JPS6284518A - イオンビ−ム加工装置 - Google Patents
イオンビ−ム加工装置Info
- Publication number
- JPS6284518A JPS6284518A JP61213822A JP21382286A JPS6284518A JP S6284518 A JPS6284518 A JP S6284518A JP 61213822 A JP61213822 A JP 61213822A JP 21382286 A JP21382286 A JP 21382286A JP S6284518 A JPS6284518 A JP S6284518A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- ion
- photomask
- detector
- secondary charged
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＬＳＩ製造用マスクに存在する欠陥等を加工
するイオンビーム加工装置に関するものである。
するイオンビーム加工装置に関するものである。
マスクを製作するとき、ごみやほこり等の影響で第１図
に示すように基板ガラス１の上につけられた正常なＣｒ
パターン２の中にＣｒが欠落した白点欠陥３ができる。
に示すように基板ガラス１の上につけられた正常なＣｒ
パターン２の中にＣｒが欠落した白点欠陥３ができる。
この白点欠陥を修正する方法として次のような方法が知
られている。
られている。
即ち、第２図（ａ） Ｋ示すようにフォトレジスト４を
塗布し、スポット照射光５によって白点欠陥部分を選択
的に露光し、現像すると露光された部分だけが洗い流さ
れて第２図６）のようになる。この上から追加Ｃｒ膜６
をスパッタ蒸着して第２図（ｃ）のようｋしたのち、フ
ォトレジスト４を取り去ると。
塗布し、スポット照射光５によって白点欠陥部分を選択
的に露光し、現像すると露光された部分だけが洗い流さ
れて第２図６）のようになる。この上から追加Ｃｒ膜６
をスパッタ蒸着して第２図（ｃ）のようｋしたのち、フ
ォトレジスト４を取り去ると。
フォトレジスト４の上につ１ハでいた追加Ｃｒｔｉ６は
除かれ、白点欠陥部３をうめるように蒸着されていた追
加Ｃｒ膜６の一部だけが第２図（ｄ）ＶＣ示すように修
正Ｃｒｊ［７として残り、白点欠陥の修正が完了する。
除かれ、白点欠陥部３をうめるように蒸着されていた追
加Ｃｒ膜６の一部だけが第２図（ｄ）ＶＣ示すように修
正Ｃｒｊ［７として残り、白点欠陥の修正が完了する。
また、従来技術として、４？開昭５１−７６９７８号公
報、特公昭５２−９５０８号公報、及び特公昭５５−２
４７８７号公報が知られていた。
報、特公昭５２−９５０８号公報、及び特公昭５５−２
４７８７号公報が知られていた。
前記の方法は、ウェットプロセスであるため。
多くの工程を要するなどの問題点がある。
また、従来のレーザによるフォトマスクの欠陥修正方法
では、熱加工であるため、微細な加工ができないばかり
でなく、ダメージが大きいとい５問題点があった。
では、熱加工であるため、微細な加工ができないばかり
でなく、ダメージが大きいとい５問題点があった。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決すべく、
ダメージを与えるのを少なくして微細な加工を能率よく
できるようにしたイオンビーム加工装置を提供するにあ
る。
ダメージを与えるのを少なくして微細な加工を能率よく
できるようにしたイオンビーム加工装置を提供するにあ
る。
即ち、本発明は上記目的を達成するために、イオン源と
、該イオン源から発したイオンビームな絞るアパーチャ
と、骸アパーチャを通過したイオンビームな収束する静
電レンズと、酸イオンビームな走査する偏向電極と、照
射されたイオンビームにより被加工物から得られる２次
荷電粒子を検出する検出器と、該検出器によって検出さ
れた２次荷電粒子により加工領域を設定する設定手段と
を備えたことを特徴とするイオンビーム加工装置である
。
、該イオン源から発したイオンビームな絞るアパーチャ
と、骸アパーチャを通過したイオンビームな収束する静
電レンズと、酸イオンビームな走査する偏向電極と、照
射されたイオンビームにより被加工物から得られる２次
荷電粒子を検出する検出器と、該検出器によって検出さ
れた２次荷電粒子により加工領域を設定する設定手段と
を備えたことを特徴とするイオンビーム加工装置である
。
また、本発明は上記イオンビーム加工装置において、静
電レンズｉ少なくとも２段にて構成したことを特徴とす
るイオンビーム加工装置である。
電レンズｉ少なくとも２段にて構成したことを特徴とす
るイオンビーム加工装置である。
また本発明は、上記イオンビーム加工製蓋において、設
定手段は照射強度と照射時間とも設定するように構成し
たととを特徴とするイオンビーム加工装置である。
定手段は照射強度と照射時間とも設定するように構成し
たととを特徴とするイオンビーム加工装置である。
また本発明は、イオン源と該イオン源から発したイオン
ビームを絞るアパーチャと、該アパーチャを通過したイ
オンビームを収束する静電レンズと、該イオンビームな
走査する偏向電極と、照射されたイオンビームにより被
加工物から得られる２次荷電粒子を検出する検出器と、
該検出器によって検出された２次荷電粒子により加工領
域を設定する設定手段と、光学的に被加工物を観県でき
るように光学顕微鏡とを備えたことを特徴とするイオン
ビーム加工装置である。
ビームを絞るアパーチャと、該アパーチャを通過したイ
オンビームを収束する静電レンズと、該イオンビームな
走査する偏向電極と、照射されたイオンビームにより被
加工物から得られる２次荷電粒子を検出する検出器と、
該検出器によって検出された２次荷電粒子により加工領
域を設定する設定手段と、光学的に被加工物を観県でき
るように光学顕微鏡とを備えたことを特徴とするイオン
ビーム加工装置である。
本発明は、イオン源から発したイオンビームをアパーチ
ャを通して静電レンズで絞り、偏向電極で走査するよう
に構成したので、微細加工領域に合せて走査領域を設定
でき、ダメージを少なくして微細な加工をできるように
した。
ャを通して静電レンズで絞り、偏向電極で走査するよう
に構成したので、微細加工領域に合せて走査領域を設定
でき、ダメージを少なくして微細な加工をできるように
した。
また、２次荷電粒子検出器によって微細加工領域を検出
するようＫしたので、この加工部分を正確に位置出しす
ることが可能になり、ダメージを少なくして微細な加工
ができるようにした。
するようＫしたので、この加工部分を正確に位置出しす
ることが可能になり、ダメージを少なくして微細な加工
ができるようにした。
以下本発明を図に示す実施例にもとづいて具体的に説明
する。第３図は本発明のフォト・マスクの白点欠陥修正
方法の一実診例を示す説明図である。即ちイオン銃８か
ら出たイオンビーム２５ハコンデンサレンズ（静電レン
ズ）９により一旦絞られ、対物絞り（アパーチャ）１０
を通過し 偏向電極１１で偏向されて、対物レンズ（静
電レンズ）１３で集束されてＸＹテーブル１５の上にお
かれた７オト・マスク１４上に照射−される。
する。第３図は本発明のフォト・マスクの白点欠陥修正
方法の一実診例を示す説明図である。即ちイオン銃８か
ら出たイオンビーム２５ハコンデンサレンズ（静電レン
ズ）９により一旦絞られ、対物絞り（アパーチャ）１０
を通過し 偏向電極１１で偏向されて、対物レンズ（静
電レンズ）１３で集束されてＸＹテーブル１５の上にお
かれた７オト・マスク１４上に照射−される。
フォトマスク１４はシールド電極１６に覆われており、
イオンビームを照射された部分からは二次荷電粒子が飛
び出し、二次荷電粒子検出器１７に捕捉され、その信号
は増巾器１８で増巾され、ＣＲＴ１９に送られ、偏向電
極１１を駆動している走査電源からの信号とともにＣＲ
Ｔ１９のスクリーン上にフォトマスク７の欠陥部分の表
面状態が表示される。
イオンビームを照射された部分からは二次荷電粒子が飛
び出し、二次荷電粒子検出器１７に捕捉され、その信号
は増巾器１８で増巾され、ＣＲＴ１９に送られ、偏向電
極１１を駆動している走査電源からの信号とともにＣＲ
Ｔ１９のスクリーン上にフォトマスク７の欠陥部分の表
面状態が表示される。
この表面状態は光学顕微鏡２０によってし察することも
できる。フォト−マスク１４の欠陥部分の位置出しはＸ
Ｙテーブル制御部２１によって行われ、このＸＹテーブ
ル制御部２１はフォト・マスク検査機（図示せず）によ
って得られたフォトマスクの欠陥番地を記録したカセッ
ト・テープ２２を装着して駆動させる。
できる。フォト−マスク１４の欠陥部分の位置出しはＸ
Ｙテーブル制御部２１によって行われ、このＸＹテーブ
ル制御部２１はフォト・マスク検査機（図示せず）によ
って得られたフォトマスクの欠陥番地を記録したカセッ
ト・テープ２２を装着して駆動させる。
この欠陥位置出し指令や、ビーム駆動電源２３を通した
イオン銃８からのイオンの発生やコンデンサレンズ（静
電レンズ）９．対物レンズ（静電レンズ）１３の制御や
走査電源１２による偏向電極の駆動はすべてコントロー
ル盤２４によって行うことができる。
イオン銃８からのイオンの発生やコンデンサレンズ（静
電レンズ）９．対物レンズ（静電レンズ）１３の制御や
走査電源１２による偏向電極の駆動はすべてコントロー
ル盤２４によって行うことができる。
フォトマスク修正の過程は次のようになる。
先ずカセットテープ２２からの情報により欠陥部の位置
出しを行なう。次にこの像をＣＲＴｌ９で見て、照射す
べきイオンビーム２５の走査範囲の設定位置合せを行な
う。次に欠陥の種類（黒点欠陥か白点欠陥か）によって
必要なビーム強度と照射時間を設定し、最後にイオンビ
ーム照射のスタートφボタンを押し、修正が始まる。修
正が完了すると、次の欠陥位置を呼び出すボタンを押す
。このようにして、テープに記録された欠陥を順次修正
していく。
出しを行なう。次にこの像をＣＲＴｌ９で見て、照射す
べきイオンビーム２５の走査範囲の設定位置合せを行な
う。次に欠陥の種類（黒点欠陥か白点欠陥か）によって
必要なビーム強度と照射時間を設定し、最後にイオンビ
ーム照射のスタートφボタンを押し、修正が始まる。修
正が完了すると、次の欠陥位置を呼び出すボタンを押す
。このようにして、テープに記録された欠陥を順次修正
していく。
第４図は本発明のイオンビームによるフォトマスクの白
点欠陥修正例の説明図である。第４図（ａ）゛において
、基板ガラス１の上の正常Ｃｒパターン２の中にＣｒが
欠落して発生した白点欠陥ＳＶＣイオンビーム２５を照
射するととＫより、第４図（ト）Ｋ示すようにガラス面
を２６で示すようにのこ波状に荒らして投影した場合Ｃ
ｒ膜があるのと同じよ５＆Ｃ影が住じるようにする。即
ち、基板ガラス１が露出した部分を１μｍピッチ程度で
直線または網目状のすしを入れるようにイオンビーム２
５を走査し、基板ガラス１の表面なのこ波状に加工する
。また白点欠陥３が非常に小さい場合は、そこの部分に
イオンビーム２５をスポット照射すると、第４図（ｃ）
に示すようにビームの強度分布（通常がウス分布）Ｋ対
応した丸い深い堀り込み２７ができ、同様に照明光を散
乱させ、欠陥のない投影像が得られる。このように２６
または２７で示されるように白点欠陥３が修正される。
点欠陥修正例の説明図である。第４図（ａ）゛において
、基板ガラス１の上の正常Ｃｒパターン２の中にＣｒが
欠落して発生した白点欠陥ＳＶＣイオンビーム２５を照
射するととＫより、第４図（ト）Ｋ示すようにガラス面
を２６で示すようにのこ波状に荒らして投影した場合Ｃ
ｒ膜があるのと同じよ５＆Ｃ影が住じるようにする。即
ち、基板ガラス１が露出した部分を１μｍピッチ程度で
直線または網目状のすしを入れるようにイオンビーム２
５を走査し、基板ガラス１の表面なのこ波状に加工する
。また白点欠陥３が非常に小さい場合は、そこの部分に
イオンビーム２５をスポット照射すると、第４図（ｃ）
に示すようにビームの強度分布（通常がウス分布）Ｋ対
応した丸い深い堀り込み２７ができ、同様に照明光を散
乱させ、欠陥のない投影像が得られる。このように２６
または２７で示されるように白点欠陥３が修正される。
なお残留欠陥である黒点欠陥も前記装置で−Ｃｒ膜を除
去するに必要なイオンビーム２５の照射時間に設定し、
残留Ｃｒ膜を覆う面積をイオンビーム２５で走査してや
ると除去修正できる。特にＣｒ膜の除去速度は５００Ａ
ｌ／分穆変であるので表面から順に除去し、ＣＲＴｌｌ
でみながら除去が完了するまでイオンビーム２５を照射
する。
去するに必要なイオンビーム２５の照射時間に設定し、
残留Ｃｒ膜を覆う面積をイオンビーム２５で走査してや
ると除去修正できる。特にＣｒ膜の除去速度は５００Ａ
ｌ／分穆変であるので表面から順に除去し、ＣＲＴｌｌ
でみながら除去が完了するまでイオンビーム２５を照射
する。
以上説明したように本発明によれば、マスクの欠陥等Ｌ
ＳＩ関係の微細加工を下層にダメージを与えることなく
、所望位置に加工を施すことができ、ＬＳＩの微細化に
適合した微細加工を実現できるようにした顕著な作用効
果を奏する。
ＳＩ関係の微細加工を下層にダメージを与えることなく
、所望位置に加工を施すことができ、ＬＳＩの微細化に
適合した微細加工を実現できるようにした顕著な作用効
果を奏する。
第１図はフォトマスクの白点欠陥を示す断面図、第２図
（ａ） 、 Ｃｂ）、（ｃ） 、 （ｄ）は従来のフォ
トマスクの白点欠陥修正方法を説明１°るための断面図
、第５図は本発明のフォトマスクの白点欠陥修正方法を
実施するためのイオンビーム加工装置を示す概略構成図
、第４図（ａ） 、 （ｂ）、 （ｃ）は本発明のフォ
トマスクの白点欠陥修正方法を説明するための断面図で
ある。 １・・・ガラス基板、 ２・・・正常Ｃｒパターン
、３・・・白点欠陥、 ８・・・イオン銃、９・
・・コンデンサレンズ、 １０・・・対物絞り、 １１・・・偏向電極、１２
・・・走査電源、 １３・・・対物レンズ。 １４・・・フォトレンズ、１７・・・二次荷電粒子検出
器、１９・・・ＣＲＴｌ ２５・・・イオンビ
ーム。 ｌ 第２１２Ｉ 地コ目 め４
（ａ） 、 Ｃｂ）、（ｃ） 、 （ｄ）は従来のフォ
トマスクの白点欠陥修正方法を説明１°るための断面図
、第５図は本発明のフォトマスクの白点欠陥修正方法を
実施するためのイオンビーム加工装置を示す概略構成図
、第４図（ａ） 、 （ｂ）、 （ｃ）は本発明のフォ
トマスクの白点欠陥修正方法を説明するための断面図で
ある。 １・・・ガラス基板、 ２・・・正常Ｃｒパターン
、３・・・白点欠陥、 ８・・・イオン銃、９・
・・コンデンサレンズ、 １０・・・対物絞り、 １１・・・偏向電極、１２
・・・走査電源、 １３・・・対物レンズ。 １４・・・フォトレンズ、１７・・・二次荷電粒子検出
器、１９・・・ＣＲＴｌ ２５・・・イオンビ
ーム。 ｌ 第２１２Ｉ 地コ目 め４
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、イオン源と、該イオン源から発したイオンビームを
絞るアパーチャと、該アパーチャを通過したイオンビー
ムを収束する静電レンズと、該イオンビームを走査する
偏向電極と、照射されたイオンビームにより被加工物か
ら得られる２次荷電粒子を検出する検出器と、該検出器
によって検出された２次荷電粒子により加工領域を設定
する設定手段とを備えたことを特徴とするイオンビーム
加工装置。 ２、上記静電レンズを少なくとも２段にて構成したこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイオンビーム
加工装置。 ３、上記設定手段は、照射強度と照射時間とも設定する
ように構成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のイオンビーム加工装置。 ４、イオン源と、該イオン源から発したイオンビームを
絞るアパーチャと、該アパーチャを通過したイオンビー
ムを収束する静電レンズと、該イオンビームを走査する
偏向電極と、照射されたイオンビームにより被加工物か
ら得られる２次荷電粒子を検出する検出器と、該検出器
によって検出された２次荷電粒子により加工領域を設定
する設定手段と、光学的に被加工物を観察できるように
光学顕微鏡とを備えたことを特徴とするイオンビーム加
工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61213822A JPS6284518A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | イオンビ−ム加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61213822A JPS6284518A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | イオンビ−ム加工装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5711379A Division JPS55150225A (en) | 1979-05-11 | 1979-05-11 | Method of correcting white spot fault of photomask |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9676891A Division JPH0664339B2 (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | イオンビーム加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6284518A true JPS6284518A (ja) | 1987-04-18 |
| JPS6339894B2 JPS6339894B2 (ja) | 1988-08-08 |
Family
ID=16645601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61213822A Granted JPS6284518A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | イオンビ−ム加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6284518A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004006013A1 (de) * | 2002-07-09 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Anordnung zur herstellung von photomasken |
| US6753253B1 (en) * | 1986-06-18 | 2004-06-22 | Hitachi, Ltd. | Method of making wiring and logic corrections on a semiconductor device by use of focused ion beams |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3699334A (en) * | 1969-06-16 | 1972-10-17 | Kollsman Instr Corp | Apparatus using a beam of positive ions for controlled erosion of surfaces |
| JPS529508A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-25 | Heidelberger Druckmasch Ag | Delivery drum for sheet feed rotary printing press |
| US4085330A (en) * | 1976-07-08 | 1978-04-18 | Burroughs Corporation | Focused ion beam mask maker |
| JPS5371563A (en) * | 1976-12-08 | 1978-06-26 | Hitachi Ltd | Automatic inspection correcting method for mask |
-
1986
- 1986-09-12 JP JP61213822A patent/JPS6284518A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3699334A (en) * | 1969-06-16 | 1972-10-17 | Kollsman Instr Corp | Apparatus using a beam of positive ions for controlled erosion of surfaces |
| JPS529508A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-25 | Heidelberger Druckmasch Ag | Delivery drum for sheet feed rotary printing press |
| US4085330A (en) * | 1976-07-08 | 1978-04-18 | Burroughs Corporation | Focused ion beam mask maker |
| JPS5371563A (en) * | 1976-12-08 | 1978-06-26 | Hitachi Ltd | Automatic inspection correcting method for mask |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6753253B1 (en) * | 1986-06-18 | 2004-06-22 | Hitachi, Ltd. | Method of making wiring and logic corrections on a semiconductor device by use of focused ion beams |
| WO2004006013A1 (de) * | 2002-07-09 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Anordnung zur herstellung von photomasken |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6339894B2 (ja) | 1988-08-08 |
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