KR890002973A - X선 마스크의 결함 수정 방법 및 그 장치 - Google Patents

X선 마스크의 결함 수정 방법 및 그 장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

X선 마스크의 결합 수정 방법 및 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 관한 X선 마스크에 있어서 보호막을 가공해서 하층회로 패턴을 검출하는 방법을 도시한 도면. 제 2 도 및 제 3 도는 X선 마스크의 구조를 도신한 단면도.

Claims (15)

  1. 보호막을 갖는 X선 마스크에 대해서 집속 이온빔을 적어도 결함부를 갖는 영역에 대하여 조사해서 보호막을 제거하고, 상기 영역 아래에 위치하는 결함부를 갖는 회로 패턴을 노출 또는 노출에 가까운 상태로 차고, 상기 영역에서 발생하는 2차 이론,반사 전자, 흡수전류의 적어도 1개를 검출해서 결합위치를 검출하고, 상기 결함위치에 집속 이온빔을 맞추어서 그 결함부에 조사하여 결함을 수정하는 것을 특징으로 하는 X선 마스크의 결함수정 방법.
  2. 특허청구의 범위 제 1 항에 있어서, 상기 결함위치를 검출하기 위해서, 노출한 회로 패턴이 가공되지 않도록 회로 패턴의 최상층은 이온빔에 대한 스퍼터링율이 낮은 재료를 형성하여 놓은 것을 특징으로 하는 X선 마스크의 결함 수정 방법
  3. 특허청구의 범위 제 1 항에 있어서, 상기 결함위치를 검출하기 위해서, 집속 이온빔으로 보호막을 제거할 때 회로 패턴부와 회로 패턴부 이외의 부분 사이에는 스퍼터링율의 차에 의해 단차를 발생시키는 것을 특징으로 하는 X선 마스크의 결함 수정 방법.
  4. 특허청구의 범위 제 1 항에 있어서, 상기 회로 패턴의 노출 또는 노출에 가까운 상태는 X선 마스크로의 흡수전류를 검출해서 상기 상태로 하는 것을 특징으로 하는 X선 마스크의 결함 수정 방법.
  5. 특허청구의 범위 제 1 항에 있어서, 상기 결함의 수정은 이온빔 CVD,이온빔 데퍼지션등의 방법에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 X선 마스크의 결함 수정 방법.
  6. 보호막을 갖는 X선 마스크에 대해서 적어도 결함부를 갖는 영역에 대하여 접속 이온빔을 조사해서 보호막을 제거하고, 그 영역 아래에 위치하는 결함부를 갖는 회로 패턴을 노출 또는 노출에 가까운 상태로 하고, 그 영역을 주사 전자 현미경으로 촬영해서 결함위치를 검출하고, 상기 결함위치에 집속 이온빔을 맞추어서 그 결함부에 조사하여 결함을 수정하는 것을 특징으로 하는 X선 마스크의 결함 수정 방법.
  7. 특허청구의 범위 제 5 항에 있어서, 상기 회로패턴의 노출 또는 노출에 가까운 상태는 X선 마스크로의 흡수전류를 검출해서 상기 상태로 하는 것을 특징으로 하는 X선 마스크의 결함 수정 방법.
  8. 특허청구의 범위 제 5 항에 있어서, 결함의 수정은 이온빔 CVD, 이온빔 데퍼지션등의 방법에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 X선 마스크의 결함 수정 방법.
  9. 보호막이 피복된 미세 패턴을 갖는 X선 마스크에 대해서 집속한 이온빔을 주사하면서 조사해서 상기 보호막의 일부분을 제거하고, 일부분이 제거된 상기 X선 마스크에 전자선을 주사, 조사해서 상기 보호막이 피복된 미세 패턴의 영상신호를 꺼내고, 일부분이 제거된 상기 X선 마스크에 집속한 이온빔을 주사하면서 조사해서 상기 X선 마스크의 영상신호를 꺼내고, 상기 2종류의 영상신호를 조합해서 상기 미세 패턴의 결함 장소를 가공하는 것을 특징으로 하는 X선 마스크의 결함 수정 방법.
  10. 특허청구의 범위 제 9 항에 있어서, 상기 보호막의 제거는 이온빔 유량을 일정하게 해서 가공시간만 정하게 하는 것을 특징으로 하는 X선 마스크의 결함 수정 방법.
  11. 특허청구의 범위 제 9 항에 있어서, 상기 2 종류의 영상신호의 조합은 상기 보호막의 일부분을 제거하여 생기는 에지 부분에 따라서 영상을 겹쳐 맞추는 것을 특징으로 하는 X선 마스크의 결함 수정 방법.
  12. 특처청구의 범위 제11항에 있어서, 상기 에지 부분의 설정은 각각의 영상신호의 최대휘도와 최소휘도의 중간값을 임계값으로 하는 2진 처리를 행하여 특정하는 것을 특징으로 하는 X선 마스크의 결함 수정 방법.
  13. 특허청구의 범위 제 9 항에 있어서, 상기 보호막의 일부분을 제거하기 위해서 사용되는 집속 이온빔의 지름은 상기 미세 패턴의 결함 장소를 가공하기 위해 사용되는 집속 이온빔의 지름보다 크게 하는 것을 특징으로 하는 X선 마스크의 결함 수정 방법.
  14. 보호막을 갖는 X선 마스크에 대해서 집속 이온빔을 적어도 결함부를 갖는 영역에 대하여 조사해서 상기 보호막을 제거하여 상기 영역 아래에 위치하는 결함부를 갖는 회로 패턴을 노출 또는 노출에 가까운 상태로 함과 동시에 2차 이온을 검출하는 제 1의 이온빔 가공수단, 상기 X선 마스크에 전자빔을 조사함과 동시에 주사하여 영역에서 얻어지는 2차 전자를 검출하는 주사형 전자 현미경,상기 제 1 의 이온빔 가공수단에 의해서 검출된 SIM상과 상기 주사형 전자 현미경에 의해서 얻어진 SEM상을 겹쳐 맞추어서 결함위치를 검출하는 검출수단 및 상기 검출수단에 의해서 검출된 결함위치에 이온빔을 조사해서 제거 수정하는 제 2 의 이온빔 가공수단을 포함한 것을 특징으로 하는 X선 마스크의 결함 수정 장치.
  15. 특허청구의 범위 제 14 항에 있어서, 상기 X선 마스크는 이동테이블 상에 설치한 것을 특징으로 하는 X선 마스크의 결함 수정 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2650930B2 (ja) * 1987-11-24 1997-09-10 株式会社日立製作所 超格子構作の素子製作方法
JPH0316125A (ja) * 1989-03-30 1991-01-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
GB2247345B (en) * 1990-07-05 1995-04-05 Haroon Ahmed Integrated circuit structure analysis
JP3148353B2 (ja) * 1991-05-30 2001-03-19 ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション 電子ビーム検査方法とそのシステム
JP2655215B2 (ja) * 1991-11-18 1997-09-17 三菱電機株式会社 フォトマスクのパターン欠陥修正方法
JP3730263B2 (ja) * 1992-05-27 2005-12-21 ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法
JP3153391B2 (ja) * 1993-07-07 2001-04-09 株式会社日立製作所 集束イオンビーム装置
JPH09320505A (ja) * 1996-03-29 1997-12-12 Hitachi Ltd 電子線式検査方法及びその装置並びに半導体の製造方法及びその製造ライン
JP3892565B2 (ja) * 1997-02-28 2007-03-14 株式会社東芝 パターン形成方法
US6074571A (en) * 1997-09-30 2000-06-13 International Business Machines Corporation Cut and blast defect to avoid chrome roll over annealing
JP2926132B1 (ja) * 1998-01-23 1999-07-28 セイコーインスツルメンツ株式会社 集束イオンビームによる二次イオン像観察方法
US6130428A (en) * 1998-06-02 2000-10-10 Lsi Logic Corporation Laser fault correction of semiconductor devices
JP2000035391A (ja) * 1998-07-16 2000-02-02 Seiko Instruments Inc 薄片化加工時の試料歪除去方法
JP4137329B2 (ja) * 2000-01-11 2008-08-20 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 集束イオンビーム加工方法
US20030000921A1 (en) * 2001-06-29 2003-01-02 Ted Liang Mask repair with electron beam-induced chemical etching
DE10230755A1 (de) * 2002-07-09 2004-01-22 Carl Zeiss Jena Gmbh Anordnung zur Herstellung von Photomasken
US20040121069A1 (en) * 2002-08-08 2004-06-24 Ferranti David C. Repairing defects on photomasks using a charged particle beam and topographical data from a scanning probe microscope
JP2004226079A (ja) * 2003-01-20 2004-08-12 Seiko Instruments Inc 表面あるいは断面加工観察方法及びその装置
KR100489659B1 (ko) * 2003-03-17 2005-05-17 삼성전자주식회사 미세 구조의 치수 측정 방법 및 측정 장치
JP4611755B2 (ja) * 2005-01-13 2011-01-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡及びその撮像方法
JP4636897B2 (ja) * 2005-02-18 2011-02-23 株式会社日立ハイテクサイエンスシステムズ 走査電子顕微鏡
JP5078232B2 (ja) * 2005-04-26 2012-11-21 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 複合荷電粒子ビーム装置及びそれにおける照射位置決め方法
JP4181561B2 (ja) * 2005-05-12 2008-11-19 松下電器産業株式会社 半導体加工方法および加工装置
JP4205122B2 (ja) * 2006-07-19 2009-01-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線加工装置
JP4789260B2 (ja) * 2006-08-23 2011-10-12 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 荷電粒子ビーム装置及びアパーチャの軸調整方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56332A (en) * 1979-06-15 1981-01-06 Teijin Ltd Method of drawing polyester tow
JPS5856332A (ja) * 1981-09-30 1983-04-04 Hitachi Ltd マスクの欠陥修正方法
JPS59168652A (ja) * 1983-03-16 1984-09-22 Hitachi Ltd 素子修正方法及びその装置
JPH061370B2 (ja) * 1983-11-24 1994-01-05 株式会社東芝 マスク欠陥検査装置
JPH0616391B2 (ja) * 1984-07-13 1994-03-02 株式会社日立製作所 イオンビーム照射装置
JPS6188261A (ja) * 1984-10-08 1986-05-06 Seiko Instr & Electronics Ltd イオンビ−ムによるマスクリペア−装置
EP0203215B1 (de) * 1985-05-29 1990-02-21 Ibm Deutschland Gmbh Verfahren zur Reparatur von Transmissionsmasken
JPH0648380B2 (ja) * 1985-06-13 1994-06-22 株式会社東芝 マスク検査方法
US4696878A (en) * 1985-08-02 1987-09-29 Micronix Corporation Additive process for manufacturing a mask for use in X-ray photolithography and the resulting mask
ITFI980148A1 (it) * 1998-06-22 1999-12-22 Rosario Muto Composizioni per l'eliminazione degli ossidi in leghe di metalli preziosi e affini e loro uso in processi di stabilizzazione termica
EP1109375A3 (en) * 1999-12-18 2004-02-11 Roke Manor Research Limited Improvements in or relating to long latency or error prone links

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Publication number Publication date
JPS6415922A (en) 1989-01-19
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EP0298495A3 (en) 1989-09-27
US4933565A (en) 1990-06-12
DE3884688T2 (de) 1994-04-28

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