JPH0678897B2 - パタ−ン検査装置 - Google Patents

パタ−ン検査装置

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JPH0678897B2
JPH0678897B2 JP60267692A JP26769285A JPH0678897B2 JP H0678897 B2 JPH0678897 B2 JP H0678897B2 JP 60267692 A JP60267692 A JP 60267692A JP 26769285 A JP26769285 A JP 26769285A JP H0678897 B2 JPH0678897 B2 JP H0678897B2
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JP
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sample
vacuum suction
vacuum
pattern inspection
wafer
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JP60267692A
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JPS62126309A (ja
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洋 安田
憲一 川島
均 宮沢
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [概要] 試料を大気中に置いて、試料の検査領域のみが所望の高
真空度になるように、検査領域を中心にした同心円状の
複数の円形真空吸引口を設け、且つ、試料と真空吸引面
との間隙は、試料を圧電素子を介してXYステージ上に載
置し、その圧電素子によつて調整する。
[産業上の利用分野] 本発明は走査形電子顕微鏡を改良したパターン検査装置
に関する。
ICなどの半導体装置を製造する際、サブミクロン級の微
細パターンが半導体基板(ウエハー)面に形成されてお
り、それを走査形電子顕微鏡を使つて検査する方法が重
用されている。
しかし、このような高度な検査方法も、できるだけ簡便
に使用できるようにすることが望ましい。
[従来の技術と発明が解決しようとする問題点] 第3図は走査形電子顕微鏡(Sanning Electron Microsc
ope:SEM)の概要図を示しており、1は電子銃,2はアラ
イメントコイル,3,4は集束用のコンデンサレンズ,5は焦
点調整用の対物レンズ,6は偏向コイル,7は二次電子検出
器,8は試料,9はXYステージである。このような走査形電
子顕微鏡は、電子ビームが細く集束できる点を利用し
て、試料面を電子ビームで走査し、試料から発生する二
次電子量の変化を検出して、二次元パターン像が検出さ
れる。この走査形電子顕微鏡は焦点深度が深くて、視野
が大きいのが特徴で、最近、微細なICパターンの検査に
汎用されつつある。
しかし、電子ビームを照射する装置であるから、装置自
体は勿論のこと、試料も高真空中に載置しなければなら
ず、全体は第3図に示すような容器(コラム)10に収容
されて、常時、排気口11からイオンポンプなどで高真空
に排気しながら用いられている。
従つて、試料(ウエハー)を装置に挿入したり、装置か
ら取り出したりするたびに、装置内の真空系を破る必要
があり、その場合、装置内を高真空に排気するまでの時
間が大変に長くかかつて、簡単に検査が出来ない欠点が
ある。また、そのように操作すると、顕微鏡内の多くの
部品を真空と大気とに交互に曝すことになつて、これは
部材の寿命にとつて決して好ましいものではない。この
ような問題点から、本発明は試料の挿入・送出を容易に
できる走査形電子顕微鏡方式のパターン検査装置を提案
するものである。
[問題点を解決するための手段] その目的は、電子ビームを走査し、試料からの二次電子
の発生量を検出して、試料面のパターン像を検出する走
査形電子顕微鏡方式のパターン検査装置であつて、試料
の検査領域を中心にした同心円の複数の円形状真空吸引
部を設け、該真空吸引部が試料面に対して開口を有する
と共に、中心部分に向かつて順次に高真空に吸引し、且
つ、前記試料は圧電素子を介してXYステージ上に載置さ
れて、該圧電素子の制御によつて、試料と真空吸引部の
先端開口面との間隙を調整するようにした構造を有する
パターン検査装置によつて達成される。
[作用] 即ち、本発明は試料を大気中に置き、試料の検査領域の
みが高真空度になるように、検査領域を中心にした同心
円状の複数の円形真空吸引部を設け、且つ、試料と真空
吸引部の先端面との間隙は圧電素子によつて調整する。
そうすれば、試料のパターン検査装置への出し入れが容
易になる。
[実施例] 以下、図面を参照して実施例によつて詳細に説明する。
第1図(a)は本発明にかかるパターン検査装置の概要図
を示しており、ブロックAは走査形電子顕微鏡の主要
部、ブロックBは本発明の特徴とする試料載置ステージ
および試料の排気系部分を示している。
ブロックA部分に記載した部材の記号は、第3図に説明
した同一部材に同一記号が付してあり、試料に近い部材
は多少位置が入れ換わつている。
また、ブロックBに交錯している部分もあるが、本発明
の特徴に関わりのあるのは遮断バルブ15である。
一方、本発明に関わりの深いブロックB(ブロックBは
ブロックAに比し、拡大した図で示している)におい
て、16はウエハー吸着ステージ,17は圧電素子,18はウエ
ハー,19はXYステージ,20は間隔検査器で、21は第1真空
吸引口1Sを有する第1真空吸引部,22は第2真空吸引口2
Sを有する第2真空吸引部,23は第3真空吸引口3Sを有す
る第3真空吸引部,24は第4真空吸引口4Sを有する第4
真空吸引部を示し、これらの真空吸引口は円筒又は円形
状になつている。第1図(b)はウエハーの直上の真空吸
引口部分の平面図で、第1図(a)のAA′断面を示してい
る。
この真空吸引口1S,2S,3S,4S,5Sを含む平坦な先端開口面
とウエハー18との間隙は、圧電素子17に印加する電気量
を加減して調整し、その間隙を10〜30μm程度にする。
その間隙量は間隔検出器20によつて検出され、自動的に
調整される。
且つ、第1真空吸引部21は排気口1Eから第1ターボポン
プ(図示せず)によつて絶えず真空排気されて1×10-5
Torr程度の真空度になつており、第2真空吸引部22は排
気口2Eから第2ターボポンプによつて絶えず真空排気さ
れて1Torr程度の真空度となり、第3真空吸引部23は排
気口3Eから第3ターボポンプによつて絶えず真空排気さ
れて10Torr程度の真空度になつており、更に、第4真空
吸引部24は排気口4Eからロータリーポンプによつて絶え
ず真空排気されている。
このように構成すると、上記の真空吸引口の先端開口面
とウエハーとの間隙部分は、上記のそれぞれの真空吸引
部と同様の真空度が得られ、そのため、第1真空吸引口
1Sの直下のウエハーの検査領域は1×10-5Torr程度の真
空度となつている。従つてブロックA部分の走査形電子
顕微鏡を動作させて、所望の検査領域を検査することが
可能である。
かようにして、XYステージ19を動作させてウエハー18を
移動させ、上記の方法によつて間隙を自動調整しながら
パターン像を検出することができるが、このXYステージ
19を動作させてウエハー18を移動する際、上記の間隙は
大きく開かれることになり、その場合、間隙部分から大
気が大量に流入して稼働中のブロックA部分の部材が損
傷する心配がある。それには、XYステージ19の動作に連
動させて、ブロックAに設けた遮断バルブ15を閉じる方
法を採る。
このようにすれば、ウエハー面のみ部分的に高真空に保
たれ、ウエハー全体は大気中に保持されるから、上記の
ようなパターン検査装置を使用して、第2図に示すよう
な公知のカセットツウカセットによる検査方式で、ウエ
ハーを順次に検査することができる。第2図において、
31はウエハーを収容したカセット,32は移動ステージ,33
は本発明にかかるパターン検査装置である。
[発明の効果] 従つて、本発明によれば走査形電子顕微鏡方式のパター
ン検査を極めて高スループットでおこなうことができ、
且つ、電子顕微鏡内部材の長寿命化にも寄与するもので
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)および(b)は本発明にかかるパターン検査装置
の概要図、 第2図は本発明にかかるパターン検査装置を用いた検査
方式を示す図、 第3図は走査形電子顕微鏡の概要図である。 図において、 1は電子銃、2,6はコイル、 3,4,5はレンズ、7は二次電子検出器、 8は試料、9はXYステージ、 10は容器(コラム) 11は排気口、 15は遮断バルブ、 16はウエハー吸着ステージ、 17は圧電素子、18はウエハー、 19はXYステージ、20は間隔検出器、 21,22,23,24は真空吸引部、 1S,2S,3S,4Sは真空吸引口、 1E,2E,3E,4Eは排気口 を示している。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】電子ビームを走査し、試料からの二次電子
    の発生量を検出して、試料面のパターン像を検出する走
    査形電子顕微鏡方式のパターン検査装置であつて、試料
    の検査領域を中心にした同心円の複数の円形状真空吸引
    部を設け、該真空吸引部が試料面に対して開口を有する
    と共に、中心部分に向かつて順次に高真空に吸引し、且
    つ、前記試料は圧電素子を介してXYステージ上に載置さ
    れて、該圧電素子の制御によつて、試料と真空吸引部の
    先端開口面との間隙を調整するようにした構造を有する
    ことを特徴とするパターン検査装置。
JP60267692A 1985-11-27 1985-11-27 パタ−ン検査装置 Expired - Lifetime JPH0678897B2 (ja)

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JP60267692A JPH0678897B2 (ja) 1985-11-27 1985-11-27 パタ−ン検査装置

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JP60267692A JPH0678897B2 (ja) 1985-11-27 1985-11-27 パタ−ン検査装置

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JPS62126309A JPS62126309A (ja) 1987-06-08
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ID=17448206

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JP2007003352A (ja) * 2005-06-23 2007-01-11 Sony Corp ポリシリコン膜の結晶状態検査装置、これを用いたポリシリコン膜の結晶状態検査方法及び薄膜トランジスタの製造システム
WO2019189360A1 (ja) * 2018-03-30 2019-10-03 株式会社ニコン 荷電粒子装置、計測システム、及び、荷電粒子ビームの照射方法
WO2020194498A1 (ja) * 2019-03-26 2020-10-01 株式会社ニコン 荷電粒子装置、及び、情報取得方法

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