JPS6188261A - イオンビ−ムによるマスクリペア−装置 - Google Patents
イオンビ−ムによるマスクリペア−装置Info
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- JPS6188261A JPS6188261A JP59211053A JP21105384A JPS6188261A JP S6188261 A JPS6188261 A JP S6188261A JP 59211053 A JP59211053 A JP 59211053A JP 21105384 A JP21105384 A JP 21105384A JP S6188261 A JPS6188261 A JP S6188261A
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- Japan
- Prior art keywords
- mask
- ion beam
- scanning
- signal
- charged particle
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｇ、産業の利用分野
本発明は、半導体集積回路製造工程で使用さｎるフォト
マスクのイオンビームによるマスクリペア−装置におい
て、マスクの欠陥部の観察や、欠陥部の修正領域の指定
を行う際に、マスクを損傷することなく行える画像表示
装置に関するものでおる。
マスクのイオンビームによるマスクリペア−装置におい
て、マスクの欠陥部の観察や、欠陥部の修正領域の指定
を行う際に、マスクを損傷することなく行える画像表示
装置に関するものでおる。
ｂ、従来の技術
イオンビームをマスク上に照射してマスクの欠陥部の修
正を行う装置は、従来、イオンビームをマスク面上に集
束して走査しながら、その時に発生する二次荷電粒子の
強度を二次荷電粒子検出器で電気的信号に袈換し、該出
力信号を画像表示装置の映像信号入力として導き、画像
表示装置に表示さｎるマスクの欠陥部を観察しながら、
欠陥修正領域の指定等を行い、イオンビームをマスクに
照射して欠陥部の修正を行っている。
正を行う装置は、従来、イオンビームをマスク面上に集
束して走査しながら、その時に発生する二次荷電粒子の
強度を二次荷電粒子検出器で電気的信号に袈換し、該出
力信号を画像表示装置の映像信号入力として導き、画像
表示装置に表示さｎるマスクの欠陥部を観察しながら、
欠陥修正領域の指定等を行い、イオンビームをマスクに
照射して欠陥部の修正を行っている。
Ｃ０発明が解決しようとする問題点
す項で説明した方法では、イオンビームをマスク上に走
査しながら、その時に発生する二次荷電粒子強度を二次
荷電粒子検出器で電気的信号に変換して、該出力信号を
画像表示装置の映伶Ｃ号入力に導いて、該画像を観察し
ながら、欠陥部の確認、修正領域の指定を行おうとする
と、こｎらの作業の間は、常にイオンビームがマスクを
照射することになる迄めに、マスクのイオンビームが照
射さｎている領域は、イオンビームのエツチング作用に
よりマスクは削らｎてしまり。このように不要にマスク
をイオンビームにエフ削ってしまうと、第２図に示すよ
うに、壁ができてしまったり１エツチングさ１ｔて飛ば
さｎｆｃものが堆積して山を作つ７ｃりするために１本
来の目的でおる露光する時に、光を透過させずに乱反射
をして、あたかもクロムパターンがちるかのごとくに露
光さｎてしまうという不都合がある。
査しながら、その時に発生する二次荷電粒子強度を二次
荷電粒子検出器で電気的信号に変換して、該出力信号を
画像表示装置の映伶Ｃ号入力に導いて、該画像を観察し
ながら、欠陥部の確認、修正領域の指定を行おうとする
と、こｎらの作業の間は、常にイオンビームがマスクを
照射することになる迄めに、マスクのイオンビームが照
射さｎている領域は、イオンビームのエツチング作用に
よりマスクは削らｎてしまり。このように不要にマスク
をイオンビームにエフ削ってしまうと、第２図に示すよ
うに、壁ができてしまったり１エツチングさ１ｔて飛ば
さｎｆｃものが堆積して山を作つ７ｃりするために１本
来の目的でおる露光する時に、光を透過させずに乱反射
をして、あたかもクロムパターンがちるかのごとくに露
光さｎてしまうという不都合がある。
ｄ１問題点を解決しようとする手段
イオンビームがマスク上をマスク上を走査さｎ７′ｃ時
発生する二次荷電粒子強度を二次荷電粒子検出器で電気
信号に変換し、該電気信号を記憶回路に導き、記憶開始
信号によって、ブランキング電極に印加さｎている電圧
をオフして、イオンビームをマスク上に照射し、該開始
信号によりフレーム走査を開始し、二次荷電粒子検出器
からの電気信号は記憶回路で記憶を開始し、１フレーム
の走査が完了すると、走査完了信号が発生し、該完了信
号によりブランキング電極に所定の電圧を印加してイオ
ンビームのマスク上への照射を停止し、欠陥領域等の観
察、修正領域の指定等を、記憶回路に記憶さｎた映像信
号を画像光示装置の映像信号入力へ導いて得らｎる画像
によって行ｉ−Ｅうとする手段。
発生する二次荷電粒子強度を二次荷電粒子検出器で電気
信号に変換し、該電気信号を記憶回路に導き、記憶開始
信号によって、ブランキング電極に印加さｎている電圧
をオフして、イオンビームをマスク上に照射し、該開始
信号によりフレーム走査を開始し、二次荷電粒子検出器
からの電気信号は記憶回路で記憶を開始し、１フレーム
の走査が完了すると、走査完了信号が発生し、該完了信
号によりブランキング電極に所定の電圧を印加してイオ
ンビームのマスク上への照射を停止し、欠陥領域等の観
察、修正領域の指定等を、記憶回路に記憶さｎた映像信
号を画像光示装置の映像信号入力へ導いて得らｎる画像
によって行ｉ−Ｅうとする手段。
０、作用
前記記憶開始信号により、イオンビームの照射及び走査
を開始し、その時発生する二次荷電粒子の強区を二次荷
電粒子検出器で電気信号に変換しその電気信号を記憶回
路へ導き、１フレームの走査完了信号によりイオンビー
ムの照射を停止して、以降の操作を記憶回路に記憶さｆ
Ｌ７を映像信号を、画像表示装置へ導いて得らｎる画像
により、マスクの観察及び、欠陥領域の修正を行おうと
するものである。
を開始し、その時発生する二次荷電粒子の強区を二次荷
電粒子検出器で電気信号に変換しその電気信号を記憶回
路へ導き、１フレームの走査完了信号によりイオンビー
ムの照射を停止して、以降の操作を記憶回路に記憶さｆ
Ｌ７を映像信号を、画像表示装置へ導いて得らｎる画像
により、マスクの観察及び、欠陥領域の修正を行おうと
するものである。
ｆ、実施例
以下、図面に従って本発明の詳細な説明する。第１図に
おいて、液体金属イオン源１から放出さｔ′Ｌ、７′ｃ
イオンビームは、通常ブランキング電極２により偏向さ
ｎ１マスク８に照射さｎずにいるが、記憶開始スイッチ
４をオンすると、走査４言号発生器５からの走査信号が
、走査信号増幅器６にょ９増幅さｎ１偏向電極７に印加
さ２′Ｌ走査が開始さｎる。同時に、走査信号発生器か
らブランキング解除信号が発生しブランキング電圧増幅
器８により増幅し、イオンビームをマスク上に集束レン
ズ９により集束さｎ、前記作用により走査さびる。
おいて、液体金属イオン源１から放出さｔ′Ｌ、７′ｃ
イオンビームは、通常ブランキング電極２により偏向さ
ｎ１マスク８に照射さｎずにいるが、記憶開始スイッチ
４をオンすると、走査４言号発生器５からの走査信号が
、走査信号増幅器６にょ９増幅さｎ１偏向電極７に印加
さ２′Ｌ走査が開始さｎる。同時に、走査信号発生器か
らブランキング解除信号が発生しブランキング電圧増幅
器８により増幅し、イオンビームをマスク上に集束レン
ズ９により集束さｎ、前記作用により走査さびる。
イオンビームがマスク上を走査さｎることにより発生す
る二次荷電粒子強度を二次荷電粒子検出器１０により゛
１１信号に変換し、映像信号増幅器１１で増幅し、該ア
ナログ信号をアナログ、ディジタル変換器１２によりデ
ィジノル量に変換し、記憶回路１３へ走査信号発生器か
ら出力さｎる記憶制御信号により順次記憶する。１フレ
ームの走査が終了すると走査信号発生器から、ブランキ
ング信号が発生し、ブランキング電圧増幅器によ夕増幅
さＣイオンビームがブランキングさｎイオンビームのマ
スク上への照射が停止さｎる。同時に、走査信号発生器
からの記憶制御信号が停止され記憶回路への記憶は停止
さｎる。又、走査信号発生器から表示開始信号が発生し
、記憶回路へ記憶さ０几ディジタル量を、画像表示装置
１５の走査信号発生器１６から発生する読み出し制御信
号により読み出し、ディジタル、アナログ変換器１７に
ょクアナログ信号に変換し、映像信号増幅器１８により
増幅し、画像表示装置の走査信号発生器の走査信号によ
り走査さｎる画像表示装置の映像信号入力として導くこ
とによって、不要なビームを照射することなく１マスク
の欠陥部や、欠陥修正頌城の観察が行える。
る二次荷電粒子強度を二次荷電粒子検出器１０により゛
１１信号に変換し、映像信号増幅器１１で増幅し、該ア
ナログ信号をアナログ、ディジタル変換器１２によりデ
ィジノル量に変換し、記憶回路１３へ走査信号発生器か
ら出力さｎる記憶制御信号により順次記憶する。１フレ
ームの走査が終了すると走査信号発生器から、ブランキ
ング信号が発生し、ブランキング電圧増幅器によ夕増幅
さＣイオンビームがブランキングさｎイオンビームのマ
スク上への照射が停止さｎる。同時に、走査信号発生器
からの記憶制御信号が停止され記憶回路への記憶は停止
さｎる。又、走査信号発生器から表示開始信号が発生し
、記憶回路へ記憶さ０几ディジタル量を、画像表示装置
１５の走査信号発生器１６から発生する読み出し制御信
号により読み出し、ディジタル、アナログ変換器１７に
ょクアナログ信号に変換し、映像信号増幅器１８により
増幅し、画像表示装置の走査信号発生器の走査信号によ
り走査さｎる画像表示装置の映像信号入力として導くこ
とによって、不要なビームを照射することなく１マスク
の欠陥部や、欠陥修正頌城の観察が行える。
記憶する九めのイオンビームの走査時間と、記憶後の走
査時間はそｎぞｎ適切な時間が選択さ３る。又、記憶す
るための走査を１フレームだけとしたが、２回以上走査
して、二次荷電粒子検出器からの信号を７１０算しても
良い、すなわちイオンビーム電流を減らして走査回数を
増やすことは、桔局はマスクの損傷の度合は同じだから
である。
査時間はそｎぞｎ適切な時間が選択さ３る。又、記憶す
るための走査を１フレームだけとしたが、２回以上走査
して、二次荷電粒子検出器からの信号を７１０算しても
良い、すなわちイオンビーム電流を減らして走査回数を
増やすことは、桔局はマスクの損傷の度合は同じだから
である。
又、前記実施例には図示しないが、二つの走査信号発生
器を１つとし、記憶するための走査時、画伶表示装誼も
走査し、記憶しながら観察する機能を付加することは容
易に実現できる。
器を１つとし、記憶するための走査時、画伶表示装誼も
走査し、記憶しながら観察する機能を付加することは容
易に実現できる。
又、二次荷電粒子検出器として
Ｉ。発明の効果
以上、説明してきたようにマスクの損傷を避ける几めに
、ｉスフ上へのイオンビームの走３ｉＥｔ−１回とし、
その時の二次荷電粒子強度を二次荷電粒子検出器で検出
しそｎを記憶回路へ導き、記憶回路へ記憶さｎ、ｆｃ倍
信号よりマスクの画保を表示しそｎＫよって、種々の操
作を行うことによって、不要なイオンビームの照射を避
けることができる。
、ｉスフ上へのイオンビームの走３ｉＥｔ−１回とし、
その時の二次荷電粒子強度を二次荷電粒子検出器で検出
しそｎを記憶回路へ導き、記憶回路へ記憶さｎ、ｆｃ倍
信号よりマスクの画保を表示しそｎＫよって、種々の操
作を行うことによって、不要なイオンビームの照射を避
けることができる。
第１図は本願発明によるマスクリペア装置を示めす。第
２図は本願発明を説明するための図である。
２図は本願発明を説明するための図である。
Claims (1)
- 液体金属イオン源等の高輝度イオン源からのイオンビー
ムを荷電粒子光学系により、マスク面上に集束して走査
し、その時に発生する二次荷電粒子強度を、二次荷電粒
子検出器により電気的信号に変換し、該電気的信号を画
像表示装置の映像信号入力として導き、マスクの欠陥部
等を観察するイオンビームによるマスクリペアー装置に
おいて、該電気的信号をデジタル信号に変換した後、記
憶回路に保持し、該記憶回路の出力によりマスクの画像
を表示することを特徴とするイオンビームによるマスク
リペアー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59211053A JPS6188261A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | イオンビ−ムによるマスクリペア−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59211053A JPS6188261A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | イオンビ−ムによるマスクリペア−装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6188261A true JPS6188261A (ja) | 1986-05-06 |
| JPS6315572B2 JPS6315572B2 (ja) | 1988-04-05 |
Family
ID=16599604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59211053A Granted JPS6188261A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | イオンビ−ムによるマスクリペア−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6188261A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0298495A2 (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-11 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for correcting defects of x-ray mask |
| US5799104A (en) * | 1995-08-22 | 1998-08-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask defect repair system and method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5856332A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Hitachi Ltd | マスクの欠陥修正方法 |
| JPS58196020A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-15 | Hitachi Ltd | マスクの欠陥検査・修正方法およびその装置 |
| JPS60126834A (ja) * | 1983-12-14 | 1985-07-06 | Hitachi Ltd | イオンビーム加工装置 |
-
1984
- 1984-10-08 JP JP59211053A patent/JPS6188261A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5856332A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Hitachi Ltd | マスクの欠陥修正方法 |
| JPS58196020A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-15 | Hitachi Ltd | マスクの欠陥検査・修正方法およびその装置 |
| JPS60126834A (ja) * | 1983-12-14 | 1985-07-06 | Hitachi Ltd | イオンビーム加工装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0298495A2 (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-11 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for correcting defects of x-ray mask |
| US5799104A (en) * | 1995-08-22 | 1998-08-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask defect repair system and method |
| US6028953A (en) * | 1995-08-22 | 2000-02-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask defect repair system and method which controls a dose of a particle beam |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6315572B2 (ja) | 1988-04-05 |
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