JPS6237387B2 - - Google Patents
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- JPS6237387B2 JPS6237387B2 JP21382186A JP21382186A JPS6237387B2 JP S6237387 B2 JPS6237387 B2 JP S6237387B2 JP 21382186 A JP21382186 A JP 21382186A JP 21382186 A JP21382186 A JP 21382186A JP S6237387 B2 JPS6237387 B2 JP S6237387B2
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- Japan
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- ion beam
- mask
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- aperture
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、LSI製造用マスクに存在する欠陥を
除去修正するマスクの欠陥修正方法に関するもの
である。
除去修正するマスクの欠陥修正方法に関するもの
である。
マスクを製作するとき、ごみやほこり等の影響
で第１図に示すように基板ガラス１の上につけら
れた正常なCrパターン２の中にCrが欠落した白
点欠陥を修正する方法として次のような方法が知
られている。即ち、第２図ａに示すようにフオト
レジスト４を塗布し、スポツト照射光５によつて
白点欠陥部分を選択的に露光し、現像すると露光
された部分だけが洗い流されて第２図ｂのように
なる。この上から追加Cr膜６をスパツタ蒸着し
て第２図ｃのようにしたのち、フオトレジスト４
を取り去ると、フオトレジスト４の上についてい
た追加Cr膜６は除かれ、白点欠陥部３をうめる
ように蒸着されていた追加Cr膜６の一部だけが
第２図ｄに示すように修正Cr膜７として残り、
白点欠陥の修正が完了する。
で第１図に示すように基板ガラス１の上につけら
れた正常なCrパターン２の中にCrが欠落した白
点欠陥を修正する方法として次のような方法が知
られている。即ち、第２図ａに示すようにフオト
レジスト４を塗布し、スポツト照射光５によつて
白点欠陥部分を選択的に露光し、現像すると露光
された部分だけが洗い流されて第２図ｂのように
なる。この上から追加Cr膜６をスパツタ蒸着し
て第２図ｃのようにしたのち、フオトレジスト４
を取り去ると、フオトレジスト４の上についてい
た追加Cr膜６は除かれ、白点欠陥部３をうめる
ように蒸着されていた追加Cr膜６の一部だけが
第２図ｄに示すように修正Cr膜７として残り、
白点欠陥の修正が完了する。
また、従来技術として、特開昭51−76978号公
報、特公昭52−9508号公報、及び特公昭53−
24787号公報が知られていた。
報、特公昭52−9508号公報、及び特公昭53−
24787号公報が知られていた。
前記の方法は、白点欠陥の修正にしか使用でき
ないことと、ウエツトプロセスであるため、多く
の工程を要するなどの問題点がある。
ないことと、ウエツトプロセスであるため、多く
の工程を要するなどの問題点がある。
また、従来のレーザによるフオトマスクの欠陥
修正方法では、熱加工であるため、微細な欠陥を
修正できないばかりでなく、基板へのダメージが
大きいという問題点があつた。
修正方法では、熱加工であるため、微細な欠陥を
修正できないばかりでなく、基板へのダメージが
大きいという問題点があつた。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決
すべく、基板にダメージを与えるのを少なくして
マスクの微細な欠陥を能率よく修正できるように
したマスクの欠陥修正方法を提供するにある。
すべく、基板にダメージを与えるのを少なくして
マスクの微細な欠陥を能率よく修正できるように
したマスクの欠陥修正方法を提供するにある。
即ち、本発明は上記目的を達成するために、マ
スクのパターン膜の欠陥に、イオン源から発した
イオンビームをアパーチヤを通して静電レンズで
絞り、偏向電極で走査して照射し、その欠陥部を
除去修正することを特徴とするマスクの欠陥修正
方法である。
スクのパターン膜の欠陥に、イオン源から発した
イオンビームをアパーチヤを通して静電レンズで
絞り、偏向電極で走査して照射し、その欠陥部を
除去修正することを特徴とするマスクの欠陥修正
方法である。
また、本発明はイオン源から発したイオンビー
ムをアパーチヤを通して静電レンズで絞り、偏向
電極で走査して照射し、２次荷電粒子検出器によ
りマスクの欠陥部を検出し、検出された個所にイ
オン源から発したイオンビームをアパーチヤを通
して静電レンズで絞り、偏向電極で走査して照射
し、その欠陥部を除去修正することを特徴とする
マスクの欠陥修正方法である。
ムをアパーチヤを通して静電レンズで絞り、偏向
電極で走査して照射し、２次荷電粒子検出器によ
りマスクの欠陥部を検出し、検出された個所にイ
オン源から発したイオンビームをアパーチヤを通
して静電レンズで絞り、偏向電極で走査して照射
し、その欠陥部を除去修正することを特徴とする
マスクの欠陥修正方法である。
本発明は、イオン源から発したイオンビームを
アパーチヤを通して静電レンズで絞り、偏向電極
で走査するように構成したので、マスクの欠陥に
合せて走査領域を設定でき、基板にダメージを少
なくして微細な欠陥除去修正ができるようにし
た。また、２次荷電粒子検出器によつて微細欠陥
部分を検出するようにしたので、この欠陥部分を
正確に位置出しすることが可能になり、基板にダ
メージを少なくして微細な欠陥除去修正ができる
ようにした。
アパーチヤを通して静電レンズで絞り、偏向電極
で走査するように構成したので、マスクの欠陥に
合せて走査領域を設定でき、基板にダメージを少
なくして微細な欠陥除去修正ができるようにし
た。また、２次荷電粒子検出器によつて微細欠陥
部分を検出するようにしたので、この欠陥部分を
正確に位置出しすることが可能になり、基板にダ
メージを少なくして微細な欠陥除去修正ができる
ようにした。
以下本発明を図に示す実施例にもとづいて具体
的に説明する。第３図は本発明のフオト・マスク
の白点欠陥修正方法の一実施例を示す説明図であ
る。即ちイオン銃８から出たイオンビーム２５は
コンデンサレンズ（静電レンズ）９により一旦絞
られ、対物絞り（アパーチヤ）１０を通過し、偏
向電極１１で偏向されて、対物レンズ（静電レン
ズ）１３で集束されてXYテーブル１５の上にお
かれたフオト・マスク１４上に照射される。
的に説明する。第３図は本発明のフオト・マスク
の白点欠陥修正方法の一実施例を示す説明図であ
る。即ちイオン銃８から出たイオンビーム２５は
コンデンサレンズ（静電レンズ）９により一旦絞
られ、対物絞り（アパーチヤ）１０を通過し、偏
向電極１１で偏向されて、対物レンズ（静電レン
ズ）１３で集束されてXYテーブル１５の上にお
かれたフオト・マスク１４上に照射される。
フオトマスク１４はシールド電極１６に覆われ
ており、イオンビームを照射された部分からは二
次荷電粒子が飛び出し、二次荷電粒子検出器１７
に補捉され、その信号は増巾器１８で増巾され、
CRT１９に送られ、偏向電極１１を駆動してい
る走査電源からの信号とともにCRT１９のスク
リーン上にフオトマスク７の欠陥部分の表面状態
が表示される。この表面状態は光学顕微鏡２０に
よつて観察することもできる。フオト・マスク１
４の欠陥部分の位置出しはXYテーブル制御部２
１によつて行われ、このXYテーブル制御部２１
はフオト・マスク検査機（図示せず）によつて得
られたフオトマスクの欠陥番地を記録したカセツ
ト・テープ２２を装着して駆動させる。
ており、イオンビームを照射された部分からは二
次荷電粒子が飛び出し、二次荷電粒子検出器１７
に補捉され、その信号は増巾器１８で増巾され、
CRT１９に送られ、偏向電極１１を駆動してい
る走査電源からの信号とともにCRT１９のスク
リーン上にフオトマスク７の欠陥部分の表面状態
が表示される。この表面状態は光学顕微鏡２０に
よつて観察することもできる。フオト・マスク１
４の欠陥部分の位置出しはXYテーブル制御部２
１によつて行われ、このXYテーブル制御部２１
はフオト・マスク検査機（図示せず）によつて得
られたフオトマスクの欠陥番地を記録したカセツ
ト・テープ２２を装着して駆動させる。
この欠陥位置出し指令や、ビーム駆動電源２３
を通したイオン銃８からのイオンの発生やコンデ
ンサレンズ（静電レンズ）９、対物レンズ（静電
レンズ）１３の制御や走査電源１２による偏向電
極の駆動はすべてコントロール盤２４によつて行
うことができる。
を通したイオン銃８からのイオンの発生やコンデ
ンサレンズ（静電レンズ）９、対物レンズ（静電
レンズ）１３の制御や走査電源１２による偏向電
極の駆動はすべてコントロール盤２４によつて行
うことができる。
フオト・マスク修正の過程は次のようになる。
先ずカセツトテープ２２からの情報により欠陥部
の位置出しを行なう。次にこの像をCRT１９で
見て、照射すべきイオンビーム２５の走査範囲の
設定位置合せを行なう。次に欠陥の種類（黒点欠
陥か白点欠陥か）によつて必要なビーム強度と照
射時間を設定し、最後にイオンビーム照射のスタ
ート・ボタンを押し、修正が始まる。修正が完了
すると、次の欠陥位置を呼び出すボタンを押す。
このようにしてテープに記録された欠陥を順次修
正していく。
先ずカセツトテープ２２からの情報により欠陥部
の位置出しを行なう。次にこの像をCRT１９で
見て、照射すべきイオンビーム２５の走査範囲の
設定位置合せを行なう。次に欠陥の種類（黒点欠
陥か白点欠陥か）によつて必要なビーム強度と照
射時間を設定し、最後にイオンビーム照射のスタ
ート・ボタンを押し、修正が始まる。修正が完了
すると、次の欠陥位置を呼び出すボタンを押す。
このようにしてテープに記録された欠陥を順次修
正していく。
第４図は本発明のイオンビームによるフオトマ
スクの白点欠陥修正例の説明図である。第４図ａ
において、基板ガラス１の上の正常Crパターン
２の中にCrが欠落して発生した白点欠陥３にイ
オンビーム２５を照射することにより、第４図ｂ
に示すようにガラス面を２６で示すようにのこ波
状に荒らして投影した場合Cr膜があるのと同じ
ように影が生じるようにする。即ち基板ガラス１
が露出した部分を１μｍピツチ程度で直線または
網目状のすじを入れるようにイオンビーム２５を
走査し、基板ガラス１の表面をのこ波状に加工す
る。また白点欠陥３が非常に小さい場合は、そこ
の部分にイオンビーム２５をスポツト照射する
と、第４図ｃに示すようにビームの強度分布（通
常ガウス分布）に対応した丸い深い堀り込み２７
ができ、同様に照明光を散乱させ、欠陥のない投
影像が得られる。このように２６または２７で示
されるように白点欠陥３が修正される。
スクの白点欠陥修正例の説明図である。第４図ａ
において、基板ガラス１の上の正常Crパターン
２の中にCrが欠落して発生した白点欠陥３にイ
オンビーム２５を照射することにより、第４図ｂ
に示すようにガラス面を２６で示すようにのこ波
状に荒らして投影した場合Cr膜があるのと同じ
ように影が生じるようにする。即ち基板ガラス１
が露出した部分を１μｍピツチ程度で直線または
網目状のすじを入れるようにイオンビーム２５を
走査し、基板ガラス１の表面をのこ波状に加工す
る。また白点欠陥３が非常に小さい場合は、そこ
の部分にイオンビーム２５をスポツト照射する
と、第４図ｃに示すようにビームの強度分布（通
常ガウス分布）に対応した丸い深い堀り込み２７
ができ、同様に照明光を散乱させ、欠陥のない投
影像が得られる。このように２６または２７で示
されるように白点欠陥３が修正される。
なお残留欠陥である黒点欠陥も前記装置でCr
膜を除去するに必要なイオンビーム２５の照射時
間に設定し、残留Cr膜を覆う面積をイオンビー
ム２５で走査してやると除去修正できる。特に
Cr膜の除去速度は500Å／分程度であるので表面
から順に除去し、CRT１１でみながら除去が完
了するまでイオンビーム２５を照射する。
膜を除去するに必要なイオンビーム２５の照射時
間に設定し、残留Cr膜を覆う面積をイオンビー
ム２５で走査してやると除去修正できる。特に
Cr膜の除去速度は500Å／分程度であるので表面
から順に除去し、CRT１１でみながら除去が完
了するまでイオンビーム２５を照射する。
以上説明したように本発明によれば、マスクの
微細な欠陥をドライ・プロセスでダメージを少な
くして修正できるようになり、大巾な工程数の低
減及び工数の短縮をはかれることができる顕著な
作用効果を奏する。
微細な欠陥をドライ・プロセスでダメージを少な
くして修正できるようになり、大巾な工程数の低
減及び工数の短縮をはかれることができる顕著な
作用効果を奏する。
第１図はフオトマスクの白点欠陥を示す断面
図、第２図ａ，ｂ，ｃ，ｄは従来のフオトマスク
の白点欠陥修正方法を説明するための断面図、第
３図は本発明のフオトマスクの白点欠陥修正方法
を実施するための装置を示す概略構成図、第４図
ａ，ｂ，ｃは本発明のフオトマスクの白点欠陥修
正方法を説明するための断面図である。 １……ガラス基板、２……正常Crパターン、
３……白点欠陥、８……イオン銃、９……コンデ
ンサレンズ、１０……対物絞り、１１……偏向電
極、１２……走査電源、１３……対物レンズ、１
４……フオトマスク、１７……二次荷電粒子検出
器、１９……CRT、２５……イオンビーム。
図、第２図ａ，ｂ，ｃ，ｄは従来のフオトマスク
の白点欠陥修正方法を説明するための断面図、第
３図は本発明のフオトマスクの白点欠陥修正方法
を実施するための装置を示す概略構成図、第４図
ａ，ｂ，ｃは本発明のフオトマスクの白点欠陥修
正方法を説明するための断面図である。 １……ガラス基板、２……正常Crパターン、
３……白点欠陥、８……イオン銃、９……コンデ
ンサレンズ、１０……対物絞り、１１……偏向電
極、１２……走査電源、１３……対物レンズ、１
４……フオトマスク、１７……二次荷電粒子検出
器、１９……CRT、２５……イオンビーム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マスクの欠陥に、イオン源から発したイオン
ビームをアパーチヤを通して静電レンズで絞り、
偏向電極で走査して照射し、その欠陥部を除去修
正することを特徴とするマスクの欠陥修正方法。 ２ イオン源から発したイオンビームをアパーチ
ヤを通して静電レンズで絞り、偏向電極で走査し
て照射し、２次荷電粒子検出器によりマスクの欠
陥部を検出し、検出された箇所にイオン源から発
したイオンビームをアパーチヤを通して静電レン
ズで絞り、偏向電極で走査して照射し、その欠陥
部を除去修正することを特徴とするマスクの欠陥
修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61213821A JPS6285253A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | マスクの欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61213821A JPS6285253A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | マスクの欠陥修正方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5711379A Division JPS55150225A (en) | 1979-05-11 | 1979-05-11 | Method of correcting white spot fault of photomask |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63272967A Division JPH01158450A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | マスクの欠陥修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6285253A JPS6285253A (ja) | 1987-04-18 |
| JPS6237387B2 true JPS6237387B2 (ja) | 1987-08-12 |
Family
ID=16645585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61213821A Granted JPS6285253A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | マスクの欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6285253A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63134686A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-06-07 | アルキャン・インターナショナル・リミテッド | リチウム含有アルミニウムスクラップの精製方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3699334A (en) * | 1969-06-16 | 1972-10-17 | Kollsman Instr Corp | Apparatus using a beam of positive ions for controlled erosion of surfaces |
| JPS4938295A (ja) * | 1972-08-18 | 1974-04-09 | ||
| JPS529508A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-25 | Heidelberger Druckmasch Ag | Delivery drum for sheet feed rotary printing press |
| US4085330A (en) * | 1976-07-08 | 1978-04-18 | Burroughs Corporation | Focused ion beam mask maker |
| JPS53120377A (en) * | 1977-03-30 | 1978-10-20 | Nec Corp | Laser machining apparatus for correction of photo masks |
-
1986
- 1986-09-12 JP JP61213821A patent/JPS6285253A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3699334A (en) * | 1969-06-16 | 1972-10-17 | Kollsman Instr Corp | Apparatus using a beam of positive ions for controlled erosion of surfaces |
| JPS4938295A (ja) * | 1972-08-18 | 1974-04-09 | ||
| JPS529508A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-25 | Heidelberger Druckmasch Ag | Delivery drum for sheet feed rotary printing press |
| US4085330A (en) * | 1976-07-08 | 1978-04-18 | Burroughs Corporation | Focused ion beam mask maker |
| JPS53120377A (en) * | 1977-03-30 | 1978-10-20 | Nec Corp | Laser machining apparatus for correction of photo masks |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63134686A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-06-07 | アルキャン・インターナショナル・リミテッド | リチウム含有アルミニウムスクラップの精製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6285253A (ja) | 1987-04-18 |
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