JPH0664339B2 - イオンビーム加工方法 - Google Patents
イオンビーム加工方法Info
- Publication number
- JPH0664339B2 JPH0664339B2 JP9676891A JP9676891A JPH0664339B2 JP H0664339 B2 JPH0664339 B2 JP H0664339B2 JP 9676891 A JP9676891 A JP 9676891A JP 9676891 A JP9676891 A JP 9676891A JP H0664339 B2 JPH0664339 B2 JP H0664339B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- correction
- scanning
- focused
- controlled
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- Expired - Lifetime
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ製造用マスクに
存在する欠陥等を加工するイオンビーム加工方法に関す
るものである。 【０００２】 【従来の技術】マスクを製作するとき、ごみやほこり等
の影響で図１に示すように基板ガラス１の上につけられ
た正常なＣｒパターン２の中にＣｒが欠落した白点欠陥
３がでる。この白点欠陥を修正する方法として次のよう
な方法が知られている。 【０００３】即ち、図２（ａ）に示すようにフォトレジ
スト４を塗布し、スポット照射光５によって白点欠陥部
分を選択的に露光し、現像すると露光された部分だけが
洗い流されて図２（ｂ）のようになる。この上から追加
Ｃｒ膜６をスパッタ蒸着して第２図（ｃ）のようにした
のち、フォトレジスト４を取り去ると、フォトレジスト
４の上についていた追加Ｃｒ膜６は除かれ、白点欠陥部
３をうめるように蒸着されていた追加Ｃｒ膜６の一部だ
けが図２（ｄ）に示すように修正Ｃｒ膜７として残り、
白点欠陥の修正が完了する。 【０００４】また、従来技術として、特開昭５１−７６
９７８号公報、特公昭５２−９５０８号公報、及び特公
昭５３−２４７８７号公報が知られていた。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】前記の方法は、ウエッ
トプロセスであるため、多くの工程を要するなどの問題
がある。 【０００６】また、従来のレーザによるフォトマスクの
欠陥修正方法では、熱加工であるため、微細な加工がで
きないばかりでなく、ダメージが大きいという課題を有
していた。 【０００７】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決すべく、微細な回路パターンを有する基板に対してダ
メージを与えるのを少なくして微細な修正個所について
の微細な加工を能率よくできるようにしたイオンビーム
加工方法を提供するにある。 【０００８】 【課題を解決するための手段】即ち、本発明は上記目的
を達成するために、 付与手段に付与された微細回路パ
ターンを有する基板上の修正領域の位置に関する情報に
基いて位置出し手段を制御して上記基板を移動させて上
記修正領域の位置出しを行ない、イオン源から発したイ
オンビームをアパーチャにより絞って静電レンズにより
収束した収束イオンビームを走査電源によって駆動され
る偏向電極により走査し、走査照射された収束イオンビ
ームにより上記修正領域から得られる２次荷電粒子を検
出器により検出し、検出された２次荷電粒子像を表示手
段に表示し、この表示された修正領域の像を見て、偏向
電極によって走査される収束イオンビームの走査範囲
を、除去加工を行なう正確な修正個所として設定する修
正個所設定工程と、該修正個所設定工程において設定さ
れた走査範囲の指令に基いて走査電源を制御し、上記修
正個所の種類に応じて収束イオンビームの照射強度と照
射時間とを制御すると共にイオン源から発したイオンビ
ームをアパーチャにより絞って静電レンズにより収束し
た収束イオンビームを、制御された走査電源によって偏
向電極を駆動することによって修正個所のみに走査照射
して除去加工を行なう修正個所除去加工工程とを備えた
ことを特徴とするイオンビーム加工方法である。 【０００９】 【作用】本発明は、付与手段に付与された微細回路パタ
ーンを有する基板上の修正領域（欠陥部分）の位置に関
する情報に基いて位置出し手段を制御して上記基板を移
動させて上記修正領域の位置出しを行なうことにより、
基板を移動させながら２次荷電粒子像を表示手段に拡大
して表示して修正個所を探しだすことによってダメージ
を発生させることなく、微細な修正個所（欠陥）を有す
る修正領域（欠陥部分）の２次荷電粒子像を表示手段に
拡大して表示することを可能にして、走査電源によって
駆動される偏向電極による走査範囲を、正確に微細な修
正個所（欠陥）に設定することを可能にし、微細な修正
個所（欠陥）のみの除去加工を実現でき、更に修正個所
の種類に応じて収束イオンビームの照射強度と照射時間
とを制御することにより、余分な除去加工による下層へ
のダメージを無くして修正個所に対して最適な除去加工
を実現することができる。 【００１０】 【実施例】以下本発明を図に示す実施例にもとづいて具
体的に説明する。図３は本発明のフォト・マスクの白点
欠陥修正方法の一実施例を示す説明図である。即ちイオ
ン銃８から出たイオンビーム２５はコンデンサレンズ
（静電レンズ）９により一旦絞られ、対物絞り（アパー
チャ）１０を通過し、偏向電極１１で偏向されて、対物
レンズ（静電レンズ）１３で集束され、ＸＹテーブル１
５の上におかれたフォト・マスク１４上に照射される。 【００１１】フォトマスク（微細な回路パターンを有す
る基板）１４はシールド電極１６に覆われており、イオ
ンビームを照射された部分からは二次荷電粒子が飛び出
し、二次荷電粒子検出器１７に捕捉され、その信号は増
巾器１８で増巾され、ＣＲＴ１９に送られ、偏向電極１
１を駆動している走査電源１２からの走査信号に基いて
ＣＲＴ１９のスクリーン上にフォトマスク７の欠陥部分
の表面状態が表示される。この表面状態は光学顕微鏡２
０によって観察することもできる。フォト・マスク１４
の欠陥部分（修正領域）の位置出しは、ＸＹテーブル制
御部２１によって行われ、このＸＹテーブル制御部２１
はフォト・マスク検査機（図示せず）によって得られた
フォトマスクの欠陥番地（欠陥部分の位置に関する情
報）を記録したカセット・テープ（付与手段）２２を装
着して駆動させる。 【００１２】この欠陥位置出し指令や、ビーム駆動電源
２３を通したイオン銃８からのイオンの発生やコンデン
サレンズ（静電レンズ）９，対物レンズ（静電レンズ）
１３の制御や走査電源１２による偏向電極の駆動はすべ
てコントロール盤２４によって行うことができる。 【００１３】フォト・マスク修正の過程は次のようにな
る。先ずＸＹテーブル制御部２１は、カセットテープ２
２からの欠陥部分（修正領域）の位置情報（欠陥番地）
によりＸＹテーブル１５を移動制御してＸＹテーブル１
５の上におかれたフォト・マスク１４上の欠陥部分のイ
オンビーム中心軸への位置出しを行なう。次にコントロ
ール盤２４は、ビーム駆動電源２３を駆動してイオン銃
８からのイオンの発生やコンデンサレンズ（静電レン
ズ）９，対物レンズ（静電レンズ）１３の制御を行なう
と共に走査電源１２による偏向電極を駆動して欠陥部分
へ収束イオンビームを走査照射して欠陥部分から発生す
る二次荷電粒子像をＣＲＴ１９に表示し、ＣＲＴ１９で
この欠陥部分の二次荷電粒子像を見て、照射して除去加
工を行なうべき収束イオンビーム２５の走査範囲の設定
位置合せを、走査電源１２に指令する走査範囲信号とし
て行なう。次にコントロール盤２４は、ビーム駆動電源
２３を制御して、欠陥の種類（黒点欠陥か白点欠陥か）
によって必要なビーム強度と照射時間を設定し、最後に
イオンビーム照射のスタート・ボタンを押し、走査電源
１２に指令する走査範囲信号に基いて走査電源１２が制
御され、欠陥（修正個所）にのみ収束イオンビームを走
査照射して、修正が始まる。修正が完了すると、次の欠
陥部分の位置を呼び出すようにボタンを押す。このよう
にして、カセットテープ２２に記録された欠陥部分の位
置出しが行なわれてＣＲＴ１９に欠陥の二次荷電粒子像
が表示され、この欠陥の二次荷電粒子像を見て収束イオ
ンビーム２５の走査範囲の設定位置合せを、走査電源１
２に指令する走査範囲信号として行ない、欠陥にのみ収
束イオンビームを走査照射して順次修正していく。 【００１４】図４は本発明のイオンビームによるフォト
マスクの白点欠陥修正例の説明図である。図４（ａ）に
おいて、ＣＲＴ１９に表示された二次荷電粒子像を見
て、走査電源１２を制御して基板ガラス１の上の正常Ｃ
ｒパターン２の中にＣｒが欠落して発生した白点欠陥３
にイオンビーム２５を照射することにより、図４（ｂ）
に示すようにガラス面を２６で示すようにのこ波状に荒
らして投影した場合Ｃｒ膜があるのと同じように影が生
じるようにする。即ち、基板ガラス１が露出した部分を
１μｍピッチ程度で直線または網目状のすじを入れるよ
うにイオンビーム２５を走査し、基板ガラス１の表面を
のこ波状に加工する。また白点欠陥３が非常に小さい場
合は、そこの部分にイオンビーム２５をスポット照射す
ると、図４（ｃ）に示すようにビームの強度分布（通常
ガウス分布）に対応した丸い深い堀り込み２７ができ、
同様に照明光を散乱させ、欠陥のない投影像が得られ
る。このように２６または２７で示されるように白点欠
陥３が修正される。 【００１５】なお残留欠陥である黒点欠陥も前記装置で
Ｃｒ膜を除去するに必要なイオンビーム２５の照射時間
に設定し、ＣＲＴ１９に表示された二次荷電粒子像を見
て、走査電源１２を制御して残留Ｃｒ膜を覆う面積をイ
オンビーム２５で走査してやると除去修正できる。特に
Ｃｒ膜の除去速度は５００Å／分程度であるので表面か
ら順に除去し、ＣＲＴ１９でみながら除去が完了するま
でイオンビーム２５を照射する。 【００１６】 【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、マ
スクの欠陥等ＬＳＩ関係の微細加工を修正個所以外にダ
メージを与えることなく、微細な修正個所のみ非常に能
率よく、しかも正確に除去加工を施すことができ、ＬＳ
Ｉの微細化に適合した微細加工を実現できる効果を奏す
る。
存在する欠陥等を加工するイオンビーム加工方法に関す
るものである。 【０００２】 【従来の技術】マスクを製作するとき、ごみやほこり等
の影響で図１に示すように基板ガラス１の上につけられ
た正常なＣｒパターン２の中にＣｒが欠落した白点欠陥
３がでる。この白点欠陥を修正する方法として次のよう
な方法が知られている。 【０００３】即ち、図２（ａ）に示すようにフォトレジ
スト４を塗布し、スポット照射光５によって白点欠陥部
分を選択的に露光し、現像すると露光された部分だけが
洗い流されて図２（ｂ）のようになる。この上から追加
Ｃｒ膜６をスパッタ蒸着して第２図（ｃ）のようにした
のち、フォトレジスト４を取り去ると、フォトレジスト
４の上についていた追加Ｃｒ膜６は除かれ、白点欠陥部
３をうめるように蒸着されていた追加Ｃｒ膜６の一部だ
けが図２（ｄ）に示すように修正Ｃｒ膜７として残り、
白点欠陥の修正が完了する。 【０００４】また、従来技術として、特開昭５１−７６
９７８号公報、特公昭５２−９５０８号公報、及び特公
昭５３−２４７８７号公報が知られていた。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】前記の方法は、ウエッ
トプロセスであるため、多くの工程を要するなどの問題
がある。 【０００６】また、従来のレーザによるフォトマスクの
欠陥修正方法では、熱加工であるため、微細な加工がで
きないばかりでなく、ダメージが大きいという課題を有
していた。 【０００７】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決すべく、微細な回路パターンを有する基板に対してダ
メージを与えるのを少なくして微細な修正個所について
の微細な加工を能率よくできるようにしたイオンビーム
加工方法を提供するにある。 【０００８】 【課題を解決するための手段】即ち、本発明は上記目的
を達成するために、 付与手段に付与された微細回路パ
ターンを有する基板上の修正領域の位置に関する情報に
基いて位置出し手段を制御して上記基板を移動させて上
記修正領域の位置出しを行ない、イオン源から発したイ
オンビームをアパーチャにより絞って静電レンズにより
収束した収束イオンビームを走査電源によって駆動され
る偏向電極により走査し、走査照射された収束イオンビ
ームにより上記修正領域から得られる２次荷電粒子を検
出器により検出し、検出された２次荷電粒子像を表示手
段に表示し、この表示された修正領域の像を見て、偏向
電極によって走査される収束イオンビームの走査範囲
を、除去加工を行なう正確な修正個所として設定する修
正個所設定工程と、該修正個所設定工程において設定さ
れた走査範囲の指令に基いて走査電源を制御し、上記修
正個所の種類に応じて収束イオンビームの照射強度と照
射時間とを制御すると共にイオン源から発したイオンビ
ームをアパーチャにより絞って静電レンズにより収束し
た収束イオンビームを、制御された走査電源によって偏
向電極を駆動することによって修正個所のみに走査照射
して除去加工を行なう修正個所除去加工工程とを備えた
ことを特徴とするイオンビーム加工方法である。 【０００９】 【作用】本発明は、付与手段に付与された微細回路パタ
ーンを有する基板上の修正領域（欠陥部分）の位置に関
する情報に基いて位置出し手段を制御して上記基板を移
動させて上記修正領域の位置出しを行なうことにより、
基板を移動させながら２次荷電粒子像を表示手段に拡大
して表示して修正個所を探しだすことによってダメージ
を発生させることなく、微細な修正個所（欠陥）を有す
る修正領域（欠陥部分）の２次荷電粒子像を表示手段に
拡大して表示することを可能にして、走査電源によって
駆動される偏向電極による走査範囲を、正確に微細な修
正個所（欠陥）に設定することを可能にし、微細な修正
個所（欠陥）のみの除去加工を実現でき、更に修正個所
の種類に応じて収束イオンビームの照射強度と照射時間
とを制御することにより、余分な除去加工による下層へ
のダメージを無くして修正個所に対して最適な除去加工
を実現することができる。 【００１０】 【実施例】以下本発明を図に示す実施例にもとづいて具
体的に説明する。図３は本発明のフォト・マスクの白点
欠陥修正方法の一実施例を示す説明図である。即ちイオ
ン銃８から出たイオンビーム２５はコンデンサレンズ
（静電レンズ）９により一旦絞られ、対物絞り（アパー
チャ）１０を通過し、偏向電極１１で偏向されて、対物
レンズ（静電レンズ）１３で集束され、ＸＹテーブル１
５の上におかれたフォト・マスク１４上に照射される。 【００１１】フォトマスク（微細な回路パターンを有す
る基板）１４はシールド電極１６に覆われており、イオ
ンビームを照射された部分からは二次荷電粒子が飛び出
し、二次荷電粒子検出器１７に捕捉され、その信号は増
巾器１８で増巾され、ＣＲＴ１９に送られ、偏向電極１
１を駆動している走査電源１２からの走査信号に基いて
ＣＲＴ１９のスクリーン上にフォトマスク７の欠陥部分
の表面状態が表示される。この表面状態は光学顕微鏡２
０によって観察することもできる。フォト・マスク１４
の欠陥部分（修正領域）の位置出しは、ＸＹテーブル制
御部２１によって行われ、このＸＹテーブル制御部２１
はフォト・マスク検査機（図示せず）によって得られた
フォトマスクの欠陥番地（欠陥部分の位置に関する情
報）を記録したカセット・テープ（付与手段）２２を装
着して駆動させる。 【００１２】この欠陥位置出し指令や、ビーム駆動電源
２３を通したイオン銃８からのイオンの発生やコンデン
サレンズ（静電レンズ）９，対物レンズ（静電レンズ）
１３の制御や走査電源１２による偏向電極の駆動はすべ
てコントロール盤２４によって行うことができる。 【００１３】フォト・マスク修正の過程は次のようにな
る。先ずＸＹテーブル制御部２１は、カセットテープ２
２からの欠陥部分（修正領域）の位置情報（欠陥番地）
によりＸＹテーブル１５を移動制御してＸＹテーブル１
５の上におかれたフォト・マスク１４上の欠陥部分のイ
オンビーム中心軸への位置出しを行なう。次にコントロ
ール盤２４は、ビーム駆動電源２３を駆動してイオン銃
８からのイオンの発生やコンデンサレンズ（静電レン
ズ）９，対物レンズ（静電レンズ）１３の制御を行なう
と共に走査電源１２による偏向電極を駆動して欠陥部分
へ収束イオンビームを走査照射して欠陥部分から発生す
る二次荷電粒子像をＣＲＴ１９に表示し、ＣＲＴ１９で
この欠陥部分の二次荷電粒子像を見て、照射して除去加
工を行なうべき収束イオンビーム２５の走査範囲の設定
位置合せを、走査電源１２に指令する走査範囲信号とし
て行なう。次にコントロール盤２４は、ビーム駆動電源
２３を制御して、欠陥の種類（黒点欠陥か白点欠陥か）
によって必要なビーム強度と照射時間を設定し、最後に
イオンビーム照射のスタート・ボタンを押し、走査電源
１２に指令する走査範囲信号に基いて走査電源１２が制
御され、欠陥（修正個所）にのみ収束イオンビームを走
査照射して、修正が始まる。修正が完了すると、次の欠
陥部分の位置を呼び出すようにボタンを押す。このよう
にして、カセットテープ２２に記録された欠陥部分の位
置出しが行なわれてＣＲＴ１９に欠陥の二次荷電粒子像
が表示され、この欠陥の二次荷電粒子像を見て収束イオ
ンビーム２５の走査範囲の設定位置合せを、走査電源１
２に指令する走査範囲信号として行ない、欠陥にのみ収
束イオンビームを走査照射して順次修正していく。 【００１４】図４は本発明のイオンビームによるフォト
マスクの白点欠陥修正例の説明図である。図４（ａ）に
おいて、ＣＲＴ１９に表示された二次荷電粒子像を見
て、走査電源１２を制御して基板ガラス１の上の正常Ｃ
ｒパターン２の中にＣｒが欠落して発生した白点欠陥３
にイオンビーム２５を照射することにより、図４（ｂ）
に示すようにガラス面を２６で示すようにのこ波状に荒
らして投影した場合Ｃｒ膜があるのと同じように影が生
じるようにする。即ち、基板ガラス１が露出した部分を
１μｍピッチ程度で直線または網目状のすじを入れるよ
うにイオンビーム２５を走査し、基板ガラス１の表面を
のこ波状に加工する。また白点欠陥３が非常に小さい場
合は、そこの部分にイオンビーム２５をスポット照射す
ると、図４（ｃ）に示すようにビームの強度分布（通常
ガウス分布）に対応した丸い深い堀り込み２７ができ、
同様に照明光を散乱させ、欠陥のない投影像が得られ
る。このように２６または２７で示されるように白点欠
陥３が修正される。 【００１５】なお残留欠陥である黒点欠陥も前記装置で
Ｃｒ膜を除去するに必要なイオンビーム２５の照射時間
に設定し、ＣＲＴ１９に表示された二次荷電粒子像を見
て、走査電源１２を制御して残留Ｃｒ膜を覆う面積をイ
オンビーム２５で走査してやると除去修正できる。特に
Ｃｒ膜の除去速度は５００Å／分程度であるので表面か
ら順に除去し、ＣＲＴ１９でみながら除去が完了するま
でイオンビーム２５を照射する。 【００１６】 【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、マ
スクの欠陥等ＬＳＩ関係の微細加工を修正個所以外にダ
メージを与えることなく、微細な修正個所のみ非常に能
率よく、しかも正確に除去加工を施すことができ、ＬＳ
Ｉの微細化に適合した微細加工を実現できる効果を奏す
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】フォトマスクの白点欠陥を示す断面図である。
【図２】（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は従来のフォ
トマスクの白点欠陥修正方法を説明するための断面図で
ある。 【図３】本発明に係るフォトマスクの白点欠陥修正方法
を実施するためのイオンビーム加工装置を示す概略構成
図である。 【図４】（ａ），（ｂ），（ｃ）は本発明のフォトマス
クの白点欠陥修正方法を説明するための断面図である。 【符号の説明】 １…ガラス基板、 ２…正常Ｃｒパターン、 ３…
白点欠陥 ８…イオン銃、 ９…コンデンサレンズ、 １０…
対物絞り １１…偏向電極、 １２…走査電源、 １３
…対物レンズ、 １４…フォトレンズ、１７…二次荷電粒子検出器、１９
…ＣＲＴ ２５…イオンビーム。
トマスクの白点欠陥修正方法を説明するための断面図で
ある。 【図３】本発明に係るフォトマスクの白点欠陥修正方法
を実施するためのイオンビーム加工装置を示す概略構成
図である。 【図４】（ａ），（ｂ），（ｃ）は本発明のフォトマス
クの白点欠陥修正方法を説明するための断面図である。 【符号の説明】 １…ガラス基板、 ２…正常Ｃｒパターン、 ３…
白点欠陥 ８…イオン銃、 ９…コンデンサレンズ、 １０…
対物絞り １１…偏向電極、 １２…走査電源、 １３
…対物レンズ、 １４…フォトレンズ、１７…二次荷電粒子検出器、１９
…ＣＲＴ ２５…イオンビーム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １．付与手段に付与された微細回路パターンを有する基
板上の修正領域の位置に関する情報に基いて位置出し手
段を制御して上記基板を移動させて上記修正領域の位置
出しを行ない、イオン源から発したイオンビームをアパ
ーチャにより絞って静電レンズにより収束した収束イオ
ンビームを走査電源によって駆動される偏向電極により
走査し、走査照射された収束イオンビームにより上記修
正領域から得られる２次荷電粒子を検出器により検出
し、検出された２次荷電粒子像を表示手段に表示し、こ
の表示された修正領域の像を見て、偏向電極によって走
査される収束イオンビームの走査範囲を、除去加工を行
なう正確な修正個所として設定する修正個所設定工程
と、該修正個所設定工程において設定された走査範囲の
指令に基いて走査電源を制御し、上記修正個所の種類に
応じて収束イオンビームの照射強度と照射時間とを制御
すると共にイオン源から発したイオンビームをアパーチ
ャにより絞って静電レンズにより収束した収束イオンビ
ームを、制御された走査電源によって偏向電極を駆動す
ることによって修正個所のみに走査照射して除去加工を
行なう修正個所除去加工工程とを備えたことを特徴とす
るイオンビーム加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9676891A JPH0664339B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | イオンビーム加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9676891A JPH0664339B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | イオンビーム加工方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61213822A Division JPS6284518A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | イオンビ−ム加工装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04251254A JPH04251254A (ja) | 1992-09-07 |
| JPH0664339B2 true JPH0664339B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=14173818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9676891A Expired - Lifetime JPH0664339B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | イオンビーム加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0664339B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3542140B2 (ja) | 1997-09-10 | 2004-07-14 | 株式会社日立製作所 | 投射型イオンビーム加工装置 |
| WO2012090321A1 (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-05 | 富士通株式会社 | エネルギービーム加工装置及びエネルギービーム加工方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3669334A (en) * | 1970-06-30 | 1972-06-13 | Contacts Inc | Method and apparatus for feeding discrete parts to a cold heading machine |
| US4085330A (en) * | 1976-07-08 | 1978-04-18 | Burroughs Corporation | Focused ion beam mask maker |
| JPS5371563A (en) * | 1976-12-08 | 1978-06-26 | Hitachi Ltd | Automatic inspection correcting method for mask |
-
1991
- 1991-04-26 JP JP9676891A patent/JPH0664339B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04251254A (ja) | 1992-09-07 |
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