JPH06132187A - イオンビーム加工装置 - Google Patents
イオンビーム加工装置Info
- Publication number
- JPH06132187A JPH06132187A JP28417192A JP28417192A JPH06132187A JP H06132187 A JPH06132187 A JP H06132187A JP 28417192 A JP28417192 A JP 28417192A JP 28417192 A JP28417192 A JP 28417192A JP H06132187 A JPH06132187 A JP H06132187A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- sample
- image
- image display
- displayed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は、マスク等の微細な回路パター
ンを有する被加工物について０.５μ以下の分解能をも
って０.５μ以下の微細な加工を行うことを可能とした
イオンビーム加工装置を提供することにある。 【構成】図１のイオンビーム加工装置において、ＳＩＭ
観察装置９上に１個の低倍像と複数の高倍像を表示し、
これらのＳＩＭ像上で修正個所を限定できるイオンビー
ム加工装置。 【効果】数μ〜数十μの欠陥に対しても０.１μ 以下の
精度で修正個所を限定して修正することが可能であり、
その結果、微細な回路パターンに対して微細な修正作業
を正確に行うことが可能である。
ンを有する被加工物について０.５μ以下の分解能をも
って０.５μ以下の微細な加工を行うことを可能とした
イオンビーム加工装置を提供することにある。 【構成】図１のイオンビーム加工装置において、ＳＩＭ
観察装置９上に１個の低倍像と複数の高倍像を表示し、
これらのＳＩＭ像上で修正個所を限定できるイオンビー
ム加工装置。 【効果】数μ〜数十μの欠陥に対しても０.１μ 以下の
精度で修正個所を限定して修正することが可能であり、
その結果、微細な回路パターンに対して微細な修正作業
を正確に行うことが可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マスク等の微細な加工
パターンを有する被加工物をイオンビームによって修正
加工するイオンビーム加工装置に関する。
パターンを有する被加工物をイオンビームによって修正
加工するイオンビーム加工装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の実施例を図３に示す。図３はレー
ザーによるマスクの欠陥の修正装置で、レーザー発信器
１９から出たレーザービーム２０はミラー２１により反
射され、アパーチャー２２を介して半透過ミラー２３を
透過した後、レンズ２４により集光され、微動載物台２
５の上に設置されたマスク試料２６の欠陥個所２７に照
射されてこれを除去する。
ザーによるマスクの欠陥の修正装置で、レーザー発信器
１９から出たレーザービーム２０はミラー２１により反
射され、アパーチャー２２を介して半透過ミラー２３を
透過した後、レンズ２４により集光され、微動載物台２
５の上に設置されたマスク試料２６の欠陥個所２７に照
射されてこれを除去する。
【０００３】ここで欠陥の位置出しについては、照明ラ
ンプ２８，コンデンサレンズ２９，ハーフミラー３０か
らなる照明光学系により、マスク試料２６の表面を照射
し、接眼レンズ３１，３２の視野の中に欠陥個所が入る
ように観察しながら、微動載物台２５を移動させて行
う。
ンプ２８，コンデンサレンズ２９，ハーフミラー３０か
らなる照明光学系により、マスク試料２６の表面を照射
し、接眼レンズ３１，３２の視野の中に欠陥個所が入る
ように観察しながら、微動載物台２５を移動させて行
う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、マス
クの欠陥を光学的な方法で行っているため、光の回折限
界以下の分解能を得ることは不可能であり、実用的な分
解能は０.５μ が限界である。また、欠陥の除去修正に
レーザービームを用いているためレーザービームの集光
限界以下で除去修正を行うことは困難であり、実用的な
除去修正精度は０.５μである。以上のように、上記従
来技術では０.５μ以下の欠陥検出及び修正は不可能で
あるという問題点があった。
クの欠陥を光学的な方法で行っているため、光の回折限
界以下の分解能を得ることは不可能であり、実用的な分
解能は０.５μ が限界である。また、欠陥の除去修正に
レーザービームを用いているためレーザービームの集光
限界以下で除去修正を行うことは困難であり、実用的な
除去修正精度は０.５μである。以上のように、上記従
来技術では０.５μ以下の欠陥検出及び修正は不可能で
あるという問題点があった。
【０００５】本発明の目的は、微細な回路パターンを有
する被加工物について０.５μ 以下の分解能をもって
０.５μ 以下の微細な加工を行うことを可能としたイオ
ンビーム加工装置を提供することにある。
する被加工物について０.５μ 以下の分解能をもって
０.５μ 以下の微細な加工を行うことを可能としたイオ
ンビーム加工装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、試料面を走査照射するイオンビーム照射系と、ビー
ム照射時に試料から放出される２次電子を捕える検出器
と、前述の検出器の出力を表示する像表示装置からな
り、試料の修正個所の限定手段として前述の像表示装置
上に表示されるＳＩＭ像を用い、かつ、像表示装置上に
表示するＳＩＭ像として修正個所に関する１個の低倍像
と複数の高倍像を同時に表示して、修正個所を０.１μ
以下の領域で限定可能とすることを特徴とするイオンビ
ーム加工装置である。
に、試料面を走査照射するイオンビーム照射系と、ビー
ム照射時に試料から放出される２次電子を捕える検出器
と、前述の検出器の出力を表示する像表示装置からな
り、試料の修正個所の限定手段として前述の像表示装置
上に表示されるＳＩＭ像を用い、かつ、像表示装置上に
表示するＳＩＭ像として修正個所に関する１個の低倍像
と複数の高倍像を同時に表示して、修正個所を０.１μ
以下の領域で限定可能とすることを特徴とするイオンビ
ーム加工装置である。
【０００７】
【作用】上記構成により、微細な回路パターンに対して
微細な修正作業を正確に行うことが可能である。
微細な修正作業を正確に行うことが可能である。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１および図２に
より説明する。
より説明する。
【０００９】図１において、液体金属イオン源１に電流
を流して加熱した状態で引き出し電極２に高圧を印加す
るとイオンビーム３が引き出される。引き出されたイオ
ンビーム３はコンデンサレンズ４で絞られた後、アパー
チャー５によりその中央部分のみ通過し、ブランキング
電極１０，ブランキングアパーチャー１１，偏向電極１
２，１３を通り、対物レンズ６により試料７上に収束さ
れる。
を流して加熱した状態で引き出し電極２に高圧を印加す
るとイオンビーム３が引き出される。引き出されたイオ
ンビーム３はコンデンサレンズ４で絞られた後、アパー
チャー５によりその中央部分のみ通過し、ブランキング
電極１０，ブランキングアパーチャー１１，偏向電極１
２，１３を通り、対物レンズ６により試料７上に収束さ
れる。
【００１０】試料７にイオンビーム３が照射されたと
き、試料７から放出される２次電子は検出器８で検出
し、その出力をＳＩＭ観察装置９に出力するようになっ
ている。前記ブランキング電極１０は、極めて速い速度
でイオンビーム３を走査し、ブランキングアパーチャー
１１の外側に外し、試料７の表面へのイオンビーム３の
照射を高速で停止させる。
き、試料７から放出される２次電子は検出器８で検出
し、その出力をＳＩＭ観察装置９に出力するようになっ
ている。前記ブランキング電極１０は、極めて速い速度
でイオンビーム３を走査し、ブランキングアパーチャー
１１の外側に外し、試料７の表面へのイオンビーム３の
照射を高速で停止させる。
【００１１】前記偏向電極１２，１３は制御装置１４に
接続され、一定のパターンに従ってイオンビーム３を走
査するようになっている。
接続され、一定のパターンに従ってイオンビーム３を走
査するようになっている。
【００１２】前記制御装置１４と検出器８はＳＩＭ観察
装置９に接続されている。このSIM観察装置９は制御装
置１４からイオンビーム３のＸ，Ｙ方向の偏向量に関す
る信号を受け、かつこれと同期させて検出器８の信号を
受けることにより、試料７の各点における２次電子放出
能に応じた試料の像（ＳＩＭ像）を得るという機能によ
って試料の拡大観察が行えるように構成されている。
装置９に接続されている。このSIM観察装置９は制御装
置１４からイオンビーム３のＸ，Ｙ方向の偏向量に関す
る信号を受け、かつこれと同期させて検出器８の信号を
受けることにより、試料７の各点における２次電子放出
能に応じた試料の像（ＳＩＭ像）を得るという機能によ
って試料の拡大観察が行えるように構成されている。
【００１３】図２は、前記ＳＩＭ観察装置９にＳＩＭ像
を表示したところを示したものである。ここで１５は数
μ〜数十μの欠陥の全体を捕えた低倍像で、１６，１７
は低倍像１５中の破線で示した個所を各々拡大した高倍
像である。
を表示したところを示したものである。ここで１５は数
μ〜数十μの欠陥の全体を捕えた低倍像で、１６，１７
は低倍像１５中の破線で示した個所を各々拡大した高倍
像である。
【００１４】図２において、修正個所の限定を行うに
は、ＳＩＭ像上のカーソル１８を移動させて位置の指定
を行うようにすればよい。ただし、低倍像１５では表示
像の分解能の関係から０.１μ 以下の精度での位置指定
は困難である。そこで、高倍像１６，１７を用いて位置
指定を修正することにより０.１μ 以下の精度での位置
指定が可能となる。そして、ここで指定した位置情報は
ＳＩＭ観察装置９から制御装置１４に送信し、偏向電極
１２，１３によりイオンビーム３を走査して欠陥個所の
除去を行う。
は、ＳＩＭ像上のカーソル１８を移動させて位置の指定
を行うようにすればよい。ただし、低倍像１５では表示
像の分解能の関係から０.１μ 以下の精度での位置指定
は困難である。そこで、高倍像１６，１７を用いて位置
指定を修正することにより０.１μ 以下の精度での位置
指定が可能となる。そして、ここで指定した位置情報は
ＳＩＭ観察装置９から制御装置１４に送信し、偏向電極
１２，１３によりイオンビーム３を走査して欠陥個所の
除去を行う。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、数μ〜数十μの欠陥に
対しても０.１μ 以下の精度で修正個所を限定して修正
することが可能であり、その結果、微細な回路パターン
に対して微細な修正作業を正確に行うことが可能であ
る。
対しても０.１μ 以下の精度で修正個所を限定して修正
することが可能であり、その結果、微細な回路パターン
に対して微細な修正作業を正確に行うことが可能であ
る。
【図１】本発明の一実施例を示すイオンビーム加工装置
のブロック図である。
のブロック図である。
【図２】本発明に用いるＳＩＭ像を示す図である。
【図３】マスクの欠陥修正装置の従来例を示す図であ
る。
る。
１…液体金属イオン源、２…引き出し電極、３…イオン
ビーム、４…コンデンサレンズ、５，２２…アパーチャ
ー、６…対物レンズ、７…試料、８…検出器、９…ＳＩ
Ｍ観察装置、１０…ブランキング電極、１１…ブランキ
ングアパーチャー、１２，１３…偏向電極、１４…制御
装置、１５…低倍像、１６，１７…高倍像、１８…カー
ソル、１９…レーザー発信器、２０…レーザービーム、
２１…ミラー、２３…半透過ミラー、２４…レンズ、２
５…微動載物台、２６…マスク試料、２７…欠陥個所、
２８…照明ランプ、２９…コンデンサレンズ、３０…ハ
ーフミラー、３１，３２…接眼レンズ。
ビーム、４…コンデンサレンズ、５，２２…アパーチャ
ー、６…対物レンズ、７…試料、８…検出器、９…ＳＩ
Ｍ観察装置、１０…ブランキング電極、１１…ブランキ
ングアパーチャー、１２，１３…偏向電極、１４…制御
装置、１５…低倍像、１６，１７…高倍像、１８…カー
ソル、１９…レーザー発信器、２０…レーザービーム、
２１…ミラー、２３…半透過ミラー、２４…レンズ、２
５…微動載物台、２６…マスク試料、２７…欠陥個所、
２８…照明ランプ、２９…コンデンサレンズ、３０…ハ
ーフミラー、３１，３２…接眼レンズ。
Claims (3)
- 【請求項１】試料面を走査照射するイオンビーム照射系
と、ビーム照射時に試料から放出される２次電子を捕え
る検出器と、前述の検出器の出力を表示する像表示装置
からなり、試料の修正個所の限定手段として前述の像表
示装置上に表示されるＳＩＭ像を用いることを特徴とす
るイオンビーム加工装置。 - 【請求項２】請求項１において、像表示装置上に表示す
るＳＩＭ像として修正個所に関する１個の低倍像と複数
の高倍像を同時に表示して、修正個所の限定を行うこと
を特徴とするイオンビーム加工装置。 - 【請求項３】請求項１において、修正個所を０.１μ 以
下の領域で限定可能とすることを特徴とするイオンビー
ム加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28417192A JPH06132187A (ja) | 1992-10-22 | 1992-10-22 | イオンビーム加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28417192A JPH06132187A (ja) | 1992-10-22 | 1992-10-22 | イオンビーム加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06132187A true JPH06132187A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17675106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28417192A Pending JPH06132187A (ja) | 1992-10-22 | 1992-10-22 | イオンビーム加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06132187A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008231302A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Unitika Ltd | 難燃かつ柔軟性樹脂組成物およびそれを成形してなる成形体 |
| JP2008255268A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Unitika Ltd | ポリ乳酸系樹脂組成物、およびそれを成形してなる成形体 |
| JP2008266470A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Unitika Ltd | ポリ乳酸系樹脂組成物、およびそれを成形してなる成形体 |
-
1992
- 1992-10-22 JP JP28417192A patent/JPH06132187A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008231302A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Unitika Ltd | 難燃かつ柔軟性樹脂組成物およびそれを成形してなる成形体 |
| JP2008255268A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Unitika Ltd | ポリ乳酸系樹脂組成物、およびそれを成形してなる成形体 |
| JP2008266470A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Unitika Ltd | ポリ乳酸系樹脂組成物、およびそれを成形してなる成形体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7276693B2 (en) | Inspection method and apparatus using charged particle beam | |
| KR910007533B1 (ko) | X선 마스크의 결함 수정 방법 및 그 장치 | |
| JPH0352178B2 (ja) | ||
| JP2000243338A (ja) | 透過電子顕微鏡装置および透過電子検査装置並びに検査方法 | |
| JPS6240146A (ja) | 荷電ビ−ムパタ−ン欠陥検査装置 | |
| JP3101114B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JPH1027833A (ja) | 異物分析方法 | |
| JPH0562638A (ja) | 集束イオンビーム装置 | |
| JPH0428097B2 (ja) | ||
| JPH06132187A (ja) | イオンビーム加工装置 | |
| JP3494068B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
| JPH1164188A (ja) | 欠陥観察装置および方法 | |
| JPH04106853A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JP3644997B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
| JP2672808B2 (ja) | イオンビーム加工装置 | |
| JPH0464245A (ja) | 光学顕微鏡付電子顕微鏡およびそれを用いた外観検査装置 | |
| JPH06134583A (ja) | イオンビーム加工装置 | |
| JP3488075B2 (ja) | 薄膜試料作製方法及びシステム | |
| JPH0261A (ja) | パターン欠陥修正装置 | |
| JP2000180391A (ja) | 電子顕微鏡および欠陥形状確認方法 | |
| JPS62195838A (ja) | 検査装置 | |
| JPH0922110A (ja) | 荷電ビーム処理方法及びその装置並びにフォトマスクの加工方法及びその装置 | |
| JP3078645B2 (ja) | 走査型ｒｈｅｅｄ顕微鏡装置によるｒｈｅｅｄ像の観察方法 | |
| JPH0260A (ja) | イオンビーム加工装置 | |
| JP2006127805A (ja) | 透過型電子顕微鏡装置 |