JP3235681B2 - イオンビーム分析装置 - Google Patents
イオンビーム分析装置Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
- H01J37/263—Contrast, resolution or power of penetration
-
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
-
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/252—Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers
- H01J37/256—Tubes for spot-analysing by electron or ion beams; Microanalysers using scanning beams
Landscapes
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体技術分野をはじ
め医療・バイオ技術等の分野において、高エネルギー電
荷ビームを用いて素子や生成物等の微小領域の組成や物
性を分析するイオンビーム分析装置の操作性に係る改善
に関し、より詳しくは、画像装置に写し出されるスキャ
ン画像とイオンビーム形状とを容易に一致させ得るよう
にしたイオンビーム分析装置に関する。
め医療・バイオ技術等の分野において、高エネルギー電
荷ビームを用いて素子や生成物等の微小領域の組成や物
性を分析するイオンビーム分析装置の操作性に係る改善
に関し、より詳しくは、画像装置に写し出されるスキャ
ン画像とイオンビーム形状とを容易に一致させ得るよう
にしたイオンビーム分析装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体技術分野では、膨大な量の情報を
コンピユータ処理するために、記憶容量の増大並びに情
報処理速度のより一層の高速化が求められるようになっ
てきている。そのため、ＩＣの高集積化がＬＳＩからＶ
ＬＳＩへと、さらには三次元ＩＣへと開発が進められつ
つある。そして、このような開発に伴って、個々の素子
やその配線等は、極微小化および多層化され、かつその
表面から極めて浅い領域が使われるようになってきてい
る。一方、このようなＩＣの開発やプロセス研究では、
ミクロな領域における原子分布の分析が重要であり、最
近では、高エネルギー（ＭｅＶ）の集束イオンビームを
用いて、１μｍ以下の分解能を持つラザフォード後方散
乱法（ＲＢＳ）や粒子励起Ｘ線分光法（ＰＩＸＥ）等の
分析手法の有効性が認識され、イオンビーム分析装置の
機能の向上が図られつつある。
コンピユータ処理するために、記憶容量の増大並びに情
報処理速度のより一層の高速化が求められるようになっ
てきている。そのため、ＩＣの高集積化がＬＳＩからＶ
ＬＳＩへと、さらには三次元ＩＣへと開発が進められつ
つある。そして、このような開発に伴って、個々の素子
やその配線等は、極微小化および多層化され、かつその
表面から極めて浅い領域が使われるようになってきてい
る。一方、このようなＩＣの開発やプロセス研究では、
ミクロな領域における原子分布の分析が重要であり、最
近では、高エネルギー（ＭｅＶ）の集束イオンビームを
用いて、１μｍ以下の分解能を持つラザフォード後方散
乱法（ＲＢＳ）や粒子励起Ｘ線分光法（ＰＩＸＥ）等の
分析手法の有効性が認識され、イオンビーム分析装置の
機能の向上が図られつつある。
【０００３】例えば、図６は、従来のイオンビーム分析
装置の代表的な例を模式的に示したものである。この第
１従来例に係るイオンビーム分析装置５１は、イオン加
速器５２内のイオン源５３から発生され、このイオン加
速器５２が有する加速管５４によって加速された高エネ
ルギーのイオンビーム５５は、先ず、偏向分析電磁石５
６を通る間に、通常、１５°偏向されてイオンビーム５
５のイオン種・エネルギーが選別される。次いで、この
イオンビーム５５は対物コリメータ５７で数十μｍ径の
マイクロビームに絞られた後に、数メートルのドリフト
空間、偏向電極６２を経て、これに続く２連または３連
の四重極電磁石レンズ５８に入射する。次いで、この四
重極電磁石レンズ５８を通過する間に、この四重極電磁
石レンズ５８によって定まるＸ，Ｙ方向の所定の縮小率
（何れも定数）で集束され、真空チャンバ５９内に収容
されているターゲット６０、つまり、試料に照射され、
この試料の上にビームスポットを結ぶ。そして、入射さ
れたイオンビーム５５とターゲット６０との相互作用に
よってイオン，電子，光子等が散乱放射されるが、これ
らは、真空チャンバ５９に設けた検出器６１と二次電子
検出器６３とによって検出され、この二次電子検出器６
３で検出された検出値は後述する構成になる画像装置６
４に入力される。
装置の代表的な例を模式的に示したものである。この第
１従来例に係るイオンビーム分析装置５１は、イオン加
速器５２内のイオン源５３から発生され、このイオン加
速器５２が有する加速管５４によって加速された高エネ
ルギーのイオンビーム５５は、先ず、偏向分析電磁石５
６を通る間に、通常、１５°偏向されてイオンビーム５
５のイオン種・エネルギーが選別される。次いで、この
イオンビーム５５は対物コリメータ５７で数十μｍ径の
マイクロビームに絞られた後に、数メートルのドリフト
空間、偏向電極６２を経て、これに続く２連または３連
の四重極電磁石レンズ５８に入射する。次いで、この四
重極電磁石レンズ５８を通過する間に、この四重極電磁
石レンズ５８によって定まるＸ，Ｙ方向の所定の縮小率
（何れも定数）で集束され、真空チャンバ５９内に収容
されているターゲット６０、つまり、試料に照射され、
この試料の上にビームスポットを結ぶ。そして、入射さ
れたイオンビーム５５とターゲット６０との相互作用に
よってイオン，電子，光子等が散乱放射されるが、これ
らは、真空チャンバ５９に設けた検出器６１と二次電子
検出器６３とによって検出され、この二次電子検出器６
３で検出された検出値は後述する構成になる画像装置６
４に入力される。
【０００４】上記画像装置６４は、画像装置の構成説明
図の図７に示すように、二次電子検出器６３によって検
出された検出値が入力されるプリアンプ６４ｂとメイン
アンプ６４ｃとを有し、増幅されてメインアンプ６４ｃ
からの出力は、ＣＲＴ６４ｇを介してビーム位置設定器
６４ａに入力されるように構成されている。さらに、上
記ビーム位置設定器６４ａと偏向コイル６４ｄが接続さ
れると共に、この接続線にはスキャニング幅とＣＲＴ６
４ｇへの画像で決定される倍率によって試料表面の拡大
像をＣＲＴ６４ｇに、二次電子像として表示させる掃引
装置６４ｅが接続される他、上記対物コリメータ５７と
四重極電磁石レンズ５８との間に介装され、対物コリメ
ータ５７によって絞られたイオンビーム５５を偏向させ
る偏向電極６２に切替えスイッチ６４ｆを介して接続さ
れるようになっており、この切替えスイッチ６４ｆによ
ってビーム位置設定器６４ａ側と、掃引装置６４ｅ側と
に切替えられるように構成されている。
図の図７に示すように、二次電子検出器６３によって検
出された検出値が入力されるプリアンプ６４ｂとメイン
アンプ６４ｃとを有し、増幅されてメインアンプ６４ｃ
からの出力は、ＣＲＴ６４ｇを介してビーム位置設定器
６４ａに入力されるように構成されている。さらに、上
記ビーム位置設定器６４ａと偏向コイル６４ｄが接続さ
れると共に、この接続線にはスキャニング幅とＣＲＴ６
４ｇへの画像で決定される倍率によって試料表面の拡大
像をＣＲＴ６４ｇに、二次電子像として表示させる掃引
装置６４ｅが接続される他、上記対物コリメータ５７と
四重極電磁石レンズ５８との間に介装され、対物コリメ
ータ５７によって絞られたイオンビーム５５を偏向させ
る偏向電極６２に切替えスイッチ６４ｆを介して接続さ
れるようになっており、この切替えスイッチ６４ｆによ
ってビーム位置設定器６４ａ側と、掃引装置６４ｅ側と
に切替えられるように構成されている。
【０００５】上記イオンビーム分析装置５１では、イオ
ンビーム５５のエネルギーが、１〜１０-4ＭｅＶ程度で
安定していて、かつ四重極電磁石レンズ５８が高精度加
工されている場合に、ターゲット６０上の試料にミクロ
ン単位のイオンビームの像を結ばせることができるが、
このミクロンレベルに絞ったイオンビームを、対物コリ
メータ５７と２連の四重極電磁石レンズ５８との間に介
装されている偏向電極６２で偏向させることによって、
ターゲット６０上の試料の任意の位置に照射してビーム
スポットを結ばせることができる。
ンビーム５５のエネルギーが、１〜１０-4ＭｅＶ程度で
安定していて、かつ四重極電磁石レンズ５８が高精度加
工されている場合に、ターゲット６０上の試料にミクロ
ン単位のイオンビームの像を結ばせることができるが、
このミクロンレベルに絞ったイオンビームを、対物コリ
メータ５７と２連の四重極電磁石レンズ５８との間に介
装されている偏向電極６２で偏向させることによって、
ターゲット６０上の試料の任意の位置に照射してビーム
スポットを結ばせることができる。
【０００６】また、ビーム位置設定器６４ａに設けられ
ている手動操作機構（図示省略）を操作して、この偏向
電極６２に高周波電位を印加したり、高周波電流を供給
したりすることによってビームスポット位置が移動され
るので、ターゲット６０上の試料のある設定した領域を
スキャンすることができる。さらには、イオンビームの
それぞれのスキャン位置と同期させて、分析の信号をＣ
ＲＴ６４ｇに表示させることによって、その領域におけ
る二次元的面分析を行うことができる。なお、上記偏向
電極６２は、偏向磁極に置換することができるものであ
る。一方、ターゲット６０には、イオンビームが照射さ
れているため、ターゲット６０に支持されてなる試料の
表面から二次電子が発生しているが、この二次電子の発
生強度はビーム照射条件が同じであれば、試料の表面形
状や元素の種類によって相違するので、それらの相違に
応じた情報を得ることができる。
ている手動操作機構（図示省略）を操作して、この偏向
電極６２に高周波電位を印加したり、高周波電流を供給
したりすることによってビームスポット位置が移動され
るので、ターゲット６０上の試料のある設定した領域を
スキャンすることができる。さらには、イオンビームの
それぞれのスキャン位置と同期させて、分析の信号をＣ
ＲＴ６４ｇに表示させることによって、その領域におけ
る二次元的面分析を行うことができる。なお、上記偏向
電極６２は、偏向磁極に置換することができるものであ
る。一方、ターゲット６０には、イオンビームが照射さ
れているため、ターゲット６０に支持されてなる試料の
表面から二次電子が発生しているが、この二次電子の発
生強度はビーム照射条件が同じであれば、試料の表面形
状や元素の種類によって相違するので、それらの相違に
応じた情報を得ることができる。
【０００７】従って、シンチレーションと光電子倍増管
により、その信号を高周波電位または高周波電流により
決められるビームスポット位置と同期させることによ
り、走査顕微鏡と同等の表面画像を得ることができる。
これを利用することによって、分析に際して、イオンビ
ームの照射位置を二次電子による表面スキャン画像で設
定し、その位置における偏向電極６２に位置設定データ
を入力することによってイオンビーム位置の設定が行わ
れる。このような作業は、通常、二次電子による試料の
表面画像をＣＲＴ６４ｇに表示しながら、その画像設定
条件で位置情報をＣＲＴ６４ｇのポイントとして視覚的
に表示、設定することによって行われる。そして、入力
後、分析するために、その位置にイオンビームが自動的
に位置決めされて照射され、データが収集される。
により、その信号を高周波電位または高周波電流により
決められるビームスポット位置と同期させることによ
り、走査顕微鏡と同等の表面画像を得ることができる。
これを利用することによって、分析に際して、イオンビ
ームの照射位置を二次電子による表面スキャン画像で設
定し、その位置における偏向電極６２に位置設定データ
を入力することによってイオンビーム位置の設定が行わ
れる。このような作業は、通常、二次電子による試料の
表面画像をＣＲＴ６４ｇに表示しながら、その画像設定
条件で位置情報をＣＲＴ６４ｇのポイントとして視覚的
に表示、設定することによって行われる。そして、入力
後、分析するために、その位置にイオンビームが自動的
に位置決めされて照射され、データが収集される。
【０００８】また、上記第１従来例では、偏向電極６２
が対物コリメータ５７と四重極電磁石レンズ５８との間
に配設されてなる構成になっているのに対して、第２従
来例に係るイオンビーム分析装置の模式的構成配置図の
図８に示すように、四重極電磁石レンズ５８と真空チャ
ンバ５９との間に偏向電極６２を配設して、四重極電磁
石レンズ５８によって集束されたイオンビームをこの偏
向電極６２により偏向させると共に、真空チャンバ５９
内のターゲット６０に入射させるようにした構成のもの
もある。
が対物コリメータ５７と四重極電磁石レンズ５８との間
に配設されてなる構成になっているのに対して、第２従
来例に係るイオンビーム分析装置の模式的構成配置図の
図８に示すように、四重極電磁石レンズ５８と真空チャ
ンバ５９との間に偏向電極６２を配設して、四重極電磁
石レンズ５８によって集束されたイオンビームをこの偏
向電極６２により偏向させると共に、真空チャンバ５９
内のターゲット６０に入射させるようにした構成のもの
もある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、一定のイオ
ンビーム径で走査させる場合には、画像装置によりイオ
ンビームのスキャン画像をみながら位置決定用のスポッ
ト印を定めて入力し、イオンビーム位置を決定すると共
にイオンビームを照射しているが、このようなイオンビ
ーム分析装置の場合、分析すべき試料の種類や形状に応
じてイオンビーム径を変更する必要があるために、対物
コリメータのスリット間隔をその都度設定し直して変更
しなければらない。
ンビーム径で走査させる場合には、画像装置によりイオ
ンビームのスキャン画像をみながら位置決定用のスポッ
ト印を定めて入力し、イオンビーム位置を決定すると共
にイオンビームを照射しているが、このようなイオンビ
ーム分析装置の場合、分析すべき試料の種類や形状に応
じてイオンビーム径を変更する必要があるために、対物
コリメータのスリット間隔をその都度設定し直して変更
しなければらない。
【００１０】しかしながら、設定変更した後の対物コリ
メータのＸ，Ｙ方向のスリット間隔に四重極電磁石レン
ズのＸ，Ｙ方向それぞれの縮小率を掛けた値がターゲッ
ト上に結ばれるイオンビーム径になるので、このイオン
ビーム分析装置を操作するオペレータ等にとっては、Ｃ
ＲＴに写し出される画像としてのイオンビーム径を視覚
的に捕捉することができない。換言すれば、このような
構成になるイオンビーム分析装置では、スキャン画像と
イオンビーム形状とを一致させることが極めて困難であ
るという操作上の解決すべき課題がある。
メータのＸ，Ｙ方向のスリット間隔に四重極電磁石レン
ズのＸ，Ｙ方向それぞれの縮小率を掛けた値がターゲッ
ト上に結ばれるイオンビーム径になるので、このイオン
ビーム分析装置を操作するオペレータ等にとっては、Ｃ
ＲＴに写し出される画像としてのイオンビーム径を視覚
的に捕捉することができない。換言すれば、このような
構成になるイオンビーム分析装置では、スキャン画像と
イオンビーム形状とを一致させることが極めて困難であ
るという操作上の解決すべき課題がある。
【００１１】従って、本発明の目的とするところは、Ｃ
ＲＴに写し出されるスキャン画像とイオンビーム形状と
を容易に一致させることを可能ならしめるイオンビーム
分析装置を提供するにある。
ＲＴに写し出されるスキャン画像とイオンビーム形状と
を容易に一致させることを可能ならしめるイオンビーム
分析装置を提供するにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記実情に鑑
みてなされたものであって、従って、本発明に係るイオ
ンビーム分析装置の特徴とするところは、イオン発生源
から発生するイオンを加速するイオン加速器を備え、こ
のイオン加速器の外方に分析用の試料が収容される真空
チャンバを備え、これらの間に、イオンビームを絞る対
物コリメータと、イオンビームを集束させて前記真空チ
ャンバ中の試料にビームスポットとして照射する電磁石
レンズとを備える他、このビームスポットの位置と前記
真空チャンバに設けられた二次電子検出器で検出された
検出信号とを二次電子画像として写し出すＣＲＴを備え
たイオンビーム分析装置において、前記対物コリメータ
のスリット部材を開閉作動自在に設け、このスリット部
材の間隔データに基づいて前記ビームスポットの寸法を
Ｘ，Ｙ方向について演算し、演算により求められたＸ，
Ｙ方向の寸法を所定の比率で比例拡大したビームスポッ
ト像として前記ＣＲＴの二次電子画像に表示する演算器
を設けた構成にしたところにある。
みてなされたものであって、従って、本発明に係るイオ
ンビーム分析装置の特徴とするところは、イオン発生源
から発生するイオンを加速するイオン加速器を備え、こ
のイオン加速器の外方に分析用の試料が収容される真空
チャンバを備え、これらの間に、イオンビームを絞る対
物コリメータと、イオンビームを集束させて前記真空チ
ャンバ中の試料にビームスポットとして照射する電磁石
レンズとを備える他、このビームスポットの位置と前記
真空チャンバに設けられた二次電子検出器で検出された
検出信号とを二次電子画像として写し出すＣＲＴを備え
たイオンビーム分析装置において、前記対物コリメータ
のスリット部材を開閉作動自在に設け、このスリット部
材の間隔データに基づいて前記ビームスポットの寸法を
Ｘ，Ｙ方向について演算し、演算により求められたＸ，
Ｙ方向の寸法を所定の比率で比例拡大したビームスポッ
ト像として前記ＣＲＴの二次電子画像に表示する演算器
を設けた構成にしたところにある。
【００１３】
【作用】本発明に係るイオンビーム分析装置によれば、
対物コリメータ制御器の操作により開閉され、そして開
いた後のスリット部材のスリット間隔が求められ、求め
られたスリット間隔に基づいて電磁石レンズにより集束
されて試料に照射されるイオンビームスポットのＸ，Ｙ
方向の寸法が演算器によって演算されると共に、演算に
より求められたＸ，Ｙ方向の寸法が所定の比率で拡大さ
れた比例拡大のイオンビームスポット像としてＣＲＴの
二次電子画像に写し出される。
対物コリメータ制御器の操作により開閉され、そして開
いた後のスリット部材のスリット間隔が求められ、求め
られたスリット間隔に基づいて電磁石レンズにより集束
されて試料に照射されるイオンビームスポットのＸ，Ｙ
方向の寸法が演算器によって演算されると共に、演算に
より求められたＸ，Ｙ方向の寸法が所定の比率で拡大さ
れた比例拡大のイオンビームスポット像としてＣＲＴの
二次電子画像に写し出される。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の第１実施例に係るイオンビー
ム分析装置を、その全体を示す模式的構成説明図の図１
ａと、画像装置としてのＣＲＴの画面を示す図の図１ｂ
と、図１ａの一部省略Ａ部詳細斜視図の図２と、対物コ
リメータのスリット部材の開閉作動から画像装置への入
力までのステップを示すフロー図の図３とを参照しなが
ら説明する。
ム分析装置を、その全体を示す模式的構成説明図の図１
ａと、画像装置としてのＣＲＴの画面を示す図の図１ｂ
と、図１ａの一部省略Ａ部詳細斜視図の図２と、対物コ
リメータのスリット部材の開閉作動から画像装置への入
力までのステップを示すフロー図の図３とを参照しなが
ら説明する。
【００１５】本実施例に係るイオンビーム分析装置１
は、図１ａに示すように、イオン加速器２内のイオン源
３から発生され、イオン加速器２が有する加速管４で加
速された高エネルギーのイオンビーム５は、対物コリメ
ータ７によって数十μｍ径のマイクロビームに絞られた
後に、周知の構成になるＥＸＢ型質量分離器６に入射さ
れ、これを通過する間にイオンビーム５のイオン種・エ
ネルギーが選別される。次いで、このイオンビーム５は
偏向電極１２により偏向されると共に、２連または３連
の四重極電磁石レンズ８に入射され、この四重極電磁石
レンズ８を通過する間に、これによって定まるＸ，Ｙ方
向の所定の縮小率（何れも定数）で集束され、真空チャ
ンバ９内に収容されているターゲット１０、つまり、試
料に照射され、この試料の上にビームスポットが結ばれ
る。
は、図１ａに示すように、イオン加速器２内のイオン源
３から発生され、イオン加速器２が有する加速管４で加
速された高エネルギーのイオンビーム５は、対物コリメ
ータ７によって数十μｍ径のマイクロビームに絞られた
後に、周知の構成になるＥＸＢ型質量分離器６に入射さ
れ、これを通過する間にイオンビーム５のイオン種・エ
ネルギーが選別される。次いで、このイオンビーム５は
偏向電極１２により偏向されると共に、２連または３連
の四重極電磁石レンズ８に入射され、この四重極電磁石
レンズ８を通過する間に、これによって定まるＸ，Ｙ方
向の所定の縮小率（何れも定数）で集束され、真空チャ
ンバ９内に収容されているターゲット１０、つまり、試
料に照射され、この試料の上にビームスポットが結ばれ
る。
【００１６】そして、入射されたイオンビーム５とター
ゲット１０との相互作用によってイオン，電子，光子等
が散乱放射されるが、これらは真空チャンバ９に設けた
検出器１１と二次電子検出器１３とで検出され、この二
次電子検出器１３で検出された検出値は後述する構成の
画像装置１４に入力される。即ち、この画像装置１４
は、従来と同構成になる画像装置１４に設けられたビー
ム位置設定器１４ａと、後述する構成になる対物コリメ
ータ７のＸ，Ｙ方向のスリット間隔を、スリット間隔０
〜所定間隔までの間で開閉作動させるモータ７ｍとの間
に、それぞれ後述する演算器１５と対物コリメータ制御
器１６とを介装してなるものである。
ゲット１０との相互作用によってイオン，電子，光子等
が散乱放射されるが、これらは真空チャンバ９に設けた
検出器１１と二次電子検出器１３とで検出され、この二
次電子検出器１３で検出された検出値は後述する構成の
画像装置１４に入力される。即ち、この画像装置１４
は、従来と同構成になる画像装置１４に設けられたビー
ム位置設定器１４ａと、後述する構成になる対物コリメ
ータ７のＸ，Ｙ方向のスリット間隔を、スリット間隔０
〜所定間隔までの間で開閉作動させるモータ７ｍとの間
に、それぞれ後述する演算器１５と対物コリメータ制御
器１６とを介装してなるものである。
【００１７】上記対物コリメータ７の作動構成は、図２
から良く理解されるように、Ｘ，Ｙ方向の何れも同構成
であるから、例としてＹ方向を取り上げてその構成を説
明すると、符号７ａは台板であり、この台板７ａの上に
は上下位置関係を有して同一方向に上部受台７ｃとその
下部の下部受台７ｄとが突設されてなるスリット部材支
持台７ｂが設けられ、上記台板７ａと上部受台７ｃと下
部受台７ｄとには同一軸心を共有する貫通孔が穿設され
ている。
から良く理解されるように、Ｘ，Ｙ方向の何れも同構成
であるから、例としてＹ方向を取り上げてその構成を説
明すると、符号７ａは台板であり、この台板７ａの上に
は上下位置関係を有して同一方向に上部受台７ｃとその
下部の下部受台７ｄとが突設されてなるスリット部材支
持台７ｂが設けられ、上記台板７ａと上部受台７ｃと下
部受台７ｄとには同一軸心を共有する貫通孔が穿設され
ている。
【００１８】そして、上部受台７ｃには可逆回転自在な
モータ７ｍが設けられ、この上部受台７ｃの貫通孔に挿
通されてなるその出力軸の先端にはボールねじ７ｅが連
結され、このボールねじ７ｅの先端は下部受台７ｄの貫
通孔に挿通され、モータ７ｍの回転で回転されるボール
ねじ７ｅによってこの貫通孔に摺動する連結子７ｆを介
して、上記台板７ａの貫通孔に摺動自在に嵌合されると
共に、その下端には、Ｌの字状のスリット部材７ｈが固
着されてなるスリット作動ロッド７ｇの上端に連結され
ている。つまり、ボールねじ７ｅの回転による連結子７
ｆの摺動によってスリット作動ロッド７ｇが摺動し、ス
リット部材７ｈが所定の方向に往復動されて開閉される
ようになっている。
モータ７ｍが設けられ、この上部受台７ｃの貫通孔に挿
通されてなるその出力軸の先端にはボールねじ７ｅが連
結され、このボールねじ７ｅの先端は下部受台７ｄの貫
通孔に挿通され、モータ７ｍの回転で回転されるボール
ねじ７ｅによってこの貫通孔に摺動する連結子７ｆを介
して、上記台板７ａの貫通孔に摺動自在に嵌合されると
共に、その下端には、Ｌの字状のスリット部材７ｈが固
着されてなるスリット作動ロッド７ｇの上端に連結され
ている。つまり、ボールねじ７ｅの回転による連結子７
ｆの摺動によってスリット作動ロッド７ｇが摺動し、ス
リット部材７ｈが所定の方向に往復動されて開閉される
ようになっている。
【００１９】ところで、このスリット部材７ｈの下側に
相対して設けられてなるものはＹ方向の他のスリット部
材７ｈで、これらスリット部材７ｈ，７ｈの垂直部材の
先端同士の間にスリット間隔が形成され、そしてこれら
スリット部材７ｈ，７ｈは０〜所定の範囲の間で同期し
て近接かつ離反するように構成されている。また、上記
したように、Ｘ方向のスリット部材７ｈ，７ｈは、Ｙ方
向のスリット部材７ｈ，７ｈが垂直方向に開閉されるの
に対して、水平状態に開閉されるだけであって、その構
成はＹ方向と全く同構成である。
相対して設けられてなるものはＹ方向の他のスリット部
材７ｈで、これらスリット部材７ｈ，７ｈの垂直部材の
先端同士の間にスリット間隔が形成され、そしてこれら
スリット部材７ｈ，７ｈは０〜所定の範囲の間で同期し
て近接かつ離反するように構成されている。また、上記
したように、Ｘ方向のスリット部材７ｈ，７ｈは、Ｙ方
向のスリット部材７ｈ，７ｈが垂直方向に開閉されるの
に対して、水平状態に開閉されるだけであって、その構
成はＹ方向と全く同構成である。
【００２０】なお、スリット部材７ｈのスリット作動ロ
ッド７ｇの反結合側において、イオンビーム５の進行方
向と直交するように固着されるブロック７ｊにはそれぞ
れ直径１０ｍｍ×長さ１０ｍｍのモリブデンロッド７ｋ
が、上記スリット部材７ｈの間隔と同一間隔になるよう
に埋設され、これがスリット間隔検出部７ｉとなる。従
って、これらモリブデンロッド７ｋの間隔によりスリッ
ト部材７ｈの間隔、つまりスリット間隔が検知される。
一方、ビーム位置設定器１４ａとモータ７ｍとの間に介
装される対物コリメータ制御器１６は、モータ７ｍの駆
動により開かれて形成されるスリット部材７ｈのＸ方向
のスリット間隔Ａと、Ｙ方向のスリット間隔Ｂとに基づ
いてそれらの間隔Ａ，Ｂを演算器１５に出力するもので
ある。
ッド７ｇの反結合側において、イオンビーム５の進行方
向と直交するように固着されるブロック７ｊにはそれぞ
れ直径１０ｍｍ×長さ１０ｍｍのモリブデンロッド７ｋ
が、上記スリット部材７ｈの間隔と同一間隔になるよう
に埋設され、これがスリット間隔検出部７ｉとなる。従
って、これらモリブデンロッド７ｋの間隔によりスリッ
ト部材７ｈの間隔、つまりスリット間隔が検知される。
一方、ビーム位置設定器１４ａとモータ７ｍとの間に介
装される対物コリメータ制御器１６は、モータ７ｍの駆
動により開かれて形成されるスリット部材７ｈのＸ方向
のスリット間隔Ａと、Ｙ方向のスリット間隔Ｂとに基づ
いてそれらの間隔Ａ，Ｂを演算器１５に出力するもので
ある。
【００２１】また、演算器１５は四重極電磁石レンズ８
によるイオンビーム５のＸ方向の縮小率ｆx と、Ｙ方向
の縮小率ｆy とに基づいてターゲット１０上に結ばれる
実際のビームスポット寸法Ｘ′，Ｙ′を演算する他、演
算で求めたこれら演算値Ｘ′，Ｙ′を所定の比率で拡大
した結果をビーム位置設定器１４ａに出力すると共に、
これら出力結果をスリット間隔Ａ，ＢとしてＣＲＴ１４
ｇに表示させるものである。ところで、ターゲット１０
の試料上に結ばれる実際のビームスポット寸法Ｘ′と
Ｙ′は、Ｘ′＝Ａ×ｆx 、Ｙ′＝Ｂ×ｆy と表される
が、これらは非常に小寸法である。そのため、図３に示
すように、Ｘ′には画像装置の条件Ｃx を現在の偏向電
極１２によるスキヤニング幅Ｓx で徐した値を、また
Ｙ′には画像装置の条件Ｃy を現在の偏向電極１２によ
るスキヤニング幅Ｓy で徐した値をそれぞれ乗じて、
Ｘ″＝Ａ×ｆx （Ｃx ／Ｓx ）と、Ｙ″＝Ｂ×ｆy （Ｃ
y ／Ｓy ）とをそれぞれ求めて、これら拡大寸法である
Ｘ″，Ｙ″の画像を、図１ｂに示すように、画像装置１
４のＣＲＴ１４ｇにビームスポット印（ビームスポット
像）Ｔとして表示させるよう構成されている。
によるイオンビーム５のＸ方向の縮小率ｆx と、Ｙ方向
の縮小率ｆy とに基づいてターゲット１０上に結ばれる
実際のビームスポット寸法Ｘ′，Ｙ′を演算する他、演
算で求めたこれら演算値Ｘ′，Ｙ′を所定の比率で拡大
した結果をビーム位置設定器１４ａに出力すると共に、
これら出力結果をスリット間隔Ａ，ＢとしてＣＲＴ１４
ｇに表示させるものである。ところで、ターゲット１０
の試料上に結ばれる実際のビームスポット寸法Ｘ′と
Ｙ′は、Ｘ′＝Ａ×ｆx 、Ｙ′＝Ｂ×ｆy と表される
が、これらは非常に小寸法である。そのため、図３に示
すように、Ｘ′には画像装置の条件Ｃx を現在の偏向電
極１２によるスキヤニング幅Ｓx で徐した値を、また
Ｙ′には画像装置の条件Ｃy を現在の偏向電極１２によ
るスキヤニング幅Ｓy で徐した値をそれぞれ乗じて、
Ｘ″＝Ａ×ｆx （Ｃx ／Ｓx ）と、Ｙ″＝Ｂ×ｆy （Ｃ
y ／Ｓy ）とをそれぞれ求めて、これら拡大寸法である
Ｘ″，Ｙ″の画像を、図１ｂに示すように、画像装置１
４のＣＲＴ１４ｇにビームスポット印（ビームスポット
像）Ｔとして表示させるよう構成されている。
【００２２】以下、図３を参照しながら、対物コリメー
タ７から画像装置のＣＲＴ１４ｇへの入力までの手順を
説明すると、先ず、第１ステップにおいて、対物コリメ
ータ制御器１６の操作によりモータ７ｍを駆動して、ボ
ールねじ７ｅ，連結子７ｆ、スリット作動ロッド７ｇを
介して対物コリメータ７のＸ，Ｙ方向のスリット部材７
ｈ，７ｈのそれぞれを作動させる。
タ７から画像装置のＣＲＴ１４ｇへの入力までの手順を
説明すると、先ず、第１ステップにおいて、対物コリメ
ータ制御器１６の操作によりモータ７ｍを駆動して、ボ
ールねじ７ｅ，連結子７ｆ、スリット作動ロッド７ｇを
介して対物コリメータ７のＸ，Ｙ方向のスリット部材７
ｈ，７ｈのそれぞれを作動させる。
【００２３】第２ステップにおいて、Ｘ，Ｙ方向のスリ
ット部材７ｈ，７ｈのそれぞれに設けたスリット間隔検
出部７ｉ，７ｉによって、それぞれスリット間隔０（ス
リット閉状態）からスリット部材７ｈのＸ方向のスリッ
ト間隔Ａと、Ｙ方向のスリット間隔Ｂとを検出する。
ット部材７ｈ，７ｈのそれぞれに設けたスリット間隔検
出部７ｉ，７ｉによって、それぞれスリット間隔０（ス
リット閉状態）からスリット部材７ｈのＸ方向のスリッ
ト間隔Ａと、Ｙ方向のスリット間隔Ｂとを検出する。
【００２４】第３ステップにおいて、検出した上記スリ
ット間隔Ａとスリット間隔Ｂとに、四重極電磁石レンズ
８のＸ方向の縮小率ｆx と、Ｙ方向の縮小率ｆy とをそ
れぞれ乗じて、ターゲット１０上の試料の表面に結ばれ
るイオンビーム５の実際のスポット径、つまりＸ′＝Ａ
×ｆx とＹ′＝Ｂ×ｆy とを演算器１５で演算すること
によって求める。
ット間隔Ａとスリット間隔Ｂとに、四重極電磁石レンズ
８のＸ方向の縮小率ｆx と、Ｙ方向の縮小率ｆy とをそ
れぞれ乗じて、ターゲット１０上の試料の表面に結ばれ
るイオンビーム５の実際のスポット径、つまりＸ′＝Ａ
×ｆx とＹ′＝Ｂ×ｆy とを演算器１５で演算すること
によって求める。
【００２５】第４ステップにおいて、演算器１５によっ
て画像装置の条件、つまりＣＲＴ画面寸法（定数）Ｃx
と、Ｃy とを選択すると共に、現在の偏向電極１２の
Ｘ，Ｙ方向のそれぞれのスキャニング幅、Ｓx とＳy と
が選択される。
て画像装置の条件、つまりＣＲＴ画面寸法（定数）Ｃx
と、Ｃy とを選択すると共に、現在の偏向電極１２の
Ｘ，Ｙ方向のそれぞれのスキャニング幅、Ｓx とＳy と
が選択される。
【００２６】第５ステップにおいて、演算器１５によ
り、Ｘ″＝Ａ×ｆx ×（Ｃx ／Ｓx ）、Ｙ″＝Ｂ×ｆy
×（Ｃy ／Ｓy ）の、所定の比で拡大されたスリット間
隔Ａ，Ｂの拡大寸法が演算され、図１ｂに示すように、
これらが画像装置１４のＣＲＴ１４ｇに捕捉可能なビー
ムスポット印Ｔとして表示される。
り、Ｘ″＝Ａ×ｆx ×（Ｃx ／Ｓx ）、Ｙ″＝Ｂ×ｆy
×（Ｃy ／Ｓy ）の、所定の比で拡大されたスリット間
隔Ａ，Ｂの拡大寸法が演算され、図１ｂに示すように、
これらが画像装置１４のＣＲＴ１４ｇに捕捉可能なビー
ムスポット印Ｔとして表示される。
【００２７】即ち、対物コリメータ制御器１６によりモ
ータ７ｍが駆動されると共に、スリット間隔検出部７ｉ
によって、それぞれスリット間隔０（閉状態）からのス
リット間隔Ａ，Ｂが求められ、これらスリット間隔Ａ，
Ｂに四重極電磁石レンズ８の縮小率がそれぞれ演算器１
５により乗じられてターゲット１０にビーム集束寸法と
してビーム位置設定器１４ａに入力される。また、ター
ゲット１０の上に設けられた試料を、二次電子像観察と
してビームスキャンを行う掃引装置１４ｅは、スキャニ
ング幅とＣＲＴ１４ｇに写し出される画像の寸法で決ま
る倍率により、試料表面の拡大像をＣＲＴ１４ｇに二次
電子像として表示する。そして、ＣＲＴ１４ｇの二次電
子像の上に、ビーム設定位置に加えて、図１ｂに示すよ
うに、ターゲット１０上の集束されたイオンビーム５の
Ｘ，Ｙ方向の寸法をＸ″×Ｙ″として表す四角の形状を
持つビームスポット印Ｔが表示される。
ータ７ｍが駆動されると共に、スリット間隔検出部７ｉ
によって、それぞれスリット間隔０（閉状態）からのス
リット間隔Ａ，Ｂが求められ、これらスリット間隔Ａ，
Ｂに四重極電磁石レンズ８の縮小率がそれぞれ演算器１
５により乗じられてターゲット１０にビーム集束寸法と
してビーム位置設定器１４ａに入力される。また、ター
ゲット１０の上に設けられた試料を、二次電子像観察と
してビームスキャンを行う掃引装置１４ｅは、スキャニ
ング幅とＣＲＴ１４ｇに写し出される画像の寸法で決ま
る倍率により、試料表面の拡大像をＣＲＴ１４ｇに二次
電子像として表示する。そして、ＣＲＴ１４ｇの二次電
子像の上に、ビーム設定位置に加えて、図１ｂに示すよ
うに、ターゲット１０上の集束されたイオンビーム５の
Ｘ，Ｙ方向の寸法をＸ″×Ｙ″として表す四角の形状を
持つビームスポット印Ｔが表示される。
【００２８】次いで、設定されたスリット間隔と、イオ
ンビーム位置情報とを持つビームスポット印Ｔを、オペ
レータ等はＣＲＴ１４ｇの画面上において上下左右に移
動させ、二次電子像の測定したい位置にこのビームスポ
ット印Ｔを合わせるべく、ビーム位置設定器１４ａの持
つ手動操作機構を操作して、例えば、測定したいミクロ
レベルの試料部分の形状がその時のイオンビーム形状寸
法に合っていない場合には、対物コリメータ制御器１６
で対物コリメータ７を作動させてスリット間隔Ａ，Ｂを
変えることにより、自動的に、ＣＲＴ１４ｇの画面に表
示されるビームスポット印ＴのＸ，Ｙ寸法が変わるの
で、これを容易に試料の形状に重ね合わせることが可能
になる。また、このようにしてビームスポットの形状を
合わせると、資料の測定したい部分の最大面積に調整し
て合わせることが可能になり、イオンビームの照射量が
全体として増加することになるので、結果的に資料の分
析時間が短縮されることになり、分析作業効率が向上す
るという効果も生じてくる。
ンビーム位置情報とを持つビームスポット印Ｔを、オペ
レータ等はＣＲＴ１４ｇの画面上において上下左右に移
動させ、二次電子像の測定したい位置にこのビームスポ
ット印Ｔを合わせるべく、ビーム位置設定器１４ａの持
つ手動操作機構を操作して、例えば、測定したいミクロ
レベルの試料部分の形状がその時のイオンビーム形状寸
法に合っていない場合には、対物コリメータ制御器１６
で対物コリメータ７を作動させてスリット間隔Ａ，Ｂを
変えることにより、自動的に、ＣＲＴ１４ｇの画面に表
示されるビームスポット印ＴのＸ，Ｙ寸法が変わるの
で、これを容易に試料の形状に重ね合わせることが可能
になる。また、このようにしてビームスポットの形状を
合わせると、資料の測定したい部分の最大面積に調整し
て合わせることが可能になり、イオンビームの照射量が
全体として増加することになるので、結果的に資料の分
析時間が短縮されることになり、分析作業効率が向上す
るという効果も生じてくる。
【００２９】本発明の第２実施例に係るイオンビーム分
析装置を、その主要部を示す模式的構成説明図の図４を
参照しながら説明すると、この実施例が上記第１実施例
と相違するところは、同図から良く理解されるように、
偏向電極１２の配設位置が相違するところにある。より
詳しくは、第２従来例と同様に、偏向電極１２を、四重
極電磁石レンズ８と真空チャンバー９との間に配設して
なる構成としたものであって、他は全く上記第１実施例
と同構成になるものである。このように、偏向電極１２
の配設位置位置以外は、上記第１実施例と同構成である
から、この実施例に係るイオンビーム分析装置の作用・
効果は上記第１実施例と同効である。
析装置を、その主要部を示す模式的構成説明図の図４を
参照しながら説明すると、この実施例が上記第１実施例
と相違するところは、同図から良く理解されるように、
偏向電極１２の配設位置が相違するところにある。より
詳しくは、第２従来例と同様に、偏向電極１２を、四重
極電磁石レンズ８と真空チャンバー９との間に配設して
なる構成としたものであって、他は全く上記第１実施例
と同構成になるものである。このように、偏向電極１２
の配設位置位置以外は、上記第１実施例と同構成である
から、この実施例に係るイオンビーム分析装置の作用・
効果は上記第１実施例と同効である。
【００３０】本発明の第３実施例に係るイオンビーム分
析装置を、その全体を示す模式的斜視図の図５ａと、Ｃ
ＲＴの画面を示す図の図５ａｂとを参照しながら、上記
第１実施例と同一のもの並びに同一機能を有するものを
同一符号を以て説明すると、この実施例が上記第１実施
例と相違するところは、イオンビーム５のイオン種・エ
ネルギーを選別するＥＸＢ型質量分離器を偏向分析電磁
石６に変更し、この偏向分析電磁石６をイオン加速器２
と、対物コリメータ７との間に配設したもので、他は全
て上記第１実施例と同構成になるものである。
析装置を、その全体を示す模式的斜視図の図５ａと、Ｃ
ＲＴの画面を示す図の図５ａｂとを参照しながら、上記
第１実施例と同一のもの並びに同一機能を有するものを
同一符号を以て説明すると、この実施例が上記第１実施
例と相違するところは、イオンビーム５のイオン種・エ
ネルギーを選別するＥＸＢ型質量分離器を偏向分析電磁
石６に変更し、この偏向分析電磁石６をイオン加速器２
と、対物コリメータ７との間に配設したもので、他は全
て上記第１実施例と同構成になるものである。
【００３１】従って、イオン加速器２内のイオン発生源
３から発生され、このイオン加速器２が有する加速管４
によって加速された高エネルギーのイオンビーム５は、
偏向分析電磁石６を通る間に、通常、１５°偏向されて
イオン種・エネルギーが選別され、次いで対物コリメー
タ７によってマイクロビームに絞られた後に、数メート
ルのドリフト空間を経て偏向電極１２を通り、これに続
く四重極電磁石レンズ８を通過する間に、この四重極電
磁石レンズ８によって定まるＸ，Ｙ方向の所定の縮小率
で集束されると共に、真空チャンバー９内に収容されて
いるターゲット１０に照射されて、この上にスポットが
結ばれる。
３から発生され、このイオン加速器２が有する加速管４
によって加速された高エネルギーのイオンビーム５は、
偏向分析電磁石６を通る間に、通常、１５°偏向されて
イオン種・エネルギーが選別され、次いで対物コリメー
タ７によってマイクロビームに絞られた後に、数メート
ルのドリフト空間を経て偏向電極１２を通り、これに続
く四重極電磁石レンズ８を通過する間に、この四重極電
磁石レンズ８によって定まるＸ，Ｙ方向の所定の縮小率
で集束されると共に、真空チャンバー９内に収容されて
いるターゲット１０に照射されて、この上にスポットが
結ばれる。
【００３２】そして、上記第１従来例の項において、図
３に基づいて説明した第１から 第５ステップを経て、
演算器１５により、Ｘ″＝Ａ×ｆx ×（Ｃx ／Ｓx ）、
Ｙ″＝Ｂ×ｆy ×（Ｃy ／Ｓy ）の、所定の比で拡大さ
れたスリット間隔Ａ，Ｂの拡大寸法が演算され、これら
が画像装置１４のＣＲＴ１４ｇに捕捉可能なビームスポ
ット印Ｔとして表示されるので、本実施例は上記第１実
施例と同効である。
３に基づいて説明した第１から 第５ステップを経て、
演算器１５により、Ｘ″＝Ａ×ｆx ×（Ｃx ／Ｓx ）、
Ｙ″＝Ｂ×ｆy ×（Ｃy ／Ｓy ）の、所定の比で拡大さ
れたスリット間隔Ａ，Ｂの拡大寸法が演算され、これら
が画像装置１４のＣＲＴ１４ｇに捕捉可能なビームスポ
ット印Ｔとして表示されるので、本実施例は上記第１実
施例と同効である。
【００３３】なお、この第３実施例では、第１実施例と
同様に、偏向電極１２が対物コリメータ７と四重極電磁
石レンズ８の間に配設されているが、この偏向電極１２
を、第２従来例と同様に、四重極電磁石レンズ８と真空
チャンバー９との間に配設することもできる。
同様に、偏向電極１２が対物コリメータ７と四重極電磁
石レンズ８の間に配設されているが、この偏向電極１２
を、第２従来例と同様に、四重極電磁石レンズ８と真空
チャンバー９との間に配設することもできる。
【００３４】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明に係るイオ
ンビーム分析装置によれば、対物コリメータ制御器の操
作により開閉され、そして開いた後のスリット部材のス
リット間隔が求められ、求められたスリット間隔に基づ
いて電磁石レンズにより集束されて試料に照射されるイ
オンビームスポットのＸ，Ｙ方向の寸法が演算器によっ
て演算されると共に、演算により求められたＸ，Ｙ方向
の寸法が所定の比率で拡大された比例拡大のイオンビー
ムスポット像としてＣＲＴの二次電子画像に写し出され
る。
ンビーム分析装置によれば、対物コリメータ制御器の操
作により開閉され、そして開いた後のスリット部材のス
リット間隔が求められ、求められたスリット間隔に基づ
いて電磁石レンズにより集束されて試料に照射されるイ
オンビームスポットのＸ，Ｙ方向の寸法が演算器によっ
て演算されると共に、演算により求められたＸ，Ｙ方向
の寸法が所定の比率で拡大された比例拡大のイオンビー
ムスポット像としてＣＲＴの二次電子画像に写し出され
る。
【００３５】そのため、従来のイオンビーム分析装置で
はビームスポットを視覚的に捕捉し得ないのに対して、
本発明では視覚的にこれを捕捉することが可能になる結
果、スキャン画像とイオンビーム形状とを容易に一致さ
せることができるようになり、イオンビーム分析装置の
操作性の容易化に伴う試料の分析作業の能率向上に対し
て極めて多大な効果がある。
はビームスポットを視覚的に捕捉し得ないのに対して、
本発明では視覚的にこれを捕捉することが可能になる結
果、スキャン画像とイオンビーム形状とを容易に一致さ
せることができるようになり、イオンビーム分析装置の
操作性の容易化に伴う試料の分析作業の能率向上に対し
て極めて多大な効果がある。
【図１】図１ａは本発明の第１実施例に係るイオンビー
ム分析装置の全体を示す模式的構成説明図、図１ｂはＣ
ＲＴの画面を示す図である。
ム分析装置の全体を示す模式的構成説明図、図１ｂはＣ
ＲＴの画面を示す図である。
【図２】図１ａの一部省略Ａ部詳細斜視図である。
【図３】対物コリメータのスリット部材の開閉作動から
画像装置への入力までのステップを示すフロー図であ
る。
画像装置への入力までのステップを示すフロー図であ
る。
【図４】本発明の第２実施例に係るイオンビーム分析装
置の主要部を示す模式的構成説明図である。
置の主要部を示す模式的構成説明図である。
【図５】図５ａは本発明の第３実施例に係るイオンビー
ム分析装置の全体を示す模式的斜視図、図５ｂはＣＲＴ
の画面を示す図である。
ム分析装置の全体を示す模式的斜視図、図５ｂはＣＲＴ
の画面を示す図である。
【図６】第１従来例に係る代表的なイオンビーム分析装
置の模式的構成配置図である。
置の模式的構成配置図である。
【図７】第１従来例に係る画像装置の構成説明図であ
る。
る。
【図８】第２従来例に係るイオンビーム分析装置の模式
的構成配置図である。
的構成配置図である。
１…イオンビーム分析装置 ２…イオン加速器 ３…イオン源 ４…加速管 ５…イオンビーム ６…ＥＸＢ型質量分離器または偏向分析電磁石 ７…対物コリメータ、７ａ…台板、７ｂ…スリット部材
支持台、７ｃ…上部受台、７ｄ…下部受台、７ｅ…ボー
ルねじ、７ｆ…連結子、７ｇ…スリット作動ロッド、７
ｈ…スリット部材、７ｉ…スリット間隔検出部、７ｊ…
ブロック、７ｋ…モリブデンロッド、７ｍ…モータ ８…四重極電磁石レンズ ９…真空チャンバ １０…ターゲッ１ １１…検出器 １２…偏向電極 １３…二次電子検出器 １４…画像装置、１４ａ…ビーム位置設定器、１４ｂ…
プリアンプ、１４ｃ…メインアンプ、１４ｄ…偏向コイ
ル、１４ｅ…掃引装置、１４ｆ…切替スイッチ、１４ｇ
…ＣＲＴ １５…演算器 １６…対物コリメータ制御器 Ａ…Ｘ方向のスリット間隔 Ｂ…Ｙ方向のスリット間隔 Ｔ…ビームスポット印
支持台、７ｃ…上部受台、７ｄ…下部受台、７ｅ…ボー
ルねじ、７ｆ…連結子、７ｇ…スリット作動ロッド、７
ｈ…スリット部材、７ｉ…スリット間隔検出部、７ｊ…
ブロック、７ｋ…モリブデンロッド、７ｍ…モータ ８…四重極電磁石レンズ ９…真空チャンバ １０…ターゲッ１ １１…検出器 １２…偏向電極 １３…二次電子検出器 １４…画像装置、１４ａ…ビーム位置設定器、１４ｂ…
プリアンプ、１４ｃ…メインアンプ、１４ｄ…偏向コイ
ル、１４ｅ…掃引装置、１４ｆ…切替スイッチ、１４ｇ
…ＣＲＴ １５…演算器 １６…対物コリメータ制御器 Ａ…Ｘ方向のスリット間隔 Ｂ…Ｙ方向のスリット間隔 Ｔ…ビームスポット印
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 足立 成人 兵庫県神戸市西区美賀多台１−５−５ (56)参考文献 特開 平３−210744（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−150843（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−68158（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−35838（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 37/252 H01J 37/09 H01J 37/04
Claims (1)
- 【請求項１】 イオン発生源から発生するイオンを加速
するイオン加速器を備え、このイオン加速器の外方に分
析用の試料が収容される真空チャンバを備え、これらの
間に、イオンビームを絞る対物コリメータと、イオンビ
ームを集束させて前記真空チャンバ中の試料にビームス
ポットとして照射する電磁石レンズとを備える他、この
ビームスポットの位置と前記真空チャンバに設けられた
二次電子検出器で検出された検出信号とを二次電子画像
として写し出すＣＲＴを備えたイオンビーム分析装置に
おいて、前記対物コリメータのスリット部材を開閉作動
自在に設け、このスリット部材の間隔データに基づいて
前記ビームスポットの寸法をＸ，Ｙ方向について演算
し、演算により求められたＸ，Ｙ方向の寸法を所定の比
率で比例拡大したビームスポット像として前記ＣＲＴの
二次電子画像に表示する演算器を設けたことを特徴とす
るイオンビーム分析装置。
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