JPS627540B2 - - Google Patents
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- JPS627540B2 JPS627540B2 JP5711379A JP5711379A JPS627540B2 JP S627540 B2 JPS627540 B2 JP S627540B2 JP 5711379 A JP5711379 A JP 5711379A JP 5711379 A JP5711379 A JP 5711379A JP S627540 B2 JPS627540 B2 JP S627540B2
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- defect
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
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- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はLSI製造用フオトマスクに存在する欠
陥を修正するフオトマスクの欠陥修正方法に関す
るものである。
陥を修正するフオトマスクの欠陥修正方法に関す
るものである。
フオト・マスクを製作するときごみやほこり等
の影響で第１図に示すように基板ガラス１の上に
つけられた正常なCrパターン２の中にCrが欠落
した白点欠陥３ができる。この白点欠陥を修正す
る方法としては次のような方法が知られている。
即ち第２図ａに示すようにフオトレジスト４を塗
布し、スポツト照射光５によつて白点欠陥部分を
選択的に露光し、現像すると露光された部分だけ
が洗い流されて第２図ｂのようになる。この上か
ら追加Cr膜６をスパツタ蒸着して第２図ｃのよ
うにしたのち、フオトレジスト４を取り去ると、
フオトレジスト４の上についていた追加Cr膜６
は除かれ、白点欠陥部３をうめるように蒸着され
ていた追加Cr膜６の一部だけが第２図ｄに示す
ように修正Cr膜７として残り、白点欠陥の修正
が完了する。
の影響で第１図に示すように基板ガラス１の上に
つけられた正常なCrパターン２の中にCrが欠落
した白点欠陥３ができる。この白点欠陥を修正す
る方法としては次のような方法が知られている。
即ち第２図ａに示すようにフオトレジスト４を塗
布し、スポツト照射光５によつて白点欠陥部分を
選択的に露光し、現像すると露光された部分だけ
が洗い流されて第２図ｂのようになる。この上か
ら追加Cr膜６をスパツタ蒸着して第２図ｃのよ
うにしたのち、フオトレジスト４を取り去ると、
フオトレジスト４の上についていた追加Cr膜６
は除かれ、白点欠陥部３をうめるように蒸着され
ていた追加Cr膜６の一部だけが第２図ｄに示す
ように修正Cr膜７として残り、白点欠陥の修正
が完了する。
この方法は、白点欠陥の修正にしか使用できな
いことと、ウエツトプロセスであるため、多くの
工程を要するなどの欠点がある。
いことと、ウエツトプロセスであるため、多くの
工程を要するなどの欠点がある。
本発明の日的は、上記した従来技術の欠点をな
くし、フオト・マスクの欠落した白点欠陥を能率
良く、しかも洗浄に十分耐えうるようにして修正
できるようにしたフオトマスクの欠陥修正方法を
提供するにある。
くし、フオト・マスクの欠落した白点欠陥を能率
良く、しかも洗浄に十分耐えうるようにして修正
できるようにしたフオトマスクの欠陥修正方法を
提供するにある。
即ち本発明は白点欠陥部分にイオンビームを照
射して投影像に実効的に影が生じるように基板ガ
ラスの表面を荒らして修正を行なうようにするこ
とを特徴とするものである。
射して投影像に実効的に影が生じるように基板ガ
ラスの表面を荒らして修正を行なうようにするこ
とを特徴とするものである。
以下本発明を図に示す実施例にもとづいて具体
的に説明する。第３図は本発明のフオト・マスク
の白点欠陥修正方法の一実施例を示す説明図であ
る。即ちイオン銃８から出たイオンビーム２５は
コンデンサレンズ９により一旦絞られ、対物絞り
１０を通過し、偏向電極１１で偏向されて、対物
レンズ１３で集束されてXYテーブル１５の上に
おかれたフオト・マスク１４上に照射される。
的に説明する。第３図は本発明のフオト・マスク
の白点欠陥修正方法の一実施例を示す説明図であ
る。即ちイオン銃８から出たイオンビーム２５は
コンデンサレンズ９により一旦絞られ、対物絞り
１０を通過し、偏向電極１１で偏向されて、対物
レンズ１３で集束されてXYテーブル１５の上に
おかれたフオト・マスク１４上に照射される。
フオト・マスク１４はシールド電極１６に覆わ
れており、イオンビームを照射された部分からは
二次荷電粒子が飛び出し、二次荷電粒子検出器１
７に捕捉され、その信号は増巾器１８で増巾さ
れ、CRT１９に送られ、偏向電極１１を駆動し
ている走査電源からの信号とともにCRT１９の
スクリーン上にフオトマスク７の欠陥部分の表面
状態が表示される。この表面状態は光学顕微鏡２
０によつて観察することもできる。フオト・マス
ク１４の欠陥部分の位置出しはXYテーブル制御
部２１によつて行われ、このXYテーブル制御部
２１はフオト・マスク検査機（図示せず）によつ
て得られたフオトマスクの欠陥番地を記録したカ
セツト・テープ２２を装着して駆動させる。
れており、イオンビームを照射された部分からは
二次荷電粒子が飛び出し、二次荷電粒子検出器１
７に捕捉され、その信号は増巾器１８で増巾さ
れ、CRT１９に送られ、偏向電極１１を駆動し
ている走査電源からの信号とともにCRT１９の
スクリーン上にフオトマスク７の欠陥部分の表面
状態が表示される。この表面状態は光学顕微鏡２
０によつて観察することもできる。フオト・マス
ク１４の欠陥部分の位置出しはXYテーブル制御
部２１によつて行われ、このXYテーブル制御部
２１はフオト・マスク検査機（図示せず）によつ
て得られたフオトマスクの欠陥番地を記録したカ
セツト・テープ２２を装着して駆動させる。
この欠陥位置出し指令や、ビーム駆動電源２３
を通したイオン銃８からのイオンの発生やコンデ
ンサレンズ９、対物レンズ１３の制御や走査電源
１２による偏向電極の駆動はすべてコントロール
盤２４によつて行うことができる。
を通したイオン銃８からのイオンの発生やコンデ
ンサレンズ９、対物レンズ１３の制御や走査電源
１２による偏向電極の駆動はすべてコントロール
盤２４によつて行うことができる。
フオト・マスク修正の過程は次のようになる。
先ずカセツトテープ２２からの情報により欠陥部
の位置出しを行なう。次にこの像をCRT１９で
見て、照射すべきイオンビーム２５の走査範囲の
設定位置合せを行なう。次に欠陥の種類（黒点欠
陥か白点欠陥か）によつて必要なビーム強度と照
射時間を設定し、最後にイオンビーム照射のスタ
ート・ボタン押し、修正が始まる。修正が完了す
ると、次の欠陥位置を呼び出すボタンを押す。こ
のようにして、テープに記録された欠陥を順次修
正していく。
先ずカセツトテープ２２からの情報により欠陥部
の位置出しを行なう。次にこの像をCRT１９で
見て、照射すべきイオンビーム２５の走査範囲の
設定位置合せを行なう。次に欠陥の種類（黒点欠
陥か白点欠陥か）によつて必要なビーム強度と照
射時間を設定し、最後にイオンビーム照射のスタ
ート・ボタン押し、修正が始まる。修正が完了す
ると、次の欠陥位置を呼び出すボタンを押す。こ
のようにして、テープに記録された欠陥を順次修
正していく。
第４図は本発明のイオンビームによるフオトマ
スクの白点欠陥修正例の説明図である。第４図ａ
において、基板ガラス１の上の正常Crパターン
２の中にCrが欠落して発生した白点欠陥３にイ
オンビーム２５を照射することにより、第４図ｂ
に示すようにガラス面を２６で示すようにのこ波
状に荒らして投影した場合Cr膜があるのと同じ
ように影が生じるようにする。即ち基板ガラス１
が露出した部分を１μｍピツチ程度で直線または
網目状のすじを入れるようにイオンビーム２５を
走査し、基板ガラス１の表面をのこ波状に加工す
る。また白点欠陥３が非常に小さい場合は、そこ
の部分にイオンビーム２５をスポツト照射する
と、第４図ｃに示すようにビームの強度分布（通
常ガウス分布）に対応した丸い深い堀り込み２７
ができ、同様に照明光を散乱させ、欠陥のない投
影像が得られる。このように２６または２７で示
されるように白点欠陥３が修正される。
スクの白点欠陥修正例の説明図である。第４図ａ
において、基板ガラス１の上の正常Crパターン
２の中にCrが欠落して発生した白点欠陥３にイ
オンビーム２５を照射することにより、第４図ｂ
に示すようにガラス面を２６で示すようにのこ波
状に荒らして投影した場合Cr膜があるのと同じ
ように影が生じるようにする。即ち基板ガラス１
が露出した部分を１μｍピツチ程度で直線または
網目状のすじを入れるようにイオンビーム２５を
走査し、基板ガラス１の表面をのこ波状に加工す
る。また白点欠陥３が非常に小さい場合は、そこ
の部分にイオンビーム２５をスポツト照射する
と、第４図ｃに示すようにビームの強度分布（通
常ガウス分布）に対応した丸い深い堀り込み２７
ができ、同様に照明光を散乱させ、欠陥のない投
影像が得られる。このように２６または２７で示
されるように白点欠陥３が修正される。
なお残留欠陥である黒点欠陥も前記装置でCr
膜を除去するに必要なイオンビーム２５の照射時
間に設定し、残留Cr膜を覆う面積をイオンビー
ム２５で走査してやると除去修正できる。特に
Cr膜の除去速度は500Å／分程度であるので表面
から順に除去し、CRT１１でみながら除去が完
了するまでイオンビーム２５を照射する。
膜を除去するに必要なイオンビーム２５の照射時
間に設定し、残留Cr膜を覆う面積をイオンビー
ム２５で走査してやると除去修正できる。特に
Cr膜の除去速度は500Å／分程度であるので表面
から順に除去し、CRT１１でみながら除去が完
了するまでイオンビーム２５を照射する。
以上説明したように本発明によれば欠落した白
点欠陥をドライ・プロセスで修正できるようにな
り、大巾な工程数の低減、及び工数の短縮をはか
れると共に洗浄に十分耐えうることができる顕著
な作用効果を奏する。
点欠陥をドライ・プロセスで修正できるようにな
り、大巾な工程数の低減、及び工数の短縮をはか
れると共に洗浄に十分耐えうることができる顕著
な作用効果を奏する。
第１図はフオトマスクの白点欠陥を示す断面
図、第２図ａ，ｂ，ｃ，ｄは従来のフオトマスク
の白点欠陥修正方法を説明するための断面図、第
３図は本発明のフオトマスクの白点欠陥修正方法
を実施するための装置を示す概略構成図、第４図
ａ，ｂ，ｃは本発明のフオトマスクの白点欠陥修
正方法を説明するための断面図である。 符号の説明、１……ガラス基板、２……正常
Crパターン、３……白点欠陥、８……イオン
銃、９……コンデンサレンズ、１０……対物絞
り、１１……偏向電極、１２……走査電源、１３
……対物レンズ、１４……フオトマスク、１７…
…二次荷電粒子検出器、１９……CRT、２５…
…イオンビーム。
図、第２図ａ，ｂ，ｃ，ｄは従来のフオトマスク
の白点欠陥修正方法を説明するための断面図、第
３図は本発明のフオトマスクの白点欠陥修正方法
を実施するための装置を示す概略構成図、第４図
ａ，ｂ，ｃは本発明のフオトマスクの白点欠陥修
正方法を説明するための断面図である。 符号の説明、１……ガラス基板、２……正常
Crパターン、３……白点欠陥、８……イオン
銃、９……コンデンサレンズ、１０……対物絞
り、１１……偏向電極、１２……走査電源、１３
……対物レンズ、１４……フオトマスク、１７…
…二次荷電粒子検出器、１９……CRT、２５…
…イオンビーム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ フオトマスクのパターン膜が欠落した白点欠
陥にイオンビームを照射してこの基板の面を荒ら
して修正することを特徴とするフオトマスク欠陥
修正方法。 ２ 直線または網目状のすじを入れて荒らすこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフオト
マスクの欠陥修正方法。 ３ のこ歯状に荒らすことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のフオトマスクの欠陥修正方
法。 ４ 深いほりこみでもつて荒らすことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のフオトマスクの欠
陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5711379A JPS55150225A (en) | 1979-05-11 | 1979-05-11 | Method of correcting white spot fault of photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5711379A JPS55150225A (en) | 1979-05-11 | 1979-05-11 | Method of correcting white spot fault of photomask |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61213821A Division JPS6285253A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | マスクの欠陥修正方法 |
| JP61213822A Division JPS6284518A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | イオンビ−ム加工装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55150225A JPS55150225A (en) | 1980-11-22 |
| JPS627540B2 true JPS627540B2 (ja) | 1987-02-18 |
Family
ID=13046463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5711379A Granted JPS55150225A (en) | 1979-05-11 | 1979-05-11 | Method of correcting white spot fault of photomask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55150225A (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55154733A (en) * | 1979-05-21 | 1980-12-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | Method of correcting defective mask |
| USRE33193E (en) * | 1981-09-30 | 1990-04-03 | Hitachi, Ltd. | Ion beam processing apparatus and method of correcting mask defects |
| JPS5856332A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Hitachi Ltd | マスクの欠陥修正方法 |
| JPS5893052A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-02 | Seiko Epson Corp | ホトマスク |
| JPS58196020A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-15 | Hitachi Ltd | マスクの欠陥検査・修正方法およびその装置 |
| JPS59168652A (ja) * | 1983-03-16 | 1984-09-22 | Hitachi Ltd | 素子修正方法及びその装置 |
| JPS59208830A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム加工方法およびその装置 |
| US4548883A (en) * | 1983-05-31 | 1985-10-22 | At&T Bell Laboratories | Correction of lithographic masks |
| JPS6094728A (ja) * | 1983-10-27 | 1985-05-27 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 荷電粒子ビームを用いた加工方法およびその装置 |
| JPS6312346Y2 (ja) * | 1984-10-03 | 1988-04-08 | ||
| JPS6186753A (ja) * | 1984-10-03 | 1986-05-02 | Seiko Instr & Electronics Ltd | マスク欠陥修正終了検出方法 |
| JPS61113234A (ja) * | 1984-11-08 | 1986-05-31 | Jeol Ltd | マスクの欠陥修正方法 |
| JPS6281640A (ja) * | 1985-10-07 | 1987-04-15 | Seiko Instr & Electronics Ltd | マスクリペア装置 |
| JPH0121307Y2 (ja) * | 1986-03-28 | 1989-06-26 | ||
| JPS62237454A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-17 | Hitachi Ltd | イオンビ−ムによるフオトマスクの白点欠陥修正方法 |
| JPS6310162A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-16 | Hoya Corp | フオトマスク |
| JPS63301952A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-12-08 | Seiko Instr & Electronics Ltd | イオンビーム加工方法およびその装置 |
| JPH0680662B2 (ja) * | 1987-12-02 | 1994-10-12 | 株式会社日立製作所 | Ｉｃ素子の修正方法 |
| JPH0680672B2 (ja) * | 1987-12-02 | 1994-10-12 | 株式会社日立製作所 | Ｉｃ素子の加工装置 |
| JPH01124857A (ja) * | 1988-09-30 | 1989-05-17 | Hitachi Ltd | イオンビーム加工装置 |
| JPH01124856A (ja) * | 1988-09-30 | 1989-05-17 | Hitachi Ltd | マスクの欠陥修正方法 |
| JP2710967B2 (ja) | 1988-11-22 | 1998-02-10 | 株式会社日立製作所 | 集積回路装置の製造方法 |
| JPH0260A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-01-05 | Hitachi Ltd | イオンビーム加工装置 |
-
1979
- 1979-05-11 JP JP5711379A patent/JPS55150225A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55150225A (en) | 1980-11-22 |
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