JP3240730B2 - イオンビーム装置、及びイオンビーム装置による加工条件表示方法 - Google Patents
イオンビーム装置、及びイオンビーム装置による加工条件表示方法Info
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- JP3240730B2 JP3240730B2 JP04626093A JP4626093A JP3240730B2 JP 3240730 B2 JP3240730 B2 JP 3240730B2 JP 04626093 A JP04626093 A JP 04626093A JP 4626093 A JP4626093 A JP 4626093A JP 3240730 B2 JP3240730 B2 JP 3240730B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＦＩＢを利用したデバ
イスの加工装置における加工条件の表示方法に関する。
イスの加工装置における加工条件の表示方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術は、プロシーディング オブ
インターナショナル リライアビリティー フィジィッ
クス シンポジウム、（１９８９年）第４３頁から第５
２頁（Proceedings of International Reliability Phy
sics Symposium,(1989)pp.43−52)に記載されている。
インターナショナル リライアビリティー フィジィッ
クス シンポジウム、（１９８９年）第４３頁から第５
２頁（Proceedings of International Reliability Phy
sics Symposium,(1989)pp.43−52)に記載されている。
【０００３】上記論文では、図３に示すようにＦＩＢを
利用してデバイスのＳＩＭ像を基に加工領域（破線で囲
んだ領域）を設定し、加工を実施している。
利用してデバイスのＳＩＭ像を基に加工領域（破線で囲
んだ領域）を設定し、加工を実施している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＦＩＢ加工装置におい
てビーム電流（ビーム径）を切り替える手段としては、
ビームの開き角を制限する絞りの大きさを切り替える手
段が一般的である。しかし、複数の絞りをＦＩＢ光軸に
中心を合わせて再現性良く動かすのは困難である。その
ため絞りを切り替えた場合フォーカス状態やビーム位置
が変化してしまう。従って、従来例で述べた加工領域の
設定のためのＳＩＭ像は加工時と同じビーム条件で撮っ
たものを使用する必要があり、ビームを切り替えて複数
の領域の加工を実施する場合は、ビームを切り替える毎
にＳＩＭ像を撮りなおして、加工領域の設定をしなおす
必要があり、複数の領域の連続加工には対応できないと
いう欠点があった。
てビーム電流（ビーム径）を切り替える手段としては、
ビームの開き角を制限する絞りの大きさを切り替える手
段が一般的である。しかし、複数の絞りをＦＩＢ光軸に
中心を合わせて再現性良く動かすのは困難である。その
ため絞りを切り替えた場合フォーカス状態やビーム位置
が変化してしまう。従って、従来例で述べた加工領域の
設定のためのＳＩＭ像は加工時と同じビーム条件で撮っ
たものを使用する必要があり、ビームを切り替えて複数
の領域の加工を実施する場合は、ビームを切り替える毎
にＳＩＭ像を撮りなおして、加工領域の設定をしなおす
必要があり、複数の領域の連続加工には対応できないと
いう欠点があった。
【０００５】本発明の目的は、ビームを切り替えながら
の複数の領域の連続加工を行なう際に、個々の加工領域
に対する加工条件を容易に認識できる方法を提供するこ
とにある。
の複数の領域の連続加工を行なう際に、個々の加工領域
に対する加工条件を容易に認識できる方法を提供するこ
とにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、集束イオンビームを利用してデバイス
を加工する装置において、ＣＲＴ上に表示したＦＩＢの
偏向可能領域内に、ＦＩＢで加工する領域を示す面領域
で該面領域内に加工条件を反映させた色と模様を持つ加
工パターンを、走査イオン顕微鏡像上に重ねて表示す
る。
に、本発明では、集束イオンビームを利用してデバイス
を加工する装置において、ＣＲＴ上に表示したＦＩＢの
偏向可能領域内に、ＦＩＢで加工する領域を示す面領域
で該面領域内に加工条件を反映させた色と模様を持つ加
工パターンを、走査イオン顕微鏡像上に重ねて表示す
る。
【０００７】
【作用】上記手段により、加工すべき領域及び使用する
ビームの条件をＣＲＴ上で容易に認識可能となる。
ビームの条件をＣＲＴ上で容易に認識可能となる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図を用いて説明す
る。図２は実施例で用いたＦＩＢ加工装置の構成図であ
る。液体金属イオン源１００から放出したイオンビーム
はコンデンサーレンズ１０１と対物レンズ１０７により
試料１１２上に集束する。ビーム加速電圧は３０ｋＶで
ある。前述の各レンズ間には可変アパーチャー１０２，
アライナー・スティグマー１０３，ブランカー１０４，
ブランキング・アパーチャー１０５，デフレクター１０
６が配置されている。試料１１２はステージ１０８によ
り移動できる。ＦＩＢ照射により試料１１２から発生し
た二次電子は、二次電子検出器１０９により検出・増幅
され、偏向制御と同期されることにより、コンピュータ
のＣＲＴ上にＳＩＭ像として表示される。
る。図２は実施例で用いたＦＩＢ加工装置の構成図であ
る。液体金属イオン源１００から放出したイオンビーム
はコンデンサーレンズ１０１と対物レンズ１０７により
試料１１２上に集束する。ビーム加速電圧は３０ｋＶで
ある。前述の各レンズ間には可変アパーチャー１０２，
アライナー・スティグマー１０３，ブランカー１０４，
ブランキング・アパーチャー１０５，デフレクター１０
６が配置されている。試料１１２はステージ１０８によ
り移動できる。ＦＩＢ照射により試料１１２から発生し
た二次電子は、二次電子検出器１０９により検出・増幅
され、偏向制御と同期されることにより、コンピュータ
のＣＲＴ上にＳＩＭ像として表示される。
【０００９】図１は本発明を利用した加工条件表示方法
を示すデバイス上面図である。以下、順を追って説明す
る。図１は（１）ＬＳＩ表面のＳＩＭ像である。（２）
はＳＩＭ像上に加工領域を示す加工パターン１〜５を重
ねて表示した様子を示している。加工パターン１では可
変アパーチャーを３０μｍ角とし、ビーム電流４００ｐ
Ａ，ビーム径０．１μｍ のＦＩＢを使用するものと
し、加工領域を示す枠の太さは画面上に１pixel で表示
する。加工パターン２では可変アパーチャーを100μｍ
角の中間的な値とし、ビーム電流１.６ｎＡ，ビーム径
０.２μｍのＦＩＢを使用するものとし、加工領域を示
す枠の太さは画面上に５pixelsで表示する。このとき、
枠の外側の縁が加工する領域を表している。加工パター
ン３では可変アパーチャーを４００μｍ角とし、ビーム
電流２０ｎＡ，ビーム径０.７μｍ の大電流ＦＩＢを使
用するものとし、加工領域を示す枠の太さは画面上に１
０pixelsで表示する。このとき、枠の外側の縁が加工す
る領域を表している。
を示すデバイス上面図である。以下、順を追って説明す
る。図１は（１）ＬＳＩ表面のＳＩＭ像である。（２）
はＳＩＭ像上に加工領域を示す加工パターン１〜５を重
ねて表示した様子を示している。加工パターン１では可
変アパーチャーを３０μｍ角とし、ビーム電流４００ｐ
Ａ，ビーム径０．１μｍ のＦＩＢを使用するものと
し、加工領域を示す枠の太さは画面上に１pixel で表示
する。加工パターン２では可変アパーチャーを100μｍ
角の中間的な値とし、ビーム電流１.６ｎＡ，ビーム径
０.２μｍのＦＩＢを使用するものとし、加工領域を示
す枠の太さは画面上に５pixelsで表示する。このとき、
枠の外側の縁が加工する領域を表している。加工パター
ン３では可変アパーチャーを４００μｍ角とし、ビーム
電流２０ｎＡ，ビーム径０.７μｍ の大電流ＦＩＢを使
用するものとし、加工領域を示す枠の太さは画面上に１
０pixelsで表示する。このとき、枠の外側の縁が加工す
る領域を表している。
【００１０】前述の加工パターン１〜３で指定した各Ｆ
ＩＢを用いて、加工領域を走査する場合に、画面の横方
向に高速で走査しながら縦方向に走査する場合は加工パ
ターン１に示すように加工領域内に横縞の模様を表示す
る。同様にして、画面の縦方向に高速で走査しながら横
方向に走査する場合は加工パターン２に示すように加工
領域内に縦縞の模様を表示する。このような表示を行う
ことによって、イオンビームによる断面加工観察を行う
のに、断面加工によって試料からスパッタされる粒子の
観察面への再付着を極力抑制できるような走査方向で、
加工領域を設定することが容易になる。
ＩＢを用いて、加工領域を走査する場合に、画面の横方
向に高速で走査しながら縦方向に走査する場合は加工パ
ターン１に示すように加工領域内に横縞の模様を表示す
る。同様にして、画面の縦方向に高速で走査しながら横
方向に走査する場合は加工パターン２に示すように加工
領域内に縦縞の模様を表示する。このような表示を行う
ことによって、イオンビームによる断面加工観察を行う
のに、断面加工によって試料からスパッタされる粒子の
観察面への再付着を極力抑制できるような走査方向で、
加工領域を設定することが容易になる。
【００１１】加工を実施するモードとして、ＦＩＢ照射
によるスパッタリング加工を行なう場合、堆積させたい
元素を含むガスを試料表面近くに吹き付けながらＦＩＢ
を照射して目的元素を堆積させるデポジッション加工を
行なう場合、腐食性ガスを試料表面近くに吹き付けなが
ＦＩＢを照射するアシストエッチング加工を行なう場合
で、各々加工パターン１〜３に表示した縞模様の色を、
青，橙，緑に変えるようにしてある。
によるスパッタリング加工を行なう場合、堆積させたい
元素を含むガスを試料表面近くに吹き付けながらＦＩＢ
を照射して目的元素を堆積させるデポジッション加工を
行なう場合、腐食性ガスを試料表面近くに吹き付けなが
ＦＩＢを照射するアシストエッチング加工を行なう場合
で、各々加工パターン１〜３に表示した縞模様の色を、
青，橙，緑に変えるようにしてある。
【００１２】加工領域内を加工するときの加工深さある
いは堆積高さが、０から５μｍの場合、５から１０μｍ
の場合、１０μｍ以上の場合で、各々加工パターン１〜
３に表示した縞模様の色の濃さを、薄い，中間，濃いの
３段階に変えて表示する。
いは堆積高さが、０から５μｍの場合、５から１０μｍ
の場合、１０μｍ以上の場合で、各々加工パターン１〜
３に表示した縞模様の色の濃さを、薄い，中間，濃いの
３段階に変えて表示する。
【００１３】加工パターン４および５については、加工
パターン４を加工してから加工パターン５を加工するこ
とが分かるように加工パターン４の上に加工パターン５
を重ねて表示する。
パターン４を加工してから加工パターン５を加工するこ
とが分かるように加工パターン４の上に加工パターン５
を重ねて表示する。
【００１４】上記実施例では、加工領域を示す枠線を加
工指定領域の内側に表示したが、単純に使用するＦＩＢ
に応じて枠線の太さを変えて加工指定領域からはみ出し
ても良い。ビームの太さが完全にＣＲＴ上に再現できる
場合や、線加工を実施する場合に、実際に加工される領
域が確認できるので有効である。
工指定領域の内側に表示したが、単純に使用するＦＩＢ
に応じて枠線の太さを変えて加工指定領域からはみ出し
ても良い。ビームの太さが完全にＣＲＴ上に再現できる
場合や、線加工を実施する場合に、実際に加工される領
域が確認できるので有効である。
【００１５】また、上記実施例で加工モードに応じて加
工パターン内の縞模様の縞の色を変えたが、これは、縞
の線の色を白に固定し、加工モードに応じて加工パター
ン内の下地の色を変えても良い。
工パターン内の縞模様の縞の色を変えたが、これは、縞
の線の色を白に固定し、加工モードに応じて加工パター
ン内の下地の色を変えても良い。
【００１６】さらに、上記実施例では加工深さあるいは
堆積高さに応じて加工パターン内の縞模様の色の濃さ変
えたが、これは、単位面積あたりに照射したイオンの個
数（ドーズ量）に応じて色の濃さ変えるようにしても良
い。
堆積高さに応じて加工パターン内の縞模様の色の濃さ変
えたが、これは、単位面積あたりに照射したイオンの個
数（ドーズ量）に応じて色の濃さ変えるようにしても良
い。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、加工すべき領域及び使
用するビームの条件をＣＲＴ上で容易に認識可能とな
る。
用するビームの条件をＣＲＴ上で容易に認識可能とな
る。
【図１】本発明の実施例の加工条件表示方法を示すデバ
イス上面図である。
イス上面図である。
【図２】本発明の実施例で使用した集束イオンビーム加
工装置の構成図である。
工装置の構成図である。
【図３】従来技術の説明図である。
１〜５…加工パターン、１００…液体金属イオン源、１
０１…コンデンサーレンズ、１０２…可変アパーチャ
ー、１０３…アライナー・スティグマー、１０４…ブラ
ンカー、１０５…ブランキング・アパーチャー、１０６
…デフレクター、１０７…対物レンズ、１０８…ステー
ジ、１０９…二次電子検出器、１１２…試料。
０１…コンデンサーレンズ、１０２…可変アパーチャ
ー、１０３…アライナー・スティグマー、１０４…ブラ
ンカー、１０５…ブランキング・アパーチャー、１０６
…デフレクター、１０７…対物レンズ、１０８…ステー
ジ、１０９…二次電子検出器、１１２…試料。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−36810（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−239557（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−37718（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−6094（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 H01J 37/22 H01J 37/30
Claims (8)
- 【請求項１】集束イオンビーム(Focused Ion Beam：略
してＦＩＢ)を利用してデバイスを加工する装置におい
て、ＣＲＴ上に表示したＦＩＢの偏向可能領域内に、Ｆ
ＩＢで加工する領域を示す面領域で該面領域内に加工条
件を反映させた色と模様を持つ加工パターンを、走査イ
オン顕微鏡(Scanning Ion Microscope：略してＳＩＭ)
像上に重ねて表示することを特徴とする加工条件表示方
法。 - 【請求項２】 請求項１において、複数の加工パターンを
表示する場合に、加工する順番が後のものほど上に重ね
て表示することを特徴とする加工条件表示方法。 - 【請求項３】 請求項１または２において、使用するビー
ムのビーム電流（ビーム径）に応じてＣＲＴ上の加工パ
ターンの枠の太さを切り替えるようにしたことを特徴と
する加工条件表示方法。 - 【請求項４】 請求項１または２において、使用するビー
ムの走査方向に応じてＣＲＴ上の加工パターン内の模様
を切り替えるようにしたことを特徴とする加工条件表示
方法。 - 【請求項５】 請求項１または２において、加工モード
（スパッタリング／デポジッション／アシストエッチン
グ）に応じてＣＲＴ上の加工パターン内の模様の色を切
り替えるようにしたことを特徴とする加工条件表示方
法。 - 【請求項６】 請求項１または２において、加工深さある
いは堆積高さに応じてＣＲＴ上の加工パターン内の模様
の色の濃さを切り替えるようにしたことを特徴とする加
工条件表示方法。 - 【請求項７】 イオン源と、当該イオン源から放出される
イオンビームの照射条件を調節するイオンビーム光学系
と、前記イオンビームの試料に対する照射によって得ら
れた二次荷電粒子に基づいて試料像を表示する表示装置
と、当該表示装置で前記イオンビームによる加工領域を
表示する加工領域表示手段とを備え、前記イオンビーム
の照射条件に応じて前記加工領域を異なる表示形態で、
且つ前記イオンビームの走査によって得られた走査イオ
ン顕微鏡像に重ねて表示することを特徴とするイオンビ
ーム装置。 - 【請求項８】 イオン源と、イオン源より放出されるイオ
ンビームを試料上で走査するデフレクターと、前記イオ
ンビームの試料に対する照射によって得られる二次荷電
粒子に基づいて試料像を表示する表示装置を備えたイオ
ンビーム装置において、前記表示装置上に加工領域を表
示する手段を備え、当該手段は前記表示装置の横方向
に、縦方向の走査より高速に走査する場合は、前記加工
領域内に横縞を表示し、前記表示装置の縦方向に、横方
向の走査より高速に走査する場合は、前記加工領域内に
縦縞を表示することを特徴とするイオンビーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04626093A JP3240730B2 (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | イオンビーム装置、及びイオンビーム装置による加工条件表示方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04626093A JP3240730B2 (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | イオンビーム装置、及びイオンビーム装置による加工条件表示方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260399A JPH06260399A (ja) | 1994-09-16 |
| JP3240730B2 true JP3240730B2 (ja) | 2001-12-25 |
Family
ID=12742239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04626093A Expired - Lifetime JP3240730B2 (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | イオンビーム装置、及びイオンビーム装置による加工条件表示方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3240730B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8912487B2 (en) | 2009-10-23 | 2014-12-16 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam device, position specification method used for charged particle beam device, and program |
-
1993
- 1993-03-08 JP JP04626093A patent/JP3240730B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8912487B2 (en) | 2009-10-23 | 2014-12-16 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam device, position specification method used for charged particle beam device, and program |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06260399A (ja) | 1994-09-16 |
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