JPS6281640A - マスクリペア装置 - Google Patents
マスクリペア装置Info
- Publication number
- JPS6281640A JPS6281640A JP60222970A JP22297085A JPS6281640A JP S6281640 A JPS6281640 A JP S6281640A JP 60222970 A JP60222970 A JP 60222970A JP 22297085 A JP22297085 A JP 22297085A JP S6281640 A JPS6281640 A JP S6281640A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- scanning
- black defect
- circuit
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子製造用フォトマスクやレチクル（以
下マスクという）の不要不着パタン（以下黒色欠陥部と
いう）にイオンビームを走査しながら繰返し照射しエツ
チングにより黒色欠陥部を除去することによりマスクを
補修する装置（以下マスクリペア装置という）に関する
。
下マスクという）の不要不着パタン（以下黒色欠陥部と
いう）にイオンビームを走査しながら繰返し照射しエツ
チングにより黒色欠陥部を除去することによりマスクを
補修する装置（以下マスクリペア装置という）に関する
。
本発明はイオンビームを走査しながら繰返し照射してマ
スクの黒色欠陥部を除去するマスクリペア装置において
、黒色欠陥部の形状に合わせてイオンビームを照射しエ
ツチングした後エンチングにより変形縮小した黒色欠陥
部の形状に合わせて次のイオンビーム走査照射エツチン
グを行い、この操作を繰り返すことにより常に黒色欠陥
部のみをエツチングすることができ、イオンビームによ
り。
スクの黒色欠陥部を除去するマスクリペア装置において
、黒色欠陥部の形状に合わせてイオンビームを照射しエ
ツチングした後エンチングにより変形縮小した黒色欠陥
部の形状に合わせて次のイオンビーム走査照射エツチン
グを行い、この操作を繰り返すことにより常に黒色欠陥
部のみをエツチングすることができ、イオンビームによ
り。
基板表面や他の必要なパタンを損傷することがない。
従来のマスクリペア装置を第４図に示す。ｌはイオン源
及びイオン光学系であって収束イオンビーム２を発する
。３は走査電極であってイオンビーム２のスポットをマ
スク表面上の所望範囲で走査するためのものである。４
はマスクの基板であって通常透明なガラス板が使われる
。５はマスク基板４上の黒色欠陥であって通常クロム金
属膜の不要付着部分である。黒色欠陥５を含む固定され
た走査範囲６内でイオンビーム走査照射を繰り返し黒色
欠陥５のエツチング除去を行う。
及びイオン光学系であって収束イオンビーム２を発する
。３は走査電極であってイオンビーム２のスポットをマ
スク表面上の所望範囲で走査するためのものである。４
はマスクの基板であって通常透明なガラス板が使われる
。５はマスク基板４上の黒色欠陥であって通常クロム金
属膜の不要付着部分である。黒色欠陥５を含む固定され
た走査範囲６内でイオンビーム走査照射を繰り返し黒色
欠陥５のエツチング除去を行う。
しかしながら従来のマスクリペア装置には以下の問題点
があった。再び第４図に基づいて説明する。初期の黒色
欠陥５のイオンビーム走査照射エツチングを繰り返し行
っていくと、黒色欠陥５は均一の厚さを保ってエツチン
グされず、黒色欠陥５１の形状のように変形縮少エツチ
ングされていく。
があった。再び第４図に基づいて説明する。初期の黒色
欠陥５のイオンビーム走査照射エツチングを繰り返し行
っていくと、黒色欠陥５は均一の厚さを保ってエツチン
グされず、黒色欠陥５１の形状のように変形縮少エツチ
ングされていく。
これは初期の黒色欠陥５の膜厚やエツチング速度が場所
によって異なるからである。
によって異なるからである。
しかしイオンビーム２の走査範囲６は初期より固定され
ているため、黒色欠陥５のエツチングが進むに従い、基
板自体をエツチングしてしまい。
ているため、黒色欠陥５のエツチングが進むに従い、基
板自体をエツチングしてしまい。
透明であるべき基板平面４が不透明になってしまうとい
う問題点があった。
う問題点があった。
本発明は上記問題を解決することを目的とし。
そのために以下のマスクリペア装置構成手段を得た。第
２図に基づき説明する。第２図（Ａ）においてまず黒色
欠陥５を含む任意形状のイオンビーム走査範囲６をマニ
アルにより設定する。そして一度イオンビーム走査を行
い黒色欠陥５から放射する２次荷電粒子（例えばＣｒ＋
イオン）を検出して黒色欠陥５の形状を特定する。次に
第２図（Ｂ）において黒色欠陥５の部分のみにイオンビ
ームスポット７を照射してエツチングを行う。走査範囲
内の黒色欠陥の存在しない部分にはイオンビームスポッ
ト７を照射しない。同時に黒色欠陥５から発する２次イ
オンを検出することによりエツチング後の変形縮小した
黒色欠陥形状（第２図（Ｃ５５’）を特定する。そして
第２図（Ｃ）に示すように変形縮小した黒色欠陥５１の
みにイオンビームスポット７を照射する。この走査を繰
り返し第２図（Ｄ）に示すように序々に黒色欠陥部５′
をエツチングしていく。そして黒色欠陥５′から２次イ
オンが検出されなくなったらエツチング加工を終了する
。
２図に基づき説明する。第２図（Ａ）においてまず黒色
欠陥５を含む任意形状のイオンビーム走査範囲６をマニ
アルにより設定する。そして一度イオンビーム走査を行
い黒色欠陥５から放射する２次荷電粒子（例えばＣｒ＋
イオン）を検出して黒色欠陥５の形状を特定する。次に
第２図（Ｂ）において黒色欠陥５の部分のみにイオンビ
ームスポット７を照射してエツチングを行う。走査範囲
内の黒色欠陥の存在しない部分にはイオンビームスポッ
ト７を照射しない。同時に黒色欠陥５から発する２次イ
オンを検出することによりエツチング後の変形縮小した
黒色欠陥形状（第２図（Ｃ５５’）を特定する。そして
第２図（Ｃ）に示すように変形縮小した黒色欠陥５１の
みにイオンビームスポット７を照射する。この走査を繰
り返し第２図（Ｄ）に示すように序々に黒色欠陥部５′
をエツチングしていく。そして黒色欠陥５′から２次イ
オンが検出されなくなったらエツチング加工を終了する
。
イオンビーム走査照射によるエツチングに従って縮小変
形する黒色欠陥形状に合わせて逐次エツチングを行う。
形する黒色欠陥形状に合わせて逐次エツチングを行う。
以下本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
第１図は本発明にかかるマスクリペア装置の全体構成図
である。ｌはイオン源であってイオンビーム２を発生す
る。例えば液体金属カリウムイオン源が用いられる。８
はブランキング電極であって必要なとき強い偏向電界を
イオンビーム２に印加しイオンビームスポットをマスク
９の表面に照射しないようにする。３は走査電極であっ
てＸ及びＹ電極により構成されている。イオンビームス
ポットを離散的な点の連続としてマスク９の表面上のＸ
７面内でマスクスキャンするものである。
である。ｌはイオン源であってイオンビーム２を発生す
る。例えば液体金属カリウムイオン源が用いられる。８
はブランキング電極であって必要なとき強い偏向電界を
イオンビーム２に印加しイオンビームスポットをマスク
９の表面に照射しないようにする。３は走査電極であっ
てＸ及びＹ電極により構成されている。イオンビームス
ポットを離散的な点の連続としてマスク９の表面上のＸ
７面内でマスクスキャンするものである。
１０は対物レンズでイオンビーム２のスポットをマスク
９平面上に結像するものである。１１はＸ−Ｙステージ
であってマスク９を載置しＸ又はＹ方向に移動するもの
である。１２は検出器であってマスク９の表面からイオ
ンビーム２によってたたき出される２次荷電粒子１３（
マスクパタンがクロム金属膜より構成されているときは
Ｃｒイオン）の強度を検出する。このＣ「 イオン強度
の平面分布がマスクパタン形状に対応する。１４はＡ／
Ｄ 変換器であってＣｒ イオン強度のアナログデー
タをデジタルピットデータに変換する。この場合適切な
しきい値を設定する０ １５はパタン記憶回路であって
前記デジタルビットデータをビットマップメモリ上に記
憶する。１６は黒色欠陥パタン抽出回路であって、パタ
ン記憶回路１５のビットマツプメモリ上から黒色欠陥部
位を抽出する。１７はカウンタであって、イオンビーム
走査回数を計測する。１８はイオンビーム走査制御回路
であって黒色欠陥パタン抽出回路１６に接続されその出
力に応じてイオンビームの走査及び照射を制御する。
９平面上に結像するものである。１１はＸ−Ｙステージ
であってマスク９を載置しＸ又はＹ方向に移動するもの
である。１２は検出器であってマスク９の表面からイオ
ンビーム２によってたたき出される２次荷電粒子１３（
マスクパタンがクロム金属膜より構成されているときは
Ｃｒイオン）の強度を検出する。このＣ「 イオン強度
の平面分布がマスクパタン形状に対応する。１４はＡ／
Ｄ 変換器であってＣｒ イオン強度のアナログデー
タをデジタルピットデータに変換する。この場合適切な
しきい値を設定する０ １５はパタン記憶回路であって
前記デジタルビットデータをビットマップメモリ上に記
憶する。１６は黒色欠陥パタン抽出回路であって、パタ
ン記憶回路１５のビットマツプメモリ上から黒色欠陥部
位を抽出する。１７はカウンタであって、イオンビーム
走査回数を計測する。１８はイオンビーム走査制御回路
であって黒色欠陥パタン抽出回路１６に接続されその出
力に応じてイオンビームの走査及び照射を制御する。
１９は走査範囲指定回路でその出力はイオンビーム走査
制御回路１９に接続される。マニアル操作により黒色欠
陥を含む任意形状（例えば長方形）のイオンビーム走査
範囲を指定する。２０は走査回路であってイオンビーム
走査制御回路１８の出力端子に接続しており、その制御
に基づき、走査電極３に走査電圧Ｘ及びＹ’を供給する
。２１はブランキング電極駆動回路であって、イオンビ
ーム走査制御回路１８の出力に応じて、ブランキング電
極８に偏向電圧を供給する。ところでパタン記憶回路１
５．黒色欠陥パタン抽出回路１６．カウンタ１７．イオ
ンビーム走査制御回路１８及び走査範囲指定回路１９は
コンピュータ２２に内蔵されている。
制御回路１９に接続される。マニアル操作により黒色欠
陥を含む任意形状（例えば長方形）のイオンビーム走査
範囲を指定する。２０は走査回路であってイオンビーム
走査制御回路１８の出力端子に接続しており、その制御
に基づき、走査電極３に走査電圧Ｘ及びＹ’を供給する
。２１はブランキング電極駆動回路であって、イオンビ
ーム走査制御回路１８の出力に応じて、ブランキング電
極８に偏向電圧を供給する。ところでパタン記憶回路１
５．黒色欠陥パタン抽出回路１６．カウンタ１７．イオ
ンビーム走査制御回路１８及び走査範囲指定回路１９は
コンピュータ２２に内蔵されている。
次に本マスクリペア装置の動作を第３図のイオンビーム
走査制御フローチャート及び第１図に基づき説明する。
走査制御フローチャート及び第１図に基づき説明する。
まず外部の欠陥検査装置の情報に基づき、黒色欠陥を含
む任意形状の走査範囲をイオンビーム走査範囲として、
走査範囲指定回路１９にマニアルで人力する。次にイオ
ンビーム走査回路２０から走査電圧を走査電極３に供給
し、イオンビーム２を一度走査範囲全域に走査照射する
。
む任意形状の走査範囲をイオンビーム走査範囲として、
走査範囲指定回路１９にマニアルで人力する。次にイオ
ンビーム走査回路２０から走査電圧を走査電極３に供給
し、イオンビーム２を一度走査範囲全域に走査照射する
。
イオンビーム２によってマスク９の表面からたたき出さ
れた２次荷電粒子１３の強度分布を検出器１２で検出し
た後、 Ａ／Ｄ変換器１４で２次荷電粒子の強度アナロ
グデータをデジタルビットデータに変換し、パタン記憶
回路１５のメモリ上にビットマツプとして書き込む。こ
のビノトマクプは走査範囲内のマスクパタン形状を表現
している。次にカウンタ１７を初期化するためＪ−０を
セットする。次にビットマツプデータを黒色欠陥パタン
抽出回路１６で読み込み黒色欠陥パタンの存在する位置
をビットマツプメモリ上のアドレス信号として抽出する
。該アドレス情報に基づいてイオンビーム走査制御回路
１８が走査回路２０及びブランキング電極駆動回路２１
を制御し、黒色欠陥部のみにイオンビームスポット照射
する。又走査範囲内の他の部分にイオンビームスポット
の走査が来たら１強い偏向電界をブランキング電極に上
り印加し、実際にはイオンビームスポットが照射シない
ようにする。さて該イオンビームのエツチング操作によ
ってたたき出された２次荷電粒子を検出し、その結果ビ
ットマツプメモリのデータを更新しアップデートのもの
とする。このようにしてイオンビームの−通りの走査Ｃ
以下フレームという）が終了しだらカウンタ１７で計測
されるＪの値を１つインクリメントする。そして更新さ
れアップデートになったビットマツプメモリに基づいて
上記したイオンビームエツチング操作をＪが所定の数値
（例えば２０）になるまで繰り返すのである。このよう
にすれば常に黒色欠陥部のみにイオンビーム照射するこ
とができる。
れた２次荷電粒子１３の強度分布を検出器１２で検出し
た後、 Ａ／Ｄ変換器１４で２次荷電粒子の強度アナロ
グデータをデジタルビットデータに変換し、パタン記憶
回路１５のメモリ上にビットマツプとして書き込む。こ
のビノトマクプは走査範囲内のマスクパタン形状を表現
している。次にカウンタ１７を初期化するためＪ−０を
セットする。次にビットマツプデータを黒色欠陥パタン
抽出回路１６で読み込み黒色欠陥パタンの存在する位置
をビットマツプメモリ上のアドレス信号として抽出する
。該アドレス情報に基づいてイオンビーム走査制御回路
１８が走査回路２０及びブランキング電極駆動回路２１
を制御し、黒色欠陥部のみにイオンビームスポット照射
する。又走査範囲内の他の部分にイオンビームスポット
の走査が来たら１強い偏向電界をブランキング電極に上
り印加し、実際にはイオンビームスポットが照射シない
ようにする。さて該イオンビームのエツチング操作によ
ってたたき出された２次荷電粒子を検出し、その結果ビ
ットマツプメモリのデータを更新しアップデートのもの
とする。このようにしてイオンビームの−通りの走査Ｃ
以下フレームという）が終了しだらカウンタ１７で計測
されるＪの値を１つインクリメントする。そして更新さ
れアップデートになったビットマツプメモリに基づいて
上記したイオンビームエツチング操作をＪが所定の数値
（例えば２０）になるまで繰り返すのである。このよう
にすれば常に黒色欠陥部のみにイオンビーム照射するこ
とができる。
次にＪが指定の数値例えば２０になったとき。
すなわちイオンビーム走査を２０フレーム繰り返した後
に、再度イオンビーム走査指定範囲全域をイオンビーム
走査照射する。すなわちブランキング電極は作動させな
い。この走査によって得られたビノトマ７プデータと、
初期のピントマッフテータを比較する。もしズレが生じ
ている場合にはイオンビームスポット位置の経時変化が
生じているので、このズレを補正する。このイオンビー
ムスボンドの位置ズレは、液体金属イオン源に用いられ
るイオン引出電圧の変動、イオン光学系の帯電による空
間電界分布の歪み、イオン照射による試料の帯電に基づ
く空間電界分布の歪み等に起因する。
に、再度イオンビーム走査指定範囲全域をイオンビーム
走査照射する。すなわちブランキング電極は作動させな
い。この走査によって得られたビノトマ７プデータと、
初期のピントマッフテータを比較する。もしズレが生じ
ている場合にはイオンビームスポット位置の経時変化が
生じているので、このズレを補正する。このイオンビー
ムスボンドの位置ズレは、液体金属イオン源に用いられ
るイオン引出電圧の変動、イオン光学系の帯電による空
間電界分布の歪み、イオン照射による試料の帯電に基づ
く空間電界分布の歪み等に起因する。
さて、上記に述べたイオンピームエ、チング操作を繰り
返し、もはやビットマツプメモリ上で黒色欠陥の存在を
示す信号が全く無くなったとき。
返し、もはやビットマツプメモリ上で黒色欠陥の存在を
示す信号が全く無くなったとき。
エツチングを終了するのである０
〔発明の効果〕
本発明によれば黒色欠陥部の形状に合わせてイオンビー
ムを照射しエツチングした後エッチングにより変形縮小
した黒色欠陥部の形状に合わせて次のイオンビーム照射
エツチングを行い、この操作を繰り返すことにより、常
に黒色欠陥部のみをエツチングすることができ、イオン
ビームにより基板表面や他の必要なパタンを損傷するこ
とがないという効果がある。
ムを照射しエツチングした後エッチングにより変形縮小
した黒色欠陥部の形状に合わせて次のイオンビーム照射
エツチングを行い、この操作を繰り返すことにより、常
に黒色欠陥部のみをエツチングすることができ、イオン
ビームにより基板表面や他の必要なパタンを損傷するこ
とがないという効果がある。
また本発明によれば、イオンビーム走査照射による工、
チングの途中で、定期的にイオンビームスポットの位置
ズレを補正するので精密な黒色欠陥の補修ができるとい
う効果を有する。
チングの途中で、定期的にイオンビームスポットの位置
ズレを補正するので精密な黒色欠陥の補修ができるとい
う効果を有する。
また黒色欠陥が完全に除去されたことを確認して工、チ
ングを終了するので、エツチング残りを防止できるとい
う効果を有する。
ングを終了するので、エツチング残りを防止できるとい
う効果を有する。
第１図は本発明にかかるマスクリペア装置の全体構成図
、第２図Ａ−Ｂ−Ｃ及びＤは本発明にかかるマスクリペ
ア装置の動作原理図、第３図はイオンビーム走査制御フ
ローチャート及び第４図は従来のマスクリペア装置の説
明図である。 １ ・・・・・・ イオン源 ３ ・・・・・・走査電極 ８ ・・・・・・ ブランキング電極 １２ ・・・・・・検出器 １５ ・・・・・・ パタン記憶回路１６ ・・・
・・・ 黒色欠陥パタン抽出回路１７ ・・・・・・
カウンタ １８ ・・・・・・ イオンビーム走査制御回路１９
・・・・・・走査範囲指定回路２０ ・・・・・
・ 走査回路 ２１ ・・・・・・ ブランキング電極駆動回路以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 ０００＠＠＠＊＠＠＠＠＠ＯＯＯ＊＠−フイオンビー４
スポ、、ト動作原理図 弔２図 イオンビーム々食制御フローナイート 第３図 従来のマスフリベア便１の説日月図 第４図
、第２図Ａ−Ｂ−Ｃ及びＤは本発明にかかるマスクリペ
ア装置の動作原理図、第３図はイオンビーム走査制御フ
ローチャート及び第４図は従来のマスクリペア装置の説
明図である。 １ ・・・・・・ イオン源 ３ ・・・・・・走査電極 ８ ・・・・・・ ブランキング電極 １２ ・・・・・・検出器 １５ ・・・・・・ パタン記憶回路１６ ・・・
・・・ 黒色欠陥パタン抽出回路１７ ・・・・・・
カウンタ １８ ・・・・・・ イオンビーム走査制御回路１９
・・・・・・走査範囲指定回路２０ ・・・・・
・ 走査回路 ２１ ・・・・・・ ブランキング電極駆動回路以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 ０００＠＠＠＊＠＠＠＠＠ＯＯＯ＊＠−フイオンビー４
スポ、、ト動作原理図 弔２図 イオンビーム々食制御フローナイート 第３図 従来のマスフリベア便１の説日月図 第４図
Claims (3)
- （１）マスク上の黒色欠陥部にイオンビームを走査させ
ながら繰返し照射し該黒色欠陥部をエッチングにより取
り除きマスクを修正するマスクリペア装置において、該
黒色欠陥部の形状に合わせてイオンビームを照射しエッ
チングした後変形した黒色欠陥部の形状を検出する黒色
欠陥パタン抽出回路を設け、該変形した黒色欠陥部の形
状に合わせて次のイオンビーム走査照射を行いエッチン
グすることを特徴とするマスクリペア装置。 - （２）該黒色欠陥パタン抽出回路が黒色欠陥の存在しな
いことを検出したとき、エッチングによるマスク修正操
作を終了する特許請求の範囲第１項記載のマスクリペア
装置。 - （３）所定回数イオンビーム照射によるエッチングを繰
返した後、初期に設定されたイオンビーム走査範囲を再
走査し、パタン再生画像の位置ずれからイオンビームス
ポット位置のズレ量を検出し、ズレ量の補正を行う特許
請求の範囲第１項記載のマスクリペア装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222970A JPS6281640A (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | マスクリペア装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222970A JPS6281640A (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | マスクリペア装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6281640A true JPS6281640A (ja) | 1987-04-15 |
Family
ID=16790740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60222970A Pending JPS6281640A (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | マスクリペア装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6281640A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63305358A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-13 | Seiko Instr & Electronics Ltd | パターン膜修正方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55150225A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Hitachi Ltd | Method of correcting white spot fault of photomask |
| JPS59208830A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム加工方法およびその装置 |
-
1985
- 1985-10-07 JP JP60222970A patent/JPS6281640A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55150225A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Hitachi Ltd | Method of correcting white spot fault of photomask |
| JPS59208830A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム加工方法およびその装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63305358A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-13 | Seiko Instr & Electronics Ltd | パターン膜修正方法 |
| JPH054660B2 (ja) * | 1987-06-05 | 1993-01-20 | Seiko Instr & Electronics |
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