JPH0416707A - 電子ビームによるパターン認識方法 - Google Patents

電子ビームによるパターン認識方法

Info

Publication number
JPH0416707A
JPH0416707A JP2122431A JP12243190A JPH0416707A JP H0416707 A JPH0416707 A JP H0416707A JP 2122431 A JP2122431 A JP 2122431A JP 12243190 A JP12243190 A JP 12243190A JP H0416707 A JPH0416707 A JP H0416707A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
electron beam
divided
patterns
signals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2122431A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsushi Yamada
篤 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
Original Assignee
Jeol Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jeol Ltd filed Critical Jeol Ltd
Priority to JP2122431A priority Critical patent/JPH0416707A/ja
Publication of JPH0416707A publication Critical patent/JPH0416707A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
  • Closed-Circuit Television Systems (AREA)
  • Image Analysis (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、電子ビームによる測長装置などに使用して最
適な電子ビームによるパターン認識方法に関する。
(従来技術) 電子ビーム測長装置などのICパターンの欠陥検査装置
では、走査電子顕微鏡画像がら特定の測定すべきパター
ンの位置を見つけ、そのパターンを光軸下に移動させて
パターンの測長などを行うようにしている。このパター
ンの位置認識は、通常パターンマツチング法を用いて行
っている。このパターンマツチング法においては、予め
、フレムメモリなどの画像装置に測長すべきパターンの
標準パターン画像を記憶させておく。そして、測定試料
の走査電子顕微鏡画像(SEM像という)を得、この画
像中のパターンと、記憶しである標準パターンとの相関
関係により、標準パターンと同一のパターンの位置を見
つけるようにしている。
(発明が解決しようとする課題) 上記したパターンマツチング法では、SEM像を得てい
るが、このSEM像のSN比は良くなく、相関誤差が発
生しやすい。この相関誤差があると、パターンマツチン
グ確率が低下してしまう。
本発明は、上述した点に鑑みてなされたもので、ソノ目
的は、精度良くパターンマツチングラ行うことができる
電子ビームによるパターン認識方法を実現するにある。
(課題を解決するための手段) 本発明に基づく電子ビームによるパターン認識方法は、
電子ビームを試料上で走査することによって得られた信
号を2値化すると共に、電子ビームの走査範囲を仮想的
に分割し、各分割された単位面における電子ビームの移
動走査に基づいて検出された信号を加算するステップ、
前記加算された信号に基づいて単位面に存在するパター
ンの面積比を求めるステップ、単位面内のパターンの面
積比と、隣り合った単位面内のパターンの面積比とから
、各単位面内のパターンの位置を求めるステップとから
成ることを特徴としている。
(作用) 電子ビームを試料上で走査することによって得られた信
号を2値化すると共に、電子ビームの走査範囲を仮想的
に分割し、各分割面におけるパターンの存在比を求め、
分割面のパターンの存在比と、隣り合った分割面のパタ
ーンの存在比とから、各分割面におけるパターンの位置
を求め、パターンの認識を行う。
(実施例) 以下、第1図を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。第1図は本発明に基づく電子ビームによるパターン
認識方法を実施する電子ビーム測長装置の一例を示して
おり、電子ビームEBは、偏向器1によって偏向される
。2は試料であり、試料ステージ3上に載せられている
。偏向器1へは、コンピュータ4によって制御される偏
向器制御ユニット5から偏向信号か供給され、それに基
づいて電子ビームEBは試料2上で走査される。
試料2への電子ビームの照射によって発生した、例えば
、二次電子は、検出器6によって検出され、その検出信
号は増幅器7によって増幅され、信号波形処理回路8に
よって1か0の信号に変換された後、フレームメモリ9
に供給されて電子ビームの走査位置に応じて記憶される
。10はフレームメモリ9に記憶された信号を部分的に
積算した結果が記憶されるメモリ、11は標準パターン
が記憶されているメモリである。
上述した構成で、試料2上の所定領域は電子ビームEB
によって2次元的に走査される。第2図(a)は、試料
2の電子ビームによる走査範囲Rを示しており、A、B
、Cは基板上に形成されたパターンである。この走査範
囲は、電子ビームによってMxXMyの画素で走査され
る。この電子ビームの走査に基づいて試料2から得られ
た二次電子は、検出器6によって検出され、その検出信
号は増幅器7.信号波形処理回路8を介してフレームメ
モリ9に供給されて記憶される。ここで、各画素信号は
、波形処理回路8において、バタン部A、  B、  
Cへの電子ビームの照射に基づく信号は1、パターン以
外の試料部分からの信号はOに2値化されている。信号
処理回路8においてこの2値化を行う一つの例を第3図
を用いて説明する。第3図(a)は、検出器6からの検
出信号であり、この検出信号の内、ビークP1〜P4は
、パターンの端部に基づくものである。この検出信号は
、スレッショルドレベルLと比較され、その交点t1〜
t4が求められる。そして、交点tとt2との間、t、
とt4との間がパターンからの信号として、第3図(b
)に示すように、信号値を1とし、それ以外の信号を0
として2値化を行う。
前記した走査範囲は、第2図(b)に示すように、先ず
、N x X N y (N x < M x 、  
N y < M y )の面に仮想的に分割する。この
実施例ては、Nxは10、Nyは7とされている。コン
ピュータ4は、フレームメモリ9に記憶されている検出
信号を、各分割された市内に含まれる画素の信号を積算
し、更に、積算した値の最大値を1としてノーマライズ
し、その値をメモリ10に記憶する。このノーマライズ
された値は、O〜1の間の数字となり、各面内のパター
ンの面積存在比を示すものとなる。第2図(b)には、
仮想的に分割された各面のノーマライズされた値を示し
ており、この各面の値から、パターンの形状が認識され
る。以下、第4図〜第8図に基づいてパターン形状を認
識するステップについて述べる。
第4図〜第8図の例では、説明の簡単化のために、分割
面を9としている。第4図の例では、中心の面Sに注目
すると、ノーマライズされた値、すなわち、中心の面S
の中に存在するパターンの割合は1/2となっている。
この中心の面に含まれる1/2のパターンの位置を求め
るために、隣り合った8つの面の存在比が参考にされる
。すなわち、この例では、上、下、右上、右、右下にパ
ターンが存在することから、1/2のパターンPは、第
4図(b)に示すように、面Sの右側に存在するとして
認識される。同様に、第5図(a)の例では、中心面S
の1/4のパターンは、第5図(b)に示すように、面
の右下に1/4の面積を示すパターンPとして認識され
る。第6図(a)の例では、第6図(b)に示すように
、左下に1/4の面積のパターンPが、第7図(a)の
例では、第7図(b)に示すように、左側に1/2の面
積のパターンPが、第8図(a)の例では、第8図(b
)に示すように、右上に1/2の面積のパターンPが存
在することが認識される。
このようにして、コンピュータ4は、メモリ10に記憶
された各分割面のノーマライズされた値から各面におけ
るパターンの存在位置を認識し、それらを組み合わせて
電子ビームの走査範囲に含まれるパターンの形状を認識
する。なお、コンピュータ4におけるこの認識は、パタ
ーンの輪郭を求めることによって行っている。このパタ
ーンの形状が認識された後、コンピュータ4は、メモリ
11に予め記憶してあった標準パターンと、認識した試
料2上のパターンとを比較し、標準パターンと同一のパ
ターンを見出し、その同一パターンを電子ビーム光軸下
に位置するように試料を移動させる。その後、同一パタ
ーンの幅や長さの測長が、電子ビームの走査に基づいて
行われる。
以上本発明の詳細な説明したが、本発明はこの実施例に
限定されない。例えば、二次電子を検出するようにした
が反射電子を検出するようにしても良い。
(発明の効果) 以上、詳細に説明したように、本発明では、電子ビーム
を試料上で走査することによって得られた信号を2値化
すると共に、電子ビームの走査範囲を仮想的に分割し、
各分割面におけるパターンの存在比を求め、分割面のパ
ターンの存在比と、隣り合った分割面のパターンの存在
比とから、各分割面におけるパターンの位置を求め、パ
ターンの認識を行うようにしたので、SEM像を用いた
従来のパターンマツチング方法に比べ、SEM像のノイ
ズの影響を受けないので、正確にパターンの認識を行う
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に基づく方法を実施するための電子ビ
ーム測長装置を示す図、 第2図は、電子ビームの走査範囲と仮想的な分割を説明
するための図、 第3図は、信号の2値化を説明するための図、第4図〜
第8図は、パターンの存在位置を認識するステップを説
明するための図である。 1・・・偏向器      2・・・試料3・・・試料
ステージ   4・・・コンピュータ5・・・偏向器制
御ユニット 6・・検出器      7・・・増幅器8・・・信号
波形処理回路 9・・・フレームメモリ10.11・・
・メモリ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 電子ビームを試料上で走査することによって得られた信
    号を2値化すると共に、電子ビームの走査範囲を仮想的
    に分割し、各分割された単位面における電子ビームの移
    動走査に基づいて検出された信号を加算するステップ、
    前記加算された信号に基づいて単位面に存在するパター
    ンの面積比を求めるステップ、単位面内のパターンの面
    積比と、隣り合った単位面内のパターンの面積比とから
    、各単位面内のパターンの位置を求めるステップとから
    成る電子ビームによるパターン認識方法。
JP2122431A 1990-05-11 1990-05-11 電子ビームによるパターン認識方法 Pending JPH0416707A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2122431A JPH0416707A (ja) 1990-05-11 1990-05-11 電子ビームによるパターン認識方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2122431A JPH0416707A (ja) 1990-05-11 1990-05-11 電子ビームによるパターン認識方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0416707A true JPH0416707A (ja) 1992-01-21

Family

ID=14835675

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2122431A Pending JPH0416707A (ja) 1990-05-11 1990-05-11 電子ビームによるパターン認識方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0416707A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5424852A (en) * 1992-03-31 1995-06-13 Canon Kabushiki Kaisha Image processing apparatus
JPH08928U (ja) * 1995-11-01 1996-06-07 ロング マニファクチャリング リミテッド 全面にフィンのある蒸発器コア
US5557416A (en) * 1992-09-25 1996-09-17 Canon Kabushiki Kaisha Image processing apparatus and method thereof for adding a predetermined pattern to an image
US5933520A (en) * 1994-03-25 1999-08-03 Canon Kabushiki Kaisha Image processing apparatus
KR100806073B1 (ko) * 2006-07-20 2008-02-21 김동현 친환경 저수공간을 구비하는 투수성 가로수 보호구조체
JP2008285316A (ja) * 2007-05-21 2008-11-27 Shin Meiwa Ind Co Ltd 塵芥収集車の塵芥投入箱
CN102853790A (zh) * 2011-06-29 2013-01-02 富葵精密组件(深圳)有限公司 X射线检测仪校正元件、校正方法及量测方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5424852A (en) * 1992-03-31 1995-06-13 Canon Kabushiki Kaisha Image processing apparatus
US5557416A (en) * 1992-09-25 1996-09-17 Canon Kabushiki Kaisha Image processing apparatus and method thereof for adding a predetermined pattern to an image
US5719681A (en) * 1992-09-25 1998-02-17 Canon Kabushiki Kaisha Image processing apparatus and method thereof for adding a predetermined pattern to an image
US5933520A (en) * 1994-03-25 1999-08-03 Canon Kabushiki Kaisha Image processing apparatus
JPH08928U (ja) * 1995-11-01 1996-06-07 ロング マニファクチャリング リミテッド 全面にフィンのある蒸発器コア
KR100806073B1 (ko) * 2006-07-20 2008-02-21 김동현 친환경 저수공간을 구비하는 투수성 가로수 보호구조체
JP2008285316A (ja) * 2007-05-21 2008-11-27 Shin Meiwa Ind Co Ltd 塵芥収集車の塵芥投入箱
CN102853790A (zh) * 2011-06-29 2013-01-02 富葵精密组件(深圳)有限公司 X射线检测仪校正元件、校正方法及量测方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5659172A (en) Reliable defect detection using multiple perspective scanning electron microscope images
US5355212A (en) Process for inspecting patterned wafers
US7230243B2 (en) Method and apparatus for measuring three-dimensional shape of specimen by using SEM
JPH09312318A (ja) パタ−ン欠陥検査装置
EP0345772A2 (en) Pattern configuration measuring apparatus
US20120305764A1 (en) Method of determining the concavity and convexity on sample surface, and charged particle beam apparatus
US6157451A (en) Sample CD measurement system
JPH03233310A (ja) パターン寸法測定方法及び装置
JP2003028811A (ja) 欠陥検出方法
US20070139645A1 (en) Pattern recognition matching for bright field imaging of low contrast semiconductor devices
JPH0416707A (ja) 電子ビームによるパターン認識方法
JPH0560540A (ja) 荷電ビームを用いたパタン寸法測定方法
JP2002014062A (ja) パターン検査方法およびその装置
JP4001681B2 (ja) 異物検査装置における異物径決定方法及び異物検査装置
JPH04269614A (ja) パターン位置検出方法及びその実施装置
JPS63122217A (ja) 微細パタ−ン検査方法
JPS63122218A (ja) 微細パタ−ン検査方法
JP5074058B2 (ja) 異物検査方法及び異物検査装置
KR100668218B1 (ko) 주사 전자 현미경을 이용한 시편 분석 방법
JPH03266444A (ja) 電子ビームを用いた測定装置におけるパタン検出方法および寸法測定方法
JPS61290313A (ja) 立体形状測定装置
JP2507553B2 (ja) 電子ビ―ム測長方法
JPH03289507A (ja) パターン寸法測定方法及び装置
JPH0778407B2 (ja) 幅測定装置
JPH09113467A (ja) 欠陥判別方法