JPS6285253A - マスクの欠陥修正方法 - Google Patents
マスクの欠陥修正方法Info
- Publication number
- JPS6285253A JPS6285253A JP61213821A JP21382186A JPS6285253A JP S6285253 A JPS6285253 A JP S6285253A JP 61213821 A JP61213821 A JP 61213821A JP 21382186 A JP21382186 A JP 21382186A JP S6285253 A JPS6285253 A JP S6285253A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- defect
- ion beam
- ion
- defect part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＬＳＩ製造用マスクに存在する欠陥を除去修
正するマスクの欠陥修正方法に関するものである。
正するマスクの欠陥修正方法に関するものである。
マスクを製作するとき、ごみやほこり等の影響で第１図
に示すように基板ガラス１の上につけられた正常なＣｒ
パターン２の中にＣｒが欠落した白点欠陥を修正する方
法として次のような方法が知られている。即ち、第２図
（ａ）に示すように７オトレジスト４を塗布し、スポッ
ト照射光５によって白点欠陥部分を選択的に露光し、現
像すると露光された部分だけが洗い流されて第２図（ｂ
）のようになる。この上から追加Ｃｒ膜６をスパッタ蒸
着して第２図（Ｃ）のようにしたのち、フォトレジスト
４を取り去ると、フォトレジスト４の上についていた追
加Ｃｒ膜６は除かれ、白点欠陥部５を５めるよ５に蒸着
されていた追加Ｃｒ膜６の一部だけが第２図（ｄ）に示
すように修正Ｃｒ膜７として残り、白点欠陥の修正が完
了する。
に示すように基板ガラス１の上につけられた正常なＣｒ
パターン２の中にＣｒが欠落した白点欠陥を修正する方
法として次のような方法が知られている。即ち、第２図
（ａ）に示すように７オトレジスト４を塗布し、スポッ
ト照射光５によって白点欠陥部分を選択的に露光し、現
像すると露光された部分だけが洗い流されて第２図（ｂ
）のようになる。この上から追加Ｃｒ膜６をスパッタ蒸
着して第２図（Ｃ）のようにしたのち、フォトレジスト
４を取り去ると、フォトレジスト４の上についていた追
加Ｃｒ膜６は除かれ、白点欠陥部５を５めるよ５に蒸着
されていた追加Ｃｒ膜６の一部だけが第２図（ｄ）に示
すように修正Ｃｒ膜７として残り、白点欠陥の修正が完
了する。
また、従来技術として、特開昭５１−７６９７８号公報
、特公昭５２−９５０８号公報、及び特公昭５３−２４
７８７号公報が知られていた。
、特公昭５２−９５０８号公報、及び特公昭５３−２４
７８７号公報が知られていた。
前記の方法は、白点欠陥の修正にしか使用できないこと
と、ウェットプロセスであるため、多くの工程を要する
などの問題点がある。
と、ウェットプロセスであるため、多くの工程を要する
などの問題点がある。
また、従来のレーザによるフォトマスクの欠陥修正方法
では、熱加工であるため、微細な欠陥を修正できないば
かりでなく、基板へのダメージが大きいという問題点が
あった。
では、熱加工であるため、微細な欠陥を修正できないば
かりでなく、基板へのダメージが大きいという問題点が
あった。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決すべく、
基板にダメージを与えるのを少々くシてマスクの微細な
欠陥を能率よく修正できるようにしたマスクの欠陥修正
方法を提供するにある。
基板にダメージを与えるのを少々くシてマスクの微細な
欠陥を能率よく修正できるようにしたマスクの欠陥修正
方法を提供するにある。
即ち、本発明は上記目的を達成するために、マスクのパ
ターン膜の欠陥に、イオン源から発した。
ターン膜の欠陥に、イオン源から発した。
イオンビームなアパーチャを通して静電し７ズで。
絞り、偏向！極で走査して照射し、その欠陥部を除去修
正することを特徴とするマスクの欠陥修正方法である。
正することを特徴とするマスクの欠陥修正方法である。
また、本発明はイオン源から発したイオンビームをアパ
ーチャを通して静電レンズで絞り、偏向電極で走査して
照射し、２次荷電粒子検出器によりマスクの欠陥部を検
出し、検出された個所にイオン源から発したイオンビー
ムなアパーチャヲ４して静電レンズで絞り、偏向電極で
走査して照射し、その欠陥部を除去修正することを特徴
とするマスクの欠陥修正方法である。
ーチャを通して静電レンズで絞り、偏向電極で走査して
照射し、２次荷電粒子検出器によりマスクの欠陥部を検
出し、検出された個所にイオン源から発したイオンビー
ムなアパーチャヲ４して静電レンズで絞り、偏向電極で
走査して照射し、その欠陥部を除去修正することを特徴
とするマスクの欠陥修正方法である。
本発明は、イオン源から発したイオンビームをアパーチ
ャを通して静電レンズで絞り、偏向電極で走査するよう
に構成したので、マスクの欠陥に合せて走査領域を設定
でき、基板にダメージを少なくして微細な欠陥除去修正
ができるようにした。
ャを通して静電レンズで絞り、偏向電極で走査するよう
に構成したので、マスクの欠陥に合せて走査領域を設定
でき、基板にダメージを少なくして微細な欠陥除去修正
ができるようにした。
また、２次荷電粒子検出器によって微細欠陥部分を検出
するようにしたので、この欠陥部分を正確に位置出しす
ることが可能になり、基板にダメージを少なくして微細
な欠陥除去修正ができるようにした。
するようにしたので、この欠陥部分を正確に位置出しす
ることが可能になり、基板にダメージを少なくして微細
な欠陥除去修正ができるようにした。
以下本発明を図に示す実施例にもとづいて具体的に説明
する。第５図は本発明のフォト・マスクの白点欠陥修正
方法の一実施例を示す説明図である。即ちイオン銃８か
ら出たイオンビーム２５はコンデンサレンズ（静電レン
ズ）９により一旦絞られ、対物絞り（アパーチャ）１０
を通過し、偏向電極１１で偏向されて、対物レンズ（静
電レンズ）１！１で集束されてＸＹテーブル１５の上に
おかれたフォト・マスク１４上に照射される。
する。第５図は本発明のフォト・マスクの白点欠陥修正
方法の一実施例を示す説明図である。即ちイオン銃８か
ら出たイオンビーム２５はコンデンサレンズ（静電レン
ズ）９により一旦絞られ、対物絞り（アパーチャ）１０
を通過し、偏向電極１１で偏向されて、対物レンズ（静
電レンズ）１！１で集束されてＸＹテーブル１５の上に
おかれたフォト・マスク１４上に照射される。
フォトマスク１４はシールド電極１６に覆われており、
イオノビームを照射された部分からは二次荷電粒子が飛
び出し、二次荷電粒子検出器１７に捕捉され、その信号
は増巾器１８で増巾され、ＣＲＴ１９に送られ、偏向電
極１１を駆動している走査を源からの信号とともにＣＲ
’ｒ１９のスクリーン上にフォトマスク７の欠陥部分の
表面状態が表示される。
イオノビームを照射された部分からは二次荷電粒子が飛
び出し、二次荷電粒子検出器１７に捕捉され、その信号
は増巾器１８で増巾され、ＣＲＴ１９に送られ、偏向電
極１１を駆動している走査を源からの信号とともにＣＲ
’ｒ１９のスクリーン上にフォトマスク７の欠陥部分の
表面状態が表示される。
この表面状態は光学顕微鏡２０に上って観察することも
できろ。フォト・マスク１４の欠陥部分の位置出しはＸ
Ｙテーブル朋］＠部２１によって行われ、このＸ（テー
ブル制御部２１はフォト曝マスク倹査機（図示せず）Ｋ
よって得られたフォトマスクの欠陥番地を記録したカセ
ット・テープ２２を装着Ｌｒ駆動させる。
できろ。フォト・マスク１４の欠陥部分の位置出しはＸ
Ｙテーブル朋］＠部２１によって行われ、このＸ（テー
ブル制御部２１はフォト曝マスク倹査機（図示せず）Ｋ
よって得られたフォトマスクの欠陥番地を記録したカセ
ット・テープ２２を装着Ｌｒ駆動させる。
この欠陥位置出し指令や、ビーム駆動電源２３を通した
イオン銃８からのイオンの発生やコンデンサレンズ（静
電し〉′ズ）９．対物レンズ（静電レンズ）１３の制御
や走査電源１２による偏向電極の駆動はすべてコントロ
ール盤２４によって行うことができる。
イオン銃８からのイオンの発生やコンデンサレンズ（静
電し〉′ズ）９．対物レンズ（静電レンズ）１３の制御
や走査電源１２による偏向電極の駆動はすべてコントロ
ール盤２４によって行うことができる。
フォト・マスク修正の過程は次のよ５ｉＣなる。
先ずカセットテープ２２かもの情報により欠陥部の位置
出しを行なう０次にこの像をＣＲＴ１９で見て、照射す
べきイオンビーム２５の走査範囲の設定位置合せを行な
う。次に欠陥の種類（黒点欠陥か白点欠陥か）Ｋよって
必要なビーム強度と照射時間を設定し、最淡にイオンビ
ーム照射のスタート・ボタンを押し、修正が始まる。修
正が完了すると、次の欠陥位置を呼び出すボタンを押す
。このようにしてテープに記録された欠陥を順次修正し
ていく。
出しを行なう０次にこの像をＣＲＴ１９で見て、照射す
べきイオンビーム２５の走査範囲の設定位置合せを行な
う。次に欠陥の種類（黒点欠陥か白点欠陥か）Ｋよって
必要なビーム強度と照射時間を設定し、最淡にイオンビ
ーム照射のスタート・ボタンを押し、修正が始まる。修
正が完了すると、次の欠陥位置を呼び出すボタンを押す
。このようにしてテープに記録された欠陥を順次修正し
ていく。
第４図は本発明のイオンビームによるフォトマスクの白
点欠陥修正例の説明図である。第４図（ａ）において、
基板ガラス１の上の正常Ｃｒパターン２の中にＣｒが欠
落して発生した白点欠陥３にイオンビーム２５を照射す
ることにより、第４図（ｂ）に示すよさにガラス面を２
６で示すようにのこ波状に荒らして投影した場合Ｃｒ膜
があるのと同じように影が生じるようにする。即ち基板
ガラス１が露出した部分を１μｍピッチ程度で直線また
は網目状のすしを入れるようにイオンビーム２５を走査
し、基板がラス１の表面をのこ波状に加工する。また白
点欠陥５が非常に小さい場合は、そこの部分にイオンビ
ーム２５をスポット照射すると、第４図（ｃ）に示すよ
うにビームの強度分布（通常ガウス分布）に対応した丸
い深い掘り込み２７ができ、同様に照明光を散乱させ、
欠陥のない投影像が得られる。このように２６または２
７で示されるように白点欠陥５が修正される。
点欠陥修正例の説明図である。第４図（ａ）において、
基板ガラス１の上の正常Ｃｒパターン２の中にＣｒが欠
落して発生した白点欠陥３にイオンビーム２５を照射す
ることにより、第４図（ｂ）に示すよさにガラス面を２
６で示すようにのこ波状に荒らして投影した場合Ｃｒ膜
があるのと同じように影が生じるようにする。即ち基板
ガラス１が露出した部分を１μｍピッチ程度で直線また
は網目状のすしを入れるようにイオンビーム２５を走査
し、基板がラス１の表面をのこ波状に加工する。また白
点欠陥５が非常に小さい場合は、そこの部分にイオンビ
ーム２５をスポット照射すると、第４図（ｃ）に示すよ
うにビームの強度分布（通常ガウス分布）に対応した丸
い深い掘り込み２７ができ、同様に照明光を散乱させ、
欠陥のない投影像が得られる。このように２６または２
７で示されるように白点欠陥５が修正される。
なお残留欠陥である黒点欠陥も前記装置でＣｒ膜を除去
するに必要なイオンビーム２５の照射時間に設定し、残
留Ｃｒ膜を覆う面積をイオンビーム２５で走査してやる
と除去修正できる。特にＣｒ膜の除去速度は５ｏｏａｏ
／分程変であるので表面から順ｆ除去し、ＣＲＴｌｊで
みながら除去が完了するまでイオンビーム２５を照射す
る。
するに必要なイオンビーム２５の照射時間に設定し、残
留Ｃｒ膜を覆う面積をイオンビーム２５で走査してやる
と除去修正できる。特にＣｒ膜の除去速度は５ｏｏａｏ
／分程変であるので表面から順ｆ除去し、ＣＲＴｌｊで
みながら除去が完了するまでイオンビーム２５を照射す
る。
以上説明したように本発明によれば、マスクの微細な欠
陥をドライｅプロセスでダメージを少なくして修正でき
るようになり、大巾な工程数の低減及び工数の短縮をは
かれることができろ顕著な作用効果を奏する。
陥をドライｅプロセスでダメージを少なくして修正でき
るようになり、大巾な工程数の低減及び工数の短縮をは
かれることができろ顕著な作用効果を奏する。
第１図はフォトマスクの白点欠陥を示す断面図、第２図
（ａ）、Φ）、 （ｃ）、 （ｄ）は従来のフォトマス
クの白点欠陥修正方法を説明するための断面図、第５図
は本発明の７オトマスクの白点欠陥修正方法を実施する
ための装置を示す概略構成図、第４図（ａ）。 （ｂ） 、 （ｅ）は本発明のフォトマスクの白点欠陥
修正方法を説明するための断面図である。 １・・・ガラス基板、 ２・・・正常Ｃｒパターン
、６・・・白点欠陥、 ８・・・イオン銃、９・
・・コンデンサレンズ。 １０・・・対物絞り、 １１・・・偏向電穫、１２
・・・走査電源、 １３・・・対物レンズ、１４・
・・フォトマスク、 １７・・・二次荷電粒子検出器、
１９・・・ＣＲＴ、 ２５・・・イオンビー
ム。 １″ 代理人弁理士 小 川 勝 、男 第 １１凶 第づ凶 ２も 地４凹 ◎
（ａ）、Φ）、 （ｃ）、 （ｄ）は従来のフォトマス
クの白点欠陥修正方法を説明するための断面図、第５図
は本発明の７オトマスクの白点欠陥修正方法を実施する
ための装置を示す概略構成図、第４図（ａ）。 （ｂ） 、 （ｅ）は本発明のフォトマスクの白点欠陥
修正方法を説明するための断面図である。 １・・・ガラス基板、 ２・・・正常Ｃｒパターン
、６・・・白点欠陥、 ８・・・イオン銃、９・
・・コンデンサレンズ。 １０・・・対物絞り、 １１・・・偏向電穫、１２
・・・走査電源、 １３・・・対物レンズ、１４・
・・フォトマスク、 １７・・・二次荷電粒子検出器、
１９・・・ＣＲＴ、 ２５・・・イオンビー
ム。 １″ 代理人弁理士 小 川 勝 、男 第 １１凶 第づ凶 ２も 地４凹 ◎
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、マスクの欠陥に、イオン源から発したイオンビーム
をアパーチャを通して静電レンズで絞り、偏向電極で走
査して照射し、その欠陥部を除去修正することを特徴と
するマスクの欠陥修正方法。 ２、イオン源から発したイオンビームをアパーチャを通
して静電レンズで絞り、偏向電極で走査して照射し、２
次荷電粒子検出器によりマスクの欠陥部を検出し、検出
された箇所にイオン源から発したイオンビームをアパー
チャを通して静電レンズで絞り、偏向電極で走査して照
射し、その欠陥部を除去修正することを特徴とするマス
クの欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61213821A JPS6285253A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | マスクの欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61213821A JPS6285253A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | マスクの欠陥修正方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5711379A Division JPS55150225A (en) | 1979-05-11 | 1979-05-11 | Method of correcting white spot fault of photomask |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63272967A Division JPH01158450A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | マスクの欠陥修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6285253A true JPS6285253A (ja) | 1987-04-18 |
| JPS6237387B2 JPS6237387B2 (ja) | 1987-08-12 |
Family
ID=16645585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61213821A Granted JPS6285253A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | マスクの欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6285253A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1276907C (en) * | 1986-11-07 | 1990-11-27 | Ernest W. Dewing | Refining of lithium-containing aluminum scrap |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3699334A (en) * | 1969-06-16 | 1972-10-17 | Kollsman Instr Corp | Apparatus using a beam of positive ions for controlled erosion of surfaces |
| JPS4938295A (ja) * | 1972-08-18 | 1974-04-09 | ||
| JPS529508A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-25 | Heidelberger Druckmasch Ag | Delivery drum for sheet feed rotary printing press |
| US4085330A (en) * | 1976-07-08 | 1978-04-18 | Burroughs Corporation | Focused ion beam mask maker |
| JPS53120377A (en) * | 1977-03-30 | 1978-10-20 | Nec Corp | Laser machining apparatus for correction of photo masks |
-
1986
- 1986-09-12 JP JP61213821A patent/JPS6285253A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3699334A (en) * | 1969-06-16 | 1972-10-17 | Kollsman Instr Corp | Apparatus using a beam of positive ions for controlled erosion of surfaces |
| JPS4938295A (ja) * | 1972-08-18 | 1974-04-09 | ||
| JPS529508A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-25 | Heidelberger Druckmasch Ag | Delivery drum for sheet feed rotary printing press |
| US4085330A (en) * | 1976-07-08 | 1978-04-18 | Burroughs Corporation | Focused ion beam mask maker |
| JPS53120377A (en) * | 1977-03-30 | 1978-10-20 | Nec Corp | Laser machining apparatus for correction of photo masks |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6237387B2 (ja) | 1987-08-12 |
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