JP2016057294A - 透過型荷電粒子顕微鏡内で分光を実行する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】試料を保持する試料ホルダ10、荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム源4、試料へ照射するようにビームを案内する照射体6、試料を透過した荷電粒子束を分光装置Aへ案内する結像系24、を有する。分光装置において、調節可能なアパーチャ素子を用いて、ビームの第1部分を検出器へ向かわせることを許容する一方、ビームの第2部分を阻止する段階、アパーチャ素子の上流に配置した放射線センサによって第1部分を検出するのと同時に、第2部分の選ばれた領域内で局在化された検出を実行する段階、センサからのセンシング結果を用いて検出器からの検出結果を調節する段階、を有する。
【選択図】図1
Description
− 試料を保持する試料ホルダ;
− 荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム源;
− 前記試料へ照射するように前記ビームを案内する照射体;
− 前記試料を透過する荷電粒子束を、前記束をエネルギー分解されたスペクトルサブビームの群へ分散する分散素子を有する分光装置へ案内する結像系、を有する。
より詳細には以下の通りである。
− SEMでは、試料への走査電子ビームの照射が、2次電子、後方散乱電子、X線、及びフォトルミネッセンス(赤外、可視、及び/又は紫外の光子)として、試料からの「補助」放射線の放出を引き起こす。続いてこの放出放射線束の1つ以上の成分が、画像蓄積目的及び/又は(たとえばEDX(エネルギー分散X線分光)の場合には)分光解析で検出及び利用される。
− TEMでは、試料への照射に用いられる電子ビームは、試料(この目的のため、一般的にはSEM用試料の場合よりも薄くなる)へ侵入するのに十分高いエネルギーとなるように選ばれる。よって試料から放出される透過電子束は、画像の生成又は(たとえばEELS(電子エネルギー損失分光)の場合では)スペクトルの生成に用いられて良い。係るTEMが走査モード(よってSTEMとなる)で動作する場合、問題となる画像/スペクトルは、照射電子ビームの走査運動中に蓄積される。
http://en.wikipedia.org/wiki/Electron_microscope
http://en.wikipedia.org/wiki/Scanning_electron_microscope
http://en.wikipedia.org/wiki/Transmission_electron_microscopy
http://en.wikipedia.org/wiki/Scanning_transmission_electron_microscopy
照射ビームとして電子ビームを用いる代わりとして、荷電粒子顕微鏡観察もまた、他の種類の荷電粒子を用いて実行されて良い。この点では、「荷電粒子」という語句は、たとえば電子、正イオン(たとえばGaイオン又はHeイオン)、負イオン、陽子、及び陽電子を含むものとして広義に解釈されなければならない。イオン系顕微鏡に関しては、さらなる情報は、たとえば以下のリンクと非特許文献1から収集することができる。
http://en.wikipedia.org/wiki/Scanning_Helium_Ion_Microscope
撮像及び/又は分光に加えて、荷電粒子顕微鏡(CPM)はまた、他の機能−たとえばディフラクトグラムの検査、(局在化した)表面改質(たとえばミリング、エッチング、堆積)等の実行−をも有して良いことに留意して欲しい。
− 放射線源(たとえばショットキー電子源若しくはイオン銃)
− 照射体。線源からの「生の」放射線ビームを操作し、かつ、その放射線に対してある作用−集束、収差の緩和、(アパーチャによる)トリミング、フィルタリング等−を実行するように機能する。照射体は一般的に、1つ以上の荷電粒子レンズを有し、かつ、他の種類の粒子光学部品をも有して良い。望ましい場合には、照射体には、調査中の試料にわたる走査運動を出力ビームに実行させることのできる偏向器システムが供されて良い。
− 上に調査中の試料が保持及び位置設定(たとえば傾斜、回転)され得る試料ホルダ。望ましい場合には、このホルダは、試料に対するビームの走査運動を実現するように動かされて良い。一般的には、係る試料ホルダは、たとえば機械ステージのような位置設定システムに接続される。
− 結像系。基本的には、試料(面)を透過する荷電粒子を捕らえ、かつ、その荷電粒子を使用される解析装置−たとえば偏向/撮像装置、分光装置等−へ案内(集束)する。上述の照射体と共に、結像系もまた、他の機能−たとえば収差の緩和、トリミング、フィルタリング等−を実行して良い。そして結像系は一般的に、1つ以上の荷電粒子レンズ及び/又は他の種類の粒子光学部品を有する。
− (結像系からの)荷電粒子の入射束を、エネルギー分解されたスペクトルサブビームの群に分散する分散素子。エネルギー分解されたスペクトルサブビームの群は、前記最終的にはスペクトルを生成するように検出表面へ案内され得る。基本的には、前記入射束は様々なエネルギーの電子を含み、かつ、分散素子は、(分散方向に沿って)「これらを広げて」、所与のエネルギーの個々のサブビームからなる群にする(質量分析計を思い出させるような方法で)。
− 検出器。前記検出器は、単体であって良いし又は事実上複合体/分配されても良く、かつ、検出される放射線/実体に依存して多くの異なる形態をとって良い。上述したように、係る検出器はたとえば、強度値の記録、像の取り込み、又はスペクトルの記録に用いられて良い。例には、光電子増倍管(固体光電子増倍管SSPMを含む)、フォトダイオード、(画素化された)CMOS検出器、(画素化された)CCD検出器、光電池等が含まれる。これらはたとえば、シンチレータ膜と併用されて良い。
EELS及びEFTEMに関するさらなる情報については、以下のWikipediaリンクと非特許文献2を参照のこと。
http://en.wikipedia.org/wiki/Electron_energy_loss_spectroscopy
http://en.wikipedia.org/wiki/Energy_filtered_transmission_electron_microscopy
照射体、結像系、荷電粒子ビーム源、及び/又はEELSモジュールへ供給される(高圧)電力には不安定性/揺らぎが生じ得るため、CLPの位置の厳密な測定では、CLPと照射電子ビームの非散乱成分(所謂「ゼロロスピーク」(ZLP))の(略)同時記録が必要となる。これは従来、「ZLPの追跡」と呼ばれている。これは、CLPのノイズレベルの指標と絶対エネルギースケールの参照値としての役割を果たす。ZLPとCLPを同時に記録することは一般的に簡単なことではない。その理由はとりわけ、ZLPとCLPとの間には概して大きな強度差(容易に1000のオーダーになり得る)が存在し、かつ、ZLPとCLPとの間には概して大きな(エネルギーの)間隔(0.2eVの分解能が必要とされる/望ましいところ、容易に500eVのオーダーになり得る)が存在するためである。現在のところ、ほぼ同時の記録は、所謂「デュアルEELS法」−たとえば特許文献1に記載されている−を用いて実現され得る。デュアルEELSでは、使用される検出器(たとえば画素化されたCCDカメラ)上での1回の取得で2回露光が行われる。前記2回露光では、一の相対的に短い露光(〜1μsであるため、超高速ビームブランカ/露光シャッターが必要となる)はZLPを記録するためで、かつ、長い露光(〜10ms)はCLP(より一般的には複数のCLPの組/スペクトル)を記録するためである。これら2回の露光の間、超高速偏向器が、スペクトルの各異なる部分を検出器上での各異なる位置へ切り換えるのに用いられる。現在のデュアルEELS装置はたとえば、毎秒で最大1000のデュアルスペクトルを記録できる。
− 調節可能なアパーチャ素子を用いて、前記群の第1部分を検出器へ向かわせることを許容する一方、前記群の第2部分を阻止する段階
− 前記束内であって前記アパーチャ素子の上流に放射線センサを供する段階
− 前記検出器によって前記第1部分を検出するのと同時に、前記センサを用いて前記群の第2部分の選ばれた領域内での局在化された放射線センシングを実行する段階
− 前記センサからのセンシング結果を用いて前記検出器からの検出結果を調節する段階
本願で用いられている「上流」という用語は、前記放射線センサが前記分散素子と前記調節可能なアパーチャ素子との間に設けられていることを示唆すると解されなければならない。そのような前記放射線センサの配置には、前記センサが前記アパーチャ素子に直接抗した状態で設けられる(隣接する)のも可能な配置として含まれる。
たとえば上述のEELSスペクトルの場合であれば、以下のようになる。
− 前記調節可能なアパーチャ素子は、相対的にエネルギー損失の大きなCLP成分(第1スペクトル部分)を前記検出器へ向かうことを許容する一方で、(前記ZLP/PRP成分を含む)エネルギー損失の小さな成分のスペクトルサブビームを阻止する。
− (主要な)前記検出器が相対的に弱くてエネルギー損失の大きなCLP成分にしか露光されないので、前記検出器の感度/露光時間は、これを記録するために最適化され得る。
他方、(補助的な)前記センサは、前記アパーチャ素子の前に設けられ、かつ、(たとえばサイズが制限されているため)局在化されたセンシングを実行することが可能であるため、前記センサは、前記第2スペクトル部分の(うちの1つ以上の選ばれた領域)を独立(かつ同時に)探索するのに用いることができる。感度/露光時間は、この部分内の相対的に明るくてエネルギー損失の小さなZLP/PRP部分に調節されている。
− 前記分散素子を飛び出す前記荷電粒子束がZ方向に沿って伝播する
− 前記分散素子がこの束をX方向に広げる/分散させる
ように座標系(XYZ)が定義される場合、本実施例では、前記センサは、少なくとも前記X方向において可動でなければならないが、当然のこととして、他の方向においても可動であって良い。センサの面積が相対的に小さな(たとえば数mm2のオーダー)ことで、前記センサの移動度は、たとえばEELSスペクトルにおける前記ZLP又はPRPスペクトル成分(の特定の領域)からの信号のみを記録することが可能となる。
(i) 前記センシング結果を用いた前記検出結果と、数学的デコンボリューション処理への入力としての前記検出結果のデコンボリューションを行う段階
(ii) 前記検出結果における装置関連伝達関数の寄与を補正する段階
(iii) 前記検出結果の絶対エネルギースケールを決定する段階
(iv) 前記検出結果の絶対強度スケールを決定する段階
これらの行為について以下でより詳細に説明する。
(I) 既にEELSスペクトルのところで述べたように、前記EELSモジュールへ入射する所与の電子は一般的に、調査中の前記試料内で(内殻の)CLP「イベント」と(外殻の)PRP「イベント」との混合を引き起こすため、前記CLP及びPRPスペクトル成分は重ね合わせられて一緒になる。前記CLP及びPRP成分が分離して測定される場合、前記CLP及びPRP成分は、たとえばベイズ法、フーリエログ法、又はフーリエ比法に基づく数学的処理を用いてデコンボリューションされて(「もつれがほぐされて」)良い。これらの数学的処理については以降の実施例2を参照のこと。
(II) 前記検出結果及びセンシング結果は、様々な装置関連効果−たとえば暗信号、応答時間効果、ヒステリシス、アーティファクト、ノイズ等−の結果歪む/変形する。係る効果もまた、前記センシング結果の助けを借りて−たとえば上の(I)で説明した方法で−前記検出結果からデコンボリューションによって取り出されて良い。
(III) 上述したEELSの例に戻ると、前記ZLPは、スペクトルのPRP/CLP部分の絶対エネルギーの参照値として機能し得る。なぜなら前記入射束中のエネルギーは(前記の使用された(結果としての)加速電位に基づいて)既知であり、かつ、前記スペクトルのZLP部分はこのエネルギーを「保存」するからである。前記CLP/PRP成分中のピーク位置と前記ZLPピーク位置とを比較することによって、(相対ではない)絶対エネルギースケールをこれらに関連づけることができる。
(IV) CLP/PRPピークの位置(横座標)が前記ZLPピークの位置との比較によって校正可能な方法に関連する方法では、本発明を用いてピーク高さ(強度)を校正/規格化することも可能である。ここで前記ZLPピーク高さは、前記CLP/PRPスペクトル部分でのピーク高さの校正用参照値として用いられる。その際、前記入射荷電粒子束の強度変化、前記試料の厚さのばらつき等の効果を考慮することが可能となる。
− TEMカメラC。カメラCでは、電子束は、制御装置50によって処理され、かつ、たとえばフラットパネルディスプレイのような表示装置(図示されていない)上に表示可能な静的画像(ディフラクトグラム)を生成し得る。必要ないときには、カメラCは、(矢印28によって概略的に示されているように)軸8から外れるように引き出され/引き込められてよい。
− STEM偏向素子C’。素子C’からの出力は、試料P上の走査ビームの位置(X,Y)の関数として記録され、かつ、X,Yの関数としてのC’からの出力の「マップ」である画像が構築されて良い。素子C’は、カメラC内に特徴として存在する複数の画素からなるマトリックスとは対照的に、たとえば20mmの直径を有する単一画素を有して良い。しかも素子C’は一般的に、カメラCの取得速度(たとえば102点/秒)よりもはるかに高い取得速度(たとえば106点/秒)を有する。繰り返しになるが、必要ないときには、カメラCは、(矢印28によって概略的に示されているように)軸8から外れるように引き出され/引き込められてよい。
− カメラC又は素子C’を用いた撮像の代わりに、分光装置A−この例ではEELSモジュール−用いられて良い。分光装置Aのさらなる構造及び動作については、以降の図2を参照しながら説明する。
C、C’、及びAの順序/位置は厳密ではなく、多くの可能な変化型が考えられることに留意して欲しい。たとえば分光装置Aは、結像系24に組み込まれても良い。
− 第1(ナイフ)エッジ7a’を有する第1プレート7a
− 第2(ナイフ)エッジ7b’を有して、第1プレート7aと実質的に同一面内に配置される第2プレート7b
− プレート7bへ向かって又は遠ざかるようにプレート7aを動かすことで、2つのエッジ7a’と7b’との間の介在ギャップの幅(高さ)を調節するのに用いられ得るアクチュエータ7c
アパーチャ素子7は、空間フィルタ/スペクトル選択器として用いられ、かつ、群5の第1部分5aが検出器D(たとえば画素化されたCMOS又はCCD検出器)へ向かうのを許容する一方で、群5の第2部分5bが検出器Dへ到達することを阻止するように調節される。検出器Dへ到達する前、前記の許容された第1部分5aは、たとえば第1部分5aを拡大/集束させるアパーチャ後方の電子光学系9を介して進む。第1部分5aと第2部分5bの各々は一般的にゼロではないサブビームの帯域幅を有する。
− 第1部分5aは、検出器Dによって検出されるCLPスペクトル成分を有する。
− 第2部分5bは、ZLPスペクトル成分5b1とPRPスペクトル成分5b2を有する。
− 図2に図示されているように、選ばれた領域5b1はセンサSによってセンシングされる。しかし代わりに(又は同時に)、ブレード7aを適切に動かすことによって、選ばれる領域5b2がセンサSによってセンシングされるように配置されても良い。
− 領域5b1(〜ZLP)からのセンシング結果は、検出器Dからの検出結果(〜CLP)の絶対エネルギースケールを校正するのに用いられて良い。領域5b2(〜PRP)からのセンシング結果と組み合わせられるとき、領域5b1(〜ZLP)からのセンシング結果は、検出器Dからの検出結果のデコンボリューションを行うのに用いられて良い。
− 非弾性散乱を起こすことなく試料を通過する電子を表すゼロ損失ピーク。
− プラズモン共鳴ピーク成分/部分PRP(価電子損失成分と呼ばれることもある)。これは一般的には約0〜50eVから延びる。とはいえ上限には厳密な定義が存在しない。PRPは、試料中での外殻散乱事象の結果生じるピーク/ショルダー−たとえばピーク31−によって特徴付けられる。PRP成分は通常、ZLPよりも顕著に小さな強度を有することに留意して欲しい。
− コアロスピーク成分/部分CLP。これは典型的には、約50eV(PRP成分後)に始まる。とはいえ下限の厳密な定義は存在しない。CLP成分は一般的に、図3に示されているようにZLP/PRP成分よりも強度が小さいので、図3では、細部の視認性を向上させるために100に拡大されている。図からわかるように、CLP成分は、実質的なバックグラウンドの寄与33の上に存在する、ある元素(本発明であればたとえばC及びTi)に係るピーク/ショルダー(の群)を含む。
Sexp(E)=R(E)*Sreal(E)+N(E)
ここで、R(E)は(累積的な)広がり効果を表し、N(E)は(累積的な)ノイズを表し、かつ、“*”は畳み込みを表す。R(E)*Sreal(E)は次式のように表される。
R(E)*Sreal(E)=∫R(F)Sreal(E−F)dF
試料が存在しなければ、理想的なスペクトルはZLPピークしか含まないので、理想的なスペクトルはデルタ関数Sreal(E)=δ(E)と書くことができる。その場合、記録されたスペクトルは次式のように単純化される。
Sexp(E)=R(E)+N(E)
試料が存在する場合、ビーム中の電子は、試料中でプラズモンと1回以上の散乱をし得る。P(E)がEELSスペクトルへのPRPの寄与を表すとする。その場合、理想的なスペクトルは次式のように表される。
Sreal(E)=δ(E)+P(E)
またEELSモジュールは、これを次式で表されるものとして記録する。
Sexp(E)=R(E)+R(E)*P(E)+N(E)
ビーム中の電子は試料中でコア電子とも散乱する結果、コアロスの寄与が生成される。C(E)は、EELSスペクトルへのCLPの寄与を表すとする。PRPの寄与が存在しない場合、理想的なスペクトルは次式のように表される。
Sreal(E)=δ(E)+C(E)
またEELSモジュールは、これを次式で表されるものとして記録する。
Sexp(E)=R(E)+R(E)*C(E)+N(E)
PRPの寄与とCLPの両方がスペクトルに寄与するとき、理想的なスペクトルは次式のようになる。
Sreal(E)=(δ(E)+P(E))*(δ(E)+C(E))
δ(E)+P(E)+C(E)+P(E)*C(E)
またEELSモジュールはこれを次式で表されるものとして記録する。
Sexp(E)=R(E)+R(E)*P(E)+R(E)*C(E)+R(E)*P(E)*C(E)+N(E)
ここで、畳み込みP(E)*C(E)は、コア電子の散乱前又は後にプラズモンと散乱するビーム中の電子の寄与を表す。
SCLP(E)=R(E)*C(E)+R(E)*P(E)*C(E)+N(E)
他方、上述の放射線センサはスペクトルのPRP部分を記録する。
SPRP(E)=R(E)+R(E)*P(E)+N(E)
検出器とセンサで記録されたスペクトルはいずれも、次式に従ってエネルギードメインEから周波数ドメインwへフーリエ変換される。
S(w)=∫S(E)exp(2πEw)dE
周知であるように、フーリエ変換は、エネルギードメインでのコンボリューションを、周波数ドメインにおいて単純な積に変換する。フーリエ変換の結果、次式が得られる。
SCLP(w)=R(w)*C(w)+R(w)*P(w)*C(w)+N(w)
SPRP(w)=R(w)+R(w)*P(w)+N(w)
よって「裸の」コアロススペクトルは、検出器信SCLP(w)を号センサ信号SPRP(w)で除することによって得ることができる。
SCLP(w)/SPRP(w)
=[R(w)*C(w)+R(w)*P(w)*C(w)+N(w)]/[R(w)+R(w)*P(w)+N(w)]
=C(w)+N(w)[1−C(w)]/[R(w)+R(w)*P(w)+N(w)]
最後の式の第1項は理想的な裸のコアロススペクトルを表す。第2項は、測定でのノイズに起因するこのコアロススペクトルの不確実性を表す。周波数wが低い場合、ノイズN(w)は一般的に、ZLP信号R(w)よりもはるかに小さい。つまりN(w)<<R(w)である。そのためこの第2項の寄与は無視できる。周波数wが高い場合、ノイズN(w)は顕著になる。そのためある種の正則化がこの項に適用されなければならない。そのような正則化法は、当業者には既知である。既知の正則化法の一例は、系の(推定)エネルギー分解能に対応する周波数w0を超えた周波数で(滑らかに)ゼロになるローパスフィルタ関数f(w)をSCLP(w)/SPRP(w)に乗じることである。既知の正則化法の他の例は、「ベイズデコンボリューション」である。「ベイズデコンボリューション」では、既知の(又は推定された)サイズのノイズが与えられ、かつ、フィッティング関数が可能な限り滑らかであるという条件が与えられた場合にデータを最適にフィッティングさせるフィッティング関数が反復的にSCLP(w)/SPRP(w)に接近する。
4 荷電粒子ビーム源
6 電子光学照射体
P 試料
8 電子光学軸
10 試料ホルダ
12 設置装置(台)
14 冷却装置
22 解析装置
24 結像系
26 蛍光スクリーン
28 矢印
D 検出器
50 制御装置
50’ 制御ライン(バス)
7 アパーチャ素子
7a プレート
7a’ エッジ
7b プレート
7b’ エッジ
9 電子光学系
7c アクチュエータ
S 放射線センサ
5 サブビーム群
3 分散素子
1 電子束
5b1 電子束の選ばれた領域
5b2 電子束の選ばれた領域
31 プラズモン共鳴ピーク
33 バックグラウンド
Claims (10)
- 試料を保持する試料ホルダ;
荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム源;
前記試料へ照射するように前記荷電粒子ビームを案内する照射体;
前記試料を透過する荷電粒子束を、前記荷電粒子束をエネルギー分解されたスペクトルサブビームの群へ分散する分散素子を有する分光装置へ案内する結像系、
を有する透過型荷電粒子顕微鏡内で分光を実行する方法であって、
− 調節可能なアパーチャ素子を用いて、前記群の第1部分を検出器へ向かわせることを許容する一方、前記群の第2部分を阻止する段階;
− 前記荷電粒子束内であって前記アパーチャ素子の上流に放射線センサを供する段階;
− 前記検出器によって前記第1部分を検出するのと同時に、前記放射線センサを用いて前記群の第2部分の選ばれた領域内での局在化された放射線センシングを実行する段階;
− 前記放射線センサからのセンシング結果を用いて前記検出器からの検出結果を調節する段階、
を有することを特徴とする方法。 - 前記分光装置がEELS装置で、
前記第1部分はEELSコアロスピークを有し、
前記の選ばれた領域は、EELSゼロロスピークとEELSプラズモン共鳴ピークを有する群から選ばれる特徴を有する、
請求項1に記載の方法。 - 前記放射線センサが、少なくとも前記分散素子の分散方向に対して平行な方向で可動である、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記調節可能なアパーチャ素子が、第1端部を有する第1プレート及び第2端部を有する第2プレートを含み、前記第1端部と第2端部は介在ギャップ(アパーチャ)を超えて互いに対向し、少なくとも前記第1プレートは、前記ギャップを調節するように前記第1プレートを前記第2プレートに対して動かすのに用いられ得るアクチュエータに接続される、請求項1乃至3のうちいずれか一項に記載の方法。
- 前記放射線センサが、前記検出器から離れ、かつ、前記第1端部に隣接する前記第1プレートの面に取り付けられる、請求項4に記載の方法。
- 前記放射線センサが、前記分散素子の分散方向に対して実質的に垂直な横方向に延びるように配置される、請求項1乃至5のうちいずれか一項に記載の方法。
- 前記検出結果の調節が:
前記センシング結果を用いた前記検出結果と、数学的デコンボリューション処理への入力としての前記検出結果のデコンボリューションを行う段階;
前記検出結果における装置関連伝達関数の寄与を補正する段階;
前記検出結果の絶対エネルギースケールを決定する段階;
前記検出結果の絶対強度スケールを決定する段階、
のうちの少なくとも1つを有する、請求項1乃至6のうちいずれか一項に記載の方法。 - 前記センシング結果が、前記荷電粒子ビーム源、照射体、結像系、及び分散素子のうちの少なくとも1つに接続される電源の出力を調節するためのフィードバックループとして用いられる、請求項1乃至7のうちいずれか一項に記載の方法。
- 前記検出結果の積分強度が、前記センシング結果の積分強度と比較されることで、前記試料の厚さの値が導かれる、請求項1乃至8のうちいずれか一項に記載の方法。
- 試料を保持する試料ホルダ;
荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム源;
前記試料へ照射するように前記荷電粒子ビームを案内する照射体;
前記試料を透過する荷電粒子束を、前記荷電粒子束をエネルギー分解されたスペクトルサブビームの群へ分散する分散素子と検出器を有する分光装置へ案内する結像系;
制御命令を実行する制御装置、を有する透過型荷電粒子顕微鏡であって、
前記分光装置が:
前記群の第1部分を検出器へ向かわせることを許容する一方、前記群の第2部分を阻止する調節可能なアパーチャ素子;及び、
前記荷電粒子束内であって前記アパーチャ素子の上流に供される放射線センサ、を有し、
前記制御装置が:
前記検出器によって前記第1部分を検出するのと同時に、前記放射線センサを用いて前記群の第2部分の選ばれた領域内での局在化された放射線センシングを実行する段階;
前記放射線センサからのセンシング結果を用いて前記検出器からの検出結果を調節する段階、
を実行するように構成される、ことを特徴とする透過型荷電粒子顕微鏡。
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