JPS6065532A - イオンビ−ムによるマスクリペア−装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体製造工程で用いられるマスクおよびレ
チクルの微小部欠陥修正の新規な方法に関するものであ
る。

半導体製造工程において用いられるマスクおよびレチク
ル（以下まとめてマスクとよぶ）は、ガラス板上に形成
されたクロム膜に所望のパターンを露光しエツチングす
ることにより作られるが、この際１つのマスクにつめて
５０個程度の欠陥が生じる。そしてこの欠陥には２種類
あり、１つけ削られてしまうべき所が残ってしまったも
の（不透明欠陥）で、もう１つは残るべき所が削られて
しまったもの（透明欠陥〕である。

従来、このような欠陥の修正には、不透明欠陥について
はレーザーマスクリペア−装置が実用化されている。こ
の装置は、予め欠陥検査装置により、磁気カードなどに
欠陥個所の情報が記録され、その磁気カードのデータに
よりＸＹテーブルが駆動されレーザー光の光軸付近へ欠
陥個所が運ばれる。この欠陥個所全光学顕微鏡で観察し
ながら、より正確に欠陥個所を光軸へ近づけ、レーザー
光の通過するスリットヲ不透明欠陥の形成に合うよう調
整し、つぎにレーザー光を照射し不透明欠陥を蒸発させ
て除去する方法がとられている。

また、透明欠陥についてはマスクに再度レジストを塗布
し透明欠陥個所のみ露光し、その部分にクロム膜を蒸着
で形成することなどの方法で行っている。

しかし、この欠陥修正方法は共に可変スリットを用して
元金投射しているため最小の欠陥修正できる大きさは１
μｍ角程度であり、パターンの１．５〜１μｍ時代に突
入しようとしている現在、より微細な欠陥修正ができる
装置が要望されている。

このような装置として集束イオンビームｉ用いたイオン
注入やスパッタリングにより透明欠陥や不透明欠陥を修
正することができるマスクリペア−装置が考案されてい
る。この装置においても予め欠陥検査装置により欠陥個
所の情報が記録された磁気カードにより、ＸＹテーブル
が駆動されイオンビームの光軸付近へ欠陥個所が運ばれ
る。

従来、光軸近傍まで運ばれて来た欠陥個所の観察には、
走査電子顕微鏡による観察のようにイオンを短時間のう
ちにラスタースキャンして２次電子像や反射イオン像を
観察することによって行われてきた。しかし、この観察
のあとにつづく不透明欠陥のスパッタリング時にスパッ
ターされるクロムなどが２次電子検出器や反射イオン検
出器に付着し検出効率の劣化が生じる。

本発明は、スパッターされたクロムなどによる影響のな
い観察方法に関するもので以下図面によって詳細に説明
する。

第１図は本発明の一実施例を示すもので修正されるマス
ク１は真空容器室内に設けられたＸＹテーブル２上罠配
置され、欠陥検査装置で予め検査された欠陥個所のデー
タは磁気カードリーダー３で読み取られこのデータに基
づいてモーターで駆動されるＸＹテーブルが駆動回路４
によりイオンビーム光軸付近へ運ばれる。イオンビーム
はイオンガ１５により発射され集束レンズ６と対物レン
ズ７によりマスク上に集束される。ブランキングプレー
ト８けマスクの欠陥個所７’１ＥＸＹテーブルによって
イオンビームの光軸まで運ばれる時に不必要にイオンビ
ームがマスク１に投射されないようにするものである。

イオンビームの光軸まで運ばれたマスク１の観察は同一
のスキャンジェネレーター同期回路９によりＸＹ偏向”
電極１０とテレビ表示・部１１の偏向コイルが駆動され
、マスク１の欠陥個所付近が、イオンビームでラスター
スキャンされる。イオンビームがマスク１上に投射され
るためカソードルミネッセンス光が放射される。このカ
ソードルミネッセンス光はガラスおよびクロム上のいづ
れでも放射されるがマスク１け元来クロムバターム以外
のガラス部分は光を通すようにしたものであるので、ク
ロムのパターン以外を走査するイオンによって生ずる光
はマスク１の下部に設けられた光電子増倍管などの光検
出器１２に入射する。この時マスクの下部のＸＹテーブ
ルに穴がおいていることけ当然である。光検出器１２か
らの信号は増幅益１３により増幅され、テレビ表示部１
１の輝度変調信号として導かれテレビ表示部１１上にマ
スクパターン像を形成する。この光検出器１２がマスク
下部に配置されるためにスパッターされたクロムなどが
付着することなく、また光検出器へ入射する光は２次電
子検出器に飛来した２次電子がシンチレータを光らせる
のと異ってオン・オフであるためＳＮの良いマスクパタ
ーンの観察が行える。又２次電子を加速させる正の高電
圧も不要であるので安価で性能の良い観察が行える。

又、イオンと一ムによるマスク−リペア−装置において
この欠陥観察方法を用いてマスク全面全観察しそれによ
って得られる信号をパターンジェネレータのデータとの
比較によって欠陥個所を探し出し、かつマスクの修正を
行う装置とすることも容易に成し遂げられることである
。

又、カソードルミネッセンス光は電子ビームによっても
生ずるものであるので、マスクの修正機能の無い、マス
ク欠陥検査装置としても、本観察方法を用いて行うこと
も可能である。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明によるイオンビームによるマスクリペア−
装置を示すための全体構成図である。 １はマスク、２はＸＹテーブル、３は力〜ドリーダー、
４け駆動回路、５ばイオンガン、６は集束レンズ、７は
対物レンズ、８はプランキン（プレート、９けスキャン
ジェネレーター同期回路、１０はＸＹ偏向電極、１１は
テレビ表示部、１２は光検出器である。 以上 出願人　株式会社第二精工舎 代理人　弁理士液　上　務

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 本体の一端に設けられたイオン源と、このイオン源から
   のイオンビームを制御するための前記イオン源に隣接し
   て設けられた集束レンズおよび偏向電極と、この偏向電
   極に隣接して設けられたＸＹテーブルと、このＸＹテー
   ブル上に設けられた透光性基板と、この透光性基板に隣
   接して設けられたカソードルミネッセンス光検出器と、
   このカソードルミネッセンス光検出器からの出方を表示
   するためのテレビ表示部と、前記偏向電極とテレビ表示
   部の走査信号全同期して発生するための同期信号発生回
   路とを備え、前記イオン源がらのイオンビームが前記透
   光性基板およびパターンに照射された場合、この透光性
   基板を通過したカソードルミネッセンス光ヲ前記カソー
   ドルミヌッセンス光検出器で検出して前記テレビ表示部
   で表示して透光性基板のパターン面金みることができる
   ように構成したイオンビームによるマスクリペア−装置
   。