JP6266312B2 - 集束イオンビーム装置及びイオンビームの焦点調整方法 - Google Patents
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Description
イオンビームを発生するイオン源と、
イオンビームを試料に集束させるレンズ系と、
試料から発生する二次電子を検出する検出器と、
前記レンズ系を制御する制御部とを含み、
前記制御部は、
試料上にイオンビームを走査せずに照射させ、前記イオンビームの照射中に対物レンズの強度を変化させて前記イオンビームの焦点を変化させる制御を行い、前記対物レンズの強度を変化させている間に前記試料から発生する二次電子の信号強度を測定し、測定された二次電子の信号強度が最小となるときの前記対物レンズの強度に基づいて、イオンビームの焦点調整を行うことを特徴とする集束イオンビーム装置に関する。
試料上にイオンビームを走査せずに照射するステップと、
前記イオンビームの照射中に対物レンズの強度を変化させて前記イオンビームの焦点を変化させるステップと、
前記対物レンズの強度を変化させている間に前記試料から発生する二次電子の信号強度
を測定するステップと、
測定された二次電子の信号強度が最小となるときの前記対物レンズの強度に基づいて、イオンビームの焦点調整を行うステップとを有することを特徴とするイオンビームの焦点調整方法に関する。
前記制御部は、
測定された二次電子の信号強度が最小となるときの前記対物レンズの強度に基づいて、試料加工時の焦点調整を行い、測定された二次電子の信号強度が最小となるときの前記対物レンズの強度を所定値だけオフセットした値に基づいて試料観察時の焦点調整を行ってもよい。
前記制御部は、
前記イオンビームの照射中に非点収差補正器の強度を変化させて前記イオンビームの非点収差を変化させる制御を行い、前記非点収差補正器の強度を変化させている間に前記試料から発生する二次電子の信号強度を測定し、測定された二次電子の信号強度が最小となるときの前記非点収差補正器の強度に基づいて、イオンビームの非点収差調整を行ってもよい。
図1は、本実施形態に係る集束イオンビーム装置の構成の一例を示す図である。なお本実施形態の集束イオンビーム装置は図1の構成要素(各部)の一部を省略した構成としてもよい。
プログラムにより実現できる。処理部40は、制御部42を含む。
次に本実施形態の手法について図面を用いて説明する。
密度が大きくなるため、深い孔を形成することができ、試料加工に適したビームとなる(図5(B)を参照)。散乱ビームの領域が無くなる焦点値が、試料加工時の合焦点であり、図3に示す二次電子信号強度変化のピーク位置と一致する。図4に示す例では、試料観察時の合焦点から−6aVだけオフセットした値が試料加工時の合焦点となる。言い換えると、試料加工時の合焦点から+6aVだけオフセットした値が試料観察時の合焦点となる。
次に、本実施形態の集束イオンビーム装置の焦点調整処理の一例について図7のフローチャートを用いて説明する。
応付けて記憶部54に記憶される。
なお、本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
Claims (3)
- 試料に集束イオンビームを照射して加工する集束イオンビーム装置であって、
イオンビームを発生するイオン源と、
イオンビームを試料に集束させるレンズ系と、
試料から発生する二次電子を検出する検出器と、
前記レンズ系を制御する制御部とを含み、
前記制御部は、
試料上にイオンビームを走査せずに照射させ、前記イオンビームの照射中に対物レンズの強度を変化させて前記イオンビームの焦点を変化させる制御を行い、前記対物レンズの強度を変化させている間に前記試料から発生する二次電子の信号強度を測定し、測定された二次電子の信号強度が最小となるときの前記対物レンズの強度に基づいて、試料加工時のイオンビームの焦点調整を行い、測定された二次電子の信号強度が最小となるときの前記対物レンズの強度を所定値だけオフセットした値に基づいて、試料観察時のイオンビームの焦点調整を行うことを特徴とする集束イオンビーム装置。 - 請求項1において、
前記制御部は、
前記イオンビームの照射中に非点収差補正器の強度を変化させて前記イオンビームの非点収差を変化させる制御を行い、前記非点収差補正器の強度を変化させている間に前記試料から発生する二次電子の信号強度を測定し、測定された二次電子の信号強度が最小となるときの前記非点収差補正器の強度に基づいて、イオンビームの非点収差調整を行うことを特徴とする集束イオンビーム装置。 - 集束イオンビーム装置におけるイオンビームの焦点調整方法であって、
試料上にイオンビームを走査せずに照射するステップと、
前記イオンビームの照射中に対物レンズの強度を変化させて前記イオンビームの焦点を変化させるステップと、
前記対物レンズの強度を変化させている間に前記試料から発生する二次電子の信号強度を測定するステップと、
測定された二次電子の信号強度が最小となるときの前記対物レンズの強度に基づいて、試料加工時のイオンビームの焦点調整を行うステップと、
測定された二次電子の信号強度が最小となるときの前記対物レンズの強度を所定値だけオフセットした値に基づいて、試料観察時のイオンビームの焦点調整を行うステップとを有することを特徴とするイオンビームの焦点調整方法。
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