JP2005005291A - 露光装置および露光装置におけるパーティクル除去方法 - Google Patents
露光装置および露光装置におけるパーティクル除去方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005005291A JP2005005291A JP2003163628A JP2003163628A JP2005005291A JP 2005005291 A JP2005005291 A JP 2005005291A JP 2003163628 A JP2003163628 A JP 2003163628A JP 2003163628 A JP2003163628 A JP 2003163628A JP 2005005291 A JP2005005291 A JP 2005005291A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- stage
- light source
- substrate holding
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】露光装置において、基板を保持する基板保持部にパーティクルが付着していると、フォーカスぼけによるレジストパターン不良の原因の一つとなり、このパーティクルを迅速かつ露光雰囲気を破壊、汚染せずにクリーニングすることが可能な露光装置を提供する。
【解決手段】本発明の露光装置は、レーザー発振器11と、レチクルがソーターされるステージ3と、露光される基板を保持する基板保持部21とを備え、露光時に基板保持部21上の基板にレーザー発振器11からの光を照射するエリアよりも小さく、レーザー発振器11からの光を基板保持部21に集光させる集光手段を備えている。
【選択図】 図1
【解決手段】本発明の露光装置は、レーザー発振器11と、レチクルがソーターされるステージ3と、露光される基板を保持する基板保持部21とを備え、露光時に基板保持部21上の基板にレーザー発振器11からの光を照射するエリアよりも小さく、レーザー発振器11からの光を基板保持部21に集光させる集光手段を備えている。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光ステージにウェハー等の基板を保持する基板保持部等に付着したパーティクルや異物を除去する方法およびそれに用いる半導体製造装置、特に半導体露光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造用の露光装置においては、光源の光によって露光用のマスクに照射し、その照射されたマスクのパターンの像をウェハー等の基板上のフォトレジストに投影して露光する。
【0003】
半導体素子の微細化、高集積化が進むにつれて、高精度の半導体露光装置が要求されるようになった。ウェハー等の基板保持部においても、ウェハーに接触する基板保持面の表面は高い平面度をもって形成され、これに吸着される基板の平坦度を矯正するようになっている。そして、LSIを製造する際には、何種類ものマスクのパターンを基板上に露光することを要し、同じ基板の同じ位置に別の種類のマスクのパターンを露光することになるので、基板上のアライメントマークとマスクのアライメントマークを位置決めした後に露光が行われている。
【0004】
しかし、パーティクルや異物が基板保持部上に付着している場合、このパーティクルのために、ウェハーは部分的に凸状になり、局所的に平坦度が悪くなる。また、この場合にパーティクル等の付着によって凸状となった部分では、ウェハー面内方向に位置ズレが発生することになる。従って、露光時あるいはアライメント時にこのような位置ズレが生じることによって、オーバーレイ(重ね合わせ)精度に悪い影響を及ぼす。
【0005】
また、一方で、半導体素子の微細化が進められ、露光時の解像力が向上させられている。そのため、高開口数(NA)の投影レンズを使用するので、フォーカスマージンが少なくなってきている。特に0.25μmルールのデバイスでは、フォーカスマージンは1.0μm以下になっている。
【0006】
基板保持部にサブミクロンのパーティクルが付着しておれば、ウェハーがたわみ、露光ショット内領域で極小フラットが保てなくなり、フォーカスボケが生じ、所望のパターンが形成されない現象が生じる。
【0007】
このような問題点を解決する手段としては、ウェハー及び基板保持部の異物の検出を露光前に行うようにした半導体基板の露光装置が知られている。
【0008】
図6は、従来の第1の異物検出装置の概略図であり、異物を検出するためのレーザー光を発生するレーザー光源43と、ビームスプリッター41と、回転軸により回転自在な反射ミラー40と、異物により反射した散乱光を検出する光電変換素子42とから構成されている(例えば特許文献1)。
【0009】
検出方法としては、レーザー光源43から発振されたレーザー光をビームスプリッター41及び反射ミラー40を経て、ウェハーチャック1の表面に対して水平に照射させ、この照射において、反射ミラー40を回転軸により回転させるか、ウェハーチャック1を水平に移動させることによって、レーザー光を検査面全体に走査させる。これにより異物が付着している場合には、この異物によってレーザー光が散乱することとなり、この散乱光を反射ミラー40及びビームスプリッター41を経て光電変換素子42で検出することによって異物を検出している。
【0010】
また、検査面のどの位置にゴミが付着しているかを判別するには、異なる直行方向よりレーザーを走査させる必要があり、機構的に複雑となる。
【0011】
現在では、露光ステージ上の異物の検出は、フラットなウェハーを用いて、一般的に次のような方法で行っている。
【0012】
図7は、半導体露光装置における従来の第2の異物検出装置の概略図であり、非常に平坦なウェハー118を基板保持部117の上に載せてフォーカスセンサーによって基板の局所的凹凸を計測するものである。フォーカスセンサーは、ハロゲンランプ111と、送光スリット112と、振動ミラー113と、ハービングガラス114と、受光スリット115と、ディテクター116とで構成されている。
【0013】
検出方法としては、ハロゲンランプ111から送られた光は送光スリット112を通り、ウェハー118上で反射し、振動ミラー113で反射し、左右に振動させる。振動ミラー113で反射した光はハービングガラス114を通り、受光スリット115から透過した光はディテクター116で電気信号に変換される。電気信号の強弱が倍周波数を検出することでベストフォーカスの位置がわかり、ウェハー118上面でのベストフォーカスからの位置ずれを測定することができる。
【0014】
ステージをx、y水平方向に動かし、この操作を何度も繰り返し、ウェハー面内の数十〜数百点を測定する。この方法により、基板保持部117に付着したパーティクルに超平坦なウェハー118を載せた場合、ウェハー118はたわむ。このたわみ量と、ウェハー面内の平坦度の計算結果とを比較することにより、基板保持部117上のおよその位置にどの程度のパーティクルが付着しているかが分かる。実際の製品を露光処理する前に基板保持部117に付着したパーティクルをこの装置で検出したら、基板保持部117をクリーニングして、フォーカスボケを未然に防ぐ方法が知られている。
【0015】
パーティクルの従来の除去方法としては、アルコール等の溶剤がついた布、専用紙により基板保持部117の上面を拭き取る方法がある。それでも、除去されない場合は油砥石により基板保持部117を研磨し除去する方法がある。
【0016】
【特許文献1】
特開平5−10889号公報
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の従来の技術によれば以下に述べる課題がある。
【0018】
従来の第1の方法では、異なる直行方向により、レーザー光を走査する必要があり光学系が複雑な装置となる。
【0019】
従来の第2の方法では、基板保持部117の上面を検査する時、検査する点が少ない場合、1点の検査領域が大きくなり、検査領域のどの位置にパーティクルが付着しているかを精度良く判別することが困難である。一方、検査する点を多くとり、位置検査面の領域を細かくすると測定する時間が多くかかる。
【0020】
現実においては、測定時間が短い方が優先されるため、パーティクルがあると判断される箇所は広い範囲になる。この場合でも、人がパーティクル除去作業をするには十分である。
【0021】
しかし、パーティクル除去作業は、人が介在するため、基板保持部に対し保持されるべき雰囲気を破ることになる。微細化に伴い露光時での温度、湿度の管理、化学増幅型レジストに影響を与える塩基類の濃度の管理が厳しくなるため、所定の雰囲気に戻すのに時間を要する。また、基板保持部は装置の中心部にあることが多いため、段取りに時間を要する。更に作業が基板保持部の広範囲で行われるため、広い領域からのダストの発生が起こり得る。
【0022】
なお、人がパーティクル除去作業を行うため、速く的確にパーティクルを除去するには各個人のスキルが非常に大きく関係する。
【0023】
そこで、本発明は、従来技術の有する課題を解決するもので、露光装置および露光装置におけるパーティクル除去方法を提供することを目的とする。
【0024】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の露光装置におけるパーティクル除去方法は、露光装置の基板を保持する露光ステージ基板保持部に露光光源からの光を集光させる工程と、露光ステージ基板保持部の所定の位置に露光光源からの光を照射する工程とを備えたことを特徴とする。また、露光光源からの光を照射する工程に加えて、照射と同時または照射直後に高圧ガスを所定の位置に吹き付ける工程を備えたことを特徴とする。
【0025】
本発明の露光装置は、露光光源と、レチクルを装着するレチクル装着ステージと、露光される基板を保持する露光ステージ基板保持部とを備えた露光装置において、露光時に露光ステージ基板保持部上の基板に露光光源からの光を照射するエリアよりも小さく、露光光源からの光を露光ステージ基板保持部に集光させる集光手段を備えたことを特徴とする。
【0026】
また、露光ステージ基板保持部上に高圧ガスを吹き付ける高圧ガス吹き付け手段を備え、パーティクルの除去をアシストする工程を備えている。 以上の構成により、露光ステージ基板保持部上にパーティクルが載っている場合に、パーティクルの位置を調べて、パーティクルを除去するには、集光光学部品を露光の光路に一時的に挿入することにより、露光光源からの光を基板保持部上に集光させ、水平2方向に露光ステージを移動させて、パーティクルの位置に合わせ、露光光源の集光光を照射することによりパーティクルを除去することが可能である。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面を参考にしながら説明する。
【0028】
図1は本発明の一実施形態におけるパーティクル除去装置を備えた露光装置を示した概略図である。図1において、1は露光ステージ、2は投影レンズ、3はレチクルがソーターされるステージ、5は第2コンデンサーレンズ、6は絞り、7は第2フライアイレンズ、8は第1フライアイレンズ、9は第1リレーレンズ、10はNDフィルター、11はレーザー発振器、13,14,15は反射ミラー、21は露光ステージ1上の基板保持部である。これらは一般的な露光装置の構成と同じである。
【0029】
本発明においては、露光ステージ1上のパーティクルを除去するために新たに、露光の光路である露光光軸部から一時的に挿入たり、取り出したりして出し入れが可能な集光光学系4と、露光ステージ基板保持部21上に高圧ガスを吹き付ける高圧ガス吹き付け手段であるエアー吐出管22と、吸引手段である排気ダクト23とを備えている。ここで、24は基板保持部21上にあるパーティクルを表している。
【0030】
以上のように構成された本実施形態の露光装置について、以下その動作について説明する。レーザー発振器11から発振された露光光は、途中、反射ミラー13,14,15で反射され、NDフィルター10、第1リレーレンズ9、第1フライアイレンズ8、第2フライアイレンズ7、絞り6、第2コンデンサーレンズ5、集光光学系4、レチクルがソーターされるステージ3、投影レンズ2を通り、露光ステージ1上の基板保持部21に照射される。
【0031】
ここで、集光手段としての着脱可能な集光光学部品である集光光学系4は、レチクルがソーターされるステージ3よりも露光光源であるレーザー発振器11側に、露光光軸部分に合わせて挿入される。この集光光学系4は、ほぼステージ3のレチクル基板面に露光光を集光させる特徴を有しており、投影レンズ2を通じて、基板保持部21の中央部に露光光が再び集光する。既に何等かの方法で基板保持部21上のどの位置にパーティクル24があると分かっている場合、露光ステージ1を水平に移動させ、露光光が集光する位置をパーティクル24がある位置に合わせることができる。
【0032】
この状態で、露光光源でもあるレーザー発振器11からレーザー光を連続的に発振させる。以下、本発明の露光装置におけるパーティクル除去方法について説明する。
【0033】
一般に露光に使用されているKrFエキシマレーザーは数10Wの出力で繰り返し発振され、発振周波数は数KHzである。およそ1パルスのエネルギーは10mj程度となるが、種々のレンズ等の光学系を通過するとエネルギーが数mjに減衰する。集光面積を例えば、□1mmとすると数百mj/cm2となる。この位のエネルギーを照射すると、1パルスが数10nsec程度の発振時間のため、ピーク出力が数10MW/cm2以上の密度になる。この場合、照射部分では、熱の影響を受けることは少ない。従って、照射部分にパーティクル24があれば溶融するよりもむしろ、物理的に飛ばされるか、化学的な反応が促成され除去される。また、1パルスの照射よりも数〜数10パルス連続でパーティクル24に当てることにより、パーティクルが除去される確率が高くなる。
【0034】
また、パーティクル24が基板保持部21上で広範囲に広がっている場合、レーザー光を発振しながら露光ステージ1をx、y方向にスキャンさせながら移動させると広範囲にレーザー光を照射することができる。
【0035】
また、基板保持部21上のパーティクル24の存在する位置に、レーザー光の照射と同時または照射直後にエアー吐出管22から露光雰囲気と同じ種類で、露光雰囲気純度と同じ純度であるガスを使って基板保持部21上に高圧に吹き付け、露光ステージ基板保持部周辺に設けた吸引手段である排気ダクト23から排気を行うことにより、パーティクル24の除去のアシストを行うことができる。また、基板保持部21付近の雰囲気の汚染を最小限に止めることができる。
【0036】
以上のように本実施形態によれば、基板保持部21付近の雰囲気を壊すことなく、迅速に基板保持部21上のパーティクル24を除去することができる。
【0037】
ここで、高圧ガスの吹き付け手段と吸引手段とを併用したが、どちらか一方でも効果がある。
【0038】
図2は他の実施形態におけるパーティクル除去装置を備えた露光装置を示した概略図である。前記の実施形態では、基板保持部21上のパーティクル24を除去するために、露光光軸部分から出し入れが可能な集光光学系4をレチクルがソーターされるステージ3よりも露光光源であるレーザー発振器11側に配置したが、ここでの実施形態においては、この集光光学系4の替わりに投影レンズ2の露光ステージ1側に集光光学系12を配置している。集光光学系12は露光光を基板保持部21上に集光させる働きを持つ。前記実施形態と同様の動作、作用、効果が得られる。
【0039】
次に基板保持部上に載ったパーティクルの位置を検出する方法について述べる。
【0040】
図3は、基板保持部21上にパーティクル24がある状態で、基板保持部21上にウェハー基板を保持し、ウェハー基板上に露光を行った場合のウェハー基板での露光状態を示す。図3において、120はウェハー基板、121は1つの露光エリア、122はフォーカスがずれてパターンができなかった露光エリアを示す。122が発生する位置は特定されることはなくランダムに発生する。フォーカスのずれの大きさもパーティクルのサイズ、量等により異なる。
【0041】
フォーカスがずれてパターンができない原因としては、ウェハー基板120の裏面または基板保持部21上にパーティクル24が付着するために起こる。
【0042】
図4は図3の状態における断面図である。基板保持部21とウェハー基板120の間にパーティクル24が挟まった状態を示している。パーティクル24の上では、ウェハー基板120はたわみ、パーティクル24がある部分では極小的に平坦度が悪くなる。
【0043】
本実施形態ではこの微少な変位に着目し、正確にパーティクルの位置を特定するものである。図5は、本発明の実施形態の露光装置におけるパーティクル検出モジュールの構成図である。基板保持部21と、透明な膜を塗布した平坦な基板25と、レーザー光源30と、ビームスプリッター26と、レンズ27と、光学変換素子28と、画像処理装置29とから構成されている。
【0044】
検出方法としては、レーザー光源30から出たレーザー光はビームスプリッター26を通り、規則正しいパターン配列を上部に有した平坦な基板25にあたる。平坦な基板25にあたったレーザー光は反射光となって戻り、ビームスプリッター26で反射して、レンズ27を通り、光学変換素子28で電気信号の強弱に置き換えられる。パーティクルがあるところでは、平坦な基板25が極小的にひずむため、干渉縞の濃淡の模様が現れる。この結果は光学変換素子28で変換された電気信号に表れ、画像処理装置29で計算し、パーティクルがある位置を割り出すことができる。
【0045】
以上により、基板保持部21上のパーティクル24の位置を正確に把握することができ、本発明の実施形態における露光装置において必要なパーティクルの場所を提供することができる。
【0046】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、基板保持部にパーティクル等が付着している場合、あるいは基板の平坦度に悪影響を及ぼしている場合に、パーティクルの付着部分を人の手を介さず集中的に、迅速にかつ、露光雰囲気を破壊、汚染せずにクリーニングすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態におけるパーティクル除去装置を備えた露光装置を示した概略図
【図2】本発明の他の実施形態におけるパーティクル除去装置を備えた露光装置を示した概略図
【図3】基板保持部にパーティクルが付着した時のウェハー基板を示した状態図
【図4】基板保持部上にパーティクルが付着した場合の断面図
【図5】本発明の実施形態の露光装置におけるパーティクル検出モジュールの構成図
【図6】従来の露光装置における異物検出装置の概略図
【図7】他の従来の露光装置における異物検出装置の概略図
【符号の説明】
1 露光ステージ
3 レチクルがソーターされるステージ
4 集光光学系
11 レーザー発振器
21 基板保持部
22 エアー吐出管
23 排気ダクト
24 パーティクル
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光ステージにウェハー等の基板を保持する基板保持部等に付着したパーティクルや異物を除去する方法およびそれに用いる半導体製造装置、特に半導体露光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造用の露光装置においては、光源の光によって露光用のマスクに照射し、その照射されたマスクのパターンの像をウェハー等の基板上のフォトレジストに投影して露光する。
【0003】
半導体素子の微細化、高集積化が進むにつれて、高精度の半導体露光装置が要求されるようになった。ウェハー等の基板保持部においても、ウェハーに接触する基板保持面の表面は高い平面度をもって形成され、これに吸着される基板の平坦度を矯正するようになっている。そして、LSIを製造する際には、何種類ものマスクのパターンを基板上に露光することを要し、同じ基板の同じ位置に別の種類のマスクのパターンを露光することになるので、基板上のアライメントマークとマスクのアライメントマークを位置決めした後に露光が行われている。
【0004】
しかし、パーティクルや異物が基板保持部上に付着している場合、このパーティクルのために、ウェハーは部分的に凸状になり、局所的に平坦度が悪くなる。また、この場合にパーティクル等の付着によって凸状となった部分では、ウェハー面内方向に位置ズレが発生することになる。従って、露光時あるいはアライメント時にこのような位置ズレが生じることによって、オーバーレイ(重ね合わせ)精度に悪い影響を及ぼす。
【0005】
また、一方で、半導体素子の微細化が進められ、露光時の解像力が向上させられている。そのため、高開口数(NA)の投影レンズを使用するので、フォーカスマージンが少なくなってきている。特に0.25μmルールのデバイスでは、フォーカスマージンは1.0μm以下になっている。
【0006】
基板保持部にサブミクロンのパーティクルが付着しておれば、ウェハーがたわみ、露光ショット内領域で極小フラットが保てなくなり、フォーカスボケが生じ、所望のパターンが形成されない現象が生じる。
【0007】
このような問題点を解決する手段としては、ウェハー及び基板保持部の異物の検出を露光前に行うようにした半導体基板の露光装置が知られている。
【0008】
図6は、従来の第1の異物検出装置の概略図であり、異物を検出するためのレーザー光を発生するレーザー光源43と、ビームスプリッター41と、回転軸により回転自在な反射ミラー40と、異物により反射した散乱光を検出する光電変換素子42とから構成されている(例えば特許文献1)。
【0009】
検出方法としては、レーザー光源43から発振されたレーザー光をビームスプリッター41及び反射ミラー40を経て、ウェハーチャック1の表面に対して水平に照射させ、この照射において、反射ミラー40を回転軸により回転させるか、ウェハーチャック1を水平に移動させることによって、レーザー光を検査面全体に走査させる。これにより異物が付着している場合には、この異物によってレーザー光が散乱することとなり、この散乱光を反射ミラー40及びビームスプリッター41を経て光電変換素子42で検出することによって異物を検出している。
【0010】
また、検査面のどの位置にゴミが付着しているかを判別するには、異なる直行方向よりレーザーを走査させる必要があり、機構的に複雑となる。
【0011】
現在では、露光ステージ上の異物の検出は、フラットなウェハーを用いて、一般的に次のような方法で行っている。
【0012】
図7は、半導体露光装置における従来の第2の異物検出装置の概略図であり、非常に平坦なウェハー118を基板保持部117の上に載せてフォーカスセンサーによって基板の局所的凹凸を計測するものである。フォーカスセンサーは、ハロゲンランプ111と、送光スリット112と、振動ミラー113と、ハービングガラス114と、受光スリット115と、ディテクター116とで構成されている。
【0013】
検出方法としては、ハロゲンランプ111から送られた光は送光スリット112を通り、ウェハー118上で反射し、振動ミラー113で反射し、左右に振動させる。振動ミラー113で反射した光はハービングガラス114を通り、受光スリット115から透過した光はディテクター116で電気信号に変換される。電気信号の強弱が倍周波数を検出することでベストフォーカスの位置がわかり、ウェハー118上面でのベストフォーカスからの位置ずれを測定することができる。
【0014】
ステージをx、y水平方向に動かし、この操作を何度も繰り返し、ウェハー面内の数十〜数百点を測定する。この方法により、基板保持部117に付着したパーティクルに超平坦なウェハー118を載せた場合、ウェハー118はたわむ。このたわみ量と、ウェハー面内の平坦度の計算結果とを比較することにより、基板保持部117上のおよその位置にどの程度のパーティクルが付着しているかが分かる。実際の製品を露光処理する前に基板保持部117に付着したパーティクルをこの装置で検出したら、基板保持部117をクリーニングして、フォーカスボケを未然に防ぐ方法が知られている。
【0015】
パーティクルの従来の除去方法としては、アルコール等の溶剤がついた布、専用紙により基板保持部117の上面を拭き取る方法がある。それでも、除去されない場合は油砥石により基板保持部117を研磨し除去する方法がある。
【0016】
【特許文献1】
特開平5−10889号公報
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の従来の技術によれば以下に述べる課題がある。
【0018】
従来の第1の方法では、異なる直行方向により、レーザー光を走査する必要があり光学系が複雑な装置となる。
【0019】
従来の第2の方法では、基板保持部117の上面を検査する時、検査する点が少ない場合、1点の検査領域が大きくなり、検査領域のどの位置にパーティクルが付着しているかを精度良く判別することが困難である。一方、検査する点を多くとり、位置検査面の領域を細かくすると測定する時間が多くかかる。
【0020】
現実においては、測定時間が短い方が優先されるため、パーティクルがあると判断される箇所は広い範囲になる。この場合でも、人がパーティクル除去作業をするには十分である。
【0021】
しかし、パーティクル除去作業は、人が介在するため、基板保持部に対し保持されるべき雰囲気を破ることになる。微細化に伴い露光時での温度、湿度の管理、化学増幅型レジストに影響を与える塩基類の濃度の管理が厳しくなるため、所定の雰囲気に戻すのに時間を要する。また、基板保持部は装置の中心部にあることが多いため、段取りに時間を要する。更に作業が基板保持部の広範囲で行われるため、広い領域からのダストの発生が起こり得る。
【0022】
なお、人がパーティクル除去作業を行うため、速く的確にパーティクルを除去するには各個人のスキルが非常に大きく関係する。
【0023】
そこで、本発明は、従来技術の有する課題を解決するもので、露光装置および露光装置におけるパーティクル除去方法を提供することを目的とする。
【0024】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の露光装置におけるパーティクル除去方法は、露光装置の基板を保持する露光ステージ基板保持部に露光光源からの光を集光させる工程と、露光ステージ基板保持部の所定の位置に露光光源からの光を照射する工程とを備えたことを特徴とする。また、露光光源からの光を照射する工程に加えて、照射と同時または照射直後に高圧ガスを所定の位置に吹き付ける工程を備えたことを特徴とする。
【0025】
本発明の露光装置は、露光光源と、レチクルを装着するレチクル装着ステージと、露光される基板を保持する露光ステージ基板保持部とを備えた露光装置において、露光時に露光ステージ基板保持部上の基板に露光光源からの光を照射するエリアよりも小さく、露光光源からの光を露光ステージ基板保持部に集光させる集光手段を備えたことを特徴とする。
【0026】
また、露光ステージ基板保持部上に高圧ガスを吹き付ける高圧ガス吹き付け手段を備え、パーティクルの除去をアシストする工程を備えている。 以上の構成により、露光ステージ基板保持部上にパーティクルが載っている場合に、パーティクルの位置を調べて、パーティクルを除去するには、集光光学部品を露光の光路に一時的に挿入することにより、露光光源からの光を基板保持部上に集光させ、水平2方向に露光ステージを移動させて、パーティクルの位置に合わせ、露光光源の集光光を照射することによりパーティクルを除去することが可能である。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面を参考にしながら説明する。
【0028】
図1は本発明の一実施形態におけるパーティクル除去装置を備えた露光装置を示した概略図である。図1において、1は露光ステージ、2は投影レンズ、3はレチクルがソーターされるステージ、5は第2コンデンサーレンズ、6は絞り、7は第2フライアイレンズ、8は第1フライアイレンズ、9は第1リレーレンズ、10はNDフィルター、11はレーザー発振器、13,14,15は反射ミラー、21は露光ステージ1上の基板保持部である。これらは一般的な露光装置の構成と同じである。
【0029】
本発明においては、露光ステージ1上のパーティクルを除去するために新たに、露光の光路である露光光軸部から一時的に挿入たり、取り出したりして出し入れが可能な集光光学系4と、露光ステージ基板保持部21上に高圧ガスを吹き付ける高圧ガス吹き付け手段であるエアー吐出管22と、吸引手段である排気ダクト23とを備えている。ここで、24は基板保持部21上にあるパーティクルを表している。
【0030】
以上のように構成された本実施形態の露光装置について、以下その動作について説明する。レーザー発振器11から発振された露光光は、途中、反射ミラー13,14,15で反射され、NDフィルター10、第1リレーレンズ9、第1フライアイレンズ8、第2フライアイレンズ7、絞り6、第2コンデンサーレンズ5、集光光学系4、レチクルがソーターされるステージ3、投影レンズ2を通り、露光ステージ1上の基板保持部21に照射される。
【0031】
ここで、集光手段としての着脱可能な集光光学部品である集光光学系4は、レチクルがソーターされるステージ3よりも露光光源であるレーザー発振器11側に、露光光軸部分に合わせて挿入される。この集光光学系4は、ほぼステージ3のレチクル基板面に露光光を集光させる特徴を有しており、投影レンズ2を通じて、基板保持部21の中央部に露光光が再び集光する。既に何等かの方法で基板保持部21上のどの位置にパーティクル24があると分かっている場合、露光ステージ1を水平に移動させ、露光光が集光する位置をパーティクル24がある位置に合わせることができる。
【0032】
この状態で、露光光源でもあるレーザー発振器11からレーザー光を連続的に発振させる。以下、本発明の露光装置におけるパーティクル除去方法について説明する。
【0033】
一般に露光に使用されているKrFエキシマレーザーは数10Wの出力で繰り返し発振され、発振周波数は数KHzである。およそ1パルスのエネルギーは10mj程度となるが、種々のレンズ等の光学系を通過するとエネルギーが数mjに減衰する。集光面積を例えば、□1mmとすると数百mj/cm2となる。この位のエネルギーを照射すると、1パルスが数10nsec程度の発振時間のため、ピーク出力が数10MW/cm2以上の密度になる。この場合、照射部分では、熱の影響を受けることは少ない。従って、照射部分にパーティクル24があれば溶融するよりもむしろ、物理的に飛ばされるか、化学的な反応が促成され除去される。また、1パルスの照射よりも数〜数10パルス連続でパーティクル24に当てることにより、パーティクルが除去される確率が高くなる。
【0034】
また、パーティクル24が基板保持部21上で広範囲に広がっている場合、レーザー光を発振しながら露光ステージ1をx、y方向にスキャンさせながら移動させると広範囲にレーザー光を照射することができる。
【0035】
また、基板保持部21上のパーティクル24の存在する位置に、レーザー光の照射と同時または照射直後にエアー吐出管22から露光雰囲気と同じ種類で、露光雰囲気純度と同じ純度であるガスを使って基板保持部21上に高圧に吹き付け、露光ステージ基板保持部周辺に設けた吸引手段である排気ダクト23から排気を行うことにより、パーティクル24の除去のアシストを行うことができる。また、基板保持部21付近の雰囲気の汚染を最小限に止めることができる。
【0036】
以上のように本実施形態によれば、基板保持部21付近の雰囲気を壊すことなく、迅速に基板保持部21上のパーティクル24を除去することができる。
【0037】
ここで、高圧ガスの吹き付け手段と吸引手段とを併用したが、どちらか一方でも効果がある。
【0038】
図2は他の実施形態におけるパーティクル除去装置を備えた露光装置を示した概略図である。前記の実施形態では、基板保持部21上のパーティクル24を除去するために、露光光軸部分から出し入れが可能な集光光学系4をレチクルがソーターされるステージ3よりも露光光源であるレーザー発振器11側に配置したが、ここでの実施形態においては、この集光光学系4の替わりに投影レンズ2の露光ステージ1側に集光光学系12を配置している。集光光学系12は露光光を基板保持部21上に集光させる働きを持つ。前記実施形態と同様の動作、作用、効果が得られる。
【0039】
次に基板保持部上に載ったパーティクルの位置を検出する方法について述べる。
【0040】
図3は、基板保持部21上にパーティクル24がある状態で、基板保持部21上にウェハー基板を保持し、ウェハー基板上に露光を行った場合のウェハー基板での露光状態を示す。図3において、120はウェハー基板、121は1つの露光エリア、122はフォーカスがずれてパターンができなかった露光エリアを示す。122が発生する位置は特定されることはなくランダムに発生する。フォーカスのずれの大きさもパーティクルのサイズ、量等により異なる。
【0041】
フォーカスがずれてパターンができない原因としては、ウェハー基板120の裏面または基板保持部21上にパーティクル24が付着するために起こる。
【0042】
図4は図3の状態における断面図である。基板保持部21とウェハー基板120の間にパーティクル24が挟まった状態を示している。パーティクル24の上では、ウェハー基板120はたわみ、パーティクル24がある部分では極小的に平坦度が悪くなる。
【0043】
本実施形態ではこの微少な変位に着目し、正確にパーティクルの位置を特定するものである。図5は、本発明の実施形態の露光装置におけるパーティクル検出モジュールの構成図である。基板保持部21と、透明な膜を塗布した平坦な基板25と、レーザー光源30と、ビームスプリッター26と、レンズ27と、光学変換素子28と、画像処理装置29とから構成されている。
【0044】
検出方法としては、レーザー光源30から出たレーザー光はビームスプリッター26を通り、規則正しいパターン配列を上部に有した平坦な基板25にあたる。平坦な基板25にあたったレーザー光は反射光となって戻り、ビームスプリッター26で反射して、レンズ27を通り、光学変換素子28で電気信号の強弱に置き換えられる。パーティクルがあるところでは、平坦な基板25が極小的にひずむため、干渉縞の濃淡の模様が現れる。この結果は光学変換素子28で変換された電気信号に表れ、画像処理装置29で計算し、パーティクルがある位置を割り出すことができる。
【0045】
以上により、基板保持部21上のパーティクル24の位置を正確に把握することができ、本発明の実施形態における露光装置において必要なパーティクルの場所を提供することができる。
【0046】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、基板保持部にパーティクル等が付着している場合、あるいは基板の平坦度に悪影響を及ぼしている場合に、パーティクルの付着部分を人の手を介さず集中的に、迅速にかつ、露光雰囲気を破壊、汚染せずにクリーニングすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態におけるパーティクル除去装置を備えた露光装置を示した概略図
【図2】本発明の他の実施形態におけるパーティクル除去装置を備えた露光装置を示した概略図
【図3】基板保持部にパーティクルが付着した時のウェハー基板を示した状態図
【図4】基板保持部上にパーティクルが付着した場合の断面図
【図5】本発明の実施形態の露光装置におけるパーティクル検出モジュールの構成図
【図6】従来の露光装置における異物検出装置の概略図
【図7】他の従来の露光装置における異物検出装置の概略図
【符号の説明】
1 露光ステージ
3 レチクルがソーターされるステージ
4 集光光学系
11 レーザー発振器
21 基板保持部
22 エアー吐出管
23 排気ダクト
24 パーティクル
Claims (10)
- 露光装置の基板を保持する露光ステージ基板保持部に露光光源からの光を集光させる工程と、前記露光ステージ基板保持部の所定の位置に前記露光光源からの光を照射する工程とを備えたことを特徴とする露光装置におけるパーティクル除去方法。
- 露光光源からの光を露光ステージ基板保持部上に集光させる工程における前記露光ステージ基板保持部上のエネルギーが数百mj/cm2以上であり、前記露光ステージ基板保持部の所定の位置はパーティクルの存在が既知である領域を含むことを特徴とする請求項1記載の露光装置におけるパーティクル除去方法。
- 露光ステージの所定の位置に前記露光光源からの光を照射する工程に加えて、照射と同時または照射直後に高圧ガスを前記所定の位置に吹き付ける工程を備えたことを特徴とする請求項1記載の露光装置におけるパーティクル除去方法。
- 高圧ガスが露光雰囲気と同じ気体であり、前記高圧ガスの純度が前記露光雰囲気純度と同じであることを特徴とする請求項3記載の露光装置におけるパーティクル除去方法。
- 露光光源と、レチクルを装着するレチクル装着ステージと、露光される基板を保持する露光ステージ基板保持部とを備えた露光装置において、露光時に前記露光ステージ基板保持部上の前記基板に前記露光光源からの光を照射するエリアよりも小さく、前記露光光源からの光を前記露光ステージ基板保持部に集光させる集光手段を備えたことを特徴とする露光装置。
- 集光手段を、露光光源とレチクル装着ステージの間の位置に備えたことを特徴とする請求項5記載の露光装置。
- 集光手段を、レチクル装着ステージと露光ステージ基板保持部の間の位置に備えたことを特徴とする請求項5記載の露光装置。
- 集光手段は、着脱可能な集光光学部品であることを特徴とする請求項6または7記載の露光装置。
- 露光ステージ基板保持部上に高圧ガスを吹き付ける高圧ガス吹き付け手段を備えたことを特徴とする請求項5乃至8のいずれかに記載の露光装置。
- 露光ステージ基板保持部周辺に吸引手段を備えたことを特徴とする請求項5乃至9のいずれかに記載の露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003163628A JP2005005291A (ja) | 2003-06-09 | 2003-06-09 | 露光装置および露光装置におけるパーティクル除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003163628A JP2005005291A (ja) | 2003-06-09 | 2003-06-09 | 露光装置および露光装置におけるパーティクル除去方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005005291A true JP2005005291A (ja) | 2005-01-06 |
Family
ID=34090693
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003163628A Pending JP2005005291A (ja) | 2003-06-09 | 2003-06-09 | 露光装置および露光装置におけるパーティクル除去方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005005291A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101053450B1 (ko) * | 2008-09-26 | 2011-08-03 | 참엔지니어링(주) | 마스크 리페어 장치 및 방법 |
KR101086306B1 (ko) * | 2009-12-09 | 2011-11-23 | 참엔지니어링(주) | 마스크 리페어 장치 |
JP2022501634A (ja) * | 2018-09-24 | 2022-01-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | プロセスツール及び検査方法 |
-
2003
- 2003-06-09 JP JP2003163628A patent/JP2005005291A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101053450B1 (ko) * | 2008-09-26 | 2011-08-03 | 참엔지니어링(주) | 마스크 리페어 장치 및 방법 |
KR101086306B1 (ko) * | 2009-12-09 | 2011-11-23 | 참엔지니어링(주) | 마스크 리페어 장치 |
JP2022501634A (ja) * | 2018-09-24 | 2022-01-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | プロセスツール及び検査方法 |
JP7252322B2 (ja) | 2018-09-24 | 2023-04-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | プロセスツール及び検査方法 |
US11720032B2 (en) | 2018-09-24 | 2023-08-08 | Asml Netherlands B.V. | Process tool and an inspection method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100748449B1 (ko) | 리소그래피장치, 장치의 세정방법, 디바이스 제조방법 및 그 제조된 디바이스 | |
US8059257B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
JP2001144013A (ja) | リトグラフ投影装置 | |
TWI489196B (zh) | Flash measurement mask, flash measurement method, and exposure method | |
JPH11162831A (ja) | 投影露光装置及び投影露光方法 | |
JPS58120155A (ja) | レチクル異物検出装置 | |
JPH0815169A (ja) | 異物検査装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造 方法 | |
US7379151B2 (en) | Exposure apparatus comprising cleaning apparatus for cleaning mask with laser beam | |
JP3395797B2 (ja) | 露光装置 | |
JPH0735698A (ja) | 像読取り装置、表面状態検査装置及び該装置を備える露光装置 | |
JP2005005291A (ja) | 露光装置および露光装置におけるパーティクル除去方法 | |
TW505975B (en) | Aligner | |
JPH0777188B2 (ja) | 加工装置 | |
JP3787531B2 (ja) | 露光方法及び装置 | |
JP2004165218A (ja) | 露光装置 | |
JPH08321457A (ja) | 露光装置 | |
KR20010083591A (ko) | 스텝퍼의 파티클 제거 장치 | |
JP2014071208A (ja) | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP2006013266A (ja) | 計測方法、露光方法、及び露光装置 | |
JP2002050563A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JPH1116819A (ja) | 露光方法および基板ホルダ | |
KR100416660B1 (ko) | 노광시스템의 페리클 검사장치 | |
JPS63241927A (ja) | マスク検査方法 | |
JP2006024681A (ja) | 位置計測装置及び方法並びに露光装置及び方法 | |
KR100641579B1 (ko) | 파티클을 제거할 수 있는 노광장치 |