粒子線絞りの開口幅よりも細い荷電粒子線装置。
  12. 　請求項９において、
    　前記第１の荷電粒子線絞りと前記第２の荷電粒子線絞りとは電気的に独立とされ、
    　前記第１の荷電粒子線絞りと前記第２の荷電粒子線絞りとの間に設けられるスペーサは、前記第１の荷電粒子線絞りに接する第１のスペーサと前記第２の荷電粒子線絞りに接する第２のスペーサと前記第１のスペーサと前記第２のスペーサとの間に介在する絶縁材とを有し、前記絶縁材は前記荷電粒子線の経路から見えない位置に配置される荷電粒子線装置。
  13. 　荷電粒子線を発生させる荷電粒子線源と、
    　円環形状を有する荷電粒子線絞りと、
    　前記荷電粒子線の電荷と逆極性となる電圧を前記荷電粒子線絞りに印加する荷電粒子線絞り電源と、
    　前記荷電粒子線を集束させて試料上に照射する対物レンズと、
    　前記荷電粒子線が前記試料上に照射されることにより放出された二次荷電粒子を検出する検出器と、
    　前記検出器で検出された二次荷電粒子に基づき荷電粒子線像を形成するコンピュータと、
    　前記コンピュータに接続されるディスプレイとを有し、
    　前記ディスプレイに表示されるＧＵＩ画面の操作画面のスライドバー、または前記コンピュータに接続されるコントローラの制御スイッチにより、前記荷電粒子線絞り電源が前記荷電粒子線絞りに印加する電圧が制御される荷電粒子線装置。
  14. 　請求項１３において、
    　前記ディスプレイは前記荷電粒子線像を表示するライブ画面を有する荷電粒子線装置。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101690551B1 (ko) * 2016-03-25 2016-12-29 (주) 캐스텍코리아 터보하우징 중력주조 쉘몰드 금형
DE112018007212T5 (de) * 2018-03-29 2020-11-19 Hitachi High-Tech Corporation Ladungsträgerstrahl-Vorrichtung

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04248236A (ja) * 1991-01-23 1992-09-03 Nec Corp ミスアライメントオリフィス機構
JP2005303165A (ja) * 2004-04-15 2005-10-27 Renesas Technology Corp 荷電粒子線露光装置および荷電粒子線露光方法
JP2012227160A (ja) * 2006-11-21 2012-11-15 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子ビーム用軌道補正器、及び荷電粒子ビーム装置
WO2016174891A1 (ja) * 2015-04-27 2016-11-03 国立大学法人名古屋大学 荷電粒子ビーム用電磁レンズの球面収差補正装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5444537Y2 (ja) 1974-07-26 1979-12-21
JPS5966849U (ja) 1982-10-28 1984-05-04 日本電子株式会社 電子顕微鏡等用絞り装置
JP2001052998A (ja) * 1999-06-03 2001-02-23 Advantest Corp 荷電粒子ビーム結像方法、荷電粒子ビーム結像装置及び荷電粒子ビーム露光装置
JP4794444B2 (ja) * 2003-09-05 2011-10-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 粒子光学システム及び装置、並びに、かかるシステム及び装置用の粒子光学部品
JP2008204675A (ja) 2007-02-19 2008-09-04 Hitachi High-Technologies Corp 電子顕微鏡及びそれに用いられる絞り板並びに絞り板の製造方法
JP5350123B2 (ja) * 2009-08-10 2013-11-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及び画像表示方法
US10080451B2 (en) 2016-07-13 2018-09-25 Franke Kindred Canada Limited Twist-action portion-control sauce dispenser
US11066173B2 (en) 2016-10-31 2021-07-20 Textron Innovations, Inc. Multi-function credenza
DE112018007212T5 (de) * 2018-03-29 2020-11-19 Hitachi High-Tech Corporation Ladungsträgerstrahl-Vorrichtung

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04248236A (ja) * 1991-01-23 1992-09-03 Nec Corp ミスアライメントオリフィス機構
JP2005303165A (ja) * 2004-04-15 2005-10-27 Renesas Technology Corp 荷電粒子線露光装置および荷電粒子線露光方法
JP2012227160A (ja) * 2006-11-21 2012-11-15 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子ビーム用軌道補正器、及び荷電粒子ビーム装置
WO2016174891A1 (ja) * 2015-04-27 2016-11-03 国立大学法人名古屋大学 荷電粒子ビーム用電磁レンズの球面収差補正装置

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