JPS6186753A - マスク欠陥修正終了検出方法 - Google Patents
マスク欠陥修正終了検出方法Info
- Publication number
- JPS6186753A JPS6186753A JP59207575A JP20757584A JPS6186753A JP S6186753 A JPS6186753 A JP S6186753A JP 59207575 A JP59207575 A JP 59207575A JP 20757584 A JP20757584 A JP 20757584A JP S6186753 A JPS6186753 A JP S6186753A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- secondary ions
- ion beam
- ratio
- faulty
- detected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造工程で使用されるフォトマスクやレ
チクル等の半導体製造用マスクの製造過程で生じた黒点
欠陥及び同過程で生じた白色欠陥への膜付けによる不完
全な修正により生じた黒色欠陥をイオンビームにより修
正する装置に於いて、該残欠陥の修正の終了を検出する
為のマスク欠陥修正終了検出方法である。
チクル等の半導体製造用マスクの製造過程で生じた黒点
欠陥及び同過程で生じた白色欠陥への膜付けによる不完
全な修正により生じた黒色欠陥をイオンビームにより修
正する装置に於いて、該残欠陥の修正の終了を検出する
為のマスク欠陥修正終了検出方法である。
従来、イオンビームを用いた上記黒色欠陥のスパッタリ
ング除去に於いて、欠陥の除去終了をモニターする事は
考えられておらず、該黒色欠陥をスパッタリング除去す
るに十分と思われる適切なイオンビーム照射量の値を定
め、一定電流値のイオンビームの照射時間、或いはイオ
ンビーム照射中のｔａ算電流値を知る事により、該イオ
ンビーム照射量の値と比較し、欠陥除去終了と定めてい
た〔発明が解決しようとする問題点〕 上記従来法では、必要以上にイオンビームを照射する為
、不要な照射時間が生じ、スループットの低下となる。
ング除去に於いて、欠陥の除去終了をモニターする事は
考えられておらず、該黒色欠陥をスパッタリング除去す
るに十分と思われる適切なイオンビーム照射量の値を定
め、一定電流値のイオンビームの照射時間、或いはイオ
ンビーム照射中のｔａ算電流値を知る事により、該イオ
ンビーム照射量の値と比較し、欠陥除去終了と定めてい
た〔発明が解決しようとする問題点〕 上記従来法では、必要以上にイオンビームを照射する為
、不要な照射時間が生じ、スループットの低下となる。
更に、不要なイオンビーム照射により、上記マスクの基
板部分をスパッターしてしまい、きすが付く。フォトマ
スクにとりてこのきすは重大である。きすが看いた領域
の境界部分は光を乱反射してしまい、きずの深さにより
ては悪影響を与える。
板部分をスパッターしてしまい、きすが付く。フォトマ
スクにとりてこのきすは重大である。きすが看いた領域
の境界部分は光を乱反射してしまい、きずの深さにより
ては悪影響を与える。
本発明は、イオンビームにより半導体製造用マスクの欠
陥修正装置による黒色欠陥修正に於いて、上記問題点を
解決する方法である。
陥修正装置による黒色欠陥修正に於いて、上記問題点を
解決する方法である。
上記マスクの黒色欠陥部へのイオンビーム照射により放
出されるパターン形成物質からの２次イオンと、これと
は異なるパターンの基板物質からの２次イオンを同時に
モニターし、両２次イオンの検出器の比が、別途実験に
より定められる上記マスクを透過する元或はｘＩｖが十
分に透過でき、更に上記基板物質へのイオンビームによ
る損傷が少ないある適切な値となる所の、上記基板物質
からの２次イオンが検出され始めてから、上記パターン
形成物質からの２次イオンが検出されなくなるまでのあ
る時点をもってマスク欠陥修正の終了を検出する手段で
ある。
出されるパターン形成物質からの２次イオンと、これと
は異なるパターンの基板物質からの２次イオンを同時に
モニターし、両２次イオンの検出器の比が、別途実験に
より定められる上記マスクを透過する元或はｘＩｖが十
分に透過でき、更に上記基板物質へのイオンビームによ
る損傷が少ないある適切な値となる所の、上記基板物質
からの２次イオンが検出され始めてから、上記パターン
形成物質からの２次イオンが検出されなくなるまでのあ
る時点をもってマスク欠陥修正の終了を検出する手段で
ある。
上記マスクの黒色欠陥部へのイオンビーム照射により残
留欠陥としてのパターン形成物質より放出される２次イ
オンは、該２次イオン専用の検出器で検出され、・欠陥
修正終了時近くになった時点で該２次イオンの検出量は
減少し始める。これと同時に、パターンの基板物質より
放出される２次イオンが該２次イオン専用の検出器で検
出し始め、検出には増加し始める。両２次イオンの検出
量の比があらかじめ定められた欠陥修正終了として好ま
しいある値に達した時、欠陥修正の終了を検出する。
留欠陥としてのパターン形成物質より放出される２次イ
オンは、該２次イオン専用の検出器で検出され、・欠陥
修正終了時近くになった時点で該２次イオンの検出量は
減少し始める。これと同時に、パターンの基板物質より
放出される２次イオンが該２次イオン専用の検出器で検
出し始め、検出には増加し始める。両２次イオンの検出
量の比があらかじめ定められた欠陥修正終了として好ま
しいある値に達した時、欠陥修正の終了を検出する。
第１■は本発明による方法を用いたマスク欠陥修正終了
の方法を示すものである。
の方法を示すものである。
以下、図面に従って本発明の詳細な説明する。第１図に
於いて、１は集束されたイオンビームであり、図示され
ていない偏向器により半導体製造用マスク２の黒色欠陥
上を走査しスパッター除去する。該スパッターにより放
出された２次イオン３はセクターマグネット４により質
量が分離される。質量分離されたパターン形成物質及び
パターンの基板物質より放出された異なる２つの２次イ
オン５．７は各々第１イオン検出器６及び第２イオン検
出器８により検出される。両検出器からの信号は２次イ
オン検出信号処理回路９で両２次イオンの検出量の比が
とられ、あらかじめ設定された比と比較され同じ値に達
りした時、ブランキング電極の′電源及び制御装置１０
に信号を送シ、該制御装りは訓電を原を駆動させ、ブラ
ンキング電極１１に電圧を印加し、イオンビーム電流１
はスリット１２により遮へいされ欠陥修正を終了する〔
発明の効果〕 以上説明して来たように、本発明による方法を用いる事
により、不要なイオンビーム照射を避ける事が出来、ス
ループットの向上となる。更に上記マスクの基根上への
きすは最少限に抑える事が出来、特にフォトマスクへの
悪影響を最少限に抑える事が出来る。
於いて、１は集束されたイオンビームであり、図示され
ていない偏向器により半導体製造用マスク２の黒色欠陥
上を走査しスパッター除去する。該スパッターにより放
出された２次イオン３はセクターマグネット４により質
量が分離される。質量分離されたパターン形成物質及び
パターンの基板物質より放出された異なる２つの２次イ
オン５．７は各々第１イオン検出器６及び第２イオン検
出器８により検出される。両検出器からの信号は２次イ
オン検出信号処理回路９で両２次イオンの検出量の比が
とられ、あらかじめ設定された比と比較され同じ値に達
りした時、ブランキング電極の′電源及び制御装置１０
に信号を送シ、該制御装りは訓電を原を駆動させ、ブラ
ンキング電極１１に電圧を印加し、イオンビーム電流１
はスリット１２により遮へいされ欠陥修正を終了する〔
発明の効果〕 以上説明して来たように、本発明による方法を用いる事
により、不要なイオンビーム照射を避ける事が出来、ス
ループットの向上となる。更に上記マスクの基根上への
きすは最少限に抑える事が出来、特にフォトマスクへの
悪影響を最少限に抑える事が出来る。
第１図は本発明のマスク欠陥修正終了方法を用いた実施
例を示す図である。 １・・・・・・・・・イオンビーム ２・・・・・・・・・半導体製造用マスク５・・・・・
・・・・２次イオン ４・・・・・・・・・セクターマグネット５・・・・・
・・・・２次イオン ６・・・・・・・・・第１イオン検出器７・・・・・・
・・・２次イオン ８・・・・・・・・・第２イオン検出器９・・・・・・
・・・２次イオン検出信号処理回路１０・・・・・・ブ
ランキング電極の電諒及び制御装置１１・・・・・・ブ
ランキング電極 １２・・・・・・スリット 以 上
例を示す図である。 １・・・・・・・・・イオンビーム ２・・・・・・・・・半導体製造用マスク５・・・・・
・・・・２次イオン ４・・・・・・・・・セクターマグネット５・・・・・
・・・・２次イオン ６・・・・・・・・・第１イオン検出器７・・・・・・
・・・２次イオン ８・・・・・・・・・第２イオン検出器９・・・・・・
・・・２次イオン検出信号処理回路１０・・・・・・ブ
ランキング電極の電諒及び制御装置１１・・・・・・ブ
ランキング電極 １２・・・・・・スリット 以 上
Claims (2)
- （１）半導体製造用マスクの黒点欠陥をイオンビームを
用いて修正する方法に於いて、上記黒点欠陥部への修正
を目的としたイオンビーム照射により放出される２次イ
オンを観察する事により黒点欠陥修正の終了を確認する
ことを特徴とするマスク欠陥修正終了検出方法。 - （２）特許請求の範囲第１項に於いて、上記２次イオン
として、マスク上のパターン形成物質より放出される２
次イオンと該パターンの基板物質より放出される２次イ
オンの検出量を測定する事により黒点欠陥修正の終了を
確認することを特徴とするマスク欠陥修正終了検出方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207575A JPS6186753A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | マスク欠陥修正終了検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207575A JPS6186753A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | マスク欠陥修正終了検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6186753A true JPS6186753A (ja) | 1986-05-02 |
| JPS6323541B2 JPS6323541B2 (ja) | 1988-05-17 |
Family
ID=16542020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59207575A Granted JPS6186753A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | マスク欠陥修正終了検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6186753A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63141060A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | Seiko Instr & Electronics Ltd | マスク修正方法 |
| JPH0264644A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Seiko Instr Inc | 集束イオンビーム装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55150225A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Hitachi Ltd | Method of correcting white spot fault of photomask |
| JPS5856332A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Hitachi Ltd | マスクの欠陥修正方法 |
| JPS58202038A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム加工装置 |
-
1984
- 1984-10-03 JP JP59207575A patent/JPS6186753A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55150225A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Hitachi Ltd | Method of correcting white spot fault of photomask |
| JPS5856332A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Hitachi Ltd | マスクの欠陥修正方法 |
| JPS58202038A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム加工装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63141060A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | Seiko Instr & Electronics Ltd | マスク修正方法 |
| JPH0264644A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Seiko Instr Inc | 集束イオンビーム装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6323541B2 (ja) | 1988-05-17 |
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