JPS6240146A - 荷電ビ−ムパタ−ン欠陥検査装置 - Google Patents
荷電ビ−ムパタ−ン欠陥検査装置Info
- Publication number
- JPS6240146A JPS6240146A JP60179012A JP17901285A JPS6240146A JP S6240146 A JPS6240146 A JP S6240146A JP 60179012 A JP60179012 A JP 60179012A JP 17901285 A JP17901285 A JP 17901285A JP S6240146 A JPS6240146 A JP S6240146A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory
- scanning
- charged beam
- arithmetic unit
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
- G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
- G01N23/06—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption
- G01N23/18—Investigating the presence of flaws defects or foreign matter
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/10—Image acquisition modality
- G06T2207/10056—Microscopic image
- G06T2207/10061—Microscopic image from scanning electron microscope
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/20—Special algorithmic details
- G06T2207/20036—Morphological image processing
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、荷電ビームパターン欠陥検査装置に関し、特
にマスク・ウェハ上の微細パターン検査装置に関するも
のである。
にマスク・ウェハ上の微細パターン検査装置に関するも
のである。
従来この種の装置としては、第４図に示すものがあった
。図において、１１は制御演算装置、１３は画像メモリ
及び画像演算器、１４は被検査試料２４を移動させるス
テージ制御回路、１５は検査データの格納された補助記
憶装置、２１は光源、２２は照射区画成形のための絞り
、２３は収束レンズ、２５はイメージセンサである。
。図において、１１は制御演算装置、１３は画像メモリ
及び画像演算器、１４は被検査試料２４を移動させるス
テージ制御回路、１５は検査データの格納された補助記
憶装置、２１は光源、２２は照射区画成形のための絞り
、２３は収束レンズ、２５はイメージセンサである。
次に動作について説明する。光＃ｉ２１がら放出された
光は、絞り２２で成形され、収束レンズ２３で収束され
、被検査試料２４上に照射される。
光は、絞り２２で成形され、収束レンズ２３で収束され
、被検査試料２４上に照射される。
被検査試料２４上のパターンに応じた明部と暗部を持つ
透過光は、イメージセンサ２５上に照射され、各画素上
の光の強度に応じて信号が読み出され、画像メモリ１３
に格納される。格納された画像データはその後フィルタ
リング、スムージング。
透過光は、イメージセンサ２５上に照射され、各画素上
の光の強度に応じて信号が読み出され、画像メモリ１３
に格納される。格納された画像データはその後フィルタ
リング、スムージング。
二値化などの処理が行なわれる。また検査用バクーンデ
ータは補助記憶装置１５から読み出され、別の画像メモ
リに格納される。この２枚の画像メモリ上の値を比較す
ることにより、欠陥を抽出し、ステージ位置との計算か
ら、被検査試料上の欠陥位置を操作者に知らせる。
ータは補助記憶装置１５から読み出され、別の画像メモ
リに格納される。この２枚の画像メモリ上の値を比較す
ることにより、欠陥を抽出し、ステージ位置との計算か
ら、被検査試料上の欠陥位置を操作者に知らせる。
従来のパターン欠陥検査装置は以上のように構成されて
いるので、取得したパターンのエツジは光の波長程度に
ぼけるが、画像処理をすることにより精度は向上してき
ていた。ところが、加工技術が進むにつれてパターンが
ｍ細になり、パターン幅はサブミクロン領域に入り、光
学的手法では精度の限界に近づいている。
いるので、取得したパターンのエツジは光の波長程度に
ぼけるが、画像処理をすることにより精度は向上してき
ていた。ところが、加工技術が進むにつれてパターンが
ｍ細になり、パターン幅はサブミクロン領域に入り、光
学的手法では精度の限界に近づいている。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、パターンの微細化に順応した高精度の荷電
ビームパターン欠陥検査装置を提供することを目的とし
ている。
れたもので、パターンの微細化に順応した高精度の荷電
ビームパターン欠陥検査装置を提供することを目的とし
ている。
この発明に係る荷電ビームパターン欠陥検査装置は集束
荷電ビーム装置と、走査・同期信号発生器と、二次元画
像メモリ及び該メモリに対する演算器と、ステージ制御
回路と、補助記憶装置と、これらを制御する演算装置と
を備えたものである。
荷電ビーム装置と、走査・同期信号発生器と、二次元画
像メモリ及び該メモリに対する演算器と、ステージ制御
回路と、補助記憶装置と、これらを制御する演算装置と
を備えたものである。
この発明においては、光源として高分解能性を存する荷
電ビームを用い、その検出信号の読取りを走査・同期信
号発生器と二次元画像メモリによってビームの走査と同
期してＡ／Ｄ変換を行うことにより可能にし、専用の画
像演算器により画像データからエツジを抽出し、−次微
分及び二値化処理を施したデータと、補助記憶装置が読
み出した検査データとを比較することにより、パターン
欠陥検出が行なわれる。
電ビームを用い、その検出信号の読取りを走査・同期信
号発生器と二次元画像メモリによってビームの走査と同
期してＡ／Ｄ変換を行うことにより可能にし、専用の画
像演算器により画像データからエツジを抽出し、−次微
分及び二値化処理を施したデータと、補助記憶装置が読
み出した検査データとを比較することにより、パターン
欠陥検出が行なわれる。
［実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による荷電ビームパターン欠
陥検査装置の全体の構成を示し、図において、１１は制
御演算装置、１２は走査・同期信号発生器、１３は二次
元画像メモリ及び画像演算器、１４はステージ制御回路
、１５は検査データを格納する補助記憶装置、１６は走
査信号、１７は同期信号、１８は検出信号、１９は検査
データの流れ、３１は電子ビームガン、３２は加速重視
、３３はアパーチャ、３４は集束レンズ、３５は偏向電
極、３６は反射電子検出器、３７は被検査試料、３８は
被検査試料３７を保持するステージである。
陥検査装置の全体の構成を示し、図において、１１は制
御演算装置、１２は走査・同期信号発生器、１３は二次
元画像メモリ及び画像演算器、１４はステージ制御回路
、１５は検査データを格納する補助記憶装置、１６は走
査信号、１７は同期信号、１８は検出信号、１９は検査
データの流れ、３１は電子ビームガン、３２は加速重視
、３３はアパーチャ、３４は集束レンズ、３５は偏向電
極、３６は反射電子検出器、３７は被検査試料、３８は
被検査試料３７を保持するステージである。
また、二次元画像メモリ及び画像演算器１３の構成を第
２図に示す。図において、４１はメモリアドレス発生回
路、４２は一次微分回路、４３は二値化回路、４４は差
演算回路、４５はＡ／Ｄ変換器、５１は入力画像データ
用メモリ、５２は中間演算結実用メモリ、５３は検査デ
ータ格納用メモリ、５４は結果格納用メモリ、１８は入
力画像信号、１９は検査データ、１７は同期信号である
。
２図に示す。図において、４１はメモリアドレス発生回
路、４２は一次微分回路、４３は二値化回路、４４は差
演算回路、４５はＡ／Ｄ変換器、５１は入力画像データ
用メモリ、５２は中間演算結実用メモリ、５３は検査デ
ータ格納用メモリ、５４は結果格納用メモリ、１８は入
力画像信号、１９は検査データ、１７は同期信号である
。
次に本実施例装置の動作原理を説明する。
第１において、電子ビームガン３１から発せられた電子
は、加速電極３２で加速され、アパーチャ３３で成型さ
れて集束レンズ３４により集束され、被検査試料３７上
へ照射される。この時、走査・同期信号発生器１２は走
査信号１６を偏向電極３５へ送り、同期信号１７を二次
元画像メモリ及び画像演算器１３へ送る。
は、加速電極３２で加速され、アパーチャ３３で成型さ
れて集束レンズ３４により集束され、被検査試料３７上
へ照射される。この時、走査・同期信号発生器１２は走
査信号１６を偏向電極３５へ送り、同期信号１７を二次
元画像メモリ及び画像演算器１３へ送る。
次に二次元画像メモリ及び画＠演算器１３の動作を第２
図を用いて説明する。走査と同時に生成される同期信号
１７によりアドレス発生器４１は入力用メモリ５１のア
ドレスを発生し、入力画像信号１８は同時にＡ／Ｄ変換
器４５によりディジタル変換されて入力用メモリ５１の
上記アドレスへ格納される。画像メモリの１フレ一ム分
の画像データ取込みが終了した後、アドレス発生器４１
は入力用メモリ５１を読み出すためのアドレスと、演算
用メモリ５２へ書き込むためのアドレスとを発生し、−
次微分回路４２ばそのアドレスを使用して入力用メモリ
５１からデータを読み出し−次微分処理を行い、そのデ
ータを二値化回路４３があるしきい値と比較し、二値化
を行い、そのデータを上記アドレスを使用して演算用メ
モリ５２へ書き込む。
図を用いて説明する。走査と同時に生成される同期信号
１７によりアドレス発生器４１は入力用メモリ５１のア
ドレスを発生し、入力画像信号１８は同時にＡ／Ｄ変換
器４５によりディジタル変換されて入力用メモリ５１の
上記アドレスへ格納される。画像メモリの１フレ一ム分
の画像データ取込みが終了した後、アドレス発生器４１
は入力用メモリ５１を読み出すためのアドレスと、演算
用メモリ５２へ書き込むためのアドレスとを発生し、−
次微分回路４２ばそのアドレスを使用して入力用メモリ
５１からデータを読み出し−次微分処理を行い、そのデ
ータを二値化回路４３があるしきい値と比較し、二値化
を行い、そのデータを上記アドレスを使用して演算用メ
モリ５２へ書き込む。
取込み及び微分・二値化の処理中、第１図に示した補助
記憶装置１５から読み出された検査データは経路１９を
経由して、第２図に示した検査データ格納メモリ５３へ
転送される。
記憶装置１５から読み出された検査データは経路１９を
経由して、第２図に示した検査データ格納メモリ５３へ
転送される。
取込み及び微分・二値化処理と、検査データ格納とが終
了した後、第２図に示した差演算回路４４は演算用メモ
リ５２の内容から、キ★査データ格納メモリ５３の内容
を引き、結果を５１へ格納する。このメモリの読み書き
のためのアドレス信号は同様にアドレス発生器４１によ
って発生される。
了した後、第２図に示した差演算回路４４は演算用メモ
リ５２の内容から、キ★査データ格納メモリ５３の内容
を引き、結果を５１へ格納する。このメモリの読み書き
のためのアドレス信号は同様にアドレス発生器４１によ
って発生される。
第３図に画像メモリ上のパターンの一例を示す。
６１は取り込んだ入力画像であり、第２図に示したＡ／
Ｄ変換器４５の量子化単位によって強度が複数段階に分
かれている。例えば、３ｂｉｔのＡ／Ｄ変換器であれば
、２５６段階の強度を持つ画像データである。この画像
データを一次微分して二値化したパターンが６２であり
、このデータはエツジ部分が抽出され、“Ｏ”又は“１
”で表わされている。第２図に示した検査データ格納メ
モリ５３上のパターンは第３図における６３に相当し、
これも０”又は“１′の二値データで表わされている。
Ｄ変換器４５の量子化単位によって強度が複数段階に分
かれている。例えば、３ｂｉｔのＡ／Ｄ変換器であれば
、２５６段階の強度を持つ画像データである。この画像
データを一次微分して二値化したパターンが６２であり
、このデータはエツジ部分が抽出され、“Ｏ”又は“１
”で表わされている。第２図に示した検査データ格納メ
モリ５３上のパターンは第３図における６３に相当し、
これも０”又は“１′の二値データで表わされている。
この検査データ６３はマスク及びウェハ上のパターンを
形成するための設計データから作成され、輪郭線を両側
に２〜３画素分程度太くしたパターンである。
形成するための設計データから作成され、輪郭線を両側
に２〜３画素分程度太くしたパターンである。
上記−次微分後二値化データから検査データ６３を引く
と、欠陥部分６４が抽出される。本欠陥部分は第２図に
示した結果格納メモリ５４上では“１”の部分であり、
この部分を検出することにより、操作者に欠陥位置を知
らせる事が出来る。
と、欠陥部分６４が抽出される。本欠陥部分は第２図に
示した結果格納メモリ５４上では“１”の部分であり、
この部分を検出することにより、操作者に欠陥位置を知
らせる事が出来る。
このような本実施例装置においては、集束荷電ビーム装
置に二次元画像メモリと画像演算回路とを取り付けて、
取得した画像の一次微分及び二値化処理をしたデータと
検査データとを比較して、パターンの欠陥を検査するの
で、パターンの幅が微細となってもパターンの欠陥検査
を高精度にしかも高速に行うことができる。
置に二次元画像メモリと画像演算回路とを取り付けて、
取得した画像の一次微分及び二値化処理をしたデータと
検査データとを比較して、パターンの欠陥を検査するの
で、パターンの幅が微細となってもパターンの欠陥検査
を高精度にしかも高速に行うことができる。
なお、上記実施例では、光源に電子ビームガンを用いた
が、これはイオンビームガンを用いても、上記実施例と
同等の効果が得られる。
が、これはイオンビームガンを用いても、上記実施例と
同等の効果が得られる。
以上のように、本発明によれば、高分解能の集束荷電ビ
ーム照射装置を用い、試料のパターン検出信号を取込み
、検査データと比較するような構成としたので、高精度
・高速なパターン欠陥検査を行うことが出来る効果があ
る。
ーム照射装置を用い、試料のパターン検出信号を取込み
、検査データと比較するような構成としたので、高精度
・高速なパターン欠陥検査を行うことが出来る効果があ
る。
像メモリ及び画像演算器の構成を示す図、第３図は欠陥
検査法を説明するための画像パターンの変化を示す図、
第４図は従来のパターン欠陥検査装置を示す図である。 １１・・・制御演算装置、１２・・・走査・同期信号発
生器、１３・・・二次元画像メモリ及び画像演算器、１
４・・・ステージ制御回路、１５・・・補助記憶装置。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
検査法を説明するための画像パターンの変化を示す図、
第４図は従来のパターン欠陥検査装置を示す図である。 １１・・・制御演算装置、１２・・・走査・同期信号発
生器、１３・・・二次元画像メモリ及び画像演算器、１
４・・・ステージ制御回路、１５・・・補助記憶装置。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）走査用偏向電極又はコイルと、反射粒子又は二次
粒子の検出器と、位置検出回路を含むステージ駆動装置
とを備えた集束荷電ビーム照射装置と、走査・同期信号
発生器と、 Ａ／Ｄ変換及びアドレス信号発生回路を含む二次元画像
メモリと該メモリに対する演算器と、上記ステージ駆動
装置を制御するステージ制御回路と、 検査データを格納する補助記憶装置と、 上記走査・同期信号発生器、二次元画像メモリ、該メモ
リに対する演算器、ステージ駆動装置及び補助記憶装置
を制御する演算装置とを備えたことを特徴とする荷電ビ
ームパターン欠陥検査装置。 - （２）上記メモリに対する演算器による演算は、ある１
枚の画像に対し１次微分と２値化を行い、検査データを
格納した他の１枚と差をとる処理であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の荷電ビームパターン欠陥
検査装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60179012A JPS6240146A (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | 荷電ビ−ムパタ−ン欠陥検査装置 |
| US06/896,213 US4794646A (en) | 1985-08-14 | 1986-08-14 | Charged beam pattern defect inspection apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60179012A JPS6240146A (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | 荷電ビ−ムパタ−ン欠陥検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6240146A true JPS6240146A (ja) | 1987-02-21 |
Family
ID=16058572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60179012A Pending JPS6240146A (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | 荷電ビ−ムパタ−ン欠陥検査装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4794646A (ja) |
| JP (1) | JPS6240146A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0370323A2 (en) * | 1988-11-23 | 1990-05-30 | Schlumberger Technologies, Inc. | High resolution image compression methods and apparatus |
| US5023156A (en) * | 1987-08-04 | 1991-06-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Mask for X-ray lityhography and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5600734A (en) * | 1991-10-04 | 1997-02-04 | Fujitsu Limited | Electron beam tester |
| DE3720489A1 (de) * | 1987-06-20 | 1988-12-29 | Sood Ralf A | Verfahren zum lesen von text- und druckvorlagen |
| JPH0271179A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-09 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置、その製造方法、検査方法及び補修方法 |
| US5054097A (en) * | 1988-11-23 | 1991-10-01 | Schlumberger Technologies, Inc. | Methods and apparatus for alignment of images |
| GB2247345B (en) * | 1990-07-05 | 1995-04-05 | Haroon Ahmed | Integrated circuit structure analysis |
| US5460034A (en) * | 1992-07-21 | 1995-10-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method for measuring and analyzing surface roughness on semiconductor laser etched facets |
| US5987161A (en) * | 1994-06-30 | 1999-11-16 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for identifying defective objects |
| US5586321A (en) * | 1995-02-21 | 1996-12-17 | Ramot Ltd. | Diffracting token router and applications thereof |
| US5659172A (en) * | 1995-06-21 | 1997-08-19 | Opal Technologies Ltd. | Reliable defect detection using multiple perspective scanning electron microscope images |
| JPH09189519A (ja) * | 1996-01-11 | 1997-07-22 | Ushio Inc | パターン検出方法およびマスクとワークの位置合わせ装置 |
| JP2956755B2 (ja) * | 1996-03-11 | 1999-10-04 | 日本電気株式会社 | 微細パターン検査装置 |
| US6452677B1 (en) * | 1998-02-13 | 2002-09-17 | Micron Technology Inc. | Method and apparatus for detecting defects in the manufacture of an electronic device |
| US6517669B2 (en) * | 1999-02-26 | 2003-02-11 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method of detecting endpoint of a dielectric etch |
| JP2001076990A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-23 | Canon Inc | 荷電粒子線露光装置及びその制御方法 |
| US6941007B1 (en) * | 2000-01-28 | 2005-09-06 | Micron Technology, Inc. | Pattern recognition with the use of multiple images |
| US6486956B2 (en) * | 2001-03-23 | 2002-11-26 | Micron Technology, Inc. | Reducing asymmetrically deposited film induced registration error |
| US7662648B2 (en) * | 2005-08-31 | 2010-02-16 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit inspection system |
| US20120092480A1 (en) * | 2010-05-28 | 2012-04-19 | Putman Matthew C | Unique digital imaging method employing known background |
| DE102014105452B3 (de) * | 2014-04-16 | 2015-08-27 | Von Ardenne Gmbh | Anordnung zum Ablenken eines mittels einer Elektronenstrahlkanone erzeugten Elektronenstrahls, Verfahren zum Erzeugen eines Ablenksignals und Verfahren zum Betreiben einer Elektronenstrahlkanone |
| DE102014105451B3 (de) * | 2014-04-16 | 2015-08-27 | Von Ardenne Gmbh | Anordnung zum Ablenken eines mittels einer Elektronenstrahlkanone erzeugten Elektronenstrahls, Verfahren zum Erzeugen eines Ablenksignals und Verfahren zum Betreiben einer Elektronenstrahlkanone |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3699304A (en) * | 1969-12-15 | 1972-10-17 | Ibm | Electron beam deflection control method and apparatus |
| US3813545A (en) * | 1973-04-12 | 1974-05-28 | Edax Int Inc | X-ray scan area mapping system |
| DE2437984B2 (de) * | 1974-08-07 | 1976-06-10 | Wilhelm Will Kg, Optisches Werk, 6331 Nauborn | Verfahren zur kontrastverbesserung eines optischen mikroskopes |
| US4514629A (en) * | 1982-07-07 | 1985-04-30 | National Research Development Corporation | Scanning transmission electron microscopes |
| JPS59112217A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-28 | Toshiba Corp | 寸法測定方法 |
| JPS59163506A (ja) * | 1983-03-09 | 1984-09-14 | Hitachi Ltd | 電子ビ−ム測長装置 |
| US4581762A (en) * | 1984-01-19 | 1986-04-08 | Itran Corporation | Vision inspection system |
| US4644172A (en) * | 1984-02-22 | 1987-02-17 | Kla Instruments Corporation | Electronic control of an automatic wafer inspection system |
| US4680469A (en) * | 1984-08-17 | 1987-07-14 | Hitachi, Ltd. | Focusing device for a television electron microscope |
-
1985
- 1985-08-14 JP JP60179012A patent/JPS6240146A/ja active Pending
-
1986
- 1986-08-14 US US06/896,213 patent/US4794646A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5023156A (en) * | 1987-08-04 | 1991-06-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Mask for X-ray lityhography and method of manufacturing the same |
| EP0370323A2 (en) * | 1988-11-23 | 1990-05-30 | Schlumberger Technologies, Inc. | High resolution image compression methods and apparatus |
| EP0370323A3 (en) * | 1988-11-23 | 1992-07-15 | Schlumberger Technologies, Inc. | High resolution image compression methods and apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4794646A (en) | 1988-12-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6240146A (ja) | 荷電ビ−ムパタ−ン欠陥検査装置 | |
| US4996434A (en) | Electron-beam lithographic apparatus | |
| JP3566470B2 (ja) | パターン検査方法及びその装置 | |
| KR900008385B1 (ko) | X선 노출용 마스크의 회로 패턴에서 결함을 검출하는 방법 및 장치 | |
| JP2006332296A (ja) | 電子ビーム応用回路パターン検査における焦点補正方法 | |
| JPH0352178B2 (ja) | ||
| JPH11108864A (ja) | パターン欠陥検査方法および検査装置 | |
| JPH0562638A (ja) | 集束イオンビーム装置 | |
| JP2003017536A (ja) | パターン検査方法及び検査装置 | |
| JP5103253B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
| JPH0458622B2 (ja) | ||
| JP3332096B2 (ja) | 欠陥検査方法および装置 | |
| JPS61200415A (ja) | 微細パタ−ン検査装置 | |
| JP4028864B2 (ja) | パターン欠陥検査方法および検査装置 | |
| JPH0660815B2 (ja) | 荷電粒子ビームによるパターン欠陥検査方法およびその装置 | |
| JP2002006479A (ja) | マスク検査方法及びマスク検査装置 | |
| JPH1167138A (ja) | 微小領域観察装置 | |
| JPH01286244A (ja) | 走査振動を補正する電子ビーム装置 | |
| JPS63122218A (ja) | 微細パタ−ン検査方法 | |
| JPH03235949A (ja) | マスク検査方法 | |
| JP2007049002A (ja) | 検査装置および異物検査方法 | |
| JP2002008972A (ja) | 電子線露光装置及びその電子線露光方法 | |
| JPH06132187A (ja) | イオンビーム加工装置 | |
| JP2007194060A (ja) | 走査型電子顕微鏡における電子レンズの自動軸調整方法及び装置 | |
| JP2004191060A (ja) | 介在物の平均組成分析方法 |