JPH1048813A - マスク保護装置 - Google Patents
マスク保護装置Info
- Publication number
- JPH1048813A JPH1048813A JP20822796A JP20822796A JPH1048813A JP H1048813 A JPH1048813 A JP H1048813A JP 20822796 A JP20822796 A JP 20822796A JP 20822796 A JP20822796 A JP 20822796A JP H1048813 A JPH1048813 A JP H1048813A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frame
- mask
- pellicle
- cross
- section
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課 題】マスクにマスク保護装置を装着した状態で検
査光を集光レンズで集光させてマスクに直交させて照射
し、その反射光で異物検査を行う方法において、検査精
度を上げるため集光角を大きくしてもペリクル枠の枠際
まで検査が可能であり、ペリクル枠の強度を損なわない
マスク保護装置を提供する。 【解決手段】ペリクル枠１１の内側面を傾斜させて断面
を台形に形成し、検査光が枠端面で干渉されることな
く、スポット光が枠際まで当たるようにする。
査光を集光レンズで集光させてマスクに直交させて照射
し、その反射光で異物検査を行う方法において、検査精
度を上げるため集光角を大きくしてもペリクル枠の枠際
まで検査が可能であり、ペリクル枠の強度を損なわない
マスク保護装置を提供する。 【解決手段】ペリクル枠１１の内側面を傾斜させて断面
を台形に形成し、検査光が枠端面で干渉されることな
く、スポット光が枠際まで当たるようにする。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、集積回路の製造工
程におけるフォトリソグラフィ工程で用いられるマスク
やレチクル（以下「マスク」という）上に塵埃等が付着
するのを防止する目的で用いられるマスク保護装置に関
する。
程におけるフォトリソグラフィ工程で用いられるマスク
やレチクル（以下「マスク」という）上に塵埃等が付着
するのを防止する目的で用いられるマスク保護装置に関
する。
【０００２】
【従来技術】フォトリソグラフィ工程では、マスク上に
塵埃等が付着すると、これが半導体ウェハーに投影さ
れ、製品が不良品となりがちである。マスク保護装置は
この問題を解消するため、すなわちマスク上に異物が付
着するのを防止するために用いられ、マスクパターンを
囲う大きさの枠と、該枠の一側面に張設される透明な薄
膜とからなり、使用時においてはマスク上に粘着剤によ
り貼付され、貼着後、マスク保護装置で覆われたマスク
上の異物検査が行われる。
塵埃等が付着すると、これが半導体ウェハーに投影さ
れ、製品が不良品となりがちである。マスク保護装置は
この問題を解消するため、すなわちマスク上に異物が付
着するのを防止するために用いられ、マスクパターンを
囲う大きさの枠と、該枠の一側面に張設される透明な薄
膜とからなり、使用時においてはマスク上に粘着剤によ
り貼付され、貼着後、マスク保護装置で覆われたマスク
上の異物検査が行われる。
【０００３】この異物検査は図１に示すように、光源か
らアルゴンレーザ光やヘリウムネオンレーザ光等の検査
光を集光レンズ１で集光させてペリクル膜２に通し、マ
スク３面上に斜めに照射して走査させるか、或いは図２
に示すように集光レンズ５で集光した検査光をマスク面
に直交して照射して走査させることにより行い、ペリク
ル膜６、マスク３より反射した散乱光を検出器７で検出
して異物の有無を判定していた。
らアルゴンレーザ光やヘリウムネオンレーザ光等の検査
光を集光レンズ１で集光させてペリクル膜２に通し、マ
スク３面上に斜めに照射して走査させるか、或いは図２
に示すように集光レンズ５で集光した検査光をマスク面
に直交して照射して走査させることにより行い、ペリク
ル膜６、マスク３より反射した散乱光を検出器７で検出
して異物の有無を判定していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】異物検査は、マスクの
ペリクル枠貼り際まで行うことが望まれるが、検査光を
斜めに照射する図１に示す従来法では、検査光のスポッ
トを枠際に当てると、図３に示すようにマスクからの散
乱光が枠内側面に当たって乱反射するため、枠際近くの
異物検査ができない。
ペリクル枠貼り際まで行うことが望まれるが、検査光を
斜めに照射する図１に示す従来法では、検査光のスポッ
トを枠際に当てると、図３に示すようにマスクからの散
乱光が枠内側面に当たって乱反射するため、枠際近くの
異物検査ができない。
【０００５】検査光を真直ぐに照射する図２に示す従来
法では、図４に示すように検査光が枠近くになると、そ
の一部が枠８の端面に当たって乱反射するようになるた
め、枠周辺は異物検査ができない。集光レンズ５により
集光角θを大きくし、検査光を絞るほど輝度が増し、検
査精度が上がるが、集光角が大きくなるほどスポット光
を枠際より離さないと、検査光が枠８の端面に当たるよ
うになり、したがって枠周辺の非検査域（図４におい
て、ａで示す）が広がる。
法では、図４に示すように検査光が枠近くになると、そ
の一部が枠８の端面に当たって乱反射するようになるた
め、枠周辺は異物検査ができない。集光レンズ５により
集光角θを大きくし、検査光を絞るほど輝度が増し、検
査精度が上がるが、集光角が大きくなるほどスポット光
を枠際より離さないと、検査光が枠８の端面に当たるよ
うになり、したがって枠周辺の非検査域（図４におい
て、ａで示す）が広がる。
【０００６】本発明は、異物検査を枠際まで行うことが
できるマスク保護装置を提供することを目的とする。
できるマスク保護装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題の解決手段】本発明はそのため、マスクパターン
を囲う大きさのペリクル枠と、該枠の一側面に張設され
る透明な薄膜とからなるマスク保護装置において、ペリ
クル枠内側面を彎曲ないし傾斜させ、ペリクル枠がマス
ク側端面より薄膜に向かって漸次肉薄となるように形成
したことを特徴とする。ペリクル枠内側面は、上述する
ように彎曲ないし傾斜するが、この中では傾斜させるの
が望ましく、とくにペリクル枠の断面を台形にするのが
より望ましい。台形断面にしたときの膜を貼着する側の
端面の巾は通常、０．５mm以上、好ましくは１mm以上で
ある。ペリクル枠内側面を傾斜させることにより、ペリ
クル枠内側面の傾斜角はレンズの集光角に一致するまで
広げることができる。この傾斜角は、レンズの集光角、
枠サイズ、検出必要範囲等によって変化し、それぞれに
応じて設定すれば良いが、一般には８０°〜２５°、好
ましくは４５°〜６０°である。
を囲う大きさのペリクル枠と、該枠の一側面に張設され
る透明な薄膜とからなるマスク保護装置において、ペリ
クル枠内側面を彎曲ないし傾斜させ、ペリクル枠がマス
ク側端面より薄膜に向かって漸次肉薄となるように形成
したことを特徴とする。ペリクル枠内側面は、上述する
ように彎曲ないし傾斜するが、この中では傾斜させるの
が望ましく、とくにペリクル枠の断面を台形にするのが
より望ましい。台形断面にしたときの膜を貼着する側の
端面の巾は通常、０．５mm以上、好ましくは１mm以上で
ある。ペリクル枠内側面を傾斜させることにより、ペリ
クル枠内側面の傾斜角はレンズの集光角に一致するまで
広げることができる。この傾斜角は、レンズの集光角、
枠サイズ、検出必要範囲等によって変化し、それぞれに
応じて設定すれば良いが、一般には８０°〜２５°、好
ましくは４５°〜６０°である。
【０００８】
【発明の実施の形態】図５は、ペリクル枠１１の内側面
を傾斜させて断面を台形に形成したもので、検査光を集
光レンズ１で絞って斜めに照射した場合、スポット光が
枠際に当たり、その反射光が枠内面に当たって乱反射し
ても、乱反射が検査位置より側方に離れた位置で起きる
ため、乱反射による影響が少なく、異物検査が可能とな
る。
を傾斜させて断面を台形に形成したもので、検査光を集
光レンズ１で絞って斜めに照射した場合、スポット光が
枠際に当たり、その反射光が枠内面に当たって乱反射し
ても、乱反射が検査位置より側方に離れた位置で起きる
ため、乱反射による影響が少なく、異物検査が可能とな
る。
【０００９】図６は、上記ペリクル枠を用いて検査光を
集光レンズ５で絞って真直ぐに照射した場合、集光角を
大きくしても枠端面に当たることなく、スポット光が枠
際まで当たるようになり、枠際の異物検査が可能とな
る。図示する例では、ペリクル枠の内側面は傾斜し、断
面形状が台形をなしているが、別の例では断面が三角形
に形成され（この場合、ペリクル膜はペリクル枠の外側
上部に貼着される）、更に別の例では従来の枠より内方
に突出しないように内側面が凸状ないし凹状に彎曲され
る。上述する例の中では、ペリクル枠と干渉しないよう
に傾斜角に対応する角度まで集光角を大きくできること
から内側面は傾斜させるのが望ましいが、枠の断面形状
を三角形にした場合、先端が尖って膜が破れ易くなる。
この点図示するように断面形状が台形であると、従来の
ようにペリクル膜を上端面に貼着することが可能で、ま
た三角形比べ膜が破れにくゝ、断面係数も大きくなって
大きな曲げモーメントに耐えられるようになる点で好ま
しい。
集光レンズ５で絞って真直ぐに照射した場合、集光角を
大きくしても枠端面に当たることなく、スポット光が枠
際まで当たるようになり、枠際の異物検査が可能とな
る。図示する例では、ペリクル枠の内側面は傾斜し、断
面形状が台形をなしているが、別の例では断面が三角形
に形成され（この場合、ペリクル膜はペリクル枠の外側
上部に貼着される）、更に別の例では従来の枠より内方
に突出しないように内側面が凸状ないし凹状に彎曲され
る。上述する例の中では、ペリクル枠と干渉しないよう
に傾斜角に対応する角度まで集光角を大きくできること
から内側面は傾斜させるのが望ましいが、枠の断面形状
を三角形にした場合、先端が尖って膜が破れ易くなる。
この点図示するように断面形状が台形であると、従来の
ようにペリクル膜を上端面に貼着することが可能で、ま
た三角形比べ膜が破れにくゝ、断面係数も大きくなって
大きな曲げモーメントに耐えられるようになる点で好ま
しい。
【００１０】
【発明の効果】本発明のペリクル枠によれば、検査光に
よる異物検査がマスクに貼着されたマスク保護装置の枠
際まで行えるようになり、とくに検査光をマスクに直交
させて照射する検査方法に用いた場合、検査精度を上げ
るため集光レンズによる集光角を大きくしても枠で干渉
されることなく、枠際までの異物検査が可能となる。
よる異物検査がマスクに貼着されたマスク保護装置の枠
際まで行えるようになり、とくに検査光をマスクに直交
させて照射する検査方法に用いた場合、検査精度を上げ
るため集光レンズによる集光角を大きくしても枠で干渉
されることなく、枠際までの異物検査が可能となる。
【００１１】また内側面を傾斜させた場合、傾斜角に対
応する角度まで集光角を大きくすることができて輝度を
増すことができ、枠の断面形状を台形にすれば、尖った
ものと比べペリクル膜が破れにくゝ、曲げ強度も増す。
応する角度まで集光角を大きくすることができて輝度を
増すことができ、枠の断面形状を台形にすれば、尖った
ものと比べペリクル膜が破れにくゝ、曲げ強度も増す。
【図１】異物検査時におけるマスク保護装置の断面図。
【図２】別の方法による検査時のマスク保護装置の断面
図。
図。
【図３】図１に示す検査方法で枠際を照射したときの状
態を示す図。
態を示す図。
【図４】図２に示す検査方法で枠際を照射したときの状
態を示す図。
態を示す図。
【図５】本発明に係わるマスク保護装置を用いて枠際を
照射したときの状態を示す図。
照射したときの状態を示す図。
【図６】図２に示す方法で照射したときの状態を示す
図。
図。
１、５・・集光レンズ ２、６・・ペリク
ル膜 ３・・マスク ７・・検出器 １１・・ペリクル枠
ル膜 ３・・マスク ７・・検出器 １１・・ペリクル枠
Claims (4)
- 【請求項１】マスクパターンを囲う大きさのペリクル枠
と、該枠の一側面に張設される透明な薄膜とからなるマ
スク保護装置において、ペリクル枠内側面を彎曲ないし
傾斜させ、ペリクル枠がマスク側端面より薄膜に向かっ
て漸次肉薄となるように形成したことを特徴とするマス
ク保護装置。 - 【請求項２】検査光を集光レンズで集光させ、マスクに
貼着されたマスク保護装置のペリクル膜を通してマスク
に直交させて照射することにより異物検査を行う方法に
おいて用いられる請求項１記載のマスク保護装置。 - 【請求項３】内側面が傾斜する請求項２記載のマスク保
護装置。 - 【請求項４】ペリクル枠の断面形状は台形である請求項
３記載のマスク保護装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20822796A JPH1048813A (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | マスク保護装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20822796A JPH1048813A (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | マスク保護装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1048813A true JPH1048813A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16552775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20822796A Pending JPH1048813A (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | マスク保護装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1048813A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001201845A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-07-27 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 大型ペリクル |
| JP2007219138A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Nikon Corp | マスク及び露光装置 |
| CN101930165A (zh) * | 2009-06-24 | 2010-12-29 | 信越化学工业株式会社 | 防护膜框架及光刻用防护膜 |
-
1996
- 1996-08-07 JP JP20822796A patent/JPH1048813A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001201845A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-07-27 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 大型ペリクル |
| JP2007219138A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Nikon Corp | マスク及び露光装置 |
| CN101930165A (zh) * | 2009-06-24 | 2010-12-29 | 信越化学工业株式会社 | 防护膜框架及光刻用防护膜 |
| JP2011007934A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル |
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