JPS59112217A - 寸法測定方法 - Google Patents
寸法測定方法Info
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- JPS59112217A JPS59112217A JP57207698A JP20769882A JPS59112217A JP S59112217 A JPS59112217 A JP S59112217A JP 57207698 A JP57207698 A JP 57207698A JP 20769882 A JP20769882 A JP 20769882A JP S59112217 A JPS59112217 A JP S59112217A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B15/00—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
- G01B7/02—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、たとえば半導体ウェハ上に形成された微小パ
ターンの寸法を自動的に測定する寸法測定装置に関する
。
ターンの寸法を自動的に測定する寸法測定装置に関する
。
学顕微鏡を組合わせた電子式測定機、レーザ反射光と精
密移動ステージを組合わせた測定機等の光学的に像を拡
大した）、ビーム径を細くして分解能を向上させた測足
法がほとんどであった。さらに、走査凰電子顕微鏡を用
いて得られた拡大画像にスケールをあてて、その時の倍
率から換算して寸法測定するか、あるいは画像を複数の
画素に分解して、画像上にカーソルを発生させ、測定者
がパターンエツジ部にカーソルを合わせて、カーソル間
の画素数と倍率とから寸法を得る方法があった。しかる
に、近時、ＬＳＩ及び超ＬＳＩの高集積化に伴い、パタ
ーンの微細化、高精度化が進んでいて、これに対応して
パターン幅測定機も０．１／ｊｍ以下の分解能を必要と
するようになっている。しかし、従来の光学的手段では
倍率的に制限があシ、その分解能も波長の１／４程度で
１１）、０．１μｍａｌ下の分解能を得ることは不可能
である。また、レーザ反射光によシェッジを検出する測
定法では、パターンの断面形状が変われば（レジストと
エツチング後の形状の違い等）、その測定結果にばらつ
きが生じ、高精度の測定ができない。さらに、走査型電
子顕微鏡を用いた方法では、倍率の調整が不十分であっ
た）、スケールで測定する場合には読取シ誤差が、また
、カーソルをパターンエツジに合わせる場合も測定者に
よる合わせ方のばらつきが生じ、高精度の測定が困峻と
なっていた。
密移動ステージを組合わせた測定機等の光学的に像を拡
大した）、ビーム径を細くして分解能を向上させた測足
法がほとんどであった。さらに、走査凰電子顕微鏡を用
いて得られた拡大画像にスケールをあてて、その時の倍
率から換算して寸法測定するか、あるいは画像を複数の
画素に分解して、画像上にカーソルを発生させ、測定者
がパターンエツジ部にカーソルを合わせて、カーソル間
の画素数と倍率とから寸法を得る方法があった。しかる
に、近時、ＬＳＩ及び超ＬＳＩの高集積化に伴い、パタ
ーンの微細化、高精度化が進んでいて、これに対応して
パターン幅測定機も０．１／ｊｍ以下の分解能を必要と
するようになっている。しかし、従来の光学的手段では
倍率的に制限があシ、その分解能も波長の１／４程度で
１１）、０．１μｍａｌ下の分解能を得ることは不可能
である。また、レーザ反射光によシェッジを検出する測
定法では、パターンの断面形状が変われば（レジストと
エツチング後の形状の違い等）、その測定結果にばらつ
きが生じ、高精度の測定ができない。さらに、走査型電
子顕微鏡を用いた方法では、倍率の調整が不十分であっ
た）、スケールで測定する場合には読取シ誤差が、また
、カーソルをパターンエツジに合わせる場合も測定者に
よる合わせ方のばらつきが生じ、高精度の測定が困峻と
なっていた。
本発明は、上記手情を参酌してなされたもので、走査型
電子顕微鏡（以下、８Ｊ１３Ｍ （５ｃａｎｎｉｎ７
Ｈ１ｅｃｔｒｏｎ￥１ｃｒｏａｃｏｐｅ ）と呼ぶ。）
を用いて、たとえば半導体クエハ上に形成された微小パ
ターンの寸法を自動的かつ高精度で測定することのでき
る寸法測定装置を提供することを目的とする。
電子顕微鏡（以下、８Ｊ１３Ｍ （５ｃａｎｎｉｎ７
Ｈ１ｅｃｔｒｏｎ￥１ｃｒｏａｃｏｐｅ ）と呼ぶ。）
を用いて、たとえば半導体クエハ上に形成された微小パ
ターンの寸法を自動的かつ高精度で測定することのでき
る寸法測定装置を提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
８ＥＭ本体部に寸法測定部を電気的に接続し、上記寸法
測定部にてＩＭ本体部から出方された寸法測定されるパ
ターンを示す画像信号に基づいて上記パターンの輪郭を
示す縁部を決定するとともに、求められた複数の縁部間
の距離を倍率に応じて自動的に算出するようにしたもの
である。
測定部にてＩＭ本体部から出方された寸法測定されるパ
ターンを示す画像信号に基づいて上記パターンの輪郭を
示す縁部を決定するとともに、求められた複数の縁部間
の距離を倍率に応じて自動的に算出するようにしたもの
である。
以下、本発明を図面を参照して、実施例に基づいて詳述
する。
する。
第１図は、本実施例の寸法測定装置の構成図である。こ
の寸法測定装置は、走査型電子顕微鏡（５ｃａｎｎｉｎ
Ｉ？Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ ；以下
、たんにＳＥＭと略記する。）本体部（１）と、このＩ
Ｍ本体熟にょシフ捕捉された特定部分の寸法を測定する
寸法測定部（２）とからなっている。」配本体部ｆｌ）
は、図示せぬ電源によシミ子を放出する電子銃（３）と
、この電子銃（３）から放出された電子線束（４）を縮
小するコンデンサ・レンズ（５）・・・と、基準となる
りｐツク信号ＰＳを出力する基準信号発生部（６）と、
この基準信号発生部（６）から出方されたクロック信号
ＰＳに基づいて電子線束（４）をラスク走査させるため
の掃引信号ＳＳを発生させる掃引信号発生部（７）と、
図示せぬ倍率切換スイッチの設定により上記掃引信号発
生部（力から出力された掃引信号ＳＳと組合わせて後述
する走査コイル部（８）に制御信号Ｃ８１を出力する倍
率切換部（９）と、上記制御信号Ｃ８Ｉに基づいて電子
線束（４）の走査方向及び幅を制御する走査コイル部（
８）と、さらに電子線束（４）を縮小し測定試料（１０
）上に電子線束（４）を照射する対物レンズ（１１）と
、測定試料（１０）から放出される二次電子を集捉する
二次電子検出器（１２）と、この二次電子検出器（１２
）からの信号を増幅する増幅部（１３）と、この増幅部
（１３）から出力された画像信号Ｉｓと掃引信号発生部
（力から出力された掃引信号ＳＳによシ後述するＣＲＴ
（Ｃａｔｈｏｄｅ ＲａｙＴｕｂｅ ） （１４）に
画像を表示させるだめの画像信号増幅器（１５）と、図
示せぬ載置台上に保持された測定試料（１０）の特定部
位の拡大画像を表示するＣＲＴ （１４）とから構成さ
れている。一方、上記寸法測定部（２）は、基準信号発
生部（６）からのクロック信号Ｐｓ及び掃引信号発生部
（力からの掃引信号ＳＳに基づいて後述するＣＰＵ （
Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎ、２ Ｕｎｉｔ
；中央処理装置）部（１６）から出力された制御信号Ｃ
８２によシ上記画像信号Ｉｓを複数の画素（５１２Ｘ
５１２ ）に分割して画像信号Ｉ８のレベル（＊正値）
をアナログ−ディジタル変換するアナログ−ディジタル
（Ａ／Ｄ ）変換部α゛θと、上記画素ごとにＡ／Ｄ変
換された画像信号ＤＩ８をアドレス化してそれらのレベ
ル（電圧値）を記憶する画像信号記憶部（１８）と、Ｃ
Ｒ’ｌ’ （１４）に複数のカーソルを発生させ発生位
置をＣＲＴ （１４）上で任意の位置に動かすことがで
きるカーソル設定部（１９）と、上ＢＢ ＣＲ’ｌ”
（１４）におけるカーソルの位置を読み取りアドレス化
された画像信号Ｉｓに対応したアドレスに変換して出力
するカーソル位置読取部（２０）と、カーソルのアドレ
スを読み堆）２本のカーソル間の画像信号ＤＩ８を画像
信号記憶部（１８）よ勺読み出し後述する各種画像処理
を行う演算機能と記憶機能を有するＣＰＵ部（１６）と
、このＣＰＵ部（１６）における演算結果をディジタル
−アナログ（Ｄ／Ａ ）変換してＣＲＴ （１４）に表
示させるＤ／Ａ変換部（２１）とから構成される装置 つぎに、上記のように構成された寸法測定装置の作動に
ついて詳述する。
の寸法測定装置は、走査型電子顕微鏡（５ｃａｎｎｉｎ
Ｉ？Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ ；以下
、たんにＳＥＭと略記する。）本体部（１）と、このＩ
Ｍ本体熟にょシフ捕捉された特定部分の寸法を測定する
寸法測定部（２）とからなっている。」配本体部ｆｌ）
は、図示せぬ電源によシミ子を放出する電子銃（３）と
、この電子銃（３）から放出された電子線束（４）を縮
小するコンデンサ・レンズ（５）・・・と、基準となる
りｐツク信号ＰＳを出力する基準信号発生部（６）と、
この基準信号発生部（６）から出方されたクロック信号
ＰＳに基づいて電子線束（４）をラスク走査させるため
の掃引信号ＳＳを発生させる掃引信号発生部（７）と、
図示せぬ倍率切換スイッチの設定により上記掃引信号発
生部（力から出力された掃引信号ＳＳと組合わせて後述
する走査コイル部（８）に制御信号Ｃ８１を出力する倍
率切換部（９）と、上記制御信号Ｃ８Ｉに基づいて電子
線束（４）の走査方向及び幅を制御する走査コイル部（
８）と、さらに電子線束（４）を縮小し測定試料（１０
）上に電子線束（４）を照射する対物レンズ（１１）と
、測定試料（１０）から放出される二次電子を集捉する
二次電子検出器（１２）と、この二次電子検出器（１２
）からの信号を増幅する増幅部（１３）と、この増幅部
（１３）から出力された画像信号Ｉｓと掃引信号発生部
（力から出力された掃引信号ＳＳによシ後述するＣＲＴ
（Ｃａｔｈｏｄｅ ＲａｙＴｕｂｅ ） （１４）に
画像を表示させるだめの画像信号増幅器（１５）と、図
示せぬ載置台上に保持された測定試料（１０）の特定部
位の拡大画像を表示するＣＲＴ （１４）とから構成さ
れている。一方、上記寸法測定部（２）は、基準信号発
生部（６）からのクロック信号Ｐｓ及び掃引信号発生部
（力からの掃引信号ＳＳに基づいて後述するＣＰＵ （
Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎ、２ Ｕｎｉｔ
；中央処理装置）部（１６）から出力された制御信号Ｃ
８２によシ上記画像信号Ｉｓを複数の画素（５１２Ｘ
５１２ ）に分割して画像信号Ｉ８のレベル（＊正値）
をアナログ−ディジタル変換するアナログ−ディジタル
（Ａ／Ｄ ）変換部α゛θと、上記画素ごとにＡ／Ｄ変
換された画像信号ＤＩ８をアドレス化してそれらのレベ
ル（電圧値）を記憶する画像信号記憶部（１８）と、Ｃ
Ｒ’ｌ’ （１４）に複数のカーソルを発生させ発生位
置をＣＲＴ （１４）上で任意の位置に動かすことがで
きるカーソル設定部（１９）と、上ＢＢ ＣＲ’ｌ”
（１４）におけるカーソルの位置を読み取りアドレス化
された画像信号Ｉｓに対応したアドレスに変換して出力
するカーソル位置読取部（２０）と、カーソルのアドレ
スを読み堆）２本のカーソル間の画像信号ＤＩ８を画像
信号記憶部（１８）よ勺読み出し後述する各種画像処理
を行う演算機能と記憶機能を有するＣＰＵ部（１６）と
、このＣＰＵ部（１６）における演算結果をディジタル
−アナログ（Ｄ／Ａ ）変換してＣＲＴ （１４）に表
示させるＤ／Ａ変換部（２１）とから構成される装置 つぎに、上記のように構成された寸法測定装置の作動に
ついて詳述する。
まず、８ＢＭ本体部（１）の載置台に例えばＬＳＩ等の
パターンが形成された半導体ウェハなどの測定試料（１
０）を載置する。しかして、電子銃（３）から放出され
た電子線束（４）は、コンデンサ・レンズ（５）・・・
によシ縮小され、倍率切換部（９）から出力された制御
信号Ｃ８１によシ走査コイル部（８）にてＸ−Ｙ方尚に
ラスク走査を行い、対物レンズ（１１）でさらに縮小し
て測定試料（１０）上に照射される。すると、測定試料
（ｌＯ）面からは、二次電子が放出される。この二次電
子は、二次電子検出器（１２）によυ集捉され電気信号
に変換される。この二次電子検出器（１２）から出力さ
れた電気信号は増幅器（１３）にて増幅され、画像信号
Ｉｓとして画像信号増幅器（１５）に出力される。この
画像信号増幅器（１５）にては、掃引信号発生部（７）
から出力された掃引信号ＳＳと上記画像信号Ｉｓとを組
合わせてＣＲＴ （１４）に画像として表示させる。一
方、画像信号Ｉｓは、Ａ／Ｄ変換部（１７）にてＣＰＵ
部（１６）から出力された制御信号Ｃ８２に基づいてＡ
／Ｄ変換され、第２図に示すように、ラスク走査（第２
図矢印人方向）及び走査線分割（第２図矢印Ｂ方向）に
より 、５１２ Ｘ ５１２個の画素に分割されて、そ
れぞれのアドレスにおけるＡ／Ｄ変換された画像信号Ｄ
Ｉ８をｌ５（Ｌ、））（ただし、Ｏ≦帆Ｊ≦５１１）と
アドレス化する。しかして、画像信号記憶部（１８）に
ては、これらアドレスＩｓ （Ｌ、 ７ ）ごとに画像
信号ＤＩ８が記憶される。つぎに、上記した動作で得ら
れたＣＲＴ （１４）上のパターンＰに対して、このパ
ターンＰの幅りを求めるためにカーソル設定部（１９）
を操作して画像信号増幅器（１５）にカーソル発生信号
ＫＳを出力し、２本のカーソル（２２ａ）。
パターンが形成された半導体ウェハなどの測定試料（１
０）を載置する。しかして、電子銃（３）から放出され
た電子線束（４）は、コンデンサ・レンズ（５）・・・
によシ縮小され、倍率切換部（９）から出力された制御
信号Ｃ８１によシ走査コイル部（８）にてＸ−Ｙ方尚に
ラスク走査を行い、対物レンズ（１１）でさらに縮小し
て測定試料（１０）上に照射される。すると、測定試料
（ｌＯ）面からは、二次電子が放出される。この二次電
子は、二次電子検出器（１２）によυ集捉され電気信号
に変換される。この二次電子検出器（１２）から出力さ
れた電気信号は増幅器（１３）にて増幅され、画像信号
Ｉｓとして画像信号増幅器（１５）に出力される。この
画像信号増幅器（１５）にては、掃引信号発生部（７）
から出力された掃引信号ＳＳと上記画像信号Ｉｓとを組
合わせてＣＲＴ （１４）に画像として表示させる。一
方、画像信号Ｉｓは、Ａ／Ｄ変換部（１７）にてＣＰＵ
部（１６）から出力された制御信号Ｃ８２に基づいてＡ
／Ｄ変換され、第２図に示すように、ラスク走査（第２
図矢印人方向）及び走査線分割（第２図矢印Ｂ方向）に
より 、５１２ Ｘ ５１２個の画素に分割されて、そ
れぞれのアドレスにおけるＡ／Ｄ変換された画像信号Ｄ
Ｉ８をｌ５（Ｌ、））（ただし、Ｏ≦帆Ｊ≦５１１）と
アドレス化する。しかして、画像信号記憶部（１８）に
ては、これらアドレスＩｓ （Ｌ、 ７ ）ごとに画像
信号ＤＩ８が記憶される。つぎに、上記した動作で得ら
れたＣＲＴ （１４）上のパターンＰに対して、このパ
ターンＰの幅りを求めるためにカーソル設定部（１９）
を操作して画像信号増幅器（１５）にカーソル発生信号
ＫＳを出力し、２本のカーソル（２２ａ）。
（２２ｂ）をパターンＰを挾むような位置に移動させる
（第３図参照）。その際、カーノ／１’ （２，２ａ）
、 （２２ｂ）の幅Ｗ及び長さＬは、カーソル設定部（
１９）にて調節できる。さらに、 ＣＰＵ部（１６）に
ては、カーソル設定部（１９）からカーンル位置読取部
（２０）を介して出力されたカーソル発生信号ＫＳに基
づいて、ＣＲＴ（１４）上におけるカーノｋ （２２ａ
）、 （２ｚｂ）の位置をアドレス化された信号ｌ５（
Ｌ、 ／）（０≦Ｌ≦５１１゜０≦ｊ≦５１１）に変換
する。しかして、カーノ／Ｌ／（２２ａ）。
（第３図参照）。その際、カーノ／１’ （２，２ａ）
、 （２２ｂ）の幅Ｗ及び長さＬは、カーソル設定部（
１９）にて調節できる。さらに、 ＣＰＵ部（１６）に
ては、カーソル設定部（１９）からカーンル位置読取部
（２０）を介して出力されたカーソル発生信号ＫＳに基
づいて、ＣＲＴ（１４）上におけるカーノｋ （２２ａ
）、 （２ｚｂ）の位置をアドレス化された信号ｌ５（
Ｌ、 ／）（０≦Ｌ≦５１１゜０≦ｊ≦５１１）に変換
する。しかして、カーノ／Ｌ／（２２ａ）。
（２２ｂ）によυ指定された判別領域内の任意の１ライ
ンのデータを画像信号記憶部（１８）からＣＰＵ部（１
６）に転送する（第４図ブロック（２３） ）。この１
ラインノノイズ除去を、ｆｉ’ＦＩ’ （Ｆａｓｔ Ｆ
ｏｕｒｉｅｒ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ ）法又紘積算傾斜
変換法を使い行う（第４図ブロック（２４） ）。上記
ｌ″ｒＴ法によシノイズ除去を行う場合は、画像信号記
憶部（１８）から取シ込んだデータ（第５図（ａ）参照
）をフーリエ変換しく第４図ブロック（２Ｂ） ） 、
周波数解析を行いノイズを除去するため高周波成分をカ
ットする（第４図ブロックＣ６））。
ンのデータを画像信号記憶部（１８）からＣＰＵ部（１
６）に転送する（第４図ブロック（２３） ）。この１
ラインノノイズ除去を、ｆｉ’ＦＩ’ （Ｆａｓｔ Ｆ
ｏｕｒｉｅｒ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ ）法又紘積算傾斜
変換法を使い行う（第４図ブロック（２４） ）。上記
ｌ″ｒＴ法によシノイズ除去を行う場合は、画像信号記
憶部（１８）から取シ込んだデータ（第５図（ａ）参照
）をフーリエ変換しく第４図ブロック（２Ｂ） ） 、
周波数解析を行いノイズを除去するため高周波成分をカ
ットする（第４図ブロックＣ６））。
しかして、高周波成分がカットされたデータを通７−リ
エ変換して波形を再生する（第４図ブロック（２７）
）。この処理によシ、第５図（ｂ）に示すように、ノイ
ズを元の波形から取）除くことができる。
エ変換して波形を再生する（第４図ブロック（２７）
）。この処理によシ、第５図（ｂ）に示すように、ノイ
ズを元の波形から取）除くことができる。
他方、積算傾斜変換法による場合は、画像信号記憶部（
１８）から取シ込んだ１ラインのデータ（第６図（ａ）
参照）に関しては、１魚目（０≦ｊ≦５１１）のデータ
をｆ（７）とすると、Ｏ≦α≦５１１について、−’（
ａ）＝ Σｆ（７）を計算しく第４図プロｙ り（２８
） ）、こＪ−。
１８）から取シ込んだ１ラインのデータ（第６図（ａ）
参照）に関しては、１魚目（０≦ｊ≦５１１）のデータ
をｆ（７）とすると、Ｏ≦α≦５１１について、−’（
ａ）＝ Σｆ（７）を計算しく第４図プロｙ り（２８
） ）、こＪ−。
の積算結果−６（ａ）について、ｍ点先のデータとの勾
配ｔ（ａ）＝（ｊ（ａ＋ｍ） −Ｊ＆（ｃＬ））／ｍを
求める（第４図ブロック（２９） ）。この処理によフ
、元の波形（第６図（ａ））に比べ、ノイズが除去され
た波形（第６図（ｂ））が得られる。しかして、上記い
ずれかの方法によシノイズが除去された波形について、
第７図及び第８図で示すように、カーノ／’ （２２ａ
）、 （２２ｂ）によシ寸法測定する判別領域を指定す
る（第４図ブロック（３０） ）。判別領域は、寸法測
定部位すなわちパターン部分（第３図領域Ｐ）に対応す
る波形の電圧値が他部分より大きいことによシ識別でき
る。それから判別領域内にて第７図及び第８図に示す一
方の側縁部における最大値（３１）及び最小値（３２）
を求める（第４図ブロック（３３） ）。なお、第７図
において、波形（３４）はノイズ除去前の波形、波形（
３５）はノイズ除去後の波形である。しかして、最大値
（３１）と最小値（３２）との間において任意に２点（
３６）、 （３７）を選択し、直線近似する範囲を指定
する（第４図ブロック（３８） ）。つぎに、これら２
点（３６）、 （３７）間のデータに対して、最小二乗
法にて回帰直線（３９）を求める（第４図ブロック（４
０） ）。さらに、最小値（３２）と点（３７）との間
のデータすなわち平坦な部分のデータに対して最小二乗
法によシ回帰直線（４１）を求める（第４図ブロック（
４２） ）。
配ｔ（ａ）＝（ｊ（ａ＋ｍ） −Ｊ＆（ｃＬ））／ｍを
求める（第４図ブロック（２９） ）。この処理によフ
、元の波形（第６図（ａ））に比べ、ノイズが除去され
た波形（第６図（ｂ））が得られる。しかして、上記い
ずれかの方法によシノイズが除去された波形について、
第７図及び第８図で示すように、カーノ／’ （２２ａ
）、 （２２ｂ）によシ寸法測定する判別領域を指定す
る（第４図ブロック（３０） ）。判別領域は、寸法測
定部位すなわちパターン部分（第３図領域Ｐ）に対応す
る波形の電圧値が他部分より大きいことによシ識別でき
る。それから判別領域内にて第７図及び第８図に示す一
方の側縁部における最大値（３１）及び最小値（３２）
を求める（第４図ブロック（３３） ）。なお、第７図
において、波形（３４）はノイズ除去前の波形、波形（
３５）はノイズ除去後の波形である。しかして、最大値
（３１）と最小値（３２）との間において任意に２点（
３６）、 （３７）を選択し、直線近似する範囲を指定
する（第４図ブロック（３８） ）。つぎに、これら２
点（３６）、 （３７）間のデータに対して、最小二乗
法にて回帰直線（３９）を求める（第４図ブロック（４
０） ）。さらに、最小値（３２）と点（３７）との間
のデータすなわち平坦な部分のデータに対して最小二乗
法によシ回帰直線（４１）を求める（第４図ブロック（
４２） ）。
つぎに回帰直ｗ、（３９）、 （４１）の交点（４３）
ｋ求める。同様にして、他方の側縁部における回帰直
線（４４）、（４５）を求め、それらの交点（４６）を
算出する（第４図プロｙ り（４７） ）。上ｉｉ２ｉ
点（４３）、 （４６） ｔＤ 位ｆｆｆｉハＣＲ’ｌ
’（１４）にて表示するとともに、両者の間隔（画素数
）を求め、倍率切換部（９）で決められた１ｌｉｉｌｉ
素当りの寸法を乗算し、寸法に変換する（第４図ブロッ
ク（４８））。
ｋ求める。同様にして、他方の側縁部における回帰直
線（４４）、（４５）を求め、それらの交点（４６）を
算出する（第４図プロｙ り（４７） ）。上ｉｉ２ｉ
点（４３）、 （４６） ｔＤ 位ｆｆｆｉハＣＲ’ｌ
’（１４）にて表示するとともに、両者の間隔（画素数
）を求め、倍率切換部（９）で決められた１ｌｉｉｌｉ
素当りの寸法を乗算し、寸法に変換する（第４図ブロッ
ク（４８））。
そうして、カーソル（２２ａ）、 （２２りが複数の走
査線にわたっているときは、別のラインについて同一の
処理を繰返して行５（第４図ブロック（４９） ）。
査線にわたっているときは、別のラインについて同一の
処理を繰返して行５（第４図ブロック（４９） ）。
しかして、各ラインについて得られたパターンＰの幅り
を示す寸法に基づいて、各種統計処理たとえば平、均値
演算、標準偏差演算を行う（第４図ブロック（５０）
）。最後に、これらの演算結果をモニタ、プリンタ等の
表示部で表示、記録する（第４図ブロック（５１） ）
。かくして、本実施例の寸法測定装置によれば、例えば
半導体パターンなどの微細な測定対象を、０．０１μｍ
の高分解能で、高精度かつ自動的に求めることができる
。
を示す寸法に基づいて、各種統計処理たとえば平、均値
演算、標準偏差演算を行う（第４図ブロック（５０）
）。最後に、これらの演算結果をモニタ、プリンタ等の
表示部で表示、記録する（第４図ブロック（５１） ）
。かくして、本実施例の寸法測定装置によれば、例えば
半導体パターンなどの微細な測定対象を、０．０１μｍ
の高分解能で、高精度かつ自動的に求めることができる
。
なお、上記実施例においては、横方向のパターン幅の寸
法測定について示しているが、縦方向のパターン幅につ
いても電子線束の走置方向を９０度スキャンローテーシ
ョンすることによシ同様の方法で可能となる。まだ、パ
ターン幅の測定に限ることなく、第９図（ａ）に示すよ
うに２本のパターンＰ、、Ｐ、のそれぞれの内部にカー
ノｋ （２２ａ）、 （２２ｂ）を設定して、第９図（
ｂ）に示すような波形（５２）よシ上記実施例と同様に
して、回帰直線（５３）、 （５４）、 （５５）を求
め、これらの交点（５６）、 （５７）よりパターンＰ
１．Ｐ。
法測定について示しているが、縦方向のパターン幅につ
いても電子線束の走置方向を９０度スキャンローテーシ
ョンすることによシ同様の方法で可能となる。まだ、パ
ターン幅の測定に限ることなく、第９図（ａ）に示すよ
うに２本のパターンＰ、、Ｐ、のそれぞれの内部にカー
ノｋ （２２ａ）、 （２２ｂ）を設定して、第９図（
ｂ）に示すような波形（５２）よシ上記実施例と同様に
して、回帰直線（５３）、 （５４）、 （５５）を求
め、これらの交点（５６）、 （５７）よりパターンＰ
１．Ｐ。
の間隔を求めることもできる。さらに、第１０図（ａ）
に示すパターンＰ３．Ｐ、のピッチも求めることができ
る。すなわち、カーソル（２２ａ）、 （２２ｂ）でパ
ターンＰｓの左（右）側縁部をはさみ、カーソル（２２
ｃ）、 （２２ｄ）でパターンＰ４の左（右）側縁部を
はさむ。しかして、上記実施例と同様にして、第１０図
（ｂ）に示す波形（５８）よシ回帰直線（５９）、 （
６０）、 （６１）、 （６２）を求めたのち、これら
の交点（６３）、 （６４）よシバターｙ Ｐｓ、 Ｐ
、のピッチを求めることができる。また、上記実施例に
おいては、ＦＦＴ法又は積算傾斜変換法にょシノイズの
除去を行ったが複数両系の平均化又は＋ｉ数副画面加算
によシノイズ除去を行ってもよい。のみならず、寸法測
定においてノイズを無視できる場合に／イヌニζ弁脱チ
Ｔ１ は、省 することができる。さらに、パターンの縁部（
エツジ）を求める方法としては、上記実施例のように回
帰直線の交点から求める方法に限ることなく、たとえば
、第１１図（ａ）に示すように、パターンＰＩ＋をはさ
むようにカーソル（２２ａ）、 （２２りを設定し、コ
ノカー ソ＃ （２２ａ）、 （２２ｂ）間の波形（６
５バ第１１図（ｂ）参照）について、カーソル（２２ａ
）、 （２２ｂ） 側から画像信号を積算して第１１図
（Ｃ）に示す積算曲綜（６６）、 （６７）を得、この
積算曲線（６６）、 （６７）の変曲点ω８）。
に示すパターンＰ３．Ｐ、のピッチも求めることができ
る。すなわち、カーソル（２２ａ）、 （２２ｂ）でパ
ターンＰｓの左（右）側縁部をはさみ、カーソル（２２
ｃ）、 （２２ｄ）でパターンＰ４の左（右）側縁部を
はさむ。しかして、上記実施例と同様にして、第１０図
（ｂ）に示す波形（５８）よシ回帰直線（５９）、 （
６０）、 （６１）、 （６２）を求めたのち、これら
の交点（６３）、 （６４）よシバターｙ Ｐｓ、 Ｐ
、のピッチを求めることができる。また、上記実施例に
おいては、ＦＦＴ法又は積算傾斜変換法にょシノイズの
除去を行ったが複数両系の平均化又は＋ｉ数副画面加算
によシノイズ除去を行ってもよい。のみならず、寸法測
定においてノイズを無視できる場合に／イヌニζ弁脱チ
Ｔ１ は、省 することができる。さらに、パターンの縁部（
エツジ）を求める方法としては、上記実施例のように回
帰直線の交点から求める方法に限ることなく、たとえば
、第１１図（ａ）に示すように、パターンＰＩ＋をはさ
むようにカーソル（２２ａ）、 （２２りを設定し、コ
ノカー ソ＃ （２２ａ）、 （２２ｂ）間の波形（６
５バ第１１図（ｂ）参照）について、カーソル（２２ａ
）、 （２２ｂ） 側から画像信号を積算して第１１図
（Ｃ）に示す積算曲綜（６６）、 （６７）を得、この
積算曲線（６６）、 （６７）の変曲点ω８）。
（６９）よシバターン幅Ｄ３を求めることもできる。さ
らにまた、上記実施例においては、測定試料（ｌのとし
てＬＳＩ用の半導体ウェハを用いているが、μｍオーダ
の寸法測定でらればいかなるものにも本発明の寸法測定
装置を適用できる。
らにまた、上記実施例においては、測定試料（ｌのとし
てＬＳＩ用の半導体ウェハを用いているが、μｍオーダ
の寸法測定でらればいかなるものにも本発明の寸法測定
装置を適用できる。
本発明の寸法測定装置は、８ＨＭ本体に、このＩＭ本体
から出力された画像信号に基づいて測定試料の特定部位
の寸法測定を自動的に行う寸法測定部を連設したので、
測定者によるばらつき、読み取如誤差が解消され、０．
０１μｍ以下の高分解能で、高精度かつ迅速に精密測定
を行うことができる。
から出力された画像信号に基づいて測定試料の特定部位
の寸法測定を自動的に行う寸法測定部を連設したので、
測定者によるばらつき、読み取如誤差が解消され、０．
０１μｍ以下の高分解能で、高精度かつ迅速に精密測定
を行うことができる。
したがって、本発明の寸法測定装置をＬＳ Ｉ、超ＬＳ
Ｉ等の半導体製造プロセスに適用した場合、製品の評価
及び検査を容易かつ高度の信頼性をもって行うことがで
きる。その結果、半導体製品の品質向上及び歩留向上を
達成することができる。のみならず、高集積化のための
各種の製造技術開発及びプロセス乗件の決定に多大の寄
与をすることができる。
Ｉ等の半導体製造プロセスに適用した場合、製品の評価
及び検査を容易かつ高度の信頼性をもって行うことがで
きる。その結果、半導体製品の品質向上及び歩留向上を
達成することができる。のみならず、高集積化のための
各種の製造技術開発及びプロセス乗件の決定に多大の寄
与をすることができる。
第】図は本発明の一実施例の寸法測定装置の全体構成図
、第２図は第１図の寸法測定装置で得られた画像信号の
画素への分割を示す説明図、第３図はＣＲＴにおけるカ
ーソルの設定を示す図、第４図は第１図の寸法測定装置
による寸法測定手順を示丈フローチャート、第５図及び
第６図はノイズ除去前の画像信号とノイズ除去後の画像
信号を示すグ２７、第７図及び第８図はパターン幅の求
め方を説明するためのグラフ、第９図ないし第１１図は
第１図の寸法測定装置による各種寸法測定を説明するた
めの図である。 （１） ： ８ＥＭ本体部、 （２）二寸法測定
部、（４）：電子線束、 ａＱ＝測定試料、Ｑ４）
： ＣＲＴ （表示部）、 （ｌｆ９ ： ＣＰＵ部（演算制御部）、α呻；画像信
号記憶部、（１９：カーソル設定部、（２２ａ）、 （
２２ｂ） ：力−フル。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （を丘か１名） 了２図 策３図 菫５図 第６０ Ｔ７図 ず ２ 口 距 離 ￥ Ｃ／ 図 ”ｄｊＩ ｔｏ 図 箪ＩＩ 図 ＝１α
、第２図は第１図の寸法測定装置で得られた画像信号の
画素への分割を示す説明図、第３図はＣＲＴにおけるカ
ーソルの設定を示す図、第４図は第１図の寸法測定装置
による寸法測定手順を示丈フローチャート、第５図及び
第６図はノイズ除去前の画像信号とノイズ除去後の画像
信号を示すグ２７、第７図及び第８図はパターン幅の求
め方を説明するためのグラフ、第９図ないし第１１図は
第１図の寸法測定装置による各種寸法測定を説明するた
めの図である。 （１） ： ８ＥＭ本体部、 （２）二寸法測定
部、（４）：電子線束、 ａＱ＝測定試料、Ｑ４）
： ＣＲＴ （表示部）、 （ｌｆ９ ： ＣＰＵ部（演算制御部）、α呻；画像信
号記憶部、（１９：カーソル設定部、（２２ａ）、 （
２２ｂ） ：力−フル。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （を丘か１名） 了２図 策３図 菫５図 第６０ Ｔ７図 ず ２ 口 距 離 ￥ Ｃ／ 図 ”ｄｊＩ ｔｏ 図 箪ＩＩ 図 ＝１α
Claims (1)
- 測定試料を格納して上記測定試料上に電子線果を走査し
ながら投射して上記測定試料上に形成されているパター
ンを示す画像信号を得るとともに表示部にカーソルを表
示させ上記表示部における上記パターンの寸法測定領域
を指定するカーソル設定部と、上記画像信号を画素に分
解するとともにアドレス化して画像データとして記憶す
る画像信号記憶部と、上記カーソルによシ指定された上
記寸法測定領域内の上記画像データを取込んで上記パタ
ーンの輪郭をなしかつ寸法測定基準となる複数の縁部を
決定しこれら縁部間の距離を算出する演算制御部とを具
備することを特徴とする寸法測定装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57207698A JPS59112217A (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | 寸法測定方法 |
| DE8383111669T DE3380834D1 (en) | 1982-11-29 | 1983-11-22 | Method and apparatus for measuring dimension of secondary electron emission object |
| EP83111669A EP0110301B1 (en) | 1982-11-29 | 1983-11-22 | Method and apparatus for measuring dimension of secondary electron emission object |
| US06/554,717 US4567364A (en) | 1982-11-29 | 1983-11-23 | Method and apparatus for measuring dimension of secondary electron emission object |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57207698A JPS59112217A (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | 寸法測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59112217A true JPS59112217A (ja) | 1984-06-28 |
| JPS6356482B2 JPS6356482B2 (ja) | 1988-11-08 |
Family
ID=16544083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57207698A Granted JPS59112217A (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | 寸法測定方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4567364A (ja) |
| EP (1) | EP0110301B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59112217A (ja) |
| DE (1) | DE3380834D1 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6179114A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-22 | Toshiba Corp | 寸法測定装置 |
| JPS6189508A (ja) * | 1984-10-08 | 1986-05-07 | Toshiba Corp | 寸法測定装置 |
| JPS6194707U (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-18 | ||
| JPS61265516A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-25 | Jeol Ltd | 荷電粒子線を用いた測長装置 |
| JPS61265517A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-25 | Jeol Ltd | 荷電粒子線を用いた測長装置 |
| US4767926A (en) * | 1985-09-30 | 1988-08-30 | Hitachi, Ltd. | Electron beam metrology system |
| JPS63231205A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-27 | Osaka Daiyamondo Kogyo Kk | 輪郭形状の測定方法 |
| US4912328A (en) * | 1987-09-21 | 1990-03-27 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for improving the signal-to-noise ratio of image signals in a scan-type imaging system |
| JPH0445046B2 (ja) * | 1984-09-28 | 1992-07-23 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JP2002202115A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-07-19 | Samsung Electronics Co Ltd | 測定装置の自動測定エラー検出方法 |
| US8305435B2 (en) | 2007-03-22 | 2012-11-06 | Hitachi High-Technologies Corporation | Image processing system and scanning electron microscope |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61140811A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-27 | Hitachi Ltd | 電子ビ−ム測長装置 |
| US4588890A (en) * | 1984-12-31 | 1986-05-13 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for composite image formation by scanning electron beam |
| DE3621045A1 (de) * | 1985-06-24 | 1987-01-02 | Nippon Telegraph & Telephone | Strahlerzeugende vorrichtung |
| JPS6240146A (ja) * | 1985-08-14 | 1987-02-21 | Mitsubishi Electric Corp | 荷電ビ−ムパタ−ン欠陥検査装置 |
| JPS63231856A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-27 | Jeol Ltd | 電子顕微鏡等の制御方法 |
| JPH01102841A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-20 | Toshiba Corp | 画像形成方法 |
| JPH01311551A (ja) * | 1988-06-08 | 1989-12-15 | Toshiba Corp | パターン形状測定装置 |
| US5093572A (en) * | 1989-11-02 | 1992-03-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Scanning electron microscope for observation of cross section and method of observing cross section employing the same |
| JPH0687003B2 (ja) * | 1990-02-09 | 1994-11-02 | 株式会社日立製作所 | 走査型トンネル顕微鏡付き走査型電子顕微鏡 |
| JP2943815B2 (ja) * | 1990-04-06 | 1999-08-30 | 日本電子株式会社 | 電子ビーム測長機における測長方式 |
| JP3345060B2 (ja) * | 1992-11-09 | 2002-11-18 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 走査形電子顕微鏡における画像信号処理方法およびその装置 |
| JP2823450B2 (ja) * | 1992-11-19 | 1998-11-11 | 株式会社東芝 | 回路パターンの寸法測定方法 |
| JP3184675B2 (ja) * | 1993-09-22 | 2001-07-09 | 株式会社東芝 | 微細パターンの測定装置 |
| JP3201926B2 (ja) * | 1995-04-10 | 2001-08-27 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡 |
| WO1998040696A1 (fr) * | 1997-03-12 | 1998-09-17 | Mikhail Julievich Iliin | Procede de mesure de grandeurs lineaires |
| US6127840A (en) * | 1998-03-17 | 2000-10-03 | International Business Machines Corporation | Dynamic line termination clamping circuit |
| US6509890B1 (en) * | 1998-03-31 | 2003-01-21 | International Business Machines Corporation | Mini-TrackPoint IV pointing device |
| US6198299B1 (en) | 1998-08-27 | 2001-03-06 | The Micromanipulator Company, Inc. | High Resolution analytical probe station |
| US6744268B2 (en) | 1998-08-27 | 2004-06-01 | The Micromanipulator Company, Inc. | High resolution analytical probe station |
| US6157032A (en) * | 1998-11-04 | 2000-12-05 | Schlumberger Technologies, Inc. | Sample shape determination by measurement of surface slope with a scanning electron microscope |
| US6326618B1 (en) * | 1999-07-02 | 2001-12-04 | Agere Systems Guardian Corp. | Method of analyzing semiconductor surface with patterned feature using line width metrology |
| US6538249B1 (en) * | 1999-07-09 | 2003-03-25 | Hitachi, Ltd. | Image-formation apparatus using charged particle beams under various focus conditions |
| US6545275B1 (en) * | 1999-09-03 | 2003-04-08 | Applied Materials, Inc. | Beam evaluation |
| DE10047211B4 (de) * | 2000-09-23 | 2007-03-22 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Positionsbestimmung einer Kante eines Strukturelementes auf einem Substrat |
| US6909930B2 (en) * | 2001-07-19 | 2005-06-21 | Hitachi, Ltd. | Method and system for monitoring a semiconductor device manufacturing process |
| DE10250893B4 (de) * | 2002-10-31 | 2008-04-03 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen der Abmessung eines Strukturelements durch Variieren eines die Auflösung bestimmenden Parameters |
| WO2004068414A1 (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Fujitsu Limited | 注目物体の出現位置表示装置 |
| KR100567622B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2006-04-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 패턴 선폭 측정 방법 및 장치 |
| US20080175518A1 (en) * | 2007-01-22 | 2008-07-24 | Carl Picciotto | Alignment system and method for overlapping substrates |
| JP5361137B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2013-12-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム測長装置 |
| JP6029293B2 (ja) * | 2012-03-07 | 2016-11-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査型電子顕微鏡の画像処理装置、および、走査方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54141665A (en) * | 1978-04-26 | 1979-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | Pattern measuring apparatus |
| JPS5661604A (en) * | 1979-10-25 | 1981-05-27 | Jeol Ltd | Range finder in scanning electronic microscope |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51134558A (en) * | 1975-05-19 | 1976-11-22 | Hitachi Ltd | Measuring unit |
| DD124091A1 (ja) * | 1975-09-24 | 1977-02-02 | ||
| JPS5478166A (en) * | 1977-12-05 | 1979-06-22 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for measuring length of electron microscopes |
| DE2937741A1 (de) * | 1979-09-18 | 1981-05-27 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zur optoelektronischen vermessung von mikrostrukturen, insbesondere auf masken und scheiben der halbleitertechnik |
| JPS56105633A (en) * | 1980-01-28 | 1981-08-22 | Hitachi Ltd | Inspection device of mask for electron beam |
-
1982
- 1982-11-29 JP JP57207698A patent/JPS59112217A/ja active Granted
-
1983
- 1983-11-22 DE DE8383111669T patent/DE3380834D1/de not_active Expired
- 1983-11-22 EP EP83111669A patent/EP0110301B1/en not_active Expired
- 1983-11-23 US US06/554,717 patent/US4567364A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54141665A (en) * | 1978-04-26 | 1979-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | Pattern measuring apparatus |
| JPS5661604A (en) * | 1979-10-25 | 1981-05-27 | Jeol Ltd | Range finder in scanning electronic microscope |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6179114A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-22 | Toshiba Corp | 寸法測定装置 |
| JPH0445045B2 (ja) * | 1984-09-27 | 1992-07-23 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPH0445046B2 (ja) * | 1984-09-28 | 1992-07-23 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPS6189508A (ja) * | 1984-10-08 | 1986-05-07 | Toshiba Corp | 寸法測定装置 |
| JPS6194707U (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-18 | ||
| JPH0430489Y2 (ja) * | 1984-11-26 | 1992-07-23 | ||
| JPS61265516A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-25 | Jeol Ltd | 荷電粒子線を用いた測長装置 |
| JPS61265517A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-25 | Jeol Ltd | 荷電粒子線を用いた測長装置 |
| US4767926A (en) * | 1985-09-30 | 1988-08-30 | Hitachi, Ltd. | Electron beam metrology system |
| JPS63231205A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-27 | Osaka Daiyamondo Kogyo Kk | 輪郭形状の測定方法 |
| US4912328A (en) * | 1987-09-21 | 1990-03-27 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for improving the signal-to-noise ratio of image signals in a scan-type imaging system |
| JP2002202115A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-07-19 | Samsung Electronics Co Ltd | 測定装置の自動測定エラー検出方法 |
| US8305435B2 (en) | 2007-03-22 | 2012-11-06 | Hitachi High-Technologies Corporation | Image processing system and scanning electron microscope |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6356482B2 (ja) | 1988-11-08 |
| EP0110301A2 (en) | 1984-06-13 |
| EP0110301A3 (en) | 1986-06-11 |
| DE3380834D1 (en) | 1989-12-14 |
| EP0110301B1 (en) | 1989-11-08 |
| US4567364A (en) | 1986-01-28 |
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