TW484039B - Lithographic projection apparatus and method - Google Patents

Description

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一般^ =言，此型裝置包含一單一式第一物體（蔽光框）枱 單式弟一物體（基材）枱面。然而，機器因其内具 有至少兩個可獨立移動之基材枱面而變得可以使用；譬如 參見在wo 9808665及W0 98/4〇791號國際專利申請案所述 之多&式裝置。該多段式裝置後之基本操作原理為當一第 二基材枱面置於投影系統下方俾容許拍攝置於該枱面上之 第一基材時，一第二基材枱面可移至一裝載位置、卸下一 =曝光基材、提取一新基材、在新基材上執行某些初期精 翁測疋步驟、接著當第一基材完成曝光時，等待輸送此一 新基材土投影系統下方之曝光位置，因此循環可自行重 覆。如此，可以獲致一實質增加之機器產能，其接著改進 機器擁有者之成本。 微影裝置可使用各種型式之投影輻射，諸如紫外線 (UV)、超UV、X射線、離子光束或電子光束。隨著使用之 輻射型式及裝置之顆粒設計需求不同，投影系統可諸如反 射、拆射、或是側拆射，同時可包含玻璃質元件、輕擦入 射鏡面、選擇式多層塗層、磁及/或靜電場鏡片等；為了簡 化之故，該元件在本内容中可單獨地或總體地統稱為，f鏡 片。裝置可包含在真空中操作、以及可對應真空共容之 元件。 當一基材裝載於基材枱面之支撐面上時，基材可用一真 空吸離支撐面而至一基材支撐面與背·側表面間之空間上。 基材將採用此一方法而採取一由支撐面決定之型態。支撐 面可配置一概略垂直支撐面之矩陣式凸件排置，因而基材 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱)

背側橫躺由凸件頂竑却 —、 式將藉由均置於表Μ接觸面上。接著，基材型 在於基材之皮俨而 觸面決定。如果污染顆粒存 支二=撐面及背侧面之間時，基材型態將不僅只由 Ρ,牙'〈土怨決疋，同時亦由污染顆粒決定。污染可造成 ::接文〈基材變形，其可能在蔽光框圖案之成像於基材 ί表面過程中，造成聚焦及重叠誤差。此-誤差可能導致 敗成基材之剔退以及料旦， 、， 及微於裝置之較低產能，其可導致擁有 有 < 成本增加。 …發明目標為防止由存在於支撐面及基材背側表面間之 5术顆粒造成之聚焦及重疊誤差。這些及其他目標成就於 開場白所述之裝置中，其特徵為裝置包含污染偵測裝置， 其結構及排置可用以在支撐面及基材背侧表面之一或兩者 上’偵測污染之存在。 藉由偵測支撐面上污染之存在，人們可初期清洗支撐 面’使得由該污染造成之聚焦及重疊誤差可以預知。藉由 偵測基材背録面上;;亏染之#纟，人W可選擇剔退受污基 材而使彳于污染無法到達支撐面。同時採取兩種方式將可剔 退較少之製成基材以及改進裝置擁有者之成本。 在本發明第一實例中，該污染偵測裝置包含： 水平感測裝置，其結構及排置可用以偵測置於該支撐 面上之基材表面形態； 數據貯存裝置，用以貯存至少兩基，材之表面形態；以及 處理裝置，用以比較至少兩個貯存於該數據貯存裝置 内基材之表面形態，俾在類似位置上了解該基材表面 -6 - 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐） 484039 A7 ____Β7 五、發明説明（4 ) 形態中之重現變形，俾代表污染在支撐面該位置處之 存在。 如此，已存在於裝置内之水平感測裝置，可用做為偵測 支撐表上之污染存在。此一水平感測裝置可偵測置於該支 撐面上之基材表面形態，而該表面形態可於曝光過程中， 用以調整基材高度及傾斜，使得基材可定位於投影系統之 聚焦平面内。萬一多於一個之基材表面形態在類似地點包 含一變形時，該變形表示該位置上支撐面之污染，因為兮 污染將變形置於該支撐面上之每一基材。 在本發明另一實例中，污染偵測裝置適用以偵測在該支 撐面上之污染位置，而該裝置包含一清潔用具，適可相對 遠支撐面而移至該位置以清潔該位置。如此，在該支撑面 特定地點上偵知之污染，可以清潔用具在原位置上清潔， 同時由於裝置之開封、檢驗、清潔及封閉而可避免產能受 損，同時避免因裝置無法操作而耗用許多時間。在原位置 上清潔一特定污染地點’具有進一步之優點，其不需清潔 整個支撐面而造成清潔用具及支撐面之磨耗。 在另一實例中，清潔用具包含一具有一清潔表面之清潔 塊，其進一步之結構及排置可使其清潔表面貼向該支撐 面，同時當貼向該支撐面定位時，可相對支撐面且在一平 行支撐面之平面中移動。該一清潔^用具藉由磨擦清潔支撑 面而極有效地去除污染。清潔用具及第二物體枱面可經建 造及排置而使得支撐面被移動且清潔塊面向污染地點保持 不動’或是當第二物體枱面保持不動時移動清潔塊。亦可

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具效益地同時移動第二物體枱面及清潔塊。清潔塊可包含 一諸如鋁及鈦氧化物之陶究材料。清潔塊可至少呈部分^ 電，使得靜電荷將無法堆積於清潔塊及支撐面上。接著， 將不會發生支撐面及清潔塊間因該一電荷造成之吸引力。 /目你面疋粗度，最好為〇·! 或更小。粗度定義為清潔面 實際表面形態及清潔平均表面形態間絕對距離之平均值。 該一粗度將足以清潔污染但不會損傷支撐面。 在本發明另-實例中，清潔塊包含一海棉，最好為該海 棉I建造及排置，適可提供諸如丙酮之溶劑。海棉可來自 諸如聚乙醚乙烯。存於支撐面上之污染物，可在溶劑中溶 解且被海棉吸收。 在根據本發明之另一實例中，該清潔用具包本一 及輻射引導裝置，用以在該支撐面上引導該輕射以：裂存 於支撐面上之污染物。為達此一目的而可使用一雷射或燈 光照射之紫外線輻射。本實例可配置淨化氣體裝置，用以 供應淨化氣體至該支撐面。諸如惰性氣體之淨化氣體，將 可防止支撐面之再污染，同時自裝置中移除污染物。 在另一實例中，污染偵測裝置包含一基材檢驗用具，其 建造及排置適可檢驗基材背側表面之污染，同時剔除正載 裝於支撐面上之受污基#。因&，一^污基材可防止進入 微影裝置（之成像部位）。相關污染〜將不容許接觸且存留於 支撐面上。接著，基材可被移離加工而丟棄或在他處清 潔。 檢驗用具可包含一產生電磁輻射光束之輻射源、一經建 -8- 本纸張尺度適用中國國家榡準(CNS) A4規格-----

装 修 484039 A7 B7 五、發明説明（6 ) 造及排置而在基材背側上掃描輻射光束之裝置、以及一㉚ 建造及排置以偵測不受該背側上污染特定散佈之輕射之偵 測器。該一檢驗用具在偵測基材背側表面上之任何污染顆 粒中，極具效益且快速。 本發明亦關於一裝置製作方法，包含如下步驟： - 提供一至少部分被一層輻射感應材料覆蓋之基材至一 配置一支撐面之基材枱面上，用以保持及支撐基材於 其背側表面上； * 提供一内含一圖案之蔽光框；以及 •使用一輻射投影光束而經由一投影系統投影至少部 蔽光框圖案之影像於該層輻射感應材料之標的部 .其特徵為此方法另外包含在支撐面及基材背側表面之一 兩者上，偵測污染存在之步驟。 在一採用一微影投影裝置之製作過程中，一蔽光框圖 成像於一至少部分被一層輻射感應材料（阻抗層）遮蓋之$ 材上。在此成像步驟之前，基材可經歷各種過程，諸如打 底漆、阻抗層塗層及一微量烘焙。當曝光後，基材可承受 其他之過程，諸如曝光後烘烤（pEB)、顯像、強度烘焙 及成像影片之量測（檢驗）。此一系列過程可用做為造型 即為一 I C裝置個別層之基礎。該二圖案層可接著經過 如蝕刻、離子培植、濃液處理、金屬處理、氧化作用、 學機械抛光等，均欲光潔—個別層。t需要數面層時， 整個過程或其變數，將不得不針對每一新層重覆。最後 分 位 或 案基 以 諸 化則 -9- i纸張尺度適财8 S家標準(CNS) A4規格(摩挪公爱） 7 五、發明説明（ 一列陣<裝置將呈現於基材（晶元）上。這些裝置接著藉由 諸如切或鋸技術相互分離，使得個別裝置可安裝於一载 八上與銷件連接等。關於該過程之進一步資料，可選自 :者如1997年第二版”微晶片製造·半導體加工實務” 一書中 之ISBN 0-〇7-06725〇_4篇#中，其由mw匪出版公司 於1997年出版，作者為peter van zant。 雖然上面已根據本發明而特定參考使用裝置以生產 I C ’但宜明確了解該一裝置具有許多其他可能之應用。 諸如其可用以製作積體光學系統、用於磁領域記憶之引導 及偵測圖案、液晶顯示板、薄膠卷磁頭等。具技能工匠將 涊知在該變通應用内容中，任何在本文中使用之名稱，，光 網晶7L ”或”模子”，宜考慮為分別可被更通用名稱，，蔽光 框·’、"基材”及”標的部位，，取代。 本發明及其伴隨優點，將藉由範例及隨附概圖之助而進 一步說明，其中： 圖1概述適用於本發明之微影投影裝置； 圖2概述一根據本發明第一實例之污染偵測裝置； 圖3 a及3 b概述一根據本發明第一實例之清潔用具； 圖3 c概述一根據本發明第二實例之基材清潔用具； 圖3 d概述一根據本發明第三實例之基材清潔用具； 圖4a、4b及4c概述根據本發明第四實例之污染偵測裝置。 主要元件符號說明 BS (基材之)背側 ^ . 本紙張尺度適财s g綠準 484039 A7 B7 五、發明説明（8 ) C 標的部位 W 基材 CO 集光裝置 WH 支撐面 CP 污染 WS (基材之)上表面 DE 偵測器 WT 基材檯面 EX 光束成形光學件 10 (基材檯面之)清潔用具 IF 干擾儀之移位及量測裝置 11 清潔塊 IN 積分器 12 迴轉單元(或清潔塊驅動單元) LA 光源 13 凸件 Li 鏡片系統 15 迴轉單元 L2 鏡片系統 20 雷射光 ΜΑ 蔽光框 21 雷射光束 MP 告示板 22 掃描單元 MT 蔽光框檯面 30 偵測器 Mi 對齊記號 41 迴轉單元 m2 對齊記號 42 支撐單元 PB 投影光束 51 電磁輻射源 PL 投影系統 52 鏡子 Pi 對齊記號 53 淨化空氣裝置 P2 S 對齊記號 輻射源 54 淨化空氣裝置 實例1 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 484039 A7 B7 五、發明説明（9

圖1概述適用於本發明之微影投影裝置。此裝置包含： 一轉射系統LA、Ex、IN、CO，用以供應一輻射投影光 束PB (亦即Uv或euv輻射、X射線、離子、或雨 子)； ^ 一配置一蔽光框固定器之第一物體枱面（蔽光框枱面） ’用以固定一蔽光框Μ A (亦即一光網）； 一配置一支撐面之第二物體枱面（基材枱面）WT，用 以固定一基材W (亦即-阻抗層矽晶元）於其背側表 面；以及 才又影系統P L (亦即一鏡片或側折射系統、或是一鏡 子組）’用以成像蔽光框Μ A之光滲部位於基材w之標 的部位C上。 ' 在此一案例中，所述裝置包含反射元件。然而，其可變 通地包含一個或多個折射元件。 輕射系統包含一可產生輻射光束之光源LA (亦即一汞燈 或激光雷射、一熱離子槍或離子源、或是在一貯存環戋同 步加速器中圍繞一電子光束路徑置放之擺動器/波動器）。 此光束沿著各種光學元件通過-亦即光束成形光學件Εχ、 一積分器IN以及一集光裝置C0 -使得合成光束pB在其整 個剖面上具有期望形狀及強度分佈。 光束PB接著截斷固定於蔽光框乞台面mt上蔽光框固定器 内之蔽光框MA。當通過蔽光框MA後，光束pb通過投影 系統PL，其定焦光束PB於一基材w之標的部位c上。藉 由千擾儀之移位及量測裝置IF，基材枱面…丁可精確^ -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐）.

裝 訂 擊 A7 B7

五、發明説明（1〇 ) 動，亦即在光束PB路徑中定位不同之標的部位c 上述裝置可用於兩種不同模式： ’而整

光框枱面Μ T可在一已知方向（所謂之 在行進模式中，蔽光框枱面Μτ主要保持靜止 個蔽光框影像在一進程中（亦即單次，，閃光"）投 標地部位C。基材枱面WT接著在\及/ (情節，不同者為一 中未曝光。反之，蔽 謂之’’掃描方向”、亦 即X方向）以速率v移動，使得投影光束pB在一蔽光 框影像上掃描；在此同時，基材枱面w τ同時地以v V之速率在相同或相反方向移動，其中M為投影系統 PL之放大率（基本上m=1/4或1/5)。如此，在不需妥 協析像度下’可以曝光較大之標的部位C。 圖2顯示圖1基材枱面w T之側視圖，以及根據本發明第 一實例之污染偵測裝置。該污染偵測裝置配置水平感測裝 置’其包含一輻射源S、一鏡片系統l 1、L 2以及一偵測 器D E。水平感測裝置用以偵測一基材w上表面w S之表面 形態，而該基材W以其背側B S固定於一基材枱面w τ之支 撐面WH上。當採用水平感測裝置時，輻射源s產生一輕 射光束，其以一鏡片L1而被導入一在基材^上表面ws上 折射之定點S P，同時經由鏡片L 2導入偵測器d E。偵測 器之建造及排置適可量測光束方向之改變，表示一基材w 上表面W S之表面形態變形。該一變形可能因基材w在一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐)

争定地點較厚、或是因污染存在於基材w背側表面BS& ^撐表面WH惑間而造成。藉由貯存至少兩基材之表面形 態於數據貯存裝置内、以及藉由比較那些表面形態，可以 偵知表面形態上類似地點之重現變形。此將表示一位在支 撐表面WH該地點上之污染。水平感測裝置可為一如同美 國第5，191，200號專利所述之聚焦偵測系統，其納入 考。 圖3 a部分地以剖面顯示圖i之基材枱面wt以及一根據 本發明第一實例之基材枱面清潔用具丨〇。基材枱面w丁配 置一支撐面WH,其包含一列陣排置之概略垂直該表面之 凸件1 3。一真空產生於各種凸件丨3與基材w背側間之區 域内，用以固定基材W於支撐面▽11上。一存在於一凸件 13及基材W背側表面間之污染粒，將造成基材w及其成 像一圖案之頂表面之變形。凸件丨3展現一與基材w背側 表面 < 較小接觸面，造成一較低可能性之污染存在於支撐 面W Η及基材W之間。較小接觸面之另一優點為在接觸表 面上來自背側表面之壓力，較當使用一較大接觸面時為 向此較向壓力可破裂任何存在於支撐面上之污染。 當偵知污染存在於支撐面WH時，支撐面WH可在自基材 才口面W T上拆下一基材及裝上另一基材w間加以清潔。在 清潔^撐面WH過程中，一晶元固，清潔用具1〇之清潔塊 11，藉由一如圖3b所示之清潔塊驅動單元12而下放至支 撐面WH之凸件13上。接著，任一清潔塊1〇或是晶元枱 面WT (或是兩者）將被輸送而使得清潔塊丨丨移越支撐面 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇χ297公楚）_ 五 、發明説明（ 12 清潔而被刮去。：潔::多:上染:藉由磨擦 裝置進行，此^ & 4自動式，其可不需開啟微影 能。 、目田地降低當機時間且相當地增加裝置產 顯示實例之清潔塊丨丨， 一 鋁或以金屬做為參力物、/導廷足陶竞材料，諸如 俾潛在地在清化欽。清潔塊11電性接地， 電荷作過程中，防止靜電荷之堆積。該-靜 力。 貝，可造成支撐面WH及清潔塊U間之靜電引 ’：潔塊11之清潔表面，具有0.1 _等級或更小之 且又，俾在與清潔塊U接觸之各種凸件13上方，均 =由清潔塊"產生之接觸力，同時防止過多力量產 厂早凸件上。菽一過多力量可損壞一凸件U，因而 抽害以凸件頂部表面之接觸力之均一性。 圖3 a及3b顯示一鄰靠支撐面WHa件而存在於基材枱面 wt上之告示板Mp。置入告示板Mp内之告示器，用做為 微影裝置内用於基材W及基材枱面WT之校正過程。在同 ^平面上，告示板MP之頂側高於存在於基材枱面W丁上 <基材W頂側。在一凸件支撐面之清潔操作過程中，其中 基材W如圖3b未示於圖面上，清潔塊丨丨可併入告示板Mp 或任何其他可存在於基材枱面wI頂測上之用具内。為了 防止告示板MP受到損壞，清潔用具1〇可經建造而使得當 一產生於告示板MP上或任何其他其可能併入之用具内之 預設力量值過大時，清潔塊1 1可自凸件中回縮。 -15 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 五、發明説明（13 實例2 圖3。顯示根據本發明第二實例之用於圖】裝置内之、“ 用具1 0。第二實例使用上述本發明之污染偵測裝置月糸 某些精煉而搭配稍後說明之清潔用具。在清潔用且以 中，迴轉單元15可迴轉清潔塊"，使得藉由清潔塊;、J 迴轉移動，造成支撐®WH之磨擦清潔。清潔塊驅 i2可用以在支撐面簡之特定地點定位清潔塊" 清潔將可藉由清潔塊1丨之迴轉移動而改良。 ·τ' 實例3 圖3d，示根據本發明第三實例而用於圖i裝置内之清潔 用具1二實例採用本發明上述之污染偵測裝置。清潔用 具包含一電磁輻射源51，其輻射一輻射光束至引導輻 光束至支撐面WH之鏡子52。藉由移動鏡子”，光束 移越整個支撐面WH上方1時可引導至疗染粒。當其擊 中污染粒時，其可被蒸發或是燒烺。清潔用具可搭^淨化 空氣裝置53、54,用以供應淨化氣體至該主表面上方以 防止再度污染及移除污染物件。 實例4 圖4a、4b及4c顯示根據本發明第四實例之污染偵測裝 置。該污染偵測裝置可包含一檢驗用具，其可用以檢驗存 於基材w背側表面上之污染。一寻污染c p被偵知後，基 材W將被剔退而不裝載至裝置内。因此，污染cp可防^ 進入微影裝置内且置入支撐面WH及基材w之間，同時各 基材W自基材枱面WT卸下時，可能防止存留於支撐= A7 B7 14 五、發明説明（ WH上。 ^檢驗用具在圖示用具内包含一諸如雷射光2〇之光源。 來自雷射光之雷射光束21被導入且將特定地自基材w背 側面折射。然而，任何存於背側上之污染粒cp，將在所 2方向散佈部分之雷射光束2 1，該散佈光線被一不特定 疋位 < 偵測器3 0偵測。操作時，基材w裝載於檢驗用具 内，而雷射光束2 1掃描基材之背側面、偵測器3 〇以及相 關電子件，俾當雷射光束21碰到一污染粒以時，產生一 L號脈波。接著，基材w可被剔退而防止進入石印刷裝置 及裝填於基材枱面…丁上。剔退之基材可置入一特定載具 内。 八 —圖4a、4b及4c顯示三個用於基材背側檢驗用具之不同 貫例。在圖4a之檢驗用具中，基材w被置於檢驗用具之 迴轉單元41上，用以支撐面及迴轉基材w。操作時，雷 射光束21在當基材被迴轉單元41迴轉時，藉由一雷射掃 描單元22而在一徑向方向乂上，前後掃描基材冒之背側表 面上方。 在圖4b所示之檢驗用具中，基材w被三個支撐件固定於 檢驗用具之支撐單元42上。雷射光束21在一第一方向χ 上，藉由一雷射掃描單元2 2前後掃描於基材w背側表 面，在基材在一與第一方向χ正g之第二方向y上，被其 支撐單元42轉移。 圖4c之檢驗用具，包含一具有三個支撐件以支撐基材⑺ 之支撐單元42 ’以及用以在一第一方向χ及一與第一方向 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公爱) 15 五、發明説明（ 正=二方向u、前後掃描雷射光束 一雷射掃描單开, 、^1側表面之 ^ XI,, 八測器3 〇置於第三檢驗用且内 機械式地或電性連接雷射掃描單元22 :内’其 之y万向移動而在y方向移位偵測器3〇。 -射光2〇 在各種檢驗工具中雷射光掃描 射光之適當迴轉移動及/或藉由一可移動及 雷 之折射雷射光束而得。 飞了旋轉鏡子 檢驗用具可置人彡裝置成像部位置 作單元内。操作單开ή ^ ^ 基材操 一卜早凡自一輸送基材至裝置之特有軌道或自 、’、Τ子數基材之載具中取得基材、檢驗基材污染、將剔 退基材^入特足載具内、移交清潔基材且自裝置之成像部 2取得曝光基材而將其輸送至另一軌道或另一貯存用載 隹；二上面發表本發明之特定實例，但宜認知本發明可以 不同於上述足方法練習。譬如，本發明可用以偵測存於蔽 光框及/或蔽光框固定器上之污染。

Claims (1)

1. •一種微影投影裝置，包含·· 一照明系統，用以支撐一輻射投影光束； 一第一物體枱面，用以固定一蔽光框； -配具支撐表面之第二物體枱面，以支撐及固定 一基材於其背側表面；以及 -投影系統，用以將蔽光框之光滲部位成像於一基 材之標的部位， 其特徵為裝置包含污染偵測裝置，其結構及排置可用 以在支撐表面及基材背側表面之一或兩者上，偵測污 染之存在。 根據申請專利範圍第1項之裝置，其中該污染偵測裝置 包含： 水平感測裝置，其結構及排置可用以偵測置於該支 撐面上之基材表面形態； 數據貯存裝置，用以貯存至少兩基材之表面形態； 以及 處理裝置，用以比較至少兩個貯存於該數據貯存裝 置内基材之表面形態，俾在類似位置上了解該基材 表面形態中之重現變形，俾代表污染在支撐面該位 置上之存在。 根據申請專利範圍第1項之裝I，其中該污染偵測裝置 適可偵測茲支撐面上一污染位置，·而該裝置包含一清潔 用具，適可相對該支撐面而移至該位置及清潔該位置。 根據申請專利範圍第3項之裝置，其中該清潔用具包含 A8 B8

   .具有—清潔表面之清潔塊，其# 以其清潔；具被進一步建造及排置Λ 升Μ 4面靠向該支撐面定位， 位時冋時當靠向該支撐面定 〒可相對及平行該支撐面移動。 根據申凊專利範圍第4項之裝置，並、主 瓷材料。 /、中巧你塊包含一 Ρ矣 •，據申請專利範圍第5項之裝置 含銘及敛氧化物之組體。 竹’是材科選自包 請專利範圍第4至6之任-項之裝置，其中清潔境 主少王邵分導電。 請專利範圍第4至6之任一項之裝置，其中清潔塊 β Λ、面’具有〇1 或更小之表面粗度。 根據申請專利範圍第4項之裝置，其中該清潔塊包含一 海棉。 9 10.根據申請專利範圍第9項之裝置，其中該海棉之建造及 排置，適可搭配一溶劑。 11·根據申請專利範圍第3項之裝置，其中該清潔用具包含 輕射源及輻射引導裝置，用以在該支撐面上偵測該福 射以清潔該支撐面。 12·根據申凊專利範圍第1 1項之裝置，其中該輕射包含紫外 線輻射。 " 13.根據申請專利範圍第1 1或1 2項’裝置，其中該清潔用具 另外包含淨化氣體裝置，用以供應一淨化氣體至該支撐 面上。 14.根據申請專利範圍第1項之裝置，其中污染偵測裝置包 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇 X 297公釐)

   裝 玎 線 484039

   A BCD 含一基材檢驗用具，其建造及排置適可檢驗基材背側表 面之污染，同時剔m基材免於裝載至支撐面上。 15.根據申請專利範圍第14項之裝置，其中該檢驗用具包含 用’產生笔磁輻射光束之輻射源、經建造及排置以 在基材背侧表面上掃描輻射光束之裝置、以及一偵測 器，其建造及排置射偵測被存於該㈣上 定散佈之輻射。 16. 一種微影投影方法，包含如下步驟： •提供一至少部分被一層輻射感應材料覆蓋之基材至 配置一支撐面（基材枱面上，用以保持及基 材於其背側表面上； 提供一内含一圖案之蔽光框；以及 -使用一輻射投影光束而經由一投影系統投影至少部 分蔽光框圖案之影像於該層輻射感應材料之標的部 位上， 其特徵為此方法另外包含支撐面及基材背側表面之一 或兩者上，側測污染存在之步驟。 -21