JPH03231248A - 異物検査装置及び露光装置 - Google Patents

異物検査装置及び露光装置

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JPH03231248A
JPH03231248A JP2026411A JP2641190A JPH03231248A JP H03231248 A JPH03231248 A JP H03231248A JP 2026411 A JP2026411 A JP 2026411A JP 2641190 A JP2641190 A JP 2641190A JP H03231248 A JPH03231248 A JP H03231248A
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JP
Japan
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foreign matter
pellicle
photomask
nozzle
foreign
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Application number
JP2026411A
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Inventor
Takeshi Ogoshi
大越 健
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPH03231248A publication Critical patent/JPH03231248A/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、フォトマスクに装着されたペリクル面上の異
物検査、除去に関する。
[従来の技術] 半導体装置製造などのフォトエツチング工程で使用され
るフォトマスクには、前記フォトマスク上のR物が投影
露光時に転写され、パターン不良を引き起こすことを防
止するために、ペリクルが装着されている6第4図は、
ペリクルが装着されたフォトマスクを示す図であるがペ
リクル(43)は、ニトロセルロースに代表される透明
薄膜からなり、アルミ合金等からなるペリクル枠(42
)を介して、フォトマスク(41)から−定の距離をお
いで、前記フォトマスク(41)上のパターン部を覆っ
て固定される。前記ペリクル(43)上には、空気上の
異物が付着するが、投影露光時の焦点位置はフォトマス
ク(41)面上にあるために、前記ペリクル(43)上
の異物は焦点ずれとなり、数十μm程度までの異物は転
写しない仕組みとなっている。このように、ペリクル〔
43〕によって、フォトマスク(41)上への異物付着
は防止されるものの、依然、ペリクル(43)上の異物
検査は欠かすことができない。
第3区は、フォトマスクに装置されたペリクル面上の異
物を検査する従来の異物検査装置である。フォトマスク
(31)は、可動ステージ(33)に保持される6そし
て、光源として、He−Neレーザーを用い、レーザー
ビーム(34)は、ガルバノミラ=(35)で反射され
、F−θレンズ(36)で約10umψに絞られ、ペリ
クル(32)に対して一定の角度を保って斜め方向から
入射する。この時、レーザービーム(34)をガルバノ
ミラ−(35)の回転によって、前記ペリクル(32)
上をX軸方向に沿って走査し、更(二可動ステージ(3
3)をy軸方向に沿って移動させることにより、前記ペ
リクル(32)の全域を走査できるように構成されでい
る。
そして、前記ペリクル(32)上に異物があれば散乱光
を発するため、集光レンズ(37)により、前記散乱光
を集光し、検出器(38)で受光する事によって異物の
大きさ、位置を判定した後、そのデータをもとに、ノズ
ル(39)を用いて気体を吹き付けることにより異物を
除去していた。
次に従来の縮小露光装置であるが、露光前に露光装置に
よって異物検査により異物が発見された場合、従来技術
では、前述と同様にノズルにより気体を吹き付けること
により、その異物を除去していた。
[発明が解決しようとする課題] しかし、前述の従来技術では、以下のような問題、占を
有する。
従来の異物検査装置及び露光装置は、ペリクル面上の異
物を検査し、そのデータをもとにノズルを用いて気体を
吹き付けることにより異物を除去していた。しかしなが
ら、従来の方法では、異物をその位置から除去できるが
、その異物が完全にペリクル面上から取り除かれる事は
、保証できず、再びペリクルの別の位置に付着する可能
性を否定できない、その場合、作業効率が悪い。また、
仮に異物がペリクル面上から取り除かれたとしても、そ
の異物は、装置内に存在するので、装置内のクリーン度
低下につながり、装置の性格上好ましくない、また、露
光装置において、従来の方法では、異物管理に加えて露
光作業に対しても、その作業効率が悪かった。
そこで、本発明は、このような問題を解決するもので、
その目的とするところは、フォトマスクに装着されたペ
リクル面上の異物を除去する際に、除去効率、作業効率
、装置内のクリーン度を高める事を可能にする異物検査
装!及び露光装!を提供するところにある。
[課題を解決するための手段] (1)本発明の異物検査装置は、フォトマスクに装着さ
れたペリクル面上の異物を検査する装置において、吸引
することにより、前記異物を除去する機能を有すること
を特徴とする。
(2)本発明は、請求項1記載の異物検査装置において
、ペリクル面上の異物を吸引した後、回収することを特
徴とする。
(3)本発明の露光装置は、ペリクルを装着したフォト
マスクを使用する露光装置において、前記ペリクル面上
の異物を吸引することにより、前記異物を除去する機能
を有することを特徴とする。
(4)本発明は、請求項3記載の露光装置において、ペ
リクル面上の異物を吸引した後、回収することを特徴と
する。
[実 施 例] 第1図は5本発明の異物検査装置を示す図である。従来
技術同様に、フォトマスク(11)は、可動ステージ(
13)に保持され、光源として、He−Neレーザーを
用い、レーザービーム(14)は、ガルバノミラ−(1
5)で反射され、F−θレンズ(16)で約10umφ
に絞られ、ペリクル(12)に対して一定の角度を保っ
て斜め方向から入射する。この時、レーザービーム(1
4)をガルバノミラ−(15)の回転によって、前記ペ
リクル(12)上をX軸方向に沿って走査し、更に、可
動ステージ(13)をy軸方向に沿って移動させること
により、前記ペリクル(12)の全域を走査できるよう
に構成されている。
そして、前記ペリクル(12)上に異物があれば散乱光
を発するため、集光レンズ(17)により、前記散乱光
を集光し、検出器(18)で受光する事によって、異物
の大きさ、位置を判定する。更に、本発明の異物検査装
置には、検出された異物へ、600mmHgの圧力差で
真空の剛力で引かれたノズル(19)が向けられるよう
になっている。第2図は本発明の異物検査装置によって
検出された異物を除去する方法を示した図であるが、異
物検査によって検出したペリクル(22)上の異物(2
3)の位置座槽に従って、フォトマスク(21)が保持
されている可動ステラ(24)をx、y方向に移動して
、前記異物(23)をノズル(25)の直下に移動させ
、前記ノズル(25)より、600mmHgの圧力差で
真空で引かれた。その吸引力を利用して、前記異物(2
3)を吸い取る事により除去するものである。この際、
前記異物(23)は、前記ノズル(25)より吸い取ら
れ回収される1回収された異物(27)は、真空源によ
り再び装置内へ戻ることはない、このことにより、従来
技術のように、前記異物(27)が再びペリクル面に付
着する事がないことはもちろん、前記装置内に異物が残
ることもない、更に、装置内のクリーン度を低下させる
こともない。よって、従来の問題、屯であった作業効率
、装置内のクリーン度が著しく向上した。
次に以上述べた本発明の異物検査装置を縮小露光装置内
に組み込み、露光前にペリクル面上の異物を、検査−除
去−確認する動作を一貫してできるようにした。従来で
は、異物が発見された場合、気体を吹き付けることによ
り、その異物を除去していた。この方法の場合、前記異
物は再びへりクル面の他の場所に再付着する可能性があ
る。
また、再付着しなくても、異物は装置内にあるので縮小
露光装置の性格上好ましくない。よって、従来の方法で
は、異物管理に加えて露光作業に対しても、その作業効
率が悪かった。しかし、本発明では、異物除去の工程で
異物を吸引し、更に回収するので、除去した異物がペリ
クルに再付着したり、縮小露光装置内のクリーン度低下
にもつながらない、よって、本発明により、これらの問
題は解決され、作業効率、露出効率は、もとより、その
作業工程において、装置内のクリーン度低下をも未然に
防ぐ二とができた。
以上、本発明の一実施例を述べたが、これ以外にも (1)本実施例の異物検圧原理に基ずく装置に限らず、
他の検出原理に・よる異物検査装置に本発明を適用する
(2)除去しにくい異物の回収能力を高めるために従来
の方法で異物を吹き飛ばした後に吸引除去する。
(3)フォトマスクが保持されている可動ステージを動
かして、異物をノズル直下に移動する以外に、ノズル側
のみを移動させたり、可動ステージと連動させたりする
などについても、本発明の実施例と同様な利点が得られ
る事は言うまでもない。
[発明の効果] 以上述べたように、本発明によれば、 (1)フォトマスクに装着されたペリクル面上の異物を
検査する異物検査装置において、吸引することにより、
前記異物を除去する機能を有する。
(2)請求項1記載の異物検査装置において、ペリクル
面上の異物を吸引した後、回収する。
(3)ペリクルを装着したフォトマスクを使用する露光
装置において、前記ペリクル面上の異物を吸引すること
により、前記異物を除去する機能を有する。
(4)請求項3記載の露光装置において、ペリクル面上
の異物を吸引した後、回収する。
ことにより、フォトマスクに装着されたペリクル面上の
異物を検査し、除去するときの除去効率を高め、更に、
装置内のクリーン度を向上させるという効果を有するも
のである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の異物検査装置の一実施例を示す図で
ある。 第2図は、本発明の異物検査装置を用いて、ペリクル面
上の異物を除去する方法を説明する図である。 83図は、従来の異物検査装置を示す図である。 第4図は、ペリクルを装着したフォトマスクを示す図で
ある。 ・フォトマスク ・ペリクル ・可動ステージ ・レーザービーム ガルバノミラ− ・F−θレンズ ・集光レンズ 検出器 ・ノズル フォトマスク 22 ・ 23 ・ 24 ・ 25 ・ 26 ・ 27 ・ 31 ・ 32 ・ 33 ・ 34 ・ 35 ・ 36 ・ 37 ・ 38 ・ 39 ・ 1 42 ・ 43 ・ ・・ペリクル ・・異物 ・・可動ステージ ・・ノズル ・・気流 ・・回収された異物 ・・フォトマスク ・・ペリクル ・・可動ステージ ・・レーザービーム ・・ガルバノミラ ・F−θレンズ ・・集光レンズ ・・検出器 ・・ノズル ・・フォトマスク ・・ペリクル枠 ・ペリクル 第 図 第 図 第 3 図 第 図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)フォトマスクに装着されたペリクル面上の異物を
    検査する装置において、吸引することにより、前記異物
    を除去する機能を有することを特徴とする異物検査装置
  2. (2)ペリクル面上の異物を吸引した後、回収すること
    を特徴とした請求項1記載の異物検査装置。
  3. (3)ペリクルを装着したフォトマスクを使用する露光
    装置において、前記ペリクル面上の異物を吸引すること
    により、前記異物を除去する機能を有することを特徴と
    する露光装置。
  4. (4)ペリクル面上の異物を吸引した後、回収すること
    を特徴とした請求項3記載の露光装置。
JP2026411A 1990-02-06 1990-02-06 異物検査装置及び露光装置 Pending JPH03231248A (ja)

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JP (1) JPH03231248A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08254817A (ja) * 1994-12-27 1996-10-01 Siemens Ag ホトマスクをクリーニングする方法および装置
JP2007094183A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Dainippon Printing Co Ltd パターン形成体の製造方法およびパターン形成体製造用装置

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JPH08254817A (ja) * 1994-12-27 1996-10-01 Siemens Ag ホトマスクをクリーニングする方法および装置
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