JPS58196020A - マスクの欠陥検査・修正方法およびその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、マスクの欠陥検査、修正方法と装置に係り、
特に１．５μ以下の微細パターンのマスクに発生する黒
点欠陥の検査、修正に好適なマスクの欠陥検査、修正方
法と装置に関する。

近年、半導体集積口ｍ（＋■ｃ）は微細化、高集積化が
著しく進み、配線パターンの寸法は６μから２μへと移
行しつつあり、数年後には１〜１．５μパターンの実現
が予測されている。

第１図（ａ）に、フォトマスクの断面を示す。

この図に示されるフォトマスクは、ガラス基板１の上に
クロムなどの金属材料、酸化鉄などの金属化合物材料等
、露光用の光に対して、透過率の低い材料の薄膜（厚さ
数１００〜数１０００＾）を蒸着してフォトエツチング
技術により所望のパターン２に形成されている。ここで
、寸法Ａはパターンの間隔、寸法Ｂはパターンの幅であ
る。

１４１図（ｂ）は、さらに微細な配線パターンの形成に
用いられるＸ１１ｉｉ露光用マスクの断面を示す。

この図に示されるマスクは、Ｓｉの支持基板３に支えら
れ厚さ数μのパリレン４上に、厚さ２００５μ程度のＣ
ｒ薄膜５を有し、その上にＸ線に対する吸収の大きいＡ
ｕ　６の数１０００＾の膜によシバターンが形成されて
いる。Ａｕ６の上部にある厚さ約１０００λのＣｒ７は
、Ａｕ、６をエツチングしてパターンを形成する際のマ
スクとなるよう、リフトオフ法によシ形成されたもので
ある。

第２図は、これらのマスクの一部を上から見九図である
。

この図に示されるマスクは、ガラス基板８の上に配線パ
ターン９が形成されており、この配線パターン９はたと
えば金属Ｃｒの薄膜により形成されている。このような
マスクには、符号１０．１１．１２で示される欠陥が、
パターン形成工程で発生するのが晋通である。これは、
主としてフォトエツチング技術における異物の介在によ
る。符号１０．１１は、黒点欠陥と呼ばれ、金属Ｃｒが
本来存在してはならない場所に存在するものである。符
号１２は、白点欠陥と呼ばれ、本来存在すべき場所の金
属Ｃｒが欠落したものである。このような欠陥のあるフ
ォトマスクをそのまま使用すれば、この欠陥がそのまま
ウェハー上の素子パターンに転写され、ＩＣの不良を生
じる。前記２種の欠陥のうち、黒点欠陥の方が数が多い
。

第５図は、前述のごときマスクの欠陥検査装置の従来例
を六し、第４図は該装置の２値化回路の機能を示す。

前記第５図に示される装置において、検査すべき一マス
ク１５はＸＹテーブル１４の上に固定される。そして、
光源１５から出た光は光ファイバ１６により導かれてマ
スク１５を下方から照明する。

この透過光照明のもとで、対物レンズ１７はマスクパタ
ーンの像を光学素子１８．１９．２０をへて微小な充電
変換素子を一列に配置した＋ｊ　ニアイメージセンナ２
１の上へ結像する。

このリニアイメージセンサ２１の出力は、２値化回路２
５に入れられて２値化される。すなわち第４図（ａ）の
ごときリニアイメージセンサ２１の出力を、任意に設定
された出力レベルｈよりも高いか低いかによって、第４
図（ｂ）のごとく、０レベルとルベルとから成るディジ
タル信号に置換する。これは、マスクパターン像をとら
えたリニアイメージセンサ２１からの電気的出力が、光
学的、電気的、その他の要因によって影響を受け、８／
Ｎ比が悪くなっているのを改善するためである。

ＸＹテーブル１４は、制御装蓋で制御される駆動モータ
によ）リニアイメージセン？２１の配列の方向と垂直に
移動する。したがって、２値化回路２５からの出力はマ
スクパターンの儂を２次元的に走査するものとなる。

一方、磁気チーブ２４に貯えられる正確な原パターンの
情報は、一旦高速の読み出しが可能な磁気ティスフ２５
に保存される。ＸＹテーブル１４の位置は、刻々リニア
エンコーダ２６．２７にょシ読み堰られ、対応する場所
における磁気ディスク２５からの原パターンの情報と２
値化回路出カとの比較が比較回路２８において行われる
。

このようにして、原パターンとは異なったパターン、す
なわち欠陥の位置が欠陥位置配線回路２９によってカセ
ットテープ５ｏに記録される。

第５図は、以上のようにして見出されたマスクの欠陥の
レーザによる修正装置の従来例を示す。

この装置では、レーザ発振器３１から出たレーザビーム
５２は反射ミラー３５にょう反射され、アパーチャ（矩
形開口）４７を介し半透過ミラー５４を通過した後、レ
ンズ５５にょシ集光され、微動載物台５６の上に設置さ
れたマスク３７の欠陥３８に照射されてこれを除去する
。

修正中、ハーフミラ−３９、照明ラング４０．凹面ミラ
ー４１、コンデンサレンズ４２がら成る照明光学系によ
り、試料であるマスク５７の表面を照明する。

ここで欠陥の位置出しについては、第３図に示される欠
陥検査装置により欠陥位置の情報を記録したカセットテ
ープ４５からの情報に基づいて載物台３６の駆動制御装
置４６によって欠陥位置が接眼レンズ４５．４４の視野
の中に入るように、マスクを載せた載物台５６が移動し
た後、観察しなから載物台５６を微動させることによっ
て行う。

以上説明したマスクの欠陥検査、修正に関する従来技術
には、次のような欠点がある。すなわち、 （１）欠陥の検査を光学的な方法によって行っているた
め、光の回折限界以下の分解能をうろことは不可能であ
シ、実用的な分解能はおよそ０．５ｓ　が限界であると
考えられる。したがってＶＬＳＩ等の微細パターンの、
０．５μ以下の欠陥を検査することはできない。

（２）欠陥の除去修正をレーザ装置にょ夛行っているた
め、レーザ光の集光限界以下の精度で除去修正を行うこ
とは困難である。実用的な除去修正精度は、０，５ａが
限界と考えられるため、１．５ｊ以下のＶＬＳＩの微細
パターンの修正には適さない。

（５）欠陥の検査と修正とを別々の装置によって行って
いるため、装置が高価となカ、工数も増えている。特に
、位置検出−位置決めを繰シ返すため、この部分の機構
と工程が重複し、無駄である。

本発明の目的は、以上のような従来技術の欠点をなくシ
、マスクの欠陥の検査および修正を０．５７１以下の分
解能および精度をもって行いうるマスクの欠陥検査、修
正方法を提供するにらり本発明の他の目的は前記マスク
の欠陥の検量。

修正方法を同一の装置で確実に実施しうるマスクの欠陥
検査、修正装置を提供するにある。

本発明方法の特歎は、液体金属イオン源等の高輝度イオ
ン源からのイオンビームを、荷電粒子光学系によシロ。

５μダ以下の微細な領域に集束して走査し、イオンビー
ムのスポットを牛導体集積回路等を製造するだめのマス
クに照射してその２次荷電粒子の強度を測定し、該測定
値と原パターンの情報とを比較し、マスク欠陥を検出し
た後、欠陥位置にイオンビームを集束して走査させるか
結像投影させ、かつスパッタリング除去に適当なｉイク
ロイオンビーム電流と加速電圧に変化させて照射し、マ
スクの欠陥を除去するようにしたところにアシ、この構
成＋（よシマスフの欠陥の検査と修正とを０．５μ以下
の分解能および精度で行うことができたものである。

そして、本発明装置の特徴は、架台上に真空容器を設置
し、該真空容器に真空引き手段を連結し、前記真空容器
内の架台上にはマスクの載物台を設置し、この載置台を
移動および位置微調整用の制御装置に連結し、前記真空
容器内には少なくとも、液体金属イオン源等の高輝度イ
オン源と、該高輝度イオン源からイオンビームを引き出
す丸めの引き出し電極と、イオンビームの出力や安定性
を制御するだめのコントロール電極と、イオンビームを
集束するための静電レンズと、イオンビームのアパーチ
ャと、イオンビームをアパーチャの外側に外すだめのプ
ランキンク１ｔ’ＦＡＡと、マスク上にイオンビームの
スポットを走査させるための偏向電極と、イオンと一ム
が照射されたマスクの２次荷電粒子の強度を検出しこれ
を電気的信号に変換する２次荷電粒子検出器とを設け、
前記高輝度イオン源とコントロール電極と引き出しｔＷ
と静電レンズとブランキング電極と偏向電極とをそれぞ
ｔ電源に連結し、前記２次荷電粒子検出器を、該２次荷
・慰粒子検出器の出力と原パターンの情報とを比較して
欠陥の有無を判定するための比較回路に接続し、該比較
回路にマスクの観察検査時と欠陥、修正時とで前記各電
源を切り換え制御する丸めの制御系を接続したところに
あり、ζ【７驚 を同一の装置で確実に実施化できたものである。

以下、本発明を図面に基づいて説明する。

第６図は、本発明方法を実施するための、マスクの欠陥
検査、修正装置の一例を示す。

この第６図において、架台４７にはエアサーボ４Ｂによ
り防震措置が講じられておシ、前記架台４７の上に真空
容器４９が設置されている。

前記真空容器４９には、下半部に試料室５ｏが設けられ
、その側部に試料交換室５１が設けられて゛いる。真空
容器４９の上半部と試料室５０間はゲートパルプ５２に
より仕切られ、試料室５ｏと試料交換室５１とは他のゲ
ートパルプ５５により仕切られている。また、真空容器
４９には真空引き手段が連結されている。

紡紀真空引き手段は、真空容器４９の上半部側と試料室
５０と試料交換室５１とに接続された真空パイプ５４．
５５．５６、オイルロータリボング５７、オイルトラッ
プ５８、イオンポンプ５９、ターボ分子ボ／プロ０およ
びパルプ６１．６２．６５．６４とを有し、前記真空容
器４９内と試料室５０と試料交換室５１とを１＄ｔｏｒ
ｒ以下の真空に排気しうるようになっている。

前記架台４７上の試料室５０には、載物台６５が設置さ
れ、該載物台６５の上に試料台７０が載置され、その上
にマスクである試料７４が設置されるようになっている
。また、試料台７０には引き出し具７０が付設されてい
る。

前記載物台６５は、回転導入端子ハ、７２．７５を介し
て試料室５０の外部からＸ方向駆動モータ６６、Ｙ方向
駆動モータ６７、Ｚ方向微動マイクロメータ６８および
θ方向（回転）移動り／グ６９によｆｉ、　Ｘ、　Ｙ方
向の移動、Ｚ方向および水平面内の回転角の微ｖ４櫨を
行いうるように構成されている。前記Ｘ、Ｙ駆動モータ
６６．６７、Ｚ方向微動マイクロメータ６８およびθ方
向移動リング６９は、制御装置１０５に接続され、これ
により制御されるようになっている。

前記真空容器４９０内部には、上方より＊＊台６５方向
に向かつｔ順次、高輝度イオン源である液体金属イオン
源７５と、コントロール（バイアス）電極７６と、イオ
ンビーム７８の引き出し電極７７ト、アパーチャ（円形
開口）７９およびマイクロメーク付アパーチャ（矩形開
口）１ｏ６と、静電レンズ８０．８１．８２と、ブラン
キング電極８５と、アパーチャア９　と、Ｘ、Ｙ方向の
偏向電極８４．８５と、２次荷電粒子検出器９５とが設
けられている。

前記液体金属イオン源７５のフィラメントは、電源８６
に接続され、該電源８６にょシ加熱される。

前記コントロール電極７６は、電源８７に接続され、液
体金属イオン源７５のフィラメントに設けられたチップ
の先端付近に、低い正負の電圧を印加して電流を制御す
る。

前記引き出し電極７７は、電源８８に接続され、液体金
属イオン源７５のフィラメントに電流を流して加熱し丸
うえで１０　　ｔｏｒｒ以下の真空中において電源８８
によシ引き出し電極７７に数ＫＶ〜数１０に■の負の電
圧を印加すると、前記フィラメントに設けられたチップ
の先端よシイオンビーム７８が引き出される。

前記アパーチャア９は、引き出されたイオンビーム７Ｂ
の中央部分を取り出す。

前記静電レンズ８０．８１は、電源８９．９０に！！続
され、これらの静電レンズ８０．８１とその下位に設置
された静電レンズ８３とで、前記アノく一チャフ９によ
り取シ出されたイオンビーム７８を０．５非以下の微細
を領域に集束する。

前記ブランキング電極８５は、電源９２に接続され、き
わめて速い速度でイオンビーム７８を走査し、アパーチ
ャア９の外側へ外し、試料７４へのイオンビームの照射
を高速で停止させる。

前記偏向電極８４．８５は、電源９５に接続され静電レ
ンズ８０．８１．８２で集束されたイオンビーム７８に
Ｘ％Ｙ方向の偏向を与え、試料７４の表面にスポット７
８を結ばせる。

・前記２次荷電粒子検出器９５は、試料室５０に配置さ
れ、試料７４にイオンビーム７８が照射されたとき、試
料７４から発生する２次荷電粒子である２次電子または
２次イオンを受は止め、その強度を電流に変換し、その
出力をＳＩＭ観察装置９６に送入するようになっている
。

前記渡体金属イオン源７５のフィラメント用の電源８６
と、コントロール電極用の電源８７と引き出し電極用の
′成源８８と静電レンズ用の電源８９．９０とは、数１
ｏＫＶの高圧ｆｉ源９１に接続されている。また、前記
ブランキング電極用の電源９２と偏向電極用の電源９５
とは、制御装置９４に接続され、一定のパターンに従っ
てイオンビーム７８を走査させるようになりている。

前記偏向電極用の電源９５と２次荷電粒子検出器９５と
は、８ＩＭ＠察装置９６に接続されている。

この８ＩＭ観察装置９６は、偏向電極用の電源９５から
のイオンビーム７８のＸｌ　Ｙ方間の偏向量に関する信
号を受け、これと同゛期させてブラウン管９７の輝点を
走査し、かつその輝点の輝度と２次荷電粒子検出器９５
からのシ流強度に応じて変化させることによシ、試料７
４の各点における２次電子放出能に応じた試料の像をう
るという８ＩＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　　Ｉｏｎ　　Ａ４
１ｃｒｏｓｃｏｐｅ　：走査型イオン顕微艷）の機能に
よって試料面の拡大Ｉｉｌ察を行いうるように構成゛さ
れており、その情報を試料７４０検豊装置に送入するよ
うになっている。

ｉ１１紀区科７４の検査装置は、メモリスコープ９８と
比較回路９９と磁気ディスク１００とを備えている。前
記メモリスコープ９Ｂは、２次荷電粒子検出器９５から
の信号に基づ（８ＸＭ観察装置９６の１ｉｉｌｉ儂を一
緒に記録する。前記磁気ディスク１００には磁気テープ
１０１を通じて原）くターンの情報が格納される。そし
て、前記比較回路９９は載物台６５の制御装置１０３か
らの画１象位置の情報に基づいて、該情報に対応する位
置における試料７４めパターンα１＃をメモリスコープ
９８力為ら弓１き出し、涼パターンの情報を磁気ディス
ク１００から引趣出して両ノ（ターンを比較し、両）（
ターンが不一致のとき、欠陥有りと判定する。

前記試料７４の検査装置には制御系１０２が接続され、
該制御系１０２には前記高圧電源９１と制御装ｖＩＬ９
４とが接続されている。そして、この制御系１０２は高
圧・１源９１と！１１ｊｌ１４１装置９４とに接続され
たｔｌｉｔを、試料７４の観察および欠陥検査時には小
電流、低加速電圧、広い走査域のイオンビーム取り出し
条件に切り換え、試料７４のパターンの欠陥を検出後、
該欠陥の除去、修正時には大電流、高加速電圧、狭走査
域のイオン取９出し条件に切シ換え制御しうるように構
成されてしる。

なお、嬉６図中１０４．１０５はそれぞれ第３図におけ
るリニアエンコーダ２６．２７に和尚するものである。

次に、ＰｉｒＩ記実施例のマスクの欠陥検査、修正装置
の作用に関連して、本発明方法を説明する。

試料室５０へ試料７４を入れる前に、真空引き手段によ
シ真空容器４９全体の真空引きを行う。

ついで、試料台７０に付設された引き出し具７０を介し
て試料台７０を試料交換室５１に引き出し、ゲートパル
プ５Ｓを閉じ、試料交換室５１の扉を開き、試料台７０
上にマスクである試料７４を設置し、試料交＠寛５１の
予備排気を行ってから試料痩５０に入れ、ＩＩｔ＃Ｂ台
６５の定位置に試料台７０を載置し、制御装置１０５に
よりＸ、Ｙ方向駆動モータ６６．６７を作動させ、載物
台６５を試料７４の検量スタート位置に移動ｙ４整し、
さらにＺ方向微動マイクロメータ６８とθ方向移動リン
グ６９とを作動さぞ、Ｚ方向および水平面に対する回転
角を微調整する。

次に、制御系１０２により高圧電極９１および制御装置
１ｉｉ９４を切り換え、各電極８６〜９０．９２．９５
を試料７４の観察および欠陥検査時に適する小電流、低
加速電王、広い走査域のイオンビーム取υ出し条件にセ
ットしたうえで、試料７４の観察および欠陥横置に入る
。

そして、電源８６により液体金属イオン源７５のフィラ
メントに電流が供給されて加熱され、１ｒ’ｔｏｒｒ以
下の真空中で、゛シ源８８により引き出し電極７７に数
ＫＶ〜数１０に■の負の電圧が印加されると、液体金属
イオン源７５のフィラメントに設けられたチップの先端
の極めて狭い領域からイオンビーム７８が引き出される
。このイオンビーム７８の引き出し時において、電源８
７を通じてコントロール電極７６から液体金属イオン源
７５のフィラメントの先端付近に低い正負の電圧を印加
し、電流を制御する。

前記液体金属イオン源７５から引き田されたイオンビー
ム７８は、アパーチャア９によ）その中央部分のみが取
シ出され、さらに電源８９．９０を通じて電圧が印加さ
れる静電レンズ８０．８１と他の靜′−レンズ８２と【
よシロ。５μＶ以下のスポット７８になるように集束さ
れ、電源９５から電圧が印加されて作動する偏向電極８
４．８５によりＸ、Ｙ方向に偏向され、試料７４の表面
にスポット７８が結ばれ、試料７４の表面にイオンビー
ム７８が照射される。

前述のごとく、試料７４０表面にイオンビーム７８を照
射すると、試料７４から２次荷電粒子が発生する。この
２次荷電粒子である２次′４子または２次イオンは、２
次荷電粒子検出器９５によシ受は止められ、その強度が
電流に変換されてＳＺＭ観察装＃９６に送入される。

また、ＳＩＭ観察装置９６は偏向電極用の電源９ｉから
イオンビーム７８のＸ％Ｙ方向の偏向量に関する信号を
受け、これと同期させてブラウン管９７の輝点を走査し
、かつその輝点の輝度を２次荷電粒子検出器９５からの
電流強度に応じて変化させることによシ、試料７４の各
点における試料の像を得て試料面の拡大観察を行う。

ついで、ＳＩＭ観察装置９６で得られた試料７４０画偉
１、試料７４の検査装置のメモリスコープ９８に記録す
る。

次に、試料７４の検査装置の比較回路９９において、メ
モリスコープ９８から試料７４の１儂を取）出し、載物
台６５の駆動系の制御装置１０５からの１儂位置情報に
基づき、磁気ディスク１００に格納されている原パター
ンの情報中よシ前記試料７４の１偉に対応する位置のパ
ターンの情報を取シ出し、前記試料７４の１偉と原パタ
ーンの情報とを比較し、両者が不一致のときに欠陥有シ
と判定する。

このように、０．５μｙ以下のイオンビーム７Ｂの走査
による２次電子像または２次イオン像を用いることによ
って０．５μ以下のパターンの欠陥を検査することがで
きる。

試料７４の観察、検査後は、ブランキング電板８５を作
動させ、きわめて速い速度でイオンビーム７８を走査さ
せ、アパーチャア９の外側に外し試料７４へのイオンビ
ーム７８の照射を高速で停止させる。

前記試料７４の検査装置の比較回路９９によシ試料７４
のパターン中に欠陥を検出したときは、制。

御系１０２を修正に適する大電流、高加速電圧、狭い走
査域のイオンビーム７８の取シ出し条件に切シ換え、液
体金属イオン源７５から大電流のイオンビーム７８を取
シ出し、コントロール電極７６により高加速電圧を与え
、静電レンズ８０．８１．８２によ）０．５μダ以下の
イオンビーム７８のスポットに集束しかつ偏向電極８４
．８５によ多走査範囲を限定し、パターンの欠陥位置に
イオンビーム７８を照射し、スパッタリング除去によシ
欠陥を。

修正する。また、前記イオンビーム７８を欠陥位置に結
儂投影させてスパッタリング除去するようにして屯よい
。

このように、マイクロイオンビームを用いて修正を行う
ことにょシ、０．５μ以下の微細な欠陥をも除去、修正
することができる。

前記試料７４のパターンの欠陥を修正した後、再び制御
系を試料７４の観察、検査に適する値に切シ換え、前述
の動作を繰夛返し、修正後の試料７４を検査することも
できる。

試料７４のパターンの欠陥を完全修正後は、各電源を作
動停止させた後、真空容器４９の上半部と試料室５０間
のゲートパルプ５２を閉じ、他のダートパルプ５５を開
け、引き出し具７ｏを介して試料台７４を試料交換室５
１へ引き出し、修正された製品であるマスクを取ｐ出す
。

なお、本発明では前記高圧電源９１に代えて分割抵抗器
を用いる場合もある。

また、２次荷電粒子検出器９５に２値化回路を接続し、
基準レベルにょシ高いか、低いかによって０レベルとル
ベルとの２値化信号に変換したうえで８ＩＭ観察装置に
送入するようにして本発明は、以上説明した構成、作用
のもので本発明方法によれば高輝度イオン源からのイオ
ンビームを、荷電粒子光学系に゛より０．５μダ以下の
微細な領域に集束して走査し、イオンビームのスポット
を半導体集積回路等を製造するためのマスクに照射して
その２、次荷電粒子の強度を測定し、線側定値と原パタ
ーンの情報とを比較し、マスク欠陥を検出するとともに
１欠陥を検査し死後、欠陥位置にイオンビームを集束し
て走査させるか結像投影させ、かつスバ′ツタリング除
去に適尚なマイクロイオンビーム電流と加速電圧に変化
させて照射し、マスクの欠陥を除去するようにしている
ので、マスクの欠陥の検査と修正とを０．５＃以下の分
解能および精度で行いうる効果がある。

また、本発明装置によれば架台上に設置されかつ真空引
き手段を有する真空容器と、真空容器内の架台上に設置
されたマスク用の載物台と咳載物台の駆動系の制御装置
と、真空容器に設けられた高輝度イオン源と、イオンビ
ームの引き出し電極と、同；ントロール電極と、イオン
ビームの集束用の靜域レンズと、イオンビームのアパー
チャと、イオンビームをアパーチャの外１１に外すプラ
ン中ング電極と、イオンビームのスポットをマスクのパ
ターンに走査させる偏向電極と、前記各電極および静電
レンズ用の電源と、イオンビームが照射されたマスクの
２次荷電粒子を検出しこれを電気的信号に変換する２次
荷電粒子検出器と、２次荷電粒子検出器の出力と原パタ
ーンの情報とを比較して欠陥の有無を判定する比較回路
と、マスクの観察検査時と欠陥修正時とで各電源を切９
換え制御する制御系との協働によシ、前記マスクの欠陥
検査。

修正方法を同一の装置で確実に実施化できる効果があシ
、ひいては作業能率を著しく向上しうる外、設備の重複
を回避しうる利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（！Ｉ）、（ｂ）は本発明で対称とするマスクの
一調を示す断面図、第２１１ｉは同平面図、第５図はマ
スクの欠陥の検査装置の従来例を示す図、第４図（１１
）、（ｂ）は前記検査装置中の２値化回路の機能説明図
、第５図はマスクの欠陥装置の従来例を示す図、第６図
は本発明方法を実施する装置の一例を示す系統図である
。 １０．１１．１２・・・マスクの配線パターンの欠陥４
７・・・架台　　　　　　　４９・・・真空容器５０−
・・・試料室　　　　　　５１・・・試料交換室５４〜
６４・・・真空引き手段を構成する部材６５・・・載物
台 ６６．６７・・・Ｘ％Ｙ方向駆動モータ６８・・・２方
向微動！イクロメータ ６９・・・０方向移動リング ７０・・・試料台 ７１〜７５・・・回転導入端子 ７４・・・マスクである試料 ７５・・・高輝度イオン源である液体金属イオン源７６
・・・コントロール電極 ７７・・・イオンビームの引自出し電極７８・・・イオ
ンビーム ７８・・・イオンビームのスポット ７９．７９・・・アパーチャ ８０〜８５・・・静電レンズ ８４・・・ブランキング電極 ８４．８５・・・偏向電極 ８６〜９０・・・電源 ９１・・・高圧電源 ９２．９３・・・電源 ９４・・・ブランキング電極および偏向電極の電源の制
御装置 ９５・・・２次荷電粒子検出器 ９６・・・ＳＩＭＩｌ！察装置 ９８・・・メモリスコープ ９９・・・試料のパターンの画像と原パターンの情報と
の比較回路 １００・・・原パターンの情報の格納用の磁気ダイスフ １０２・・・観察、検査時と欠陥修正時とで電源の作動
条件を切シ換える制御系 １０５・・・載物台の駆動系の制御装置ｉｔ　　　図 （α） （り） ′７４図 才　Ｓ　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ｔ　液体金属イオン源等の高輝度イオン源からのイオン
   ビームを、荷電粒子光学系によりα５μダ以下の微細な
   領域に集束して走査し、イオンビームのスポットを半導
   体集積回路等を製造するためのマスクに照射してその２
   次荷電粒子の強度を測定し、咳測定値と原パターンの情
   報とを比較し、マスクのパターンの欠陥を検出した後、
   欠陥位置にイオンと一ムを集束して走査させるか結偉投
   影させ、かつスパッタリング除去に遍歯なマイクロイオ
   ンビーム電流と加速を圧に変化させて照射し、マスクの
   欠陥を除去することを特徴とするマスクの欠陥検査、修
   正方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、同一の高輝度イオ
   ン源を、小電流、低加速電圧、広い走査域のイオンビー
   ム取ｐ出し条件と、大電流高加速電圧、狭い走査域また
   は投影域のイオンビームＭＲシ出し条件とに逐次切シ換
   え、前者の条件でマスクの観察および欠陥検査を行い、
   後者の条件でパターンの欠陥除去６修正を行い、マスク
   の欠陥検査と修正とを行うことを特徴とするマスクの欠
   陥検査、修正方法。 五　架台上に真空容器を設置し、該真空容器に真空引き
   手段を接続し、前記真空容器内の架台上にはマスクの載
   置台を設置し、この載置台を移動および位置倣調整用の
   制御装置に連結し前記真空容器内には少なくとも、液体
   金属イオン源等の高輝度イオン源と、該高輝度イオン源
   からイオンビームを引き出すための引き出し電極と、イ
   オンビームの出力や安定性を制御するタメノコントロー
   ル電極と、イオンビームラ集束するための静電レンズと
   、イオンビームのアパーチャト、イオンビームをアパー
   チャの外側に外すためのブランキング電極と、マスク上
   にイオンビームのスポットを走査させるための偏向嵯極
   とイオンビームが照射されたマスクの２次荷電粒子の強
   度を検出しこれを電気的信号に変換する２次荷電粒子検
   出器とを設け、前記高輝度イオン源とコントロール電極
   と引き出し電極と静電レンズとブランキング電極と偏向
   電極とをそれぞれ電源に連結し、前記２次荷電粒子検出
   器を、該２次荷電粒子検出器の出力と原ノ（ターンの情
   報とを比較して欠陥の有無を判定するための比較回路に
   接続し、咳比較回路にマスクの観察検査時と欠陥修正時
   °とで前記各電源を切シ換え制御するための制御系を接
   続したことを％隊とするマスクの欠陥検査、修正装置。