JP2001144013A - リトグラフ投影装置 - Google Patents
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 支持面と基板背面との間に存在する汚染粒子
による焦点エラーおよびオーバーレイ・エラーを防止す
ること。 【解決手段】 放射投影ビームＰＢを供給するための放
射装置ＬＡ、ＥＸ、ＩＮ、ＣＯと、マスクＭＡを保持す
るための第一の物品テーブルＭＴと、基板Ｗを支持およ
び保持するための支持面を有する第二の物品テーブルＷ
Ｔと、マスクＭＡの放射された部分を基板Ｗの目標部分
に画像形成するための投影装置ＰＬとを備え、支持面お
よび基板の背面の一方または両方上の汚染の存在を検出
するように構成、配置された汚染検出手段を有すること
を特徴とするリトグラフ投影装置。
による焦点エラーおよびオーバーレイ・エラーを防止す
ること。 【解決手段】 放射投影ビームＰＢを供給するための放
射装置ＬＡ、ＥＸ、ＩＮ、ＣＯと、マスクＭＡを保持す
るための第一の物品テーブルＭＴと、基板Ｗを支持およ
び保持するための支持面を有する第二の物品テーブルＷ
Ｔと、マスクＭＡの放射された部分を基板Ｗの目標部分
に画像形成するための投影装置ＰＬとを備え、支持面お
よび基板の背面の一方または両方上の汚染の存在を検出
するように構成、配置された汚染検出手段を有すること
を特徴とするリトグラフ投影装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、汚染検出手段に関
し、特に、放射投影ビームを供給するための照明装置
と、マスクを保持するための第一の物品テーブルと、背
面で基板を支持して、保持するための支持面を有する第
二の物品テーブルと、基板の目標部分にマスクの放射さ
れた部分を画像形成するための投影装置とを有するリト
グラフ投影装置における汚染検出手段に関するものであ
る。
し、特に、放射投影ビームを供給するための照明装置
と、マスクを保持するための第一の物品テーブルと、背
面で基板を支持して、保持するための支持面を有する第
二の物品テーブルと、基板の目標部分にマスクの放射さ
れた部分を画像形成するための投影装置とを有するリト
グラフ投影装置における汚染検出手段に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】この形式の装置は、例えば、集積回路
（ＩＣ）の製造の際に使用することができる。そのよう
な場合、マスク（レチクル）は、集積回路の個々の層に
対応する回路パターン（模様）を含むことができ、この
パターンを、頂面における放射感知材料（レジスト）の
層で被覆された基板（シリコン・ウェーハ）上の一また
はそれ以上のダイを含む目標部分に画像形成することが
できる。通常、一つのウェーハは、一度に一つずつ連続
的に放射される、隣接する目標部分の全ネットワークを
含む。あるタイプのリトグラフ投影装置の場合には、各
目標部分は、一回で目標部分に全レチクル・パターンを
露出することにより放射される。このような装置は、通
常、ウェーハ・ステッパと呼ばれる。通常、ステップ・
アンド・スキャン装置と呼ばれる別の装置の場合には、
各目標部分は、所与の基準方向（走査方向）に平行に、
または平行ではない方向にウェーハ・テーブルを同期状
態で走査しながら、前記所与の基準方向に、放射ビーム
の下でレチクル・パターンを逐次放射することにより放
射される。通常、投影装置は、倍率Ｍ（通常、＜１）を
有するので、ウェーハ・テーブルが走査される速度ν
は、レチクル・テーブルが走査される速度に倍率Ｍを掛
けたものである。本明細書に記載するリトグラフ装置の
詳細については、国際特許出願ＷＯ９７／３３２０５を
参照されたい。
（ＩＣ）の製造の際に使用することができる。そのよう
な場合、マスク（レチクル）は、集積回路の個々の層に
対応する回路パターン（模様）を含むことができ、この
パターンを、頂面における放射感知材料（レジスト）の
層で被覆された基板（シリコン・ウェーハ）上の一また
はそれ以上のダイを含む目標部分に画像形成することが
できる。通常、一つのウェーハは、一度に一つずつ連続
的に放射される、隣接する目標部分の全ネットワークを
含む。あるタイプのリトグラフ投影装置の場合には、各
目標部分は、一回で目標部分に全レチクル・パターンを
露出することにより放射される。このような装置は、通
常、ウェーハ・ステッパと呼ばれる。通常、ステップ・
アンド・スキャン装置と呼ばれる別の装置の場合には、
各目標部分は、所与の基準方向（走査方向）に平行に、
または平行ではない方向にウェーハ・テーブルを同期状
態で走査しながら、前記所与の基準方向に、放射ビーム
の下でレチクル・パターンを逐次放射することにより放
射される。通常、投影装置は、倍率Ｍ（通常、＜１）を
有するので、ウェーハ・テーブルが走査される速度ν
は、レチクル・テーブルが走査される速度に倍率Ｍを掛
けたものである。本明細書に記載するリトグラフ装置の
詳細については、国際特許出願ＷＯ９７／３３２０５を
参照されたい。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】通常、この形式の装置
は、単一の第一の物品（マスク）テーブル、および単一
の第二の物品（基板）テーブルを有する。しかし、少な
くとも二つの独立して運動することのできる基板テーブ
ルのある機械が入手できるようになりつつある。例え
ば、国際特許出願ＷＯ９８／２８６６５、およびＷＯ９
８／４０７９１に記載されている多段装置を参照された
い。このような多段装置の基本的な動作原理は、第一の
基板テーブルが、該第一の前記テーブル上に位置する第
一の基板を露出することのできるように投影装置の下に
位置していて、第二の基板テーブルが、装填位置に移動
することができ、露出した基板を放出し、新しい基板を
取り上げ、新しい基板上にいくつかの最初の計測ステッ
プ（段階）を実行し、その後、第一の基板の露出が完了
するや否や、この新しい基板を投影装置の下の露出位置
に送るために待機するというものである。このサイクル
は反復して行われる。このようにして、機械の処理能力
をかなり向上させることができ、それにより、機械の維
持費を改善することができる。
は、単一の第一の物品（マスク）テーブル、および単一
の第二の物品（基板）テーブルを有する。しかし、少な
くとも二つの独立して運動することのできる基板テーブ
ルのある機械が入手できるようになりつつある。例え
ば、国際特許出願ＷＯ９８／２８６６５、およびＷＯ９
８／４０７９１に記載されている多段装置を参照された
い。このような多段装置の基本的な動作原理は、第一の
基板テーブルが、該第一の前記テーブル上に位置する第
一の基板を露出することのできるように投影装置の下に
位置していて、第二の基板テーブルが、装填位置に移動
することができ、露出した基板を放出し、新しい基板を
取り上げ、新しい基板上にいくつかの最初の計測ステッ
プ（段階）を実行し、その後、第一の基板の露出が完了
するや否や、この新しい基板を投影装置の下の露出位置
に送るために待機するというものである。このサイクル
は反復して行われる。このようにして、機械の処理能力
をかなり向上させることができ、それにより、機械の維
持費を改善することができる。
【０００４】リトグラフ装置は、例えば、紫外線（Ｕ
Ｖ）、極紫外線、Ｘ線、イオン・ビームまたは電子ビー
ムのような各種タイプの投影放射を用いることができ
る。使用する放射タイプにより、また、装置の特定の設
計要件により、投影装置は、例えば、屈折性のものであ
っても、反射性のものであっても、または反射屈折性の
ものであってもよく、また、すれすれの入射ミラー、選
択的多層被覆、磁界および／または静電界レンズ等のよ
うな各種構成部材を具備できる。説明を簡単にするため
に、本明細書では、前記構成部材の一つまたは全体を単
に「レンズ」と呼ぶことにする。装置は、真空中で動作
する構成部材、すなわち、真空互換性の構成部材を有す
ることができる。
Ｖ）、極紫外線、Ｘ線、イオン・ビームまたは電子ビー
ムのような各種タイプの投影放射を用いることができ
る。使用する放射タイプにより、また、装置の特定の設
計要件により、投影装置は、例えば、屈折性のものであ
っても、反射性のものであっても、または反射屈折性の
ものであってもよく、また、すれすれの入射ミラー、選
択的多層被覆、磁界および／または静電界レンズ等のよ
うな各種構成部材を具備できる。説明を簡単にするため
に、本明細書では、前記構成部材の一つまたは全体を単
に「レンズ」と呼ぶことにする。装置は、真空中で動作
する構成部材、すなわち、真空互換性の構成部材を有す
ることができる。
【０００５】基板を基板テーブルの支持面上に装填し
て、支持面と基板の背面との間の空間に真空にすると、
支持面に対して基板が吸引され得る。この方法の場合に
は、基板の形状は支持面により決まる。支持面に対して
ほぼ直角なマトリックス（行列）配置の突起を支持面に
設けることができ、それにより、基板の背面は突起の頂
部が形成する接触面上に位置する。かくして、基板の形
状は、同じ平面上に位置する全ての接触面により定ま
る。支持面と基板の背面との間に汚染粒子が存在する場
合には、基板の形は、支持面の形だけではなく、汚染粒
子によっても影響を受ける。汚染は、基板に許容できな
い変形を与える恐れがあり、この変形により、基板の頂
面にマスクのパターンを画像形成する場合に、焦点エラ
ーおよびオーバーレイ・エラー（重ね合わせエラー）を
引き起こす恐れがある。これらのエラーが発生すると、
製造した基板は不合格となり、そのため、リトグラフ装
置の処理能力が低下し、そのため、維持費が増大するこ
とになる。
て、支持面と基板の背面との間の空間に真空にすると、
支持面に対して基板が吸引され得る。この方法の場合に
は、基板の形状は支持面により決まる。支持面に対して
ほぼ直角なマトリックス（行列）配置の突起を支持面に
設けることができ、それにより、基板の背面は突起の頂
部が形成する接触面上に位置する。かくして、基板の形
状は、同じ平面上に位置する全ての接触面により定ま
る。支持面と基板の背面との間に汚染粒子が存在する場
合には、基板の形は、支持面の形だけではなく、汚染粒
子によっても影響を受ける。汚染は、基板に許容できな
い変形を与える恐れがあり、この変形により、基板の頂
面にマスクのパターンを画像形成する場合に、焦点エラ
ーおよびオーバーレイ・エラー（重ね合わせエラー）を
引き起こす恐れがある。これらのエラーが発生すると、
製造した基板は不合格となり、そのため、リトグラフ装
置の処理能力が低下し、そのため、維持費が増大するこ
とになる。
【０００６】本発明の目的は、支持面と基板の背面との
間に存在する汚染粒子による焦点エラーおよびオーバー
レイ・エラーを防ぐことである。これらの目的および他
の目的は、支持面および基板の背面の一方または両方に
おける汚染の存在を検出するように構成、配置された汚
染検出手段を有することを特徴とする、冒頭で説明した
装置により達成することができる。
間に存在する汚染粒子による焦点エラーおよびオーバー
レイ・エラーを防ぐことである。これらの目的および他
の目的は、支持面および基板の背面の一方または両方に
おける汚染の存在を検出するように構成、配置された汚
染検出手段を有することを特徴とする、冒頭で説明した
装置により達成することができる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】支持面の汚染を検出する
ことによって、汚染による焦点エラーおよびオーバーレ
イ・エラーの発生が予想される支持面の清掃を始めるこ
とができる。基板背面の汚染の存在を検出することによ
り、汚染が支持面にまで及ばないように、汚染した基板
を使用しないようにすることができる。両方法で、製造
基板の不合格が少なくなり、装置の維持費が改善され
る。
ことによって、汚染による焦点エラーおよびオーバーレ
イ・エラーの発生が予想される支持面の清掃を始めるこ
とができる。基板背面の汚染の存在を検出することによ
り、汚染が支持面にまで及ばないように、汚染した基板
を使用しないようにすることができる。両方法で、製造
基板の不合格が少なくなり、装置の維持費が改善され
る。
【０００８】本発明の第一例では、前記汚染検出手段
が、前記支持面に置かれた基板の表面形状を検出するよ
うに構成、配置された平面感知手段と、少なくとも二つ
の基板の表面形状を記憶するためのデータ記憶装置と、
前記データ記憶装置に記憶している少なくとも二つの基
板の表面形状を比較して、前記支持面上の汚染の存在を
示す類似位置の前記基板の表面形状の反復変形を認識す
るようになっている処理手段とを有する。
が、前記支持面に置かれた基板の表面形状を検出するよ
うに構成、配置された平面感知手段と、少なくとも二つ
の基板の表面形状を記憶するためのデータ記憶装置と、
前記データ記憶装置に記憶している少なくとも二つの基
板の表面形状を比較して、前記支持面上の汚染の存在を
示す類似位置の前記基板の表面形状の反復変形を認識す
るようになっている処理手段とを有する。
【０００９】このようにして、支持面の汚染を検出する
ために、装置に設けた平面感知手段を使用することがで
きる。このような平面感知手段は、前記支持面上に置か
れた基板の表面形状を検出することができ、露出中、基
板が投影装置の焦点面内に位置するように基板の高さと
傾斜を調整するために、前記表面形状を用いることがで
きる。一つ以上の基板の表面形状が、類似位置で変形を
起こしている場合には、該変形は、その位置における支
持面の汚染を示している。何故なら、汚染は、支持面上
に置かれる全ての基板を変形させるからである。
ために、装置に設けた平面感知手段を使用することがで
きる。このような平面感知手段は、前記支持面上に置か
れた基板の表面形状を検出することができ、露出中、基
板が投影装置の焦点面内に位置するように基板の高さと
傾斜を調整するために、前記表面形状を用いることがで
きる。一つ以上の基板の表面形状が、類似位置で変形を
起こしている場合には、該変形は、その位置における支
持面の汚染を示している。何故なら、汚染は、支持面上
に置かれる全ての基板を変形させるからである。
【００１０】本発明の別の例では、汚染検出手段は、前
記支持面上の汚染位置を検出することができる。リトグ
ラフ装置は、前記支持面に対して、前記汚染位置に移動
することができ、汚染位置を清掃することができる清掃
具を備える。このようにして、前記支持面上の特定の位
置で検出した汚染は、清掃具によって、その場で清掃す
ることができ、処理量の低下を防ぐことができる。何故
なら、装置を分解、点検、掃除して元通りに組み立てる
には、長い時間がかかり、その間装置を使用できないと
ころ、このような事態が防止されるからである。特定の
汚染位置のその場での清掃には、支持面全体を清掃する
必要がないという別の利点がある。支持面全体を清掃す
ると、清掃具および支持面が摩耗する。
記支持面上の汚染位置を検出することができる。リトグ
ラフ装置は、前記支持面に対して、前記汚染位置に移動
することができ、汚染位置を清掃することができる清掃
具を備える。このようにして、前記支持面上の特定の位
置で検出した汚染は、清掃具によって、その場で清掃す
ることができ、処理量の低下を防ぐことができる。何故
なら、装置を分解、点検、掃除して元通りに組み立てる
には、長い時間がかかり、その間装置を使用できないと
ころ、このような事態が防止されるからである。特定の
汚染位置のその場での清掃には、支持面全体を清掃する
必要がないという別の利点がある。支持面全体を清掃す
ると、清掃具および支持面が摩耗する。
【００１１】さらに別の例では、清掃具は、清掃面を持
つ清掃ブロックを備え、支持面の上に置かれた場合、そ
の清掃面を支持面に押しつけた状態で、支持面に平行
に、同一平面内を移動できるように構成、配置されてい
る。このような清掃具は、支持面を研磨清掃することに
より汚染を極めて効果的に除去する。清掃具および第二
の物品テーブルは、支持面が移動し、清掃ブロックが汚
染位置に対して固定状態に保持されるように、または第
二の物品テーブルが、固定状態に保持されていて、清掃
ブロックが移動するように構成し配置することができ
る。また、第二の物品テーブルと清掃ブロックの両方を
移動するのも有利な方法である。清掃ブロックは、例え
ば、アルミナおよび酸化チタンのようなセラミック材料
を含むこともできる。清掃ブロックは、静電荷が清掃ブ
ロックおよび支持面上に蓄積しないように、少なくとも
部分的に導電性にすることができる。そうすることによ
り、支持面と清掃ブロックとの間の静電荷による引力は
起こらない。清掃面の粗さは、０．１μｍ以下であるこ
とが望ましい。表面粗さは、清掃面の実際の表面形状
と、清掃面の表面形状の平均との間の絶対的な距離の平
均値により表わされる。このような粗さは、汚染を清掃
するには十分であるが、支持面は損傷しない。
つ清掃ブロックを備え、支持面の上に置かれた場合、そ
の清掃面を支持面に押しつけた状態で、支持面に平行
に、同一平面内を移動できるように構成、配置されてい
る。このような清掃具は、支持面を研磨清掃することに
より汚染を極めて効果的に除去する。清掃具および第二
の物品テーブルは、支持面が移動し、清掃ブロックが汚
染位置に対して固定状態に保持されるように、または第
二の物品テーブルが、固定状態に保持されていて、清掃
ブロックが移動するように構成し配置することができ
る。また、第二の物品テーブルと清掃ブロックの両方を
移動するのも有利な方法である。清掃ブロックは、例え
ば、アルミナおよび酸化チタンのようなセラミック材料
を含むこともできる。清掃ブロックは、静電荷が清掃ブ
ロックおよび支持面上に蓄積しないように、少なくとも
部分的に導電性にすることができる。そうすることによ
り、支持面と清掃ブロックとの間の静電荷による引力は
起こらない。清掃面の粗さは、０．１μｍ以下であるこ
とが望ましい。表面粗さは、清掃面の実際の表面形状
と、清掃面の表面形状の平均との間の絶対的な距離の平
均値により表わされる。このような粗さは、汚染を清掃
するには十分であるが、支持面は損傷しない。
【００１２】本発明のさらに別の例では、清掃ブロック
は、スポンジを備える。このスポンジは、例えば、アセ
トンのような溶媒を含むように構成し、配置すると有利
である。スポンジは、例えば、ポリビニール・アルコー
ルで作ることができる。支持面上に存在する汚染物質
は、溶媒で溶かし、スポンジで吸収することができる。
は、スポンジを備える。このスポンジは、例えば、アセ
トンのような溶媒を含むように構成し、配置すると有利
である。スポンジは、例えば、ポリビニール・アルコー
ルで作ることができる。支持面上に存在する汚染物質
は、溶媒で溶かし、スポンジで吸収することができる。
【００１３】本発明の他の例では、清掃具は、放射源
と、支持面上に存在する汚染物質を分解するために、前
記支持面に前記放射を向ける手段を備える。この目的の
ために、レーザまたはランプ放出紫外線放射を使用する
ことができる。この例は、前記支持面上にパージ・ガス
（払拭ガス）を供給するためのパージ・ガス手段を備え
る。例えば、不活性ガスのようなパージ・ガスは、支持
面の再汚染を防止し、装置から汚染物質を除去する。
と、支持面上に存在する汚染物質を分解するために、前
記支持面に前記放射を向ける手段を備える。この目的の
ために、レーザまたはランプ放出紫外線放射を使用する
ことができる。この例は、前記支持面上にパージ・ガス
（払拭ガス）を供給するためのパージ・ガス手段を備え
る。例えば、不活性ガスのようなパージ・ガスは、支持
面の再汚染を防止し、装置から汚染物質を除去する。
【００１４】さらに他の例では、汚染検出手段は、汚染
をチェックするために基板の背面を検査して、汚染基板
の支持面上への装填を防ぐように構成、配置された基板
検査具を備える。それ故、汚染基板が、リトグラフ装置
の（画像形成部分）に送られるのが防止される。付随す
る汚染が、支持面と接触して残ることが防止される。そ
の後、前記基板は、工程から取り除かれ、廃棄される
か、別の場所で清掃される。
をチェックするために基板の背面を検査して、汚染基板
の支持面上への装填を防ぐように構成、配置された基板
検査具を備える。それ故、汚染基板が、リトグラフ装置
の（画像形成部分）に送られるのが防止される。付随す
る汚染が、支持面と接触して残ることが防止される。そ
の後、前記基板は、工程から取り除かれ、廃棄される
か、別の場所で清掃される。
【００１５】検査具は、電磁放射ビームを発生する放射
源と、基板の背面を放射ビームで走査するように構成、
配置された手段と、前記背面に存在する汚染による、鏡
面散乱でない放射を検出するように構成、配置された検
出装置を備えることができる。このような検査具は、基
板の背面に存在する全ての汚染粒子を極めて効果的にま
た極めて高速で検出する。
源と、基板の背面を放射ビームで走査するように構成、
配置された手段と、前記背面に存在する汚染による、鏡
面散乱でない放射を検出するように構成、配置された検
出装置を備えることができる。このような検査具は、基
板の背面に存在する全ての汚染粒子を極めて効果的にま
た極めて高速で検出する。
【００１６】また、本発明は、以下の段階、すなわち、
基板をその背面で保持し、支持するための支持面を有す
る基板テーブルに、放射感知材料の層によって少なくと
も部分的に覆われた基板を供給する段階と、パターンを
含むマスクを供給する段階と、投影装置により、放射感
知材料層の目標部分に、マスク・パターンの少なくとも
一部の画像を投影するために、放射投影ビームを用いる
段階とを含み、さらに、支持面および基板の背面の一方
または両方の汚染の存在を検出する段階を含むデバイス
製造方法に関するものである。
基板をその背面で保持し、支持するための支持面を有す
る基板テーブルに、放射感知材料の層によって少なくと
も部分的に覆われた基板を供給する段階と、パターンを
含むマスクを供給する段階と、投影装置により、放射感
知材料層の目標部分に、マスク・パターンの少なくとも
一部の画像を投影するために、放射投影ビームを用いる
段階とを含み、さらに、支持面および基板の背面の一方
または両方の汚染の存在を検出する段階を含むデバイス
製造方法に関するものである。
【００１７】リトグラフ投影装置を使用する製造プロセ
スの場合には、マスクのパターンが、少なくとも部分的
に放射感知材料（レジスト）の層により覆われた基板上
に画像形成される。この画像形成段階を実行する前に、
基板に対して、プライミング（下塗り）、レジスト被覆
およびソフト・ベーク（軽度の焼成）のような各種処理
を実行することができる。露出を行った後、基板に、露
出後ベーク（ＰＥＢ）（焼きつけ）、現像、ハードベー
ク（強い焼きつけ）および画像形成したパターンの測定
／検査のような他の処理を施すことができる。この一連
の処理は、例えば、集積回路のようなデバイスの個々の
層をパターン形成するための基礎として用いられる。そ
の後、このようにパターン形成された層に対して、エッ
チング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーショ
ン（金属化）、酸化、化学・機械的研磨等の各種処理を
施すことができる。これら全ての処理は、個々の層を仕
上げるためのものである。数層を必要とする場合には、
全ての処理またはその修正処理を新しい各層のために反
復して施さなければならない。最後に、一連のデバイス
が、基板（ウェーハ）上に形成される。その後、これら
のデバイスは、ダイシング（さいの目状に切ること）ま
たはソーイング（鋸切断）のような技術により互いに分
離される。この場合、個々のデバイスは、ピン等に接続
しているキャリヤ上に装着することができる。前記処理
に関する詳細な情報が、例えば、１９９７年にマグロー
ヒル社が発行した、ピータ・ファン・ザント著「マイク
ロチップの製造：半導体処理の実際的ガイド」（ＩＳＢ
Ｎ０−０７−０６７２５０−４）に記載されている。
スの場合には、マスクのパターンが、少なくとも部分的
に放射感知材料（レジスト）の層により覆われた基板上
に画像形成される。この画像形成段階を実行する前に、
基板に対して、プライミング（下塗り）、レジスト被覆
およびソフト・ベーク（軽度の焼成）のような各種処理
を実行することができる。露出を行った後、基板に、露
出後ベーク（ＰＥＢ）（焼きつけ）、現像、ハードベー
ク（強い焼きつけ）および画像形成したパターンの測定
／検査のような他の処理を施すことができる。この一連
の処理は、例えば、集積回路のようなデバイスの個々の
層をパターン形成するための基礎として用いられる。そ
の後、このようにパターン形成された層に対して、エッ
チング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーショ
ン（金属化）、酸化、化学・機械的研磨等の各種処理を
施すことができる。これら全ての処理は、個々の層を仕
上げるためのものである。数層を必要とする場合には、
全ての処理またはその修正処理を新しい各層のために反
復して施さなければならない。最後に、一連のデバイス
が、基板（ウェーハ）上に形成される。その後、これら
のデバイスは、ダイシング（さいの目状に切ること）ま
たはソーイング（鋸切断）のような技術により互いに分
離される。この場合、個々のデバイスは、ピン等に接続
しているキャリヤ上に装着することができる。前記処理
に関する詳細な情報が、例えば、１９９７年にマグロー
ヒル社が発行した、ピータ・ファン・ザント著「マイク
ロチップの製造：半導体処理の実際的ガイド」（ＩＳＢ
Ｎ０−０７−０６７２５０−４）に記載されている。
【００１８】以上、集積回路を製造する際の本発明装置
の使用について特に述べたが、本発明装置は、多くの他
の用途に使用することができることを明記されたい。例
えば、本発明装置は、集積光学系、磁気領域メモリ用の
案内および検出パターン、液晶ディスプレイ・パネル、
薄膜磁気ヘッド等の製造に使用することができる。当業
者であれば、別の用途の場合、本明細書中の「レチク
ル」、「ウェーハ」または「ダイ」という用語は、それ
ぞれ、もっと一般的な用語である「マスク」、「基板」
および「目標部分」（ターゲット）で置き換え得ること
を理解できるだろう。
の使用について特に述べたが、本発明装置は、多くの他
の用途に使用することができることを明記されたい。例
えば、本発明装置は、集積光学系、磁気領域メモリ用の
案内および検出パターン、液晶ディスプレイ・パネル、
薄膜磁気ヘッド等の製造に使用することができる。当業
者であれば、別の用途の場合、本明細書中の「レチク
ル」、「ウェーハ」または「ダイ」という用語は、それ
ぞれ、もっと一般的な用語である「マスク」、「基板」
および「目標部分」（ターゲット）で置き換え得ること
を理解できるだろう。
【００１９】
【発明の実施の形態】具体例を示す目的で添付の模式図
を見ながら、本発明とその利点についてさらに説明す
る。
を見ながら、本発明とその利点についてさらに説明す
る。
【００２０】具体例１ 図１は、本発明の実行に適したリトグラフ投影装置の模
式図である。このリトグラフ装置は、放射投影ビームＰ
Ｂ（例：ＵＶまたはＥＵＶ放射、Ｘ線、イオンまたは電
子）を供給するための、放射装置ＬＡ、Ｅｘ、ＩＮ、Ｃ
Ｏと、マスクＭＡ（例えば、レチクル）を保持するため
のホルダーを備える第一の物品テーブル（マスク・テー
ブル）ＭＴと、その背面で、基板Ｗ（例えば、レジスト
で被覆されたシリコン・ウェーハ）を保持するための、
支持面を備える第二の物品テーブル（基板テーブル）
と、マスクＭＡの放射された部分を基板Ｗの目標部分Ｃ
上に画像形成するための投影装置ＰＬ（例：レンズまた
は反射屈折系またはミラー群）とを有する。この場合、
図示装置は、屈折構成部材を含む。しかし、別の方法と
しては、一つまたはそれ以上の反射構成部材を備えるこ
ともできる。
式図である。このリトグラフ装置は、放射投影ビームＰ
Ｂ（例：ＵＶまたはＥＵＶ放射、Ｘ線、イオンまたは電
子）を供給するための、放射装置ＬＡ、Ｅｘ、ＩＮ、Ｃ
Ｏと、マスクＭＡ（例えば、レチクル）を保持するため
のホルダーを備える第一の物品テーブル（マスク・テー
ブル）ＭＴと、その背面で、基板Ｗ（例えば、レジスト
で被覆されたシリコン・ウェーハ）を保持するための、
支持面を備える第二の物品テーブル（基板テーブル）
と、マスクＭＡの放射された部分を基板Ｗの目標部分Ｃ
上に画像形成するための投影装置ＰＬ（例：レンズまた
は反射屈折系またはミラー群）とを有する。この場合、
図示装置は、屈折構成部材を含む。しかし、別の方法と
しては、一つまたはそれ以上の反射構成部材を備えるこ
ともできる。
【００２１】放射装置は、ソースＬＡ（例：水銀ランプ
またはエクシマ・レーザ、熱イオン・ガンまたはイオン
源、または記憶リング内の電子ビーム経路の周囲に配置
されるウイグラ／アンジュレータ（wiggler：揺り動か
し装置、undulator：波のように動かす装置）、または
シンクロトロン）を有する。このビームは、例えば、ビ
ーム形成光学系Ｅｘ、インテグレータ（積分器）ＩＮお
よびコンデンサＣＯのような各種光学的構成部材に沿っ
て通過する。その結果、得られたビームＰＢは、その横
断面全体にわたって所望の形と強度分布を有する。
またはエクシマ・レーザ、熱イオン・ガンまたはイオン
源、または記憶リング内の電子ビーム経路の周囲に配置
されるウイグラ／アンジュレータ（wiggler：揺り動か
し装置、undulator：波のように動かす装置）、または
シンクロトロン）を有する。このビームは、例えば、ビ
ーム形成光学系Ｅｘ、インテグレータ（積分器）ＩＮお
よびコンデンサＣＯのような各種光学的構成部材に沿っ
て通過する。その結果、得られたビームＰＢは、その横
断面全体にわたって所望の形と強度分布を有する。
【００２２】その後、ビームＰＢは、マスク・テーブル
ＭＴのマスク・ホルダーに保持されているマスクＭＡと
交差する。マスクＭＡを通過した後、ビームＰＢは投影
装置ＰＬを通過するが、この投影装置は、ビームＰＢの
焦点を基板Ｗの目標部分Ｃ上に結ぶ。干渉変位・測定手
段ＩＦの助けにより、例えば、異なる目標部分Ｃをビー
ムＰＢの経路内に位置づけるように、基板テーブルＷＴ
を正確に動かすことができる。
ＭＴのマスク・ホルダーに保持されているマスクＭＡと
交差する。マスクＭＡを通過した後、ビームＰＢは投影
装置ＰＬを通過するが、この投影装置は、ビームＰＢの
焦点を基板Ｗの目標部分Ｃ上に結ぶ。干渉変位・測定手
段ＩＦの助けにより、例えば、異なる目標部分Ｃをビー
ムＰＢの経路内に位置づけるように、基板テーブルＷＴ
を正確に動かすことができる。
【００２３】図示装置は、以下の異なる二つのモードで
使用することができる。ステップ・モードの場合、マス
ク・テーブルＭＴが、ほぼ固定状態に維持され、全マス
ク画像が、一度に（すなわち、一回の「フラッシュ」
で）、目標部分Ｃ上に投影される。その後、基板テーブ
ルＷＴが、Ｘおよび／またはＹ方向に移動し、その結
果、異なる目標部分Ｃを（固定状態の）ビームＰＢで照
射できる。
使用することができる。ステップ・モードの場合、マス
ク・テーブルＭＴが、ほぼ固定状態に維持され、全マス
ク画像が、一度に（すなわち、一回の「フラッシュ」
で）、目標部分Ｃ上に投影される。その後、基板テーブ
ルＷＴが、Ｘおよび／またはＹ方向に移動し、その結
果、異なる目標部分Ｃを（固定状態の）ビームＰＢで照
射できる。
【００２４】走査モードの場合、所定の目標部分Ｃが、
一回の「フラッシュ」で露出されないという点を除け
ば、ほぼ同じシナリオ（筋書き）が適用される。その代
わりに、マスク・テーブルＭＴが、所定方向（いわゆる
「走査方向」：例えば、ｘ方向）に速度νで移動でき、
その結果、投影ビームＰＢがマスク画像上を走査する。
同時に、基板テーブルＷＴが、同時に同じ方向または反
対方向に、速度Ｖ＝Ｍνで移動する。この場合、Ｍは投
影装置ＰＬの倍率である（通常、Ｍ＝１／４または１／
５）。このようにして、比較的大きな目標部分Ｃを、解
像度を低下させないで露出することができる。
一回の「フラッシュ」で露出されないという点を除け
ば、ほぼ同じシナリオ（筋書き）が適用される。その代
わりに、マスク・テーブルＭＴが、所定方向（いわゆる
「走査方向」：例えば、ｘ方向）に速度νで移動でき、
その結果、投影ビームＰＢがマスク画像上を走査する。
同時に、基板テーブルＷＴが、同時に同じ方向または反
対方向に、速度Ｖ＝Ｍνで移動する。この場合、Ｍは投
影装置ＰＬの倍率である（通常、Ｍ＝１／４または１／
５）。このようにして、比較的大きな目標部分Ｃを、解
像度を低下させないで露出することができる。
【００２５】図２は、図１の基板テーブルＷＴ、および
本発明の具体例１における汚染検出手段の側面図であ
る。前記汚染検出手段は、放射源Ｓと、レンズ系Ｌ１、
Ｌ２と、検出装置ＤＥを含む平面検出手段を備える。平
面検出手段は、その背面ＢＳが、基板テーブルＷＴの支
持面ＷＨに保持されている基板Ｗの頂面ＷＳの表面形状
を検出するために使用される。平面検出手段を使用した
場合、放射源Ｓは、レンズＬ１により、基板Ｗの頂面Ｗ
Ｓで反射した点ＳＰの方向に向けられ、その後、レンズ
Ｌ２により検出装置ＤＥの方向に向けられる放射ビーム
を発生する。検出装置は、基板Ｗの頂面ＷＳの表面形状
の変形を示す、ビーム方向の変化を測定するように構
成、配置されている。このような変形は、基板の特定場
所が他の部分より厚い場合、または基板Ｗの背面ＢＳと
支持面ＷＨとの間に、汚染物質が存在する場合に発生す
る場合がある。少なくとも二つの基板の表面形状をデー
タ記憶手段に記憶することにより、またこれらの表面形
状を比較することにより、類似位置における表面形状の
反復変形を検出することができる。これは、前記類似位
置における支持面ＷＨの汚染を示す。平面検出手段とし
ては、米国特許第５，１９１，２００号が開示している
焦点検出装置を使用することができる。
本発明の具体例１における汚染検出手段の側面図であ
る。前記汚染検出手段は、放射源Ｓと、レンズ系Ｌ１、
Ｌ２と、検出装置ＤＥを含む平面検出手段を備える。平
面検出手段は、その背面ＢＳが、基板テーブルＷＴの支
持面ＷＨに保持されている基板Ｗの頂面ＷＳの表面形状
を検出するために使用される。平面検出手段を使用した
場合、放射源Ｓは、レンズＬ１により、基板Ｗの頂面Ｗ
Ｓで反射した点ＳＰの方向に向けられ、その後、レンズ
Ｌ２により検出装置ＤＥの方向に向けられる放射ビーム
を発生する。検出装置は、基板Ｗの頂面ＷＳの表面形状
の変形を示す、ビーム方向の変化を測定するように構
成、配置されている。このような変形は、基板の特定場
所が他の部分より厚い場合、または基板Ｗの背面ＢＳと
支持面ＷＨとの間に、汚染物質が存在する場合に発生す
る場合がある。少なくとも二つの基板の表面形状をデー
タ記憶手段に記憶することにより、またこれらの表面形
状を比較することにより、類似位置における表面形状の
反復変形を検出することができる。これは、前記類似位
置における支持面ＷＨの汚染を示す。平面検出手段とし
ては、米国特許第５，１９１，２００号が開示している
焦点検出装置を使用することができる。
【００２６】図３ａは、図１の基板テーブルＷＴ、およ
び本発明の具体例１の実施形態の基板テーブル清掃具１
０の断面図である。基板テーブルＷＴは、支持面に対し
てほぼ直角である突起１３のマトリックス配置（行列状
配置）を含む支持面ＷＨを有する。真空は、各突起１３
と、支持面ＷＨ上の基板Ｗを保持するための基板Ｗの背
面との間の領域内で発生する。突起１３と基板Ｗの背面
との間に存在する汚染粒子は、基板Ｗを変形させ、その
ため、パターンの画像形成が行われる頂面が変形する。
突起１３は、基板Ｗの背面と比較的小さな面積で接触
し、その結果、支持面ＷＨと基板Ｗとの間に汚染が存在
する確率が低下する。接触面が比較的小さいことのもう
一つの利点は、接触面に対する背面からの圧力が、大き
な接触面を使用した場合と比較すると、比較的大きいこ
とである。圧力が高いので、支持面上に存在する全ての
汚染を押しつぶすことができる。
び本発明の具体例１の実施形態の基板テーブル清掃具１
０の断面図である。基板テーブルＷＴは、支持面に対し
てほぼ直角である突起１３のマトリックス配置（行列状
配置）を含む支持面ＷＨを有する。真空は、各突起１３
と、支持面ＷＨ上の基板Ｗを保持するための基板Ｗの背
面との間の領域内で発生する。突起１３と基板Ｗの背面
との間に存在する汚染粒子は、基板Ｗを変形させ、その
ため、パターンの画像形成が行われる頂面が変形する。
突起１３は、基板Ｗの背面と比較的小さな面積で接触
し、その結果、支持面ＷＨと基板Ｗとの間に汚染が存在
する確率が低下する。接触面が比較的小さいことのもう
一つの利点は、接触面に対する背面からの圧力が、大き
な接触面を使用した場合と比較すると、比較的大きいこ
とである。圧力が高いので、支持面上に存在する全ての
汚染を押しつぶすことができる。
【００２７】支持面ＷＨは、支持面ＷＨ上に存在する汚
染が検出された場合に、基板テーブルＷＴ上からある基
板を取り外し、他の基板Ｗを装着する間に清掃すること
ができる。支持面ＷＨの清掃中、ウェーハ・ホルダーの
清掃具１０の清掃ブロック１１は、図３ｂに示すよう
に、清掃ブロック駆動ユニット１２により、支持面ＷＨ
の突起１３上に下降する。そのため、清掃ブロック１０
またはウェーハ・テーブルＷＴ（または、両方）は、並
進し、その結果、清掃ブロック１１が支持面ＷＨ上を動
く。一つまたはそれ以上の突起１３上に存在する汚染
は、研磨清掃により除去される。清掃動作は自動化する
ことができ、リトグラフ装置を分解しなくても実行する
ことができる。それにより、時間がかなり節減でき、装
置の処理能力がかなり増大する。
染が検出された場合に、基板テーブルＷＴ上からある基
板を取り外し、他の基板Ｗを装着する間に清掃すること
ができる。支持面ＷＨの清掃中、ウェーハ・ホルダーの
清掃具１０の清掃ブロック１１は、図３ｂに示すよう
に、清掃ブロック駆動ユニット１２により、支持面ＷＨ
の突起１３上に下降する。そのため、清掃ブロック１０
またはウェーハ・テーブルＷＴ（または、両方）は、並
進し、その結果、清掃ブロック１１が支持面ＷＨ上を動
く。一つまたはそれ以上の突起１３上に存在する汚染
は、研磨清掃により除去される。清掃動作は自動化する
ことができ、リトグラフ装置を分解しなくても実行する
ことができる。それにより、時間がかなり節減でき、装
置の処理能力がかなり増大する。
【００２８】図の清掃ブロック１１は、例えば、添加物
として金属を含む、アルミナまたは酸化チタンのよう
な、導電性のセラミック材料であってよい。清掃ブロッ
ク１１は、清掃動作中に静電荷が蓄積するのを防止する
ために、電気的にアース電位に接続している。このよう
な静電荷の蓄積すると、支持面ＷＨと清掃ブロック１１
との間に、静電気による引力を発生する恐れがある。
として金属を含む、アルミナまたは酸化チタンのよう
な、導電性のセラミック材料であってよい。清掃ブロッ
ク１１は、清掃動作中に静電荷が蓄積するのを防止する
ために、電気的にアース電位に接続している。このよう
な静電荷の蓄積すると、支持面ＷＨと清掃ブロック１１
との間に、静電気による引力を発生する恐れがある。
【００２９】さらに、清掃ブロック１１の清掃面は、清
掃ブロックの接触力を、清掃ブロック１１と接触してい
る種々の突起１３上に均等に分配し、一つの突起に過度
な力が加わるのを防止するために、０．１μｍ以下の表
面粗さを有する。前記過度の力は、突起１３を損傷し、
それにより、突起の頂部の平らな接触面が損なわれる恐
れがある。
掃ブロックの接触力を、清掃ブロック１１と接触してい
る種々の突起１３上に均等に分配し、一つの突起に過度
な力が加わるのを防止するために、０．１μｍ以下の表
面粗さを有する。前記過度の力は、突起１３を損傷し、
それにより、突起の頂部の平らな接触面が損なわれる恐
れがある。
【００３０】図３ａ、図３ｂは、支持面ＷＨの突起に隣
接する基板テーブルＷＴの頂面上に位置するマーカー・
プレートＭＰである。マーカー・プレートＭＰに付され
たマーカー（目印）は、リトグラフ装置での基板Ｗと基
板テーブルＷＴの整合手順のために使用される。マーカ
ー・プレートＭＰの頂面は、基板テーブルＷＴ上に位置
する基板Ｗの頂面とほぼ同じ平面上にある。図２ｂに示
すように、基板Ｗが存在しない、支持面の突起の清掃動
作中、清掃ブロック１１は、マーカー・プレートＭＰ、
または基板テーブルＷＴの頂面上に位置することができ
る任意の他の別のツール内に移動することができる。マ
ーカー・プレートＭＰが損傷しないようにするために、
清掃具１０は、マーカー・プレートＭＰ、または任意の
ツール上に加わる力が、予め定めた値を超えた場合に
は、突起から後退するように構成されている。
接する基板テーブルＷＴの頂面上に位置するマーカー・
プレートＭＰである。マーカー・プレートＭＰに付され
たマーカー（目印）は、リトグラフ装置での基板Ｗと基
板テーブルＷＴの整合手順のために使用される。マーカ
ー・プレートＭＰの頂面は、基板テーブルＷＴ上に位置
する基板Ｗの頂面とほぼ同じ平面上にある。図２ｂに示
すように、基板Ｗが存在しない、支持面の突起の清掃動
作中、清掃ブロック１１は、マーカー・プレートＭＰ、
または基板テーブルＷＴの頂面上に位置することができ
る任意の他の別のツール内に移動することができる。マ
ーカー・プレートＭＰが損傷しないようにするために、
清掃具１０は、マーカー・プレートＭＰ、または任意の
ツール上に加わる力が、予め定めた値を超えた場合に
は、突起から後退するように構成されている。
【００３１】具体例２ 図３ｃは、図１の装置で使用するための、本発明の具体
例２の清掃具１０である。この具体例２は、下記の清掃
具のある種の改良形と一緒に、本発明の汚染検出手段を
使用する。清掃具１０では、回転ユニット１５が、清掃
ブロック１１を回転することができ、その結果、清掃ブ
ロック１１の回転運動により、支持面ＷＨが研磨清掃さ
れる。清掃ブロック駆動ユニット１２は、清掃ブロック
１１を支持面ＷＨ上の特定位置に位置づけるために使用
される。研磨清掃は、清掃ブロック１１の回転運動によ
り改善される。
例２の清掃具１０である。この具体例２は、下記の清掃
具のある種の改良形と一緒に、本発明の汚染検出手段を
使用する。清掃具１０では、回転ユニット１５が、清掃
ブロック１１を回転することができ、その結果、清掃ブ
ロック１１の回転運動により、支持面ＷＨが研磨清掃さ
れる。清掃ブロック駆動ユニット１２は、清掃ブロック
１１を支持面ＷＨ上の特定位置に位置づけるために使用
される。研磨清掃は、清掃ブロック１１の回転運動によ
り改善される。
【００３２】具体例３ 図３ｄは、図１の装置で使用するための、本発明の具体
例３の清掃具である。具体例３は、前記の本発明の汚染
検出手段を使用する。前記清掃具は、ミラー５２に放射
ビームを放射する電磁放射源５１を備え、前記ミラー
は、放射ビームを支持面ＷＨの方向に向ける。ミラー５
２を除去すると、ビームは全支持面ＷＨ上を移動するこ
とができ、汚染粒子の方向に向けることができる。ビー
ムが汚染粒子に衝突すると、汚染粒子は蒸発または焼却
される。清掃具は、再汚染を防止し、汚染物質部分を除
去するために、前記主要な面上にパージ・ガスを供給す
る目的で、パージ・ガス手段５３、５４を備えることが
できる。
例３の清掃具である。具体例３は、前記の本発明の汚染
検出手段を使用する。前記清掃具は、ミラー５２に放射
ビームを放射する電磁放射源５１を備え、前記ミラー
は、放射ビームを支持面ＷＨの方向に向ける。ミラー５
２を除去すると、ビームは全支持面ＷＨ上を移動するこ
とができ、汚染粒子の方向に向けることができる。ビー
ムが汚染粒子に衝突すると、汚染粒子は蒸発または焼却
される。清掃具は、再汚染を防止し、汚染物質部分を除
去するために、前記主要な面上にパージ・ガスを供給す
る目的で、パージ・ガス手段５３、５４を備えることが
できる。
【００３３】具体例４ 図４ａ、図４ｂ、図４ｃは、本発明の具体例４の汚染検
出手段を示す。前記汚染検出手段は、基板Ｗの背面上に
存在する汚染を検査するために使用することのできる検
査具を備えることができる。汚染ＣＰが検出された場合
には、基板Ｗは不合格とされ、装置内に装填されない。
それ故、汚染ＣＰが、リトグラフ装置内に導入されるの
が防止され、基板Ｗを基板テーブルＷＴから取り出した
場合に、汚染が、支持面ＷＨと基板Ｗとの間に入り込ん
で、支持面ＷＨ上に残ることが防止される。
出手段を示す。前記汚染検出手段は、基板Ｗの背面上に
存在する汚染を検査するために使用することのできる検
査具を備えることができる。汚染ＣＰが検出された場合
には、基板Ｗは不合格とされ、装置内に装填されない。
それ故、汚染ＣＰが、リトグラフ装置内に導入されるの
が防止され、基板Ｗを基板テーブルＷＴから取り出した
場合に、汚染が、支持面ＷＨと基板Ｗとの間に入り込ん
で、支持面ＷＨ上に残ることが防止される。
【００３４】検査具は、図に示すツールにレーザ２０の
ような光源を備える。レーザからのレーザ・ビーム２１
は、基板Ｗの背面に向けられ、前記背面から鏡面反射さ
れる。しかし、背面上のすべての汚染粒子ＣＰは、レー
ザ・ビーム２１の一部をすべての方向に散乱させ、この
散乱した光は、鏡面からずれている位置に設置されてい
る検出装置３０により検出される。動作中、基板Ｗは、
検査具内に装填され、レーザ・ビーム２１が基板の背面
を走査し、レーザ・ビーム２１により汚染粒子ＣＰが検
出された場合には、検出装置３０および関連するエレク
トロニクスが信号パルスを発生する。その後、基板Ｗ
は、リトグラフ装置内に受け入れられないし、基板テー
ブルＷＴ上に装填されない。不合格になった基板は、特
殊なキャリヤ上に置くことができる。
ような光源を備える。レーザからのレーザ・ビーム２１
は、基板Ｗの背面に向けられ、前記背面から鏡面反射さ
れる。しかし、背面上のすべての汚染粒子ＣＰは、レー
ザ・ビーム２１の一部をすべての方向に散乱させ、この
散乱した光は、鏡面からずれている位置に設置されてい
る検出装置３０により検出される。動作中、基板Ｗは、
検査具内に装填され、レーザ・ビーム２１が基板の背面
を走査し、レーザ・ビーム２１により汚染粒子ＣＰが検
出された場合には、検出装置３０および関連するエレク
トロニクスが信号パルスを発生する。その後、基板Ｗ
は、リトグラフ装置内に受け入れられないし、基板テー
ブルＷＴ上に装填されない。不合格になった基板は、特
殊なキャリヤ上に置くことができる。
【００３５】図４ａ、図４ｂおよび図４ｃは、基板背面
検査具の三つの異なる例である。図４ａの検査具の場合
には、基板Ｗを支持し、回転させるために基板Ｗは、検
査具の回転ユニット４１に設置される。動作中、回転ユ
ニット４１により基板が回転すると、レーザ・ビーム２
１は、レーザ走査ユニット２２により、基板Ｗの背面を
前後に、また半径方向ｘに走査する。
検査具の三つの異なる例である。図４ａの検査具の場合
には、基板Ｗを支持し、回転させるために基板Ｗは、検
査具の回転ユニット４１に設置される。動作中、回転ユ
ニット４１により基板が回転すると、レーザ・ビーム２
１は、レーザ走査ユニット２２により、基板Ｗの背面を
前後に、また半径方向ｘに走査する。
【００３６】図４ｂの検査具の場合には、基板Ｗは、検
査具の支持ユニット４２の三つの支持体により保持され
る。レーザ・ビーム２１は、レーザ走査ユニット２２に
より、基板Ｗの背面上を第一の方向ｘに前後に走査す
る。一方、基板はその支持ユニット４２により、第一方
向ｘに対して垂直な第二の方向ｙに並進する。
査具の支持ユニット４２の三つの支持体により保持され
る。レーザ・ビーム２１は、レーザ走査ユニット２２に
より、基板Ｗの背面上を第一の方向ｘに前後に走査す
る。一方、基板はその支持ユニット４２により、第一方
向ｘに対して垂直な第二の方向ｙに並進する。
【００３７】図４ｃの検査具は、基板Ｗを支持するため
の、三つの支持体を持つ支持ユニット４２、および第一
方向ｘに、また第一の方向に垂直な第二の方向ｙに、背
面上を前後にレーザ・ビーム２１を走査するためのレー
ザ走査ユニット２２を備える。検出装置３０は、検出装
置３０を、レーザ２０のｙ方向の運動に同期してｙ方向
に移動させるために、レーザ走査ユニット２２に機械的
および電気的に接続している第三の検査具に内蔵されて
いる。
の、三つの支持体を持つ支持ユニット４２、および第一
方向ｘに、また第一の方向に垂直な第二の方向ｙに、背
面上を前後にレーザ・ビーム２１を走査するためのレー
ザ走査ユニット２２を備える。検出装置３０は、検出装
置３０を、レーザ２０のｙ方向の運動に同期してｙ方向
に移動させるために、レーザ走査ユニット２２に機械的
および電気的に接続している第三の検査具に内蔵されて
いる。
【００３８】種々の検査具でのレーザの走査は、レーザ
の並進、レーザの適当な回転運動および／または移動可
能なおよび／または回転可能なミラーにより、レーザ・
ビームを偏向させることにより行うことができる。
の並進、レーザの適当な回転運動および／または移動可
能なおよび／または回転可能なミラーにより、レーザ・
ビームを偏向させることにより行うことができる。
【００３９】検査具は、リトグラフ装置の画像形成部分
に隣接する基板処理ユニットに内蔵させることができ
る。前記基板処理ユニットは、基板を装置へ、または数
枚の基板を含んでいるキャリヤから供給する特殊なトラ
ックから基板を取り出し、基板が汚染していないかどう
かを検査し、不合格になった基板を特殊なキャリヤ上に
置き、汚染していない基板を供給し、それらを保管する
ために他のトラックまたは他のキャリヤに送るために、
露出した基板を装置の画像形成部から取り出す。
に隣接する基板処理ユニットに内蔵させることができ
る。前記基板処理ユニットは、基板を装置へ、または数
枚の基板を含んでいるキャリヤから供給する特殊なトラ
ックから基板を取り出し、基板が汚染していないかどう
かを検査し、不合格になった基板を特殊なキャリヤ上に
置き、汚染していない基板を供給し、それらを保管する
ために他のトラックまたは他のキャリヤに送るために、
露出した基板を装置の画像形成部から取り出す。
【００４０】以上、本発明の特別な具体例について説明
したが、本発明は前記以外の用途にも使用することがで
きることを理解することができるだろう。例えば、本発
明は、マスクおよび／またはマスク・ホルダー上の汚染
を検出するのにも使用することができる。
したが、本発明は前記以外の用途にも使用することがで
きることを理解することができるだろう。例えば、本発
明は、マスクおよび／またはマスク・ホルダー上の汚染
を検出するのにも使用することができる。
【図１】本発明の実行に適するリトグラフ投影装置の模
式図である。
式図である。
【図２】本発明の具体例１の汚染検出手段の模式図であ
る。
る。
【図３ａ】本発明の具体例１の清掃具を示す模式図であ
る。
る。
【図３ｂ】本発明の具体例１の清掃具を示す模式図であ
る。
る。
【図３ｃ】本発明の具体例２の基板清掃具の模式図であ
る。
る。
【図３ｄ】本発明の具体例３の基板清掃具の模式図であ
る。
る。
【図４ａ】本発明の具体例４の汚染検出手段を示す模式
図である。
図である。
【図４ｂ】本発明の具体例４の汚染検出手段を示す模式
図である。
図である。
【図４ｃ】本発明の具体例４の汚染検出手段を示す模式
図である。
図である。
１０ 清掃具 １１ 清掃ブロック １２ 清掃ブロック駆動ユニット １３ 突起 １５ 回転ユニット ２１ レーザ・ビーム ２２ レーザ走査ユニット ３０ 検出装置 ４１ 回転ユニット ４２ 支持ユニット ５１ 電磁放射源 ５２ ミラー ５３，５４ パージ・ガス手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アシュヴィン ロデウィユク ヘンドリク ス ヨハネス ファン メール オランダ国 ローゼンダール、 ルーカス ファン レイデンシュトラート 61 (72)発明者 フランシスクス アドリアヌス ゲラルド ウス クラーセン オランダ国 ベスト、 ヨハン フリソパ ルク 82
Claims (16)
- 【請求項１】 放射投影ビームを供給するための照明装
置と、 マスクを保持するための第一の物品テーブルと、 背面で基板を支持して保持するための支持面を有する第
二の物品テーブルと、 前記基板の目標部分に前記マスクの放射された部分を画
像形成するための投影装置とを有し、 前記支持面および前記基板の背面の一方または両方にお
ける汚染の存在を検出するように構成、配置されている
汚染検出手段を有することを特徴とするリトグラフ投影
装置。 - 【請求項２】 前記汚染検出手段が、 前記支持面に置かれた基板の表面形状を検出するように
構成、配置された平面感知手段と、 少なくとも二つの基板の表面形状を記憶するためのデー
タ記憶装置と、 前記データ記憶装置に記憶している少なくとも二つの基
板の表面形状を比較して、前記支持面上の汚染の存在を
示す類似位置の前記基板の表面形状の反復変形を認識す
る表面形状ようになっている処理手段とを有する請求項
１に記載されたリトグラフ装置。 - 【請求項３】 前記汚染検出手段が、前記支持面の汚染
位置を検出するようになされており、前記リトグラフ装
置が、前記支持面に対して前記汚染位置に移動して該汚
染位置を清掃するようになされた清掃具を有する請求項
１または請求項２に記載されたリトグラフ装置。 - 【請求項４】 前記清掃具が、清掃面を有する清掃ブロ
ックを備え、さらに、該清掃面を前記支持面に対して位
置づけ、前記支持面に対して位置づけられた時に、前記
支持面に対して、平行に動くことのできるように構成、
配置されている請求項３に記載されたリトグラフ装置。 - 【請求項５】 前記清掃ブロックがセラミック材料を含
む請求項４に記載されたリトグラフ装置。 - 【請求項６】 前記セラミック材料が、アルミナと酸化
チタンを含む群から選択される請求項５に記載されたリ
トグラフ装置。 - 【請求項７】 前記清掃ブロックが少なくとも部分的に
導電性である請求項４から請求項６までのいずれか１項
に記載されたリトグラフ装置。 - 【請求項８】 前記清掃ブロックの前記清掃面が、０．
１μｍμｍ以下の表面粗さを有する請求項４から請求項
７までのいずれか１項に記載されたリトグラフ装置。 - 【請求項９】 前記清掃ブロックがスポンジを含む請求
項４に記載されたリトグラフ装置。 - 【請求項１０】 前記スポンジが溶媒を含むように構
成、配置されている請求項９に記載されたリトグラフ装
置。 - 【請求項１１】 前記清掃具が、放射源と、前記支持面
を清掃するために前記支持面に前記放射を向けるための
手段とを有する請求項３に記載されたリトグラフ装置。 - 【請求項１２】 前記放射が紫外線放射を含む請求項１
１に記載されたリトグラフ装置。 - 【請求項１３】 前記清掃具が、前記支持面上にパージ
・ガスを供給するためのパージ・ガス手段を更に有する
請求項１１または請求項１２に記載されたリトグラフ装
置。 - 【請求項１４】 前記汚染検出手段が、前記基板の背面
の汚染を検査し、汚染された基板が前記支持面上に装填
されることを拒否するように構成、配置されている基板
検査具を有する請求項１に記載されたリトグラフ装置。 - 【請求項１５】 前記検査具が、電磁放射ビームを発生
する放射源と、前記基板の前記背面を前記放射ビームで
走査するように構成、配置されている手段と、前記背面
上に存在する汚染による、鏡面散乱ではない放射を検出
するように構成、配置された検出装置を有する請求項１
４に記載されたリトグラフ装置。 - 【請求項１６】 前記基板をその背面で保持して支持す
るための支持面を有する基板テーブルに、放射感知材料
の層によって少なくとも部分的に覆われた基板を供給す
る段階と、 パターンを含むマスクを供給する段階と、 −投影装置により、前記放射感知材料層の目標部分に前
記マスク・パターンの少なくとも一部の画像を投影する
ために、放射投影ビームを用いる段階とを含み、 さらに、前記支持面および前記基板の背面の一方または
両方の汚染の存在を検出する段階を含むことを特徴とす
るデバイス製造方法。
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