KR940012479A - 회로 패턴의 치수 측정 방법 - Google Patents
회로 패턴의 치수 측정 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR940012479A KR940012479A KR1019930024608A KR930024608A KR940012479A KR 940012479 A KR940012479 A KR 940012479A KR 1019930024608 A KR1019930024608 A KR 1019930024608A KR 930024608 A KR930024608 A KR 930024608A KR 940012479 A KR940012479 A KR 940012479A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- circuit pattern
- profile data
- line profile
- pair
- end point
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B15/00—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B15/00—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
- G01B15/04—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons for measuring contours or curvatures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2814—Measurement of surface topography
- H01J2237/2816—Length
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
본 발명은 회로 패턴의 자동 알고리즘을 이용해서 정확한 연부 위치를 검출하는 측정 정밀도의 향상을 도모하기 위한 것이다.
전자빔을 주사해서 얻어진 라인 프로파일 데이터에 대해 평활화 미분 처리를 행하여 회로 패턴(31)의 한쌍의 개략 연부 위치(32, 32)를 구한다. 이 한쌍의 개략 연부 위치(32, 32)의 외측으로 소정 화소 수 B만큼 분리시킨 위치를 자동 알고리즘의 시점(CL)및 종점(CR)이라 한다. 이 시점(CL) 및 종점(CR)사이의 라인 프로파일 데이터에 대해 자동 측정 알고리즘을 실행하여 회로 패턴(31)의 정확한 연부 위치를 검출한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 회로 패턴의 치수 측정 방법의 한 실시예를 실시하기 위한 장치의 개략도.
제2도는 기판 상에 회로 패턴이 형성된 시료를 도시하는 측 단면도.
제3도는 기판 상의 회로 패턴에 전자 빔을 주사하는 상태를 도시하는 도면.
제4도는 규격화된 라인 프로파일 데이터를 도시하는 도면.
제5도는 라인 프로파일 데이터에 대해 평활 미분 처리를 행해 얻어진 평활화 미분 파형을 도시하는 도면.
제6도는 자동 측정 알고리즘의 시점과 종점을 도시하는 도면.
Claims (1)
- 기판 상의 회로 패턴에 전자 빔을 주사하여 측정 위치에 대응하는 회로 패턴의 라인 프로파일 데이터를 구하는 공정, 라인 프로파일 데이터에 의해 평활화 미분을 행해 평활화 미분 파형을 구하는 공정, 평활화 미분 파형으로부터 라인 프로파일 데이터의 극대치를 구함과 동시에, 각 극대치 중 최대 2점에 대응하는 측정 위치를 회로패턴의 한쌍의 개략 연부 위치로써 결정하는 공정, 상기 한쌍의 개략 연부 위치에 기초하여 자동 측정 알고리즘의 시점과 종점을 결정하는 공정, 및 시점으로부터 종점까지의 라인 프로파일 데이터에 대해 자동 측정 알고리즘을 실행하여 회로 패턴의 정확한 연부 위치를 검출하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 패턴의 치수 측정방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP92-310111 | 1992-11-19 | ||
JP4310111A JP2823450B2 (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | 回路パターンの寸法測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR940012479A true KR940012479A (ko) | 1994-06-23 |
KR0134754B1 KR0134754B1 (ko) | 1998-04-20 |
Family
ID=18001314
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019930024608A KR0134754B1 (ko) | 1992-11-19 | 1993-11-20 | 회로 패턴의 치수 측정 방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5434409A (ko) |
JP (1) | JP2823450B2 (ko) |
KR (1) | KR0134754B1 (ko) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09184714A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Hitachi Ltd | パターン寸法測定方法 |
US6095553A (en) * | 1998-06-30 | 2000-08-01 | Ford Global Technologies, Inc. | Side impact sensor system and method |
US6627887B1 (en) * | 2000-06-20 | 2003-09-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for constructing a profile of a structure in an integrated circuit |
US6420702B1 (en) * | 2000-07-07 | 2002-07-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Non-charging critical dimension SEM metrology standard |
DE10047211B4 (de) * | 2000-09-23 | 2007-03-22 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Positionsbestimmung einer Kante eines Strukturelementes auf einem Substrat |
JP4286657B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2009-07-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡を用いたライン・アンド・スペースパターンの測定方法 |
US7599192B2 (en) * | 2005-04-11 | 2009-10-06 | Aveso, Inc. | Layered structure with printed elements |
US7821794B2 (en) * | 2005-04-11 | 2010-10-26 | Aveso, Inc. | Layered label structure with timer |
CN100480619C (zh) * | 2005-10-31 | 2009-04-22 | 致茂电子股份有限公司 | 正交表面形貌图中任意截线方向形成截面轮廓的方法 |
WO2014014446A1 (en) * | 2012-07-16 | 2014-01-23 | Fei Company | Endpointing for focused ion beam processing |
JP2019185972A (ja) | 2018-04-06 | 2019-10-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡システム及びパターンの深さ計測方法 |
JP2019184354A (ja) * | 2018-04-06 | 2019-10-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子顕微鏡装置、電子顕微鏡装置を用いた検査システム及び電子顕微鏡装置を用いた検査方法 |
JP7149906B2 (ja) | 2019-08-07 | 2022-10-07 | 株式会社日立ハイテク | 走査電子顕微鏡及びパタン計測方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57211733A (en) * | 1981-06-24 | 1982-12-25 | Toshiba Corp | Detecting device for electron beam exposing marker |
JPS59112217A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-28 | Toshiba Corp | 寸法測定方法 |
JPS61502486A (ja) * | 1984-03-20 | 1986-10-30 | マノクエスト・カナダ・インコーポレイテッド | 精密sem測定のための方法と装置 |
US4588890A (en) * | 1984-12-31 | 1986-05-13 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for composite image formation by scanning electron beam |
JPS62237307A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-17 | Toshiba Corp | 寸法測定装置 |
JPH0663758B2 (ja) * | 1987-10-14 | 1994-08-22 | 株式会社東芝 | パターンの測定方法 |
JP2602287B2 (ja) * | 1988-07-01 | 1997-04-23 | 株式会社日立製作所 | X線マスクの欠陥検査方法及びその装置 |
US4941980A (en) * | 1989-02-17 | 1990-07-17 | Opal, Inc. | System for measuring a topographical feature on a specimen |
JPH07111336B2 (ja) * | 1990-02-07 | 1995-11-29 | 株式会社東芝 | パターン寸法測定方法及び装置 |
US5095207A (en) * | 1991-01-07 | 1992-03-10 | University Of Wisconsin - Milwaukee | Method of three-dimensional atomic imaging |
JP2535695B2 (ja) * | 1992-01-13 | 1996-09-18 | 株式会社東芝 | 走査型電子顕微鏡の自動焦点合わせ方法 |
-
1992
- 1992-11-19 JP JP4310111A patent/JP2823450B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-11-18 US US08/154,349 patent/US5434409A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-11-20 KR KR1019930024608A patent/KR0134754B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5434409A (en) | 1995-07-18 |
KR0134754B1 (ko) | 1998-04-20 |
JPH06160067A (ja) | 1994-06-07 |
JP2823450B2 (ja) | 1998-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR940012479A (ko) | 회로 패턴의 치수 측정 방법 | |
US4958307A (en) | Roll mark inspection apparatus | |
KR970075840A (ko) | 패턴 결함 검사 장치 | |
KR850000088A (ko) | 패턴 매칭방법 및 장치 | |
JPH0555802B2 (ko) | ||
KR20180127412A (ko) | 물체의 면을 광학적으로 측정하고 검사하기 위한 방법 및 시스템 | |
KR950007537A (ko) | 이동 벡터 검출 장치 | |
JP4834244B2 (ja) | 寸法検査方法及びその装置並びにマスクの製造方法 | |
KR100288330B1 (ko) | 밴드형상영역의중심을서치하는방법 | |
KR960005916A (ko) | 반도체소자의 공정결함 검사방법 | |
KR910012673A (ko) | 거리 측정장치 | |
JPH1089939A (ja) | 表面形状測定方法及び装置 | |
JP2002243428A (ja) | パターン検査方法およびその装置 | |
JP3243916B2 (ja) | 円形状パターン計測・位置認識装置 | |
JP3104804B2 (ja) | 荷電ビームを用いたパタン寸法測定方法 | |
JPS57196377A (en) | Pattern recognizing method | |
JPH04269614A (ja) | パターン位置検出方法及びその実施装置 | |
JPH0416707A (ja) | 電子ビームによるパターン認識方法 | |
JP3062376B2 (ja) | 文字判定装置 | |
JP3013255B2 (ja) | 形状測定方法 | |
JPH074931A (ja) | 光切断法を使用してなすピーク検出法 | |
JP2000269700A (ja) | パターンマッチング認識方法 | |
JPH0440572A (ja) | 形状測定方法 | |
JPS6414917A (en) | Alignment accuracy measuring mark and measuring method for accuracy using the same | |
JPH11120355A (ja) | 画像処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20021231 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |