JP2823450B2 - 回路パターンの寸法測定方法 - Google Patents

回路パターンの寸法測定方法

Info

Publication number
JP2823450B2
JP2823450B2 JP4310111A JP31011192A JP2823450B2 JP 2823450 B2 JP2823450 B2 JP 2823450B2 JP 4310111 A JP4310111 A JP 4310111A JP 31011192 A JP31011192 A JP 31011192A JP 2823450 B2 JP2823450 B2 JP 2823450B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit pattern
profile data
line profile
determining
image data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP4310111A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH06160067A (ja
Inventor
崎 耕 治 粒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP4310111A priority Critical patent/JP2823450B2/ja
Priority to US08/154,349 priority patent/US5434409A/en
Priority to KR1019930024608A priority patent/KR0134754B1/ko
Publication of JPH06160067A publication Critical patent/JPH06160067A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2823450B2 publication Critical patent/JP2823450B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B15/00Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B15/00Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
    • G01B15/04Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons for measuring contours or curvatures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28Scanning microscopes
    • H01J2237/2813Scanning microscopes characterised by the application
    • H01J2237/2814Measurement of surface topography
    • H01J2237/2816Length

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はLSIの製造工程で形成
される回路パターンの寸法測定方法に係り、とりわけ精
度良く回路パターンのエッジ位置を検出することができ
る回路パターンの寸法測定法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、LSIの製造工程で基板上に形成
される回路パターンのエッジ位置は、走査電子顕微鏡
(SEM)により検出される。SEMを用いて検出する
場合、回路パターンに対して電子ビームを走査し、得ら
れたSEM画像上の回路パターンに対してオペレータが
マニュアル操作により平行カーソルを設定している。そ
して設定された平行カーソル内の領域のラインプロファ
イルデータに対して自動測定アルゴリズムを実行し、回
路パターンのエッジ位置を検出している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述のように測定する
回路パターンに対して自動測定アルゴリズムを実行する
測定領域を決定するため、平行カーソルをマニュアル操
作により設定することが一般に行われている。しかしな
がら、オペレータ毎に平行カーソルの設定がまちまちと
なり、必ずしも回路パターンに対して自動測定アルゴリ
ズムが要求しているような設定ができていないのが実情
である。また現在一般に使用されている自動測定アルゴ
リズム(閾値法、直線近似法、および最大傾斜法等)
は、平行カーソルの設定により、測長値のばらつきや測
長エラーを発生する場合が多い。さらにオペレータが平
行カーソルを設定することは、操作性も悪く、測定時間
も長くなる。
【0004】本発明はこのような点を考慮してなされた
ものであり、オペレータが平行カーソルのマニュアル設
定を行なうことなく、精度良く回路パターンの正確なエ
ッジ位置を検出することができる回路パターンの寸法測
定方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上の回路
パターンに電子ビームを走査して、測定位置に対応する
回路パターンのラインプロファイルデータを求める工程
と、ラインプロファイルデータに対して平滑化微分を行
なって平滑化微分波形を求める工程と、平滑化微分波形
からラインプロファイルデータの極大値を求めるととも
に、各極大値のうち最大2点に対応する測定位置を回路
パターンの一対の概略エッジ位置として定める工程と、
前記一対の概略エッジ位置に基づいて自動測定アルゴリ
ズムの始点と終点を定める工程と、始点から終点までの
ラインプロファイルデータに対して自動測定アルゴリズ
ムを実行して回路パターンの正確なエッジ位置を検出す
る工程と、を備えたことを特徴とする回路パターンの寸
法測定方法である。
【0006】
【作用】本発明によれば、ラインプロファイルデータを
平滑化微分して回路パターンの一対の概略エッジ位置を
求め、この一対の概略エッジ位置に基づいて始点と終点
とを定めて、自動アルゴリズムを実行するので、回路パ
ターンの正確なエッジ位置を精度良く検出することがで
きる。
【0007】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図1乃至図7は本発明による回路パターン
の寸法測定方法の一実施例を示す図である。
【0008】図1に示すように、本発明による回路パタ
ーンの寸法測定方法を実施するための装置は、試料5を
載置するX−Yステージ4と、電子ビーム25(図3参
照))を偏向させて試料5上に電子ビーム25を走査さ
せる偏向器2とを有する走査電子顕微鏡(SEM)1を
備えている。この場合、試料5は図2に示すように、ウ
ェハ等の基板22と、基板22上に形成された回路パタ
ーン21とからなっている。X−Yステージ4上には、
試料5からの反射ビームを検出する検出器3が設けら
れ、検出器3には画像処理装置7が接続されている。こ
の画像処理装置7には、検出器3からの二次電子信号が
入力され、また画像処理装置7から偏向器2に偏向信号
が出力される。さらに画像処理装置7には、計算機6お
よびモニタ8が各々接続されている。
【0009】次にこのような構成からなる本実施例の作
用について説明する。まず画像処理装置7からSEMの
偏向器2へ偏向信号が出力され、偏向器2によって電子
ビーム25が、基板22の回路パターン21上に走査す
る(図3)。同時に、SEM1の検出器3によって試料
5からの反射ビームが検出され、検出器3から二次電子
信号が、偏向信号と同期して画像処理装置7に入力され
る。画像処理装置7において、二次電子信号はA/D変
換され、256階調の画像データとして、フレームメモ
リ7a内に記憶される。この場合、ノイズを除去するた
め、電子ビーム25の走査を数回行ない、得られた画像
データを加算平均してフレームメモリ7a内に記憶して
もよい。
【0010】次に計算機6において、フレームメモリ7
aからの画像データを読み出し、後述のような回路パタ
ーンの寸法測定演算を行なう。また画像処理装置7のフ
レームメモリ7a内に記憶された画像データに基づい
て、回路パターンがモニタ8から表示される。
【0011】次に計算機6内における回路パターンの寸
法測定演算について述べる。まずフレームメモリ7aか
ら画像データが読み出され、計算機6においてビーム走
査方向(X方向)の測定位置に対応するラインプロファ
イルデータが抽出される。次に抽出したラインプロファ
イルデータの最大値及び最小値を検出し、最小値を濃淡
値0、最大値を濃淡値255となるよう線形強調により
プロファイルデータを規格化する。このように規格化さ
れたプロファイルデータF(XN )を図4に示す。
【0012】次に、規格化されたプロファイルデータF
(XN )から回路パターン21のエッジを検出するため
に、ラインプロファイルデータに対して平滑化微分を行
う。ここで平滑化微分とは、ラインプロファイルデータ
F(XN )に対して平滑化微分の重み係数、例えば一階
微分の7点平滑化の場合は(−3,−2,−1,0,
1,2,3)をコンボリューションし、平滑化微分波形
を得る処理である。
【0013】規格化されたラインプロファイルデータF
(XN )に平滑化微分重み係数をコンボリューション
し、平滑化微分波形F′(XN )を得る(図5)。
【0014】次に平滑化微分波形F′(XN )が正から
負に変化する測定位置XK を求める。XK はラインプロ
ファイルデータF(XN )の極大値をもつ測定位置に相
当する。さらに回路パターン21のエッジの2つのピー
クを検出するため、ある設定値Aに対してラインプロフ
ァイルデータF(XK )がF(XK )>AとなるXK
測定位置X1 ,X2 を求める。すなわち、X1 ,X2
各極大値のうち最大2点に対応する測定位置となる。次
にX1 とX2 の値を比較し、小さい方を左側エッジの概
略エッジ位置XMAXLとし、他方を右側エッジの概略エッ
ジ位置XMAXRとする。
【0015】ここで、ある指定された画素数をBとし、
左側エッジの概略エッジ位置XMAXL空から左側(外側)
へBだけ離れた位置XMAXL−Bを、後述する自動測定ア
ルゴリズムで用いる平行カーソルの左側位置CL (始
点)とする。次に右側エッジの概略エッジ位置XMAXR
ら右側(外側)へBだけ離れた位置XMAXR−Bを、自動
測定アルゴリズムで用いる平行カーソルの右側位置CR
(終点)とする。図6において、概略エッジ位置
MAXL、XMAXRは画像データの回路パターン31の傾斜
部31の傾斜部32、32に対応する。
【0016】このようにして、自動測定アルゴリズムを
用いて測すべきラインプロファイルデータF(XN )の
始点と終点とが自動的に設定される。次にラインプロフ
ァイルデータF(XN )の始点CL から終点CR までの
領域に対して、自動測定アルゴリズムが実行される。自
動測定アルゴリズムとしては、閾値法、直線近似法およ
び最大傾斜等が考えられ、このような自動測定アルゴリ
ズムによって、回路パターン21の正確なエッジ位置が
求められる。
【0017】本実施例によれば、ラインプロファイルデ
ータを平滑化微分して回路パターンの概略エッジ位置X
MAXL、XMAXRを求め、この概略エッジ位置を基にして平
行カーソルの左側位置CL と右側位置CR を設定したの
で、オペレータがマニュアルで設定する場合に比較し
て、平行カーソルを精度良く設定することができる。こ
のため自動測定アルゴリズムを用いて、回路パターンの
正確なエッジ位置を精度良く検出することができる。
【0018】なお、上記実施例において、フレームメモ
リ7a内に256階調の画像データを記憶させた例を示
したが、これに限らず4096階調の画像データとして
記憶させてもよい。
【0019】また上記実施例において、X方向のライン
プロファイルデータを抽出した例を示したが、ラインプ
ロファイルデータを抽出する前に、図7に示すようなロ
ビンソンオペレータ処理を行なって所望方向のラインプ
ロファイルデータを抽出することができる。
【0020】例えば、図7(a)に示すロビンソンオペ
レータ処理を施すと、フレームメモリ7a内に記憶され
た画像データのX軸方向に対し水平方向の回路パターン
の一側エッジが強調される。また図7(b)に示すロビ
ンソンオペレータ処理によれば、右上から左下への斜め
方向の回路パターンの一側エッジが強調される。同様に
図7(c)に示すロビンソンオペレータ処理によれば垂
直方向の回路パターンの一側のエッジが強調され、図7
(d)に示すロビンソンオペレータ処理によれば左上か
ら右下への斜め方向の回路パターンの一側エッジが強調
される。
【0021】同様に図7(e)によれば、図7(a)と
同一方向の回路パターンの他側エッジが強調され、図7
(f)によれば図7(b)と同一方向の他側エッジが強
調され、図7(g)によれば図7(c)と同一方向の他
側エッジが強調され、図7(h)によれば図7(d)と
同一方向の他側エッジが強調される。
【0022】このようなロビンソンオペレータ処理を順
次行ない、各々の方向に強調された画像データを比較す
ることにより、回路パターンの方向を特定する。そして
この特定した方向に基づいて、ラインプロファイルデー
タを抽出することができる。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ラインプロファイルデータを平滑化微分して得られた一
対の概略エッジ位置に基づいて自動アルゴリズムの始点
と終点を設定することができる。このため、オペレータ
がマニュアルで平行カーソルを設定する場合に比較し
て、精度良く回路パターンの正確なエッジ位置を検出す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による回路パターンの寸法測定方法の一
実施例を実施するための装置の概略図。
【図2】基板上に回路パターンが形成された試料を示す
側断面図。
【図3】基板上の回路パターンに電子ビームを走査する
状態を示す図。
【図4】規格化されたラインプロファイルデータを示す
図。
【図5】ラインプロファイルデータに対して平滑微分処
理を行なって得られた平滑化微分波形を示す図。
【図6】自動測定アルゴリズムの始点と終点を示す図。
【図7】ロビンソンオペレータ処理を実施するための演
算方法を示す図。
【符号の説明】
1 走査電子顕微鏡 2 偏向器 3 検出器 4 X−Yステージ 5 試料 6 計算機 7 画像処理装置 8 モニタ 21 回路パターン 22 基板 25 電子ビーム 31 回路パターン 32 傾斜部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01B 15/00 H01J 37/22 H01J 37/28 H01L 21/66

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板上の回路パターンに電子ビームを走査
    して、測定位置に対応する回路パターンのラインプロフ
    ァイルデータを求める工程と、 ラインプロファイルデータに対して平滑化微分を行なっ
    て平滑化微分波形を求める工程と、 平滑化微分波形からラインプロファイルデータの極大値
    を求めるとともに、各極大値のうち最大2点に対応する
    測定位置を回路パターンの一対の概略エッジ位置として
    定める工程と、 前記一対の概略エッジ位置に基づいて自動測定を実行す
    る測定領域の範囲の始点と終点を定める工程と、 始点から終点までのラインプロファイルデータに対して
    自動測定アルゴリズムを実行して回路パターンの正確な
    エッジ位置を検出する工程と、 を備えたことを特徴とする回路パターンの寸法測定方
    法。
  2. 【請求項2】基板上の回路パターンに電子ビームを走査
    して、画像データを形成する工程と、 前記画像データに基づいて測定位置に対応する回路パタ
    ーンのラインプロファイルデータを求める工程と、 前記ラインプロファイルデータに対して平滑化微分を行
    なって平滑化微分波形を求める工程と、 前記平滑化微分波形に基づいて前記ラインプロファイル
    データの極大値を求めるとともに、各極大値に対応する
    測定位置を回路パターンの一対の概略エッジ位置として
    定める工程と、 前記一対の概略エッジ位置に基づいて自動測定アルゴリ
    ズムの始点と終点を定める工程と、 始点から終点までのラインプロファイルデータに対して
    自動測定アルゴリズムを実行して、回路パターンの正確
    なエッジ位置を検出する工程と、 を備えたことを特徴とする回路パターンの寸法測定方
    法。
  3. 【請求項3】画像データに基づいて測定位置に対応する
    回路パターンのラインプロファイルデータを求める前記
    工程は、 基板上の回路パターンに電子ビームを複数回数走査して
    得られた画像データを加算平均した画像データに基づい
    て行われることを特徴とする、請求項2記載の回路パタ
    ーンの寸法測定方法。
  4. 【請求項4】ラインプロファイルデータの最大値および
    最小値を検出する工程と、 検出されたラインプロファイルデータの最大値および最
    小値に基づいてラインプロファイルデータを線形強調す
    る工程と、 をさらに備えたことを特徴とする、請求項2記載の回路
    パターンの寸法測定方法。
  5. 【請求項5】一対の概略エッジ位置に基づいて自動測定
    アルゴリズムの始点と終点を定める前記工程は、 左側の概略エッジ位置から予め指定された画素数分左側
    に離れた位置を始点として決定するとともに、右側の概
    略エッジ位置から予め指定された画素数分右側に離れた
    位置を終点として決定することにより行われることを特
    徴とする、請求項2記載の回路パターンの寸法測定方
    法。
  6. 【請求項6】基板上の回路パターンに電子ビームを走査
    して、画像データを形成する工程と、 前記画像データに基づいて測定位置に対応する回路パタ
    ーンのラインプロファイルデータを求める工程と、 前記ラインプロファイルデータに対して平滑化微分を行
    なって平滑化微分波形を求める工程と、 前記平滑化微分波形に基づいて前記ラインプロファイル
    データの極大値を求めるとともに、各極大値に対応する
    測定位置を回路パターンの一対の概略エッジ位置として
    定める工程と、 前記一対の概略エッジ位置に基づいて自動測定アルゴリ
    ズムの始点と終点を定める工程と、 始点から終点までのラインプロファイルデータに対して
    自動測定アルゴリズムを実行して、回路パターンの正確
    なエッジ位置を検出する工程と、 を備え、 画像データに基づいて測定位置に対応する回路パターン
    のラインプロファイルデータを求める前記工程は、画像
    データに対してロビンソンオペレータプロセスを実行す
    ることにより行われ、前記ロビンソンオペレータプロセ
    スは所望方向の回路パターンの一対の概略エッジ位置を
    強調するようになっていること特徴とする、回路パター
    ンの寸法測定方法。
  7. 【請求項7】画像データに基づいて測定位置に対応する
    回路パターンのラインプロファイルデータを求める前記
    工程は、 基板上の回路パターンに電子ビームを複数回数走査して
    得られた前記画像データを加算平均した画像データに基
    づいて行われることを特徴とする、請求項6記載の回路
    パターンの寸法測定方法。
  8. 【請求項8】ラインプロファイルデータの最大値および
    最小値を検出する工程と、 検出されたラインプロファイルデータの最大値および最
    小値に基づいて、ラインプロファイルデータを線形強調
    する工程と、 をさらに備えたことを特徴とする、請求項6記載の回路
    パターンの寸法測定方法。
  9. 【請求項9】前記一対の概略エッジ位置に基づいて自動
    測定アルゴリズムの始点と終点を定める前記工程は、 左側の概略エッジ位置から予め指定された画素数分左側
    に離れた位置を始点として決定するとともに、右側の概
    略エッジ位置から予め指定された画素数分右側に離れた
    位置を終点として決定することにより行われることを特
    徴とする、請求項6載の回路パターンの寸法測定方法。
JP4310111A 1992-11-19 1992-11-19 回路パターンの寸法測定方法 Expired - Fee Related JP2823450B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4310111A JP2823450B2 (ja) 1992-11-19 1992-11-19 回路パターンの寸法測定方法
US08/154,349 US5434409A (en) 1992-11-19 1993-11-18 Critical dimension measuring method
KR1019930024608A KR0134754B1 (ko) 1992-11-19 1993-11-20 회로 패턴의 치수 측정 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4310111A JP2823450B2 (ja) 1992-11-19 1992-11-19 回路パターンの寸法測定方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06160067A JPH06160067A (ja) 1994-06-07
JP2823450B2 true JP2823450B2 (ja) 1998-11-11

Family

ID=18001314

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4310111A Expired - Fee Related JP2823450B2 (ja) 1992-11-19 1992-11-19 回路パターンの寸法測定方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5434409A (ja)
JP (1) JP2823450B2 (ja)
KR (1) KR0134754B1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09184714A (ja) * 1995-12-28 1997-07-15 Hitachi Ltd パターン寸法測定方法
US6095553A (en) * 1998-06-30 2000-08-01 Ford Global Technologies, Inc. Side impact sensor system and method
US6627887B1 (en) * 2000-06-20 2003-09-30 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for constructing a profile of a structure in an integrated circuit
US6420702B1 (en) * 2000-07-07 2002-07-16 Advanced Micro Devices, Inc. Non-charging critical dimension SEM metrology standard
DE10047211B4 (de) * 2000-09-23 2007-03-22 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Positionsbestimmung einer Kante eines Strukturelementes auf einem Substrat
JP4286657B2 (ja) * 2003-12-26 2009-07-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡を用いたライン・アンド・スペースパターンの測定方法
US7821794B2 (en) * 2005-04-11 2010-10-26 Aveso, Inc. Layered label structure with timer
US7599192B2 (en) * 2005-04-11 2009-10-06 Aveso, Inc. Layered structure with printed elements
CN100480619C (zh) * 2005-10-31 2009-04-22 致茂电子股份有限公司 正交表面形貌图中任意截线方向形成截面轮廓的方法
WO2014014446A1 (en) * 2012-07-16 2014-01-23 Fei Company Endpointing for focused ion beam processing
JP2019185972A (ja) 2018-04-06 2019-10-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡システム及びパターンの深さ計測方法
JP2019184354A (ja) * 2018-04-06 2019-10-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子顕微鏡装置、電子顕微鏡装置を用いた検査システム及び電子顕微鏡装置を用いた検査方法
JP7149906B2 (ja) 2019-08-07 2022-10-07 株式会社日立ハイテク 走査電子顕微鏡及びパタン計測方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57211733A (en) * 1981-06-24 1982-12-25 Toshiba Corp Detecting device for electron beam exposing marker
JPS59112217A (ja) * 1982-11-29 1984-06-28 Toshiba Corp 寸法測定方法
EP0177566B1 (en) * 1984-03-20 1991-12-27 Bio-Rad Micromeasurements (Canada) Inc. Method for precision sem measurements
US4588890A (en) * 1984-12-31 1986-05-13 International Business Machines Corporation Apparatus and method for composite image formation by scanning electron beam
JPS62237307A (ja) * 1986-04-09 1987-10-17 Toshiba Corp 寸法測定装置
JPH0663758B2 (ja) * 1987-10-14 1994-08-22 株式会社東芝 パターンの測定方法
JP2602287B2 (ja) * 1988-07-01 1997-04-23 株式会社日立製作所 X線マスクの欠陥検査方法及びその装置
US4941980A (en) * 1989-02-17 1990-07-17 Opal, Inc. System for measuring a topographical feature on a specimen
JPH07111336B2 (ja) * 1990-02-07 1995-11-29 株式会社東芝 パターン寸法測定方法及び装置
US5095207A (en) * 1991-01-07 1992-03-10 University Of Wisconsin - Milwaukee Method of three-dimensional atomic imaging
JP2535695B2 (ja) * 1992-01-13 1996-09-18 株式会社東芝 走査型電子顕微鏡の自動焦点合わせ方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR0134754B1 (ko) 1998-04-20
KR940012479A (ko) 1994-06-23
JPH06160067A (ja) 1994-06-07
US5434409A (en) 1995-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7335881B2 (en) Method of measuring dimensions of pattern
JP2823450B2 (ja) 回路パターンの寸法測定方法
US8283630B2 (en) Method and apparatus for measuring dimension of circuit pattern formed on substrate by using scanning electron microscope
US6839470B2 (en) Pattern evaluation method, pattern evaluation system and computer readable recorded medium
JP2745764B2 (ja) 位置認識装置
US20090212215A1 (en) Scanning electron microscope and method of measuring pattern dimension using the same
JPH0555802B2 (ja)
JP4834244B2 (ja) 寸法検査方法及びその装置並びにマスクの製造方法
JP2002243428A (ja) パターン検査方法およびその装置
US6965687B2 (en) Size checking method and apparatus
JP3243916B2 (ja) 円形状パターン計測・位置認識装置
JP3104804B2 (ja) 荷電ビームを用いたパタン寸法測定方法
TWI807346B (zh) 尺寸計測裝置,半導體製造裝置及半導體裝置製造系統
JP2020051771A (ja) パターン形状評価装置、パターン形状評価システム及びパターン形状評価方法
JP3720201B2 (ja) 走査電子顕微鏡システムおよび集積回路の製造方法
GB2297379A (en) Inspection of semiconductor device for defective leads
JP3013254B2 (ja) 形状測定方法
JPH04269614A (ja) パターン位置検出方法及びその実施装置
JPS62237307A (ja) 寸法測定装置
JP2829968B2 (ja) 波形照合方法
JP2879357B2 (ja) 形状判定方法
CN116977307A (zh) 量测验证方法、计算机设备及计算机可读存储介质
US20230194253A1 (en) Pattern Inspection/Measurement Device, and Pattern Inspection/Measurement Program
JPH05251321A (ja) 合わせずれ測定方法及びその測定装置
JPH05126545A (ja) 形状測定装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070904

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080904

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080904

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090904

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees