JPS6339894B2 - - Google Patents
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- JPS6339894B2 JPS6339894B2 JP21382286A JP21382286A JPS6339894B2 JP S6339894 B2 JPS6339894 B2 JP S6339894B2 JP 21382286 A JP21382286 A JP 21382286A JP 21382286 A JP21382286 A JP 21382286A JP S6339894 B2 JPS6339894 B2 JP S6339894B2
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- ion
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- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
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- 230000007547 defect Effects 0.000 description 26
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 11
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、LSI製造用マスク等の微細回路パタ
ーンを有する基板に存在する欠陥等の修正個所を
加工するイオンビーム加工装置に関するものであ
る。
ーンを有する基板に存在する欠陥等の修正個所を
加工するイオンビーム加工装置に関するものであ
る。
マスクを製作するとき、ごみやほこり等の影響
で第１図に示すように基板ガラス１の上につけら
れた正常なCrパターン２の中にCrが欠落した白
点欠陥３ができる。この白点欠陥を修正する方法
として次のような方法が知られている。
で第１図に示すように基板ガラス１の上につけら
れた正常なCrパターン２の中にCrが欠落した白
点欠陥３ができる。この白点欠陥を修正する方法
として次のような方法が知られている。
即ち、第２図ａに示すようにフオトレジスト４
を塗布し、スポツト照射光５によつて白点欠陥部
分を選択的に露光し、現像すると露光された部分
だけが洗い流されて第２図ｂのようになる。この
上から追加Cr膜６をスパツタ蒸着して第２図ｃ
のようにしたのち、フオトレジスト４を取り去る
と、フオトレジスト４の上についていた追加Cr
膜６は除かれ、白点欠陥部３をうめるように蒸着
されていた追加Cr膜６の一部だけが第２図ｄに
示すように修正Cr膜７として残り、白点欠陥の
修正が完了する。
を塗布し、スポツト照射光５によつて白点欠陥部
分を選択的に露光し、現像すると露光された部分
だけが洗い流されて第２図ｂのようになる。この
上から追加Cr膜６をスパツタ蒸着して第２図ｃ
のようにしたのち、フオトレジスト４を取り去る
と、フオトレジスト４の上についていた追加Cr
膜６は除かれ、白点欠陥部３をうめるように蒸着
されていた追加Cr膜６の一部だけが第２図ｄに
示すように修正Cr膜７として残り、白点欠陥の
修正が完了する。
また、従来技術として、特開昭51−76978号公
報、特公昭52−9508号公報、及び特公昭53−
24787号公報が知られていた。
報、特公昭52−9508号公報、及び特公昭53−
24787号公報が知られていた。
前記の方法は、ウエツトプロセスであるため、
多くの工程を要するなどの問題点がある。
多くの工程を要するなどの問題点がある。
また、従来のレーザによるフオトマスクの欠陥
修正方法では、熱加工であるため、微細な加工が
できないばかりでなく、ダメージが大きいという
問題点があつた。
修正方法では、熱加工であるため、微細な加工が
できないばかりでなく、ダメージが大きいという
問題点があつた。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決
すべく、微細回路パターンを有する基板に対して
ダメージを与えるのを少なくして微細な修正加工
を能率よくできるようにしたイオンビーム加工装
置を提供するにある。
すべく、微細回路パターンを有する基板に対して
ダメージを与えるのを少なくして微細な修正加工
を能率よくできるようにしたイオンビーム加工装
置を提供するにある。
即ち、本発明は上記目的を達成するために、イ
オン源と、該イオン源から発したイオンビームを
絞るアパーチヤと、該アパーチヤを通過したイオ
ンビームを収束する静電レンズと、該イオンビー
ムを走査する偏向電極と、照射されたイオンビー
ムにより微細回路パターンを有する基板から得ら
れる２次荷電粒子を検出する検出器と、該検出器
から検出される２次荷電粒子像を表示する表示手
段と、該表示手段によつて表示された微細回路パ
ターン上の修正領域を見て偏向電極によつて走査
されるイオンビームの走査範囲を正確な修正個所
として設定する設定手段とを備えたことを特徴と
するイオンビーム加工装置である。
オン源と、該イオン源から発したイオンビームを
絞るアパーチヤと、該アパーチヤを通過したイオ
ンビームを収束する静電レンズと、該イオンビー
ムを走査する偏向電極と、照射されたイオンビー
ムにより微細回路パターンを有する基板から得ら
れる２次荷電粒子を検出する検出器と、該検出器
から検出される２次荷電粒子像を表示する表示手
段と、該表示手段によつて表示された微細回路パ
ターン上の修正領域を見て偏向電極によつて走査
されるイオンビームの走査範囲を正確な修正個所
として設定する設定手段とを備えたことを特徴と
するイオンビーム加工装置である。
また、本発明は上記イオンビーム加工装置にお
いて、静電レンズを少なくとも２段にて構成した
ことを特徴とするイオンビーム加工装置である。
また本発明は、上記イオンビーム加工装置におい
て、設定手段は照射強度と照射時間とも設定する
ように構成したことを特徴とするイオンビーム加
工装置である。
いて、静電レンズを少なくとも２段にて構成した
ことを特徴とするイオンビーム加工装置である。
また本発明は、上記イオンビーム加工装置におい
て、設定手段は照射強度と照射時間とも設定する
ように構成したことを特徴とするイオンビーム加
工装置である。
また本発明は、イオン源と該イオン源から発し
たイオンビームを絞るアパーチヤと、該アパーチ
ヤを通過したイオンビームを収束する静電レンズ
と、該イオンビームを走査する偏向電極と、照射
されたイオンビームにより被加工物から得られる
２次荷電粒子を検出する検出器と、該検出器によ
つて検出された２次荷電粒子により加工領域を設
定する設定手段と、光学的に被加工物を観察でき
るように光学顕微鏡とを備えたことを特徴とする
イオンビーム加工装置である。
たイオンビームを絞るアパーチヤと、該アパーチ
ヤを通過したイオンビームを収束する静電レンズ
と、該イオンビームを走査する偏向電極と、照射
されたイオンビームにより被加工物から得られる
２次荷電粒子を検出する検出器と、該検出器によ
つて検出された２次荷電粒子により加工領域を設
定する設定手段と、光学的に被加工物を観察でき
るように光学顕微鏡とを備えたことを特徴とする
イオンビーム加工装置である。
本発明は、イオン源から発したイオンビームを
アパーチヤを通して静電レンズで絞り、偏向電極
で走査するように構成したので、微細加工領域に
合せて走査領域を設定でき、ダメージを少なくし
て微細な加工をできるようにした。
アパーチヤを通して静電レンズで絞り、偏向電極
で走査するように構成したので、微細加工領域に
合せて走査領域を設定でき、ダメージを少なくし
て微細な加工をできるようにした。
また、２次荷電粒子検出器によつて微細加工領
域を検出するようにしたので、この加工部分を正
確に位置出しすることが可能になり、ダメージを
少なくして微細な加工ができるようにした。
域を検出するようにしたので、この加工部分を正
確に位置出しすることが可能になり、ダメージを
少なくして微細な加工ができるようにした。
以下本発明を図に示す実施例にもとづいて具体
的に説明する。第３図は本発明のフオト・マスク
の白点欠陥修正方法の一実施例を示す説明図であ
る。即ちイオン銃８から出たイオンビーム２５は
コンデンサレンズ（静電レンズ）９により一旦絞
られ、対物絞り（アパーチヤ）１０を通過し、偏
向電極１１で偏向されて、対物レンズ（静電レン
ズ）１３で集束されてXYテーブル１５上におか
れたフオト・マスク１４上に照射される。
的に説明する。第３図は本発明のフオト・マスク
の白点欠陥修正方法の一実施例を示す説明図であ
る。即ちイオン銃８から出たイオンビーム２５は
コンデンサレンズ（静電レンズ）９により一旦絞
られ、対物絞り（アパーチヤ）１０を通過し、偏
向電極１１で偏向されて、対物レンズ（静電レン
ズ）１３で集束されてXYテーブル１５上におか
れたフオト・マスク１４上に照射される。
フオトマスク１４はシールド電極１６に覆われ
ており、イオンビームを照射された部分からは二
次荷電粒子が飛び出し、二次荷電粒子検出器１７
に補捉され、その信号は増巾器１８で増巾され、
CRT１９に送られ、偏向電極１１を駆動してい
る走査電源からの信号とともにCRT１９のスク
リーン上にフオトマスク７の欠陥部分の表面状態
が表示される。この表面状態は光学顕微鏡２０に
よつて観察することもできる。フオト・マスク１
４の欠陥部分の位置出しはXYテーブル制御部２
１によつて行われ、このXYテーブル制御部２１
はフオト・マスク検査機（図示せず）によつて得
られたフオトマスクの欠陥番地を記録したカセツ
ト・テープ２２を装着して駆動させる。
ており、イオンビームを照射された部分からは二
次荷電粒子が飛び出し、二次荷電粒子検出器１７
に補捉され、その信号は増巾器１８で増巾され、
CRT１９に送られ、偏向電極１１を駆動してい
る走査電源からの信号とともにCRT１９のスク
リーン上にフオトマスク７の欠陥部分の表面状態
が表示される。この表面状態は光学顕微鏡２０に
よつて観察することもできる。フオト・マスク１
４の欠陥部分の位置出しはXYテーブル制御部２
１によつて行われ、このXYテーブル制御部２１
はフオト・マスク検査機（図示せず）によつて得
られたフオトマスクの欠陥番地を記録したカセツ
ト・テープ２２を装着して駆動させる。
この欠陥位置出し指令や、ビーム駆動電源２３
を通したイオン銃８からのイオンの発生やコンデ
ンサレンズ（静電レンズ）９、対物レンズ（静電
レンズ）１３の制御や走査電源１２による偏向電
極の駆動はすべてコントロール盤２４によつて行
うことができる。
を通したイオン銃８からのイオンの発生やコンデ
ンサレンズ（静電レンズ）９、対物レンズ（静電
レンズ）１３の制御や走査電源１２による偏向電
極の駆動はすべてコントロール盤２４によつて行
うことができる。
フオト・マスク修正の過程は次のようになる。
先ずカセツトテープ２２からの情報により欠陥部
の位置出しを行なう。次にこの像をCRT１９で
見て、照射すべきイオンビーム２５の走査範囲の
設定位置合せを行なう。次に欠陥の種類（黒点欠
陥か白点欠陥か）によつて必要なビーム強度と照
射時間を設定し、最後にイオンビーム照射のスタ
ート・ボタンを押し、修正が始まる。修正が完了
すると、次の欠陥位置を呼び出すボタンを押す。
このようにして、テープに記録された欠陥を順次
修正していく。
先ずカセツトテープ２２からの情報により欠陥部
の位置出しを行なう。次にこの像をCRT１９で
見て、照射すべきイオンビーム２５の走査範囲の
設定位置合せを行なう。次に欠陥の種類（黒点欠
陥か白点欠陥か）によつて必要なビーム強度と照
射時間を設定し、最後にイオンビーム照射のスタ
ート・ボタンを押し、修正が始まる。修正が完了
すると、次の欠陥位置を呼び出すボタンを押す。
このようにして、テープに記録された欠陥を順次
修正していく。
第４図は本発明のイオンビームによるフオトマ
スクの白点欠陥修正例の説明図である。第４図ａ
において、基板ガラス１の上の正常Crパターン
２の中にCrが欠落して発生した白点欠陥３にイ
オンビーム２５を照射することにより、第４図ｂ
に示すようにガラス面を２６で示すようにのこ波
状に荒らして投影した場合Cr膜があるのと同じ
ように影が生じるようにする。即ち、基板ガラス
１が露出した部分を1μｍピツチ程度で直接また
は網目状のすじを入れるようにイオンビーム２５
を走査し、基板ガラス１の表面をのこ波状に加工
する。また白点欠陥３が非常に小さい場合は、そ
この部分にイオンビーム２５をスポツト照射する
と、第４図ｃに示すようにビームの強度分布（通
常ガウス分布）に対応した丸い深い掘り込み２７
ができ、同様に照明光を散乱させ、欠陥のない投
影像が得られる。このように２６または２７で示
されるように白点欠陥３が修正される。
スクの白点欠陥修正例の説明図である。第４図ａ
において、基板ガラス１の上の正常Crパターン
２の中にCrが欠落して発生した白点欠陥３にイ
オンビーム２５を照射することにより、第４図ｂ
に示すようにガラス面を２６で示すようにのこ波
状に荒らして投影した場合Cr膜があるのと同じ
ように影が生じるようにする。即ち、基板ガラス
１が露出した部分を1μｍピツチ程度で直接また
は網目状のすじを入れるようにイオンビーム２５
を走査し、基板ガラス１の表面をのこ波状に加工
する。また白点欠陥３が非常に小さい場合は、そ
この部分にイオンビーム２５をスポツト照射する
と、第４図ｃに示すようにビームの強度分布（通
常ガウス分布）に対応した丸い深い掘り込み２７
ができ、同様に照明光を散乱させ、欠陥のない投
影像が得られる。このように２６または２７で示
されるように白点欠陥３が修正される。
なお残留欠陥である黒点欠陥も前記装置でCr
膜を除去するのに必要なイオンビーム２５の照明
時間に設定し、残留Cr膜を覆う面積をイオンビ
ーム２５で走査してやると除去修正できる。特に
Cr膜の除去速度は500Å／分程度であるので表面
から順に除去し、CRT１１でみながら除去が完
了するまでイオンビーム２５を照射する。
膜を除去するのに必要なイオンビーム２５の照明
時間に設定し、残留Cr膜を覆う面積をイオンビ
ーム２５で走査してやると除去修正できる。特に
Cr膜の除去速度は500Å／分程度であるので表面
から順に除去し、CRT１１でみながら除去が完
了するまでイオンビーム２５を照射する。
以上説明したように本発明によれば、マスクの
欠陥等LSI関係の微細加工を下層にダメージを与
えることなく、所望位置に加工を施すことがで
き、LSIの微細化に適合した微細加工を実現でき
るようにした顕著な作用効果を奏する。
欠陥等LSI関係の微細加工を下層にダメージを与
えることなく、所望位置に加工を施すことがで
き、LSIの微細化に適合した微細加工を実現でき
るようにした顕著な作用効果を奏する。
第１図はフオトマスクの白点欠陥を示す断面
図、第２図ａ，ｂ，ｃ，ｄは従来のフオトマスク
の白点欠陥修正方法を説明するための断面図、第
３図は本発明のフオトマスクの白点欠陥修正方法
を実施するためのイオンビーム加工装置を示す概
略構成図、第４図ａ，ｂ，ｃは本発明のフオトマ
スクの白点欠陥修正方法を説明するための断面図
である。 １……ガラス基板、２……正常Crパターン、
３……白点欠陥、８……イオン銃、９……コンデ
ンサレンズ、１０……対物絞り、１１……偏向電
極、１２……走査電源、１３……対物レンズ、１
４……フオトレンズ、１７……二次荷電粒子検出
器、１９……CRT、２５……イオンビーム。
図、第２図ａ，ｂ，ｃ，ｄは従来のフオトマスク
の白点欠陥修正方法を説明するための断面図、第
３図は本発明のフオトマスクの白点欠陥修正方法
を実施するためのイオンビーム加工装置を示す概
略構成図、第４図ａ，ｂ，ｃは本発明のフオトマ
スクの白点欠陥修正方法を説明するための断面図
である。 １……ガラス基板、２……正常Crパターン、
３……白点欠陥、８……イオン銃、９……コンデ
ンサレンズ、１０……対物絞り、１１……偏向電
極、１２……走査電源、１３……対物レンズ、１
４……フオトレンズ、１７……二次荷電粒子検出
器、１９……CRT、２５……イオンビーム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ イオン源と、該イオン源から発したイオンビ
ームを絞るアパーチヤと、該アパーチヤを通過し
たイオンビームを収束する静電レンズと、該イオ
ンビームを走査する偏向電極と、照射されたイオ
ンビームにより微細回路パターンを有する基板か
ら得られる２次荷電粒子を検出する検出器と、該
検出器から検出される２次荷電粒子像を表示する
表示手段と、該表示手段によつて表示された微細
回路パターン上の修正領域を見て偏向電極によつ
て走査されるイオンビームの走査範囲を正確な修
正個所として設定する設定手段とを備えたことを
特徴とするイオンビーム加工装置。 ２ 上記静電レンズを少なくとも２段にて構成し
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
イオンビーム加工装置。 ３ 上記設定手段は、照射強度と照射時間とも設
定するように構成したことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のイオンビーム加工装置。 ４ イオン源と、該イオン源から発したイオンビ
ームを絞るアパーチヤと、該アパーチヤを通過し
たイオンビームを収束する静電レンズと、該イオ
ンビームを走査する偏向電極と、照射されたイオ
ンビームにより微細回路パターンを有する基板か
ら得られる２次荷電粒子を検出する検出器と、該
検出器から検出される２次荷電粒子像を表示する
表示手段と、該表示手段によつて表示された微細
回路パターン上の修正領域を見て偏向電極によつ
て走査されるイオンビームの走査範囲を正確な修
正個所として設定する設定手段と、光学的に微細
回路パターンを有する基板を観察できるように光
学顕微鏡とを備えたことを特徴とするイオンビー
ム加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61213822A JPS6284518A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | イオンビ−ム加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61213822A JPS6284518A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | イオンビ−ム加工装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5711379A Division JPS55150225A (en) | 1979-05-11 | 1979-05-11 | Method of correcting white spot fault of photomask |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9676891A Division JPH0664339B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | イオンビーム加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6284518A JPS6284518A (ja) | 1987-04-18 |
| JPS6339894B2 true JPS6339894B2 (ja) | 1988-08-08 |
Family
ID=16645601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61213822A Granted JPS6284518A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | イオンビ−ム加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6284518A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6753253B1 (en) * | 1986-06-18 | 2004-06-22 | Hitachi, Ltd. | Method of making wiring and logic corrections on a semiconductor device by use of focused ion beams |
| DE10230755A1 (de) * | 2002-07-09 | 2004-01-22 | Carl Zeiss Jena Gmbh | Anordnung zur Herstellung von Photomasken |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3699334A (en) * | 1969-06-16 | 1972-10-17 | Kollsman Instr Corp | Apparatus using a beam of positive ions for controlled erosion of surfaces |
| JPS529508A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-25 | Heidelberger Druckmasch Ag | Delivery drum for sheet feed rotary printing press |
| US4085330A (en) * | 1976-07-08 | 1978-04-18 | Burroughs Corporation | Focused ion beam mask maker |
| JPS5371563A (en) * | 1976-12-08 | 1978-06-26 | Hitachi Ltd | Automatic inspection correcting method for mask |
-
1986
- 1986-09-12 JP JP61213822A patent/JPS6284518A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3699334A (en) * | 1969-06-16 | 1972-10-17 | Kollsman Instr Corp | Apparatus using a beam of positive ions for controlled erosion of surfaces |
| JPS529508A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-25 | Heidelberger Druckmasch Ag | Delivery drum for sheet feed rotary printing press |
| US4085330A (en) * | 1976-07-08 | 1978-04-18 | Burroughs Corporation | Focused ion beam mask maker |
| JPS5371563A (en) * | 1976-12-08 | 1978-06-26 | Hitachi Ltd | Automatic inspection correcting method for mask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6284518A (ja) | 1987-04-18 |
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