JPH01158450A - マスクの欠陥修正方法 - Google Patents
マスクの欠陥修正方法Info
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- JPH01158450A JPH01158450A JP63272967A JP27296788A JPH01158450A JP H01158450 A JPH01158450 A JP H01158450A JP 63272967 A JP63272967 A JP 63272967A JP 27296788 A JP27296788 A JP 27296788A JP H01158450 A JPH01158450 A JP H01158450A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 25
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- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 4
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
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Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
- F02D—CONTROLLING COMBUSTION ENGINES
- F02D9/00—Controlling engines by throttling air or fuel-and-air induction conduits or exhaust conduits
- F02D9/08—Throttle valves specially adapted therefor; Arrangements of such valves in conduits
- F02D9/10—Throttle valves specially adapted therefor; Arrangements of such valves in conduits having pivotally-mounted flaps
- F02D9/109—Throttle valves specially adapted therefor; Arrangements of such valves in conduits having pivotally-mounted flaps having two or more flaps
- F02D9/1095—Rotating on a common axis, e.g. having a common shaft
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
- B29L2031/00—Other particular articles
- B29L2031/748—Machines or parts thereof not otherwise provided for
- B29L2031/7506—Valves
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
- F02D—CONTROLLING COMBUSTION ENGINES
- F02D9/00—Controlling engines by throttling air or fuel-and-air induction conduits or exhaust conduits
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- F02D9/107—Manufacturing or mounting details
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＬＳＩ製造用マスクに存在する欠陥を修正す
るマスクの欠陥修正方法に関するものである。
るマスクの欠陥修正方法に関するものである。
マスクを製作するとき、ごみやほこり等の影響で第１図
に示すように基板ガラス１の上につけられた正常なＣｒ
パターン２の中にＣｒが欠落した白点欠陥を修正する方
法として次のような方法が知られている。即ち、第２図
（ａ）に示すようにフォトレジスト４を塗布し、スポッ
ト照射光５によって白点欠陥部分を選択的に露光し、現
像すると露光された部分だけが洗い流されて第２図（ｂ
）のようになる。この上から追加Ｃｒ膜６をスパッタ蒸
着して第２図（Ｃ）のようにしたのち、フォトレジスト
４を取り去ると、フォトレジスト４の上についていた追
加Ｃｒ膜６は除かれ、白点欠陥部３をうめるように蒸着
されていた追加Ｃｒ膜６の一部だけが第２図（ｄ）に示
すように修正Ｃｒ膜７として残り、白点欠陥の修正が完
了する。
に示すように基板ガラス１の上につけられた正常なＣｒ
パターン２の中にＣｒが欠落した白点欠陥を修正する方
法として次のような方法が知られている。即ち、第２図
（ａ）に示すようにフォトレジスト４を塗布し、スポッ
ト照射光５によって白点欠陥部分を選択的に露光し、現
像すると露光された部分だけが洗い流されて第２図（ｂ
）のようになる。この上から追加Ｃｒ膜６をスパッタ蒸
着して第２図（Ｃ）のようにしたのち、フォトレジスト
４を取り去ると、フォトレジスト４の上についていた追
加Ｃｒ膜６は除かれ、白点欠陥部３をうめるように蒸着
されていた追加Ｃｒ膜６の一部だけが第２図（ｄ）に示
すように修正Ｃｒ膜７として残り、白点欠陥の修正が完
了する。
また、従来技術として、特開昭５１−７６９７８号公報
、特開昭５２−９５０８号公報、及び特開公昭５３−２
４７８７号公報が知られていた。
、特開昭５２−９５０８号公報、及び特開公昭５３−２
４７８７号公報が知られていた。
前記の方法は、白点欠陥の修正にしか使用できないこと
と、ウェットプロセスであるため、多くの工程を要する
などの問題点がある。
と、ウェットプロセスであるため、多くの工程を要する
などの問題点がある。
また、従来のレーザによるフォトマスクの欠陥修正方法
では、熱加工であるため、微細な欠陥を修正できないば
かりでなく、基板へのダメージが大きいという問題点が
あった。
では、熱加工であるため、微細な欠陥を修正できないば
かりでなく、基板へのダメージが大きいという問題点が
あった。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決すべく、
基板にダメージを与えるのを少なくしてマスクの微細な
欠陥を能率よく修正できるようにしたマスクの欠陥修正
方法を提供するにある。
基板にダメージを与えるのを少なくしてマスクの微細な
欠陥を能率よく修正できるようにしたマスクの欠陥修正
方法を提供するにある。
即ち、本発明は上記目的を達成するために、マスクの欠
陥部を検出し、少なくともその欠陥部を含むａ範囲をイ
オンビーム照射領域として設定し、更にイオンビーム強
度と照射時間を設定し、−イオン源から発したイオンビ
ームを静電レンズで絞り、偏向電極で走査して照射し、
その欠陥部を修正することを特徴とするマスクの欠陥修
正方法である。
陥部を検出し、少なくともその欠陥部を含むａ範囲をイ
オンビーム照射領域として設定し、更にイオンビーム強
度と照射時間を設定し、−イオン源から発したイオンビ
ームを静電レンズで絞り、偏向電極で走査して照射し、
その欠陥部を修正することを特徴とするマスクの欠陥修
正方法である。
本発明は、マスクの欠陥部を検出し、少なくともその欠
陥部を含むＵ範囲をイオンビーム照射領域として設定し
、更にイオンビーム強度と照射時間を設定し、イオン源
から発したイオンビームを静電レンズで絞り、偏向電極
で走査して照射し、その欠陥部を修正するように構成し
たので、マスクの欠陥に合せて走査領域を設定でき、基
板にダメージを少なくして微細な欠陥除去修正ができる
ようにした。
陥部を含むＵ範囲をイオンビーム照射領域として設定し
、更にイオンビーム強度と照射時間を設定し、イオン源
から発したイオンビームを静電レンズで絞り、偏向電極
で走査して照射し、その欠陥部を修正するように構成し
たので、マスクの欠陥に合せて走査領域を設定でき、基
板にダメージを少なくして微細な欠陥除去修正ができる
ようにした。
以下本発明を図に示す実施例にもとづいて具体的に説明
する。第３図は本発明のフォト・マスクの白点欠陥修正
方法の一実施例を示す説明図である。即ちイオン銃８か
ら出たイオンビーム２５はコンデンサレンズ（静電レン
ズ）９により一旦絞られ、対物絞り（アパーチャ）１０
を通過し、偏向電極１１で偏向されて、対物レンズ（静
電レンズ）１３で集束されてＸＹ子テーブル５の上にお
かれたフォト・マスク１４上に照射される。
する。第３図は本発明のフォト・マスクの白点欠陥修正
方法の一実施例を示す説明図である。即ちイオン銃８か
ら出たイオンビーム２５はコンデンサレンズ（静電レン
ズ）９により一旦絞られ、対物絞り（アパーチャ）１０
を通過し、偏向電極１１で偏向されて、対物レンズ（静
電レンズ）１３で集束されてＸＹ子テーブル５の上にお
かれたフォト・マスク１４上に照射される。
フォトマスク１４はシールド電極１６に覆われており、
イオンビームを照射された部分からは二次荷電粒子が飛
び出し、二次荷電粒子検出器１７に捕捉され、その信号
は増幅器１８で増幅され、ＣＲＴ１９に送られ、偏向電
極１１を駆動している走査電源からの信号とともにＣＲ
Ｔ （表示手段）１９のスクリーン上にフォトマスク７
の欠陥部分の表面状態が表示される。この表面状態は光
学顕微鏡２０によってｗｔ察することもできる。フォト
・マスク１４の欠陥部分の位置出しはＸＹ子テーブル御
部２１によって行われ、このＸＹ子テーブル御部２１は
フォト・マスク検出機（図示せず）によって得られたフ
ォトマスクの欠陥番地を記録したカセット・テープ２２
を装着して駆動させる。
イオンビームを照射された部分からは二次荷電粒子が飛
び出し、二次荷電粒子検出器１７に捕捉され、その信号
は増幅器１８で増幅され、ＣＲＴ１９に送られ、偏向電
極１１を駆動している走査電源からの信号とともにＣＲ
Ｔ （表示手段）１９のスクリーン上にフォトマスク７
の欠陥部分の表面状態が表示される。この表面状態は光
学顕微鏡２０によってｗｔ察することもできる。フォト
・マスク１４の欠陥部分の位置出しはＸＹ子テーブル御
部２１によって行われ、このＸＹ子テーブル御部２１は
フォト・マスク検出機（図示せず）によって得られたフ
ォトマスクの欠陥番地を記録したカセット・テープ２２
を装着して駆動させる。
この欠陥位置出し指令や、ビーム駆動電源２３を通した
イオン銃８からのニオンの発生やコンデンサレンズ（静
電レンズ）９．対物レンズ（静電レンズ）１３の制御や
走査電源１２による偏向型゛ 極の駆動はすべてコン
トロール盤２４によって行うことができる。
イオン銃８からのニオンの発生やコンデンサレンズ（静
電レンズ）９．対物レンズ（静電レンズ）１３の制御や
走査電源１２による偏向型゛ 極の駆動はすべてコン
トロール盤２４によって行うことができる。
フォト・マスク修正の過程は次のようになる。
先ずカセットテープ２２からの情報により欠陥部の位置
出しを行なう０次にこの像をＣＲＴ （表示手段）１９
で見て、照射すべきイオンビーム２５の走査範囲の設定
位置合せを行なう。次に欠陥の種類（黒点欠陥か白点欠
陥か）によって必要なビーム強度と照射時間を設定し、
最後にイオンビーム照射のスタート・ボタンを押し、修
正が始まる。
出しを行なう０次にこの像をＣＲＴ （表示手段）１９
で見て、照射すべきイオンビーム２５の走査範囲の設定
位置合せを行なう。次に欠陥の種類（黒点欠陥か白点欠
陥か）によって必要なビーム強度と照射時間を設定し、
最後にイオンビーム照射のスタート・ボタンを押し、修
正が始まる。
修正が完了すると、次の欠陥位置を呼び出すボタンを押
す。このようにしてテープに記録された欠陥を順次修正
していく。
す。このようにしてテープに記録された欠陥を順次修正
していく。
第４図は本発明のイオンビームによるフォトマスクの白
点欠陥修正例の説明図である。第４図（ａ）において、
基板ガラス１の上の正常Ｃｒパターン２の中にＣｒが欠
落して発生した白点欠陥３にイオンビーム２５を照射す
ることにより、第４図（ｂ）に示すようにガラス面を２
６で示すようにのこ波状に荒らして投影した場合Ｃｒ膜
があるのと同じように影が生じるようにする。即ち基板
ガラス１が露出した部分を１μｍピッチ程度で直線また
は網目状のすしを入れるようにイオンビーム２５を走査
し、基板ガラス１の表面をのこ波状に加工する。
点欠陥修正例の説明図である。第４図（ａ）において、
基板ガラス１の上の正常Ｃｒパターン２の中にＣｒが欠
落して発生した白点欠陥３にイオンビーム２５を照射す
ることにより、第４図（ｂ）に示すようにガラス面を２
６で示すようにのこ波状に荒らして投影した場合Ｃｒ膜
があるのと同じように影が生じるようにする。即ち基板
ガラス１が露出した部分を１μｍピッチ程度で直線また
は網目状のすしを入れるようにイオンビーム２５を走査
し、基板ガラス１の表面をのこ波状に加工する。
また白点欠陥３が非常に小さい場合は、そこの部分にイ
オンビーム２５をスポット照射すると、第４図（Ｃ）に
示すようにビームの強度分布（通常ガウス分布）に対応
した丸い深い堀り込み２７ができ、同様に照明光を散乱
させ、欠陥のない投影像が得られる。このように２６ま
たは２７で示されるように白点欠陥３が修正される。
オンビーム２５をスポット照射すると、第４図（Ｃ）に
示すようにビームの強度分布（通常ガウス分布）に対応
した丸い深い堀り込み２７ができ、同様に照明光を散乱
させ、欠陥のない投影像が得られる。このように２６ま
たは２７で示されるように白点欠陥３が修正される。
なお残留欠陥である黒点欠陥も前記装置でＣｒ膜を除去
するに必要なイオンビーム２５の照射時間に設定し、残
留Ｃｒ膜を覆う面積をイオンビーム２５で走査してやる
と除去修正できる。特にＣｒ膜の除去速度は５００人／
分程度であるので表面から順に除去し、ＣＲＴＩＩでみ
ながら除去が完了するまでイオンビーム２５を照射する
。
するに必要なイオンビーム２５の照射時間に設定し、残
留Ｃｒ膜を覆う面積をイオンビーム２５で走査してやる
と除去修正できる。特にＣｒ膜の除去速度は５００人／
分程度であるので表面から順に除去し、ＣＲＴＩＩでみ
ながら除去が完了するまでイオンビーム２５を照射する
。
以上説明したように本発明によれば１回路パターンの微
細化にともなうマスクの極微細な欠陥をドライ・プロセ
スでダメージを少なくして修正できるようになり、大巾
な工程数の低減及び工数の短縮をはかれることができる
顕著な作用効果を奏する。
細化にともなうマスクの極微細な欠陥をドライ・プロセ
スでダメージを少なくして修正できるようになり、大巾
な工程数の低減及び工数の短縮をはかれることができる
顕著な作用効果を奏する。
第１図はフォトマスクの白点欠陥を示す断面図、第２図
（ａ）、 （ｂ）、 （ｅ）、 （ｄ）は従来のフォト
マスクの白点欠陥修正方法を説明するための断面図、第
３図は本発明のフォトマスクの白点欠陥修正方法を実施
するための装置を示す概略構成図、第４図（ａ）、 （
ｂ）、 （ｃ）は本発明のフォトマスクの白点欠陥修正
方法を説明するための断面図である。 １・・・ガラス基板、 ２・・・正常Ｃｒパターン
、３・・・白点欠陥、 ８・・・イオン銃、９・
・・コンデンサレンズ、１０・・・対物絞り、１１・・
・偏向電極、１２・・・走査電源。 １３・・・対物レンズ、 １４・・・フォトマスク
、１７・・・二次荷電粒子検出器、 １９・・・ＣＲＴ、 ２５・・・イオンビーム
。 晃ｌ 口 晃２目 晃３囲 ２〕 も４巳
（ａ）、 （ｂ）、 （ｅ）、 （ｄ）は従来のフォト
マスクの白点欠陥修正方法を説明するための断面図、第
３図は本発明のフォトマスクの白点欠陥修正方法を実施
するための装置を示す概略構成図、第４図（ａ）、 （
ｂ）、 （ｃ）は本発明のフォトマスクの白点欠陥修正
方法を説明するための断面図である。 １・・・ガラス基板、 ２・・・正常Ｃｒパターン
、３・・・白点欠陥、 ８・・・イオン銃、９・
・・コンデンサレンズ、１０・・・対物絞り、１１・・
・偏向電極、１２・・・走査電源。 １３・・・対物レンズ、 １４・・・フォトマスク
、１７・・・二次荷電粒子検出器、 １９・・・ＣＲＴ、 ２５・・・イオンビーム
。 晃ｌ 口 晃２目 晃３囲 ２〕 も４巳
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、マスクの欠陥部を検出し、少なくともその欠陥部を
含む範囲をイオンビーム照射領域として設定し、更にイ
オンビーム強度と照射時間を設定し、イオン源から発し
たイオンビームを静電レンズで絞り、偏向電極で走査し
て照射し、その欠陥部を修正することを特徴とするマス
クの欠陥修正方法。 ２、上記範囲を、表示手段を見て設定することを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のマスクの欠陥修正方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63272967A JPH01158450A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | マスクの欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63272967A JPH01158450A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | マスクの欠陥修正方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61213821A Division JPS6285253A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | マスクの欠陥修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01158450A true JPH01158450A (ja) | 1989-06-21 |
| JPH0375855B2 JPH0375855B2 (ja) | 1991-12-03 |
Family
ID=17521286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63272967A Granted JPH01158450A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | マスクの欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01158450A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2025320A1 (fr) | 2007-08-10 | 2009-02-18 | L'Oréal | Ensemble de conditionnement et d'application d'un vernis à ongles de viscosité élevée |
-
1988
- 1988-10-31 JP JP63272967A patent/JPH01158450A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2025320A1 (fr) | 2007-08-10 | 2009-02-18 | L'Oréal | Ensemble de conditionnement et d'application d'un vernis à ongles de viscosité élevée |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0375855B2 (ja) | 1991-12-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |