TW201826038A - 輔助曝光裝置及曝光量分布取得方法 - Google Patents

輔助曝光裝置及曝光量分布取得方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201826038A
TW201826038A TW106132194A TW106132194A TW201826038A TW 201826038 A TW201826038 A TW 201826038A TW 106132194 A TW106132194 A TW 106132194A TW 106132194 A TW106132194 A TW 106132194A TW 201826038 A TW201826038 A TW 201826038A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
exposure
wafer
substrate
reflected
Prior art date
Application number
TW106132194A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI753945B (zh
Inventor
柏木秀明
丹羽崇文
古閑法久
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW201826038A publication Critical patent/TW201826038A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI753945B publication Critical patent/TWI753945B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70991—Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

[課題] 在對被塗佈在基板上之光阻膜，與轉印光罩之圖案的通常曝光處理不同，另外進行照射紫外光之輔助曝光之情況下，以更確實地提高光阻圖案之線寬之面內均勻性。 　　[解決手段] 輔助曝光裝置(123)係對被塗佈在晶圓(W上)之光阻膜轉印光罩之圖案之曝光處理不同，另外進行對晶圓上之光阻膜照射來自雷射光源(135)之特定波長的光的輔助曝光。輔助曝光裝置(123)具備朝向晶圓(W)反射來自雷射光源(135)之光的第1全反射鏡(141)，和反射被反射至該第1全反射鏡(141)之後被反射至晶圓(W)之光的第2全反射鏡(142)，和具有受光被反射至第2全反射鏡(142)之光之受光部的攝像裝置(143)。

Description

輔助曝光裝置及曝光量分布取得方法
[0001] 本發明係關於對被塗佈在基板上之光阻膜，與轉印光罩之圖案的通常曝光處理不同，另外進行照射紫外線的輔助曝光之輔助曝光裝置及取得輔助曝光之時的曝光量分布之曝光量分布取得方法。
[0002] 在半導體裝置等之製造製程中的光微影工程中，依序進行在半導體晶圓(以下，稱為晶圓)等之基板上塗佈光阻液而形成光阻膜之光阻塗佈處理、在光阻膜曝光特定圖案之曝光處理、使被曝光之光阻膜予以顯像的顯像處理等。依此，在晶圓上形成特定光阻的圖案。該些之一連串之處理係藉由處理晶圓之各種處理裝置或搭載有搬運晶圓之搬運機構等之基板處理系統及曝光裝置來進行。 　　在曝光裝置中，掃描以光源和Nmm×25mm(N為例如1～3)之縫隙所形成的細長光束而使例如晶圓上之35mm×25mm之區域曝光。 　　[0003] 然而，隨著光微影進行的圖案之微細化，要使在顯像處理後之晶圓上所取得的光阻圖案之線寬成為均勻變得困難，光阻圖案之線寬之面內均勻性成為大的課題。 　　於是，因提高光阻圖案之線寬之面內均性，故以往在上述使用縫隙之曝光中，在每曝光射擊僅以設定時間曝光均勻的光。在此，曝光射擊係指使用縫隙掃描之情況，且藉由經該縫隙進行複數次曝光使晶圓全體曝光之情況下，藉由經縫隙的一次曝光被照射的區域。另外，各曝光射擊係與鄰接之曝光射擊一部分重複。 　　但是，近年來，微細化進一步發展，在曝光射擊內之線寬的偏差問題更為顯著。作為該對策，採用對每曝光射擊調整曝光量之方式。 　　[0004] 但是，因該方式使用Nmm×25mm之縫隙而進行曝光，故在使縫隙掃描之方向，雖然可以使曝光量變化，但是無法在一個曝光射擊內使曝光量變化。再者，因縫隙之掃描方向之寬度也大到數mm程度，且掃描方向之曝光量之調整也不充分，故在光阻圖案之線寬之面內均勻性之點上，有改善的空間。 　　[0005] 鑒於如此之背景，作為提升光阻圖案之線寬之面內均勻性的方法，可考慮以下內容。即是，與轉印光罩之圖案的通常曝光處理不同，另外藉由使用直徑較該通常曝光處理所使用之射束小的射束而分別使晶圓上面被區分的各個照射區域曝光，進行晶圓全體之曝光(輔助曝光)，例如，使通常曝光處理和輔助曝光處理中合計的曝光量成為期待的分布之方法(參照專利文獻1～3)。 　　[0006] 但是，如上述般，因即使調整輔助曝光時之光源的輸出，從光源到在晶圓上面被區分的各照射區域為止的光路不同，故有無法在各區域取得期待之曝光量的情形。 　　[0007] 關於此點。專利文獻1之輔助曝光裝置係每一定裝置運轉時間或每一定的月日，使照度計移動至與晶圓上面相同之位置，且以該照度計測量輔助曝光位置之照度，取得該測量結果和光輸出之指令值的關係。因此，可以使實際之曝光量接近期待之曝光量。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0008] 　　[專利文獻1] 日本特開2013-186191號公報 　　[專利文獻2] 美國專利出願公開第2015/146178號說明書 　　[專利文獻3] 美國專利出願公開第2015/147164號說明書
[發明所欲解決之課題] 　　[0009] 但是，在專利文獻1之輔助曝光裝置中，如上述般，進行在輔助曝光位置之照度的測量，係每一定裝置運轉時間或每一定的月日，亦即測量間隔大。因此，在測量和測量間，藉由裝置環境變化等，從光源到晶圓上面之各照射區域為止之光路的狀態變化，作為相對於光輸出之指令值的照度即是曝光量無法取得期待值，其結果，有光阻圖案之線寬的面內均勻性變低之情形。 　　另外，專利文獻2、3關於此點並無開示。 　　[0010] 本發明係鑒於如此之點而創作出，對被塗佈在基板上之光阻膜，轉印光罩之圖案的通常曝光處理不同，另外進行照射紫外光之輔助曝光之情況下，以更確實地提高光阻圖案之線寬之面內均勻性為其目的。 [用以解決課題之手段] 　　[0011] 為了達成上述目的，本發明係一種輔助曝光裝置，其係與在被塗佈於基板上之光阻膜轉印光罩之圖案的曝光處理不同，另外在上述基板上之光阻膜照射來自光源之特定波長的光，該輔助曝光裝置之特徵在於，具備：第1反射構件，朝向上述基板反射來自上述光源之上述光；和受光部，其係受光被反射至基板之後的光。 　　[0012] 以具備反射被反射至上述第1反射構件且被反射至上述基板之光的第2反射構件為佳。 　　[0013] 具備根據在上述受光部之受光結果，取得朝上述基板上之光阻膜的曝光量之分布的取得部為佳。 　　[0014] 具備使上述基板移動至特定方向之移動機構，和朝向上述第1反射構件反射來自上述光源之上述光的多面鏡，藉由利用上述移動機構使上述基板移動，以在上述多面鏡反射且在上述第1反射構件反射之光，在上述特定方向掃描上述基板，藉由使上述多面鏡旋轉，以在該多面鏡反射且在上述第1反射構件反射之光，在與上述特定方向正交之方向掃描上述基板為佳。 　　[0015] 上述第1反射構件被設置成藉由該第1反射構件被反射之光以對上述基板呈非垂直之角度射入為佳。 　　[0016] 上述受光部以線感測器為佳。 　　[0017] 上述受光部以具有對紫外線的敏感度為佳。 　　[0018] 若依據藉由另外觀點的本發明時，提供一種曝光量分布取得方法，其係與在被塗佈於基板上之光阻膜轉印光罩之圖案之曝光處理不同另外進行的輔助曝光處理中，取得相對於上述基板上之光阻膜的曝光量的分布，該曝光量分布取得方法之特徵在於，在上述輔助曝光處理中，藉由第1反射構件使來自射出特定波長之光的上述光源的上述光，朝向上述基板反射，使受光部受光被反射至基板之後的光，根據在該受光部之受光結果，取得相對於上述基板上之光阻膜的曝光量之分布。 　　[0019] 以使被反射於上述第1反射構件且被反射於上述基板之光藉由第2反射構件反射，且使受光部受光，根據該受光結果，取得相對於上述基板上之光阻膜的曝光量之分布為佳。 　　[0020] 在上述輔助曝光處理中，藉由使上述基板移動至特定方向之移動機構，使上述基板移動，同時使來自上述光源之上述光朝向上述第1反射構件反射之多面鏡旋轉，使在上述多面鏡反射且在上述第1反射構件反射之光在上述受光部受光，根據該受光結果，取得相對於上述基板上之光阻膜的曝光量之分布為佳。 　　[0021] 藉由上述第1反射構件被反射之光以對上述基板呈非垂直之角度射入之方式，在該第1反射構件反射為佳。 [發明效果] 　　[0022] 若藉由本發明時，可以更確實地提高光阻圖案之線寬之面內均勻性。
[0024] (第1實施型態) 　　以下，針對本發明之實施型態而予以說明。圖1為表示搭載包含與本發明之第1實施型態有關之輔助曝光裝置之曝光站之基板處理系統1之構成之概略的說明圖。圖2及圖3分別為示意性地表示各基板處理系統1之內部構成之概略的正視圖和背面圖。另外，在本說明書及圖面中，針對實質上具有相同功能構成之要素，藉由賦予相同符號，省略重複說明。 　　[0025] 基板處理系統1如圖1所示般具有一體連接收容複數片晶圓W之卡匣C被搬入搬出的卡匣站10，和具備對晶圓W施予特定處理之複數各種處理裝置的處理站11，和在與處理站11鄰接之曝光站12之間進行晶圓W之收受的介面站13的構成。 　　[0026] 在卡匣站10設置有卡匣載置台20。在卡匣載置台20，設置有複數於對基板處理系統1之外部搬入搬出卡匣C之時，載置卡匣C之卡匣載置板21。 　　[0027] 在卡匣站10如圖1所示般設置有在X方向延伸之搬運路22上移動自如之晶圓搬運裝置23。晶圓搬運裝置23在上下方向及垂直軸周圍(θ方向)也移動自如，可以在各卡匣載置板21上之卡匣C，和後述處理站11之第3區塊G3之收授裝置之間，搬運晶圓W。 　　[0028] 在處理站11設置有具備有各種裝置之複數例如四個區塊G1、G2、G3、G4。例如，在處理台11之正面側(圖1之X方向負方向側)設置第1區塊G1，在處理台11之背面側(圖1之X方向正方向側)設置有第2區塊G2。再者，在處理站11之卡匣站10側(圖1之Y方向負方向側)設置第3區塊G3，在處理站11之介面站13側(圖1之Y方向正方向側)設置有第4區塊G4。 　　[0029] 例如在第1區塊G1，如圖2所示般，從下方依序配置複數液處理裝置，例如對晶圓W進行顯像處理之顯像處理單元30、在晶圓W之光阻膜之下層形成反射防止膜(以下，稱為「下部射防止膜」)之下部反射防止膜形成裝置31、在晶圓W塗佈光阻液而形成光阻膜之光阻塗佈裝置32、在晶圓W之光阻膜之上層形成反射防止膜(以下，稱為「上部反射防止膜」)之上部反射防止膜形成裝置33。 　　[0030] 例如，顯像處理裝置30、下部反射防止膜形成裝置31、光阻塗佈裝置32、上部反射防止膜形成裝置33分別在水平方向排列配置3個。另外，該些顯像處理裝置30、下部反射防止膜形成裝置31、光阻塗佈裝置32、上部反射防止膜形成裝置33之數量或配置可以任意選擇。 　　[0031] 像該些顯像處理裝置30、下部反射防止膜形成裝置31、光阻塗佈裝置32、上部反射防止膜形成裝置33這樣的液處理裝置，係進行例如在晶圓W上塗佈特定處理液的旋轉塗佈。在旋轉塗佈中，從例如塗佈噴嘴對晶圓W上吐出處理液，同時使晶圓W旋轉，而使處理液在晶圓W之表面擴散。 　　[0032] 例如，在第2區塊G2，如圖3所示般，在上下方向和水平方向排列設置進行晶圓W之加熱或冷卻這樣的熱處理的熱處理裝置40，或為了提高光阻液和晶圓W之固定性的黏著裝置41、使晶圓W之外周部曝光之周邊曝光裝置42。即使針對該些熱處理裝置40、黏著裝置41、周邊曝光裝置42之數量或配置也可以任意選擇。 　　[0033] 例如，在第3區塊G3，從下方依序設置有複數之收授單元50、51、52、53、54、55、56。再者，在第4區塊G4，從下方依序設置有複數之收授單元60、61、62。 　　[0034] 如圖1所示般，在被第1區塊G1～第4區塊G4包圍之區域上形成有晶圓搬運區域D。在晶圓搬運區域D配置複數具有例如在Y方向、X方向、θ方向及上下方向移動自如之搬運臂的晶圓搬運裝置70。晶圓搬運裝置70係在晶圓搬運區域D內移動，並可以將晶圓W搬運至周圍之第1區塊G1、第2區塊G2、第3區塊G3及第4區塊G4內之特定裝置。 　　[0035] 再者，在晶圓搬運區域D，設置有在第3區塊G3和第4區塊G4之間直線性地搬運晶圓W之穿梭搬運裝置80。 　　[0036] 穿梭搬運裝置80係在例如圖3之Y方向直線性地移動自如。穿梭搬運裝置80係在支撐晶圓W之狀態下在Y方向移動，可以在第3區塊G3之收授裝置52和第4區塊G4之收授裝置62之間搬運晶圓W。 　　[0037] 如圖1所示般，在第3區塊G3之X方向正方向側之旁邊，設置有晶圓搬運機構100。晶圓搬運裝置100具有例如在X方向、θ方向及上下方向移動自如之搬運臂。晶圓搬運裝置100係在支撐晶圓W之狀態下上下移動，而可以將晶圓W搬運至第3區塊G3內之各收授裝置。 　　[0038] 在介面站13設置有晶圓搬運裝置110和收授裝置111。晶圓搬運裝置110具有例如在Y方向、θ方向及上下方向移動自如之搬運臂。晶圓搬運裝置110係在例如搬運臂支撐晶圓W，可以在第4區塊G4內之各收授裝置、收授裝置111及曝光站12之收授裝置121之間搬運晶圓W。 　　[0039] 曝光站12設置有晶圓搬運裝置120和收授裝置121和曝光裝置122和輔助曝光裝置123。晶圓搬運裝置120具有例如在X方向、Y方向、θ方向及上下方向移動自如之搬運臂。晶圓搬運裝置120係在例如搬運臂支撐晶圓W，可以在收授裝置121、曝光裝置122及輔助曝光裝置123之間搬運晶圓W。 　　[0040] 曝光裝置122係進行在晶圓W上之光阻轉印光阻之圖案的通常之曝光(以下，稱為本曝光)的曝光裝置。 　　輔助曝光裝置123係與曝光裝置122進行的曝光處理不同，另外進行對晶圓上之光阻膜照射特定波長(例如267nm)之紫外光的輔助曝光。藉由輔助曝光裝置123進行的輔助曝光，可以提升於顯像處理後所取得之光阻圖案之線寬的面內均勻性。 　　[0041] 在上述之基板處理系統1，如圖1所示般設置有控制部200。控制部200係例如電腦，具有程式儲存部(無圖示)。在程式存儲部，儲存有實行在基板處理系統1中之晶圓W的處理或搬運、晶圓W之通常的曝光、晶圓之輔助曝光等之程式。另外，上述程式為被記錄於例如電腦可讀取之硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、光磁碟(MO)、記憶卡等之電腦可讀取之記憶媒體H者，即使為自其記憶媒體H被安裝於控制部200者亦可。 　　[0042] 在使用如上述般被構成之基板處理系統1而進行的晶圓W之處理方法中，首先，收納複數晶圓W之卡匣C被搬入至卡匣站10。接著，卡匣C內之晶圓W係藉由晶圓搬運裝置23而被搬運至第2區塊G2之熱處理裝置40，而被溫度調節處理。之後，晶圓W被搬運至第1區塊G1之下部反射防止膜形成裝置31，在晶圓W上形成下部反射防止膜。之後，晶圓W係被搬運至第2區塊G2之熱處理裝置40，被加熱處理，且被溫度調節。 　　[0043] 接著，晶圓W被搬運至黏著裝置41，被黏著處理。之後，晶圓W被搬運至第1區塊G1之光阻塗佈裝置32，在晶圓W上形成光阻膜。 　　[0044] 當在晶圓W形成光阻膜時，接著晶圓W被搬運至第1區塊G1之上部反射防止膜形成裝置33，在晶圓W上形成上部反射防止膜。之後，晶圓W係被搬運至第2區塊G2之熱處理裝置40，進行加熱處理。之後，晶圓W藉由晶圓搬運裝置70被搬運至周邊曝光裝置42，被周邊曝光處理。 　　[0045] 於周邊曝光後，晶圓W從周邊曝光裝置42被搬運至第4區塊G4之收授裝置62。之後，晶圓W藉由介面站13之晶圓搬運裝置110被搬運至曝光站12。 　　[0046] 被搬運至曝光站12內之晶圓W藉由曝光站12內之晶圓搬運裝置120，被搬運至曝光裝置122，對晶圓W上之光阻膜進行本曝光。接著，晶圓W被搬運至輔助曝光裝置123，對晶圓W上之光阻膜進行輔助曝光。 　　[0047] 在曝光站12之曝光後，晶圓W藉由晶圓搬運裝置110從曝光站12被搬運至第4區塊G4之收授裝置60。之後，晶圓W藉由晶圓搬運裝置70被搬運至熱處理裝置40，被進行曝光後烘烤處理。之後，晶圓W藉由晶圓搬運裝置70被搬運至顯像處理裝置30，被顯像。於顯像結束後，晶圓W藉由晶圓搬運裝置70被搬運至熱處理裝置40，被後烘烤處理。 　　[0048] 之後，晶圓W被搬運至卡匣站10之卡匣C。如此一來，結束一連串之光微影工程。 　　[0049] 另外，在以上之例中，雖然設為於曝光裝置122進行的本曝光後藉由輔助曝光裝置123進行輔助曝光，但是即使輔助曝光於本曝光之前進行亦可。再者，於進行曝光前烘烤處理之情況下，即使於曝光前烘烤處理之後進行輔助曝光亦可，即使於曝光前烘烤處理之前進行輔助曝光亦可。 　　[0050] 接著，針對輔助曝光裝置123予以說明。圖4及圖5分別為表示輔助曝光裝置123之構成之概略的橫剖面圖及縱剖面圖，在圖5中，省略後述之雷射光源135和反射鏡136～138之圖示。 　　[0051] 輔助曝光裝置123係如圖4及圖5所示般具有框體130。框體130之側面形成搬入搬出晶圓W之無圖示的搬入搬出口。在框體130之內部設置有吸附保持晶圓W之晶圓夾具131。晶圓夾具131具有水平之上面，在該上面設置有例如吸引晶圓W之吸引口(無圖示)。藉由該吸引口之吸引，可以在旋轉夾具131上吸附保持晶圓W。 　　[0052] 在晶圓夾具131如圖5所示般，安裝有作為與本發明有關之「移動機構」的夾具驅動部132。在框體130之底面，設置有從框體130內之一端側(圖5中之X方向負方向側)延伸至另一端側(圖5中之X方向正方向側)之導軌133。夾具驅動部132被設置在導軌133上。 　　[0053] 在夾具驅動部132內置例如馬達(無圖示)，使晶圓夾具131旋轉，同時被構成沿著導軌133移動自如。夾具驅動部132係藉由如上述般被構成移動自如，可以在與周邊曝光裝置42之外部之間進行晶圓W之收授的收授位置P1，和對晶圓W進行輔助曝光處理之輔助曝光位置P2之間，移動晶圓，再者，可以在輔助曝光處理中使晶圓W移動至特定方向(X方向)。 　　[0054] 在框體130之內部，設置有藉由夾具驅動部132等被搬運至X方向(主掃描方向)之晶圓W之光阻照射特定波長之紫外光的掃描曝光單元134。掃描曝光單元134對以特定間距被設置在晶圓W之曝光區域照射紫外光束。當將照射至一個曝光區域的光束之單位設為「射擊」時，掃描曝光單元134係間斷性地照射1射擊之光束，藉由每1射擊使照射位置偏移，對晶圓W上之光阻，於與主掃描方向正交之方向(Y方向)掃描光束。另外，在晶圓W之直徑為300mm之情況下，上述曝光區域以例如0.5mm間距被設置，光束之直徑為1.4mm。 　　[0055] 掃描曝光單元134具有雷射光源135、反射鏡136～138、多面鏡139、fθ透鏡140及第1全反射鏡141，該些掃描曝光單元134之構成構件位於較被保持於晶圓夾具131之晶圓W更上方。 　　[0056] 雷射光源135係將設為略平行光束之光，具體而言紫外光雷射光束間斷地射出的光源，朝向X方向負方向側射出光。該雷射光源135被配置在框體130中之Y方向正方向側之端部，且為X方向正方向側之端部。 　　[0057] 反射鏡136係朝向Y方向負方向側反射來自雷射光源135之光，反射鏡137係朝向X方向正方向側反射在反射鏡136反射的光。反射鏡138係朝向Y方向正方向側，即是朝向多面鏡139反射在反射鏡137反射的光。另外，例如，即使在反射鏡136和反射鏡137之間的光路，設置調整來自雷射光源135之光的狀態的光束調節器亦可。 　　[0058] 多面鏡139係反射面被配置成多角形狀且以該多角形之中心為旋轉軸而可以高速旋轉之光偏轉器，朝向fθ透鏡140依序改變角度反射藉由反射鏡138被反射的光。相對於該多面鏡139，設置有無圖示之多面鏡驅動手段，多面鏡139係藉由上述驅動手段以特定速度旋轉。 　　[0059] fθ透鏡140係從射入至該fθ透鏡140之前變更穿透該fθ透鏡140之後的光之前進方向，將在多面鏡139反射之光的前進方向變更成特定方向(Y方向負方向)側。 　　[0060] 第1全反射鏡141係朝向被保持於晶圓夾具131之晶圓W之表面，反射藉由多面鏡139依序變更角度而被反射且穿透fθ透鏡140之光，設為能夠進行在多面鏡139被反射的光進行晶圓W之Y方向的掃描。 　　另外，第1全反射鏡141係與本發明有關之「第1反射構件」之一例，被設置成藉由該反射鏡141被反射之光以相對於晶圓W呈非垂直之角度射入。再者，第1全反射鏡141之Y方向之尺寸與晶圓W之直徑相同，或是稍大，X方向之尺寸係藉由該反射鏡141被反射並且藉由晶圓W被反射之光不射入至該反射鏡141之大小。 　　[0061] 並且，在框體130之內部，第2全反射鏡142和攝像裝置143被設置在掃描曝光單元134更上方。 　　[0062] 第2全反射鏡142係與本發明有關之「第2反射構件」之一例，朝向X軸方向正方向，即是攝像裝置143之方向，反射被反射至第1全反射鏡141並且藉由晶圓W被反射的光。如此一來，在藉由基板被反射之光的行進方向中，難聚光或受光之情況下，設置用以將藉由基板被反射之光朝向受光部引導的反射板即可。 　　[0063] 攝像裝置143係受光藉由第2全反射鏡142被反射之光，攝像晶圓W之曝光狀態。 　　該攝像裝置143具有無圖示之受光部和透鏡。在攝像裝置143中，受光部係由例如線感測器所構成，為了不阻礙輔助曝光處理而接受光，位於受光反射至基板之後的光的位置上。在本實施型態中，受光部係受光藉由第2全反射鏡142被反射之光，再者，透鏡係在上述受光部聚光藉由第2全反射鏡142被反射的光。攝像裝置143之受光部以由相對於具有與從雷射光源135被輸出之紫外光相同之波長之光具有敏感度之元件所構成為佳。但是，從雷射光源135被輸出之光，也有由於被反射至形成有光阻膜之晶圓W等使得其波長在可見光區變化之情形，在如此之情形即使使用非紫外光而係對可見光具有敏感度之元件亦可。 　　[0064] 在框體130之內部，輔助曝光位置P2，設置有位置檢測感測器144。位置檢測感測器144具有例如CCD攝影機(無圖示)，在輔助曝光位置P2，檢測出被保持在晶圓夾具131之晶圓W之中心的偏心量，或晶圓W之溝槽部N之位置。在輔助曝光裝置123中，一面藉由位置檢測感測器144檢測出溝槽部N之位置，一面藉由夾具驅動部132使晶圓夾具131旋轉，而可以調整晶圓W之溝槽部N之位置。 　　[0065] 輔助曝光裝置123之上述構成部分中，夾具驅動部132、雷射光源135、多面鏡驅動手段、攝像裝置143等與控制部200連接，藉由控制部200控制其動作。 　　[0066] 接著，針對使用如上述般構成之輔助曝光裝置123而執行之輔助曝光處理予以說明。圖6為用以說明輔助曝光處理之一例的時序圖。圖7～圖9為表示輔助曝光處理中之輔助曝光裝置123內之樣子的圖示。另外，在以下中，以於進行輔助曝光之時在輔助曝光裝置123內剩餘之前的晶圓W之例予以說明。 　　[0067] (步驟1：晶圓搬出搬入) 　　於對晶圓W進行輔助曝光處理之時，首先，晶圓搬運裝置120之機械臂(ARM1)被插入至輔助曝光裝置123內，保持被吸附於位於收授位置P1之晶圓夾具131之前的晶圓W。同時，被連接於晶圓夾具131之泵浦(Chuck VAC)所致的吸附動作成為OFF。而且，保持之前的晶圓W之機械臂上下動作，該機械臂從輔助曝光裝置123拉出，取出之前的晶圓W。接著，保持輔助曝光對象之晶圓W的另外機械臂(ARM2)被插入至輔助曝光裝置123內，該機械臂上下移動，輔助曝光對象之晶圓W被載置於晶圓夾具131。之後，藉由上述泵浦進行的吸附動作成為ON，吸附輔助曝光對象之晶圓W，該晶圓W被保持於晶圓夾具131，如圖7所示般，完成在晶圓W之收授位置P1的收授。晶圓W之收授完成後，機械臂從輔助曝光裝置123被抽出。 　　[0068] (步驟2：曝光準備) 　　與上述步驟1和後述步驟3及步驟4並行，控制部200下載輔助曝光用之資料，根據該資料，算出且決定用以驅動雷射光源135之資料，即是晶圓W上之每曝光區域的照度之資料。輔助曝光用之資料係根據例如過去之輔助曝光結果等而設定，事先被記憶於控制部200之無圖示之記憶部。另外，實際之晶圓W之曝光區域之間距如上述般為例如0.5mm，但是即使輔助曝光用之資料內之晶圓W之曝光區域比此尺寸大，例如3.5mm間距亦可。換言之，在實際的晶圓W中，即使對位於特定範圍之曝光區域使用共同之照度資料亦可。 　　[0069] (步驟3：朝晶圓W之X軸方向的移動) 　　在步驟1中，於晶圓W被保持於收授位置P1之晶圓夾具131之後，藉由夾具驅動部132，晶圓夾具131即是晶圓W如圖8所示般被移動至輔助曝光位置P2。 　　[0070] (步驟4：對準) 　　當晶圓W被移動至輔助曝光位置P2時，晶圓W藉由夾具驅動部132旋轉，藉由位置檢測感測器144檢測出晶圓W之溝槽部N之位置。而且，控制部200係根據在位置檢測感測器144之檢測結果，算出被晶圓夾具131保持之晶圓W之中心從晶圓夾具131之中心的偏心量及偏心方向。 　　[0071] (步驟5：資料補正) 　　控制部200係根據在步驟4算出之晶圓W之上述偏心量及偏心方向，補正在步驟2算出之雷射光源135之驅動資料。另外，雷射光源135之驅動資料係被輸入控制雷射光源135之無圖示之雷射控制手段的資料。 　　[0072] (步驟6：曝光開始角對準) 　　於步驟5後或與步驟5並行，晶圓夾具131藉由夾具驅動部132旋轉，被保持於該晶圓夾具131之晶圓W之溝槽部N之位置，從導軌133之延伸方向偏移特定角度。 　　[0073] (步驟7：X軸方向曝光開始位置對準) 　　與步驟6並行，晶圓夾具131藉由夾具驅動部132被移動至X軸方向，成為晶圓W之基板之位置(例如中心)被設成與X軸方向有關的特定位置。 　　[0074] (步驟8：曝光處理) 　　於步驟6及步驟7之位置對準後，進行輔助曝光。具體而言，根據在步驟5被修正的資料，雷射光源135被驅動時，藉由多面鏡139被旋轉，從雷射光源135被射出之後，以在多面鏡139被反射，接著在第1全反射鏡141被反射之光，於Y方向掃描晶圓W。再者，藉由晶圓夾具131即是晶圓W藉由夾具驅動部132如圖9所示般被移動至X方向，以從雷射光源135被射出，在多面鏡139被反射，在第1全反射鏡141被反射之光，於X方向掃描晶圓W。 　　[0075] (步驟9：曝光位置攝像) 　　與步驟8並行，在第1全反射鏡141被反射且在晶圓W被反射之光藉由攝像裝置143被受光，依此，以在第1全反射鏡141反射之光被曝光的晶圓W上之區域，經由第2全反射鏡142藉由攝像裝置143被攝像。於該攝像之時，攝像裝置143之線感測器更具體而言，該線感測器之畫素曝光時間係控制雷射光源135之發光時序的脈衝訊號，和表示多面鏡139之旋轉角度的編碼器訊號同步。再者，攝像裝置143之線感測器更具體而言，在該線感測器中之攝像周期，與表示夾具驅動部132之位置即是晶圓W之X方向之位置的編碼器訊號同步。 　　[0076] (步驟10：搬出位置移動) 　　當步驟8之輔助曝光完成時，藉由夾具驅動部132，晶圓夾具131即是晶圓W被移動至收授位置P1。 　　[0077] (步驟11：送出角對準) 　　與步驟10並行，晶圓W藉由夾具驅動部132以特定角度被旋轉。依此，可以從輔助曝光裝置123以指定角度送出晶圓W。 　　[0078] 在輔助曝光裝置123中，因如上述般進行輔助曝光處理，故可以提升光阻圖案之線寬之面內均勻性。 　　[0079] 再者，輔助曝光裝置123中，在攝像裝置143之受光部受光被照射至晶圓W且從該晶圓W反射之光。因此，可以再在每照射區域檢測被照射至該照射區域的實際之光的照度。 　　[0080] 而且，因在攝像裝置143之受光部受光被照射至晶圓W且從該晶圓W反射之光，故根據該受光結果，可以取得相對於晶圓W上之光阻膜的曝光量之分布。更具體而言，因在攝像裝置143之線感測器攝像晶圓W之曝光位置，故在控制部200合成在線感測器的攝像結果，可以取得相對於晶圓W上之光阻膜的曝光量之分布。另外，曝光量之分布之取得即是攝像結果之合成即使非控制部200而係在攝像裝置143內之控制部進行亦可，換言之，可以藉由控制部200和攝像裝置143中之任一者構成與本發明有關之「取得部」。 　　[0081] 再者，若藉由輔助曝光裝置123時，因取得相對於晶圓W上之光阻膜的曝光量之分布，故例如在上述步驟2中，藉由根據曝光量之分布之資訊，算出雷射光源135之驅動資料，可以確實地提升光阻圖案之線寬之面內均勻性。 　　另外，即使在一連串之輔助曝光處理之結束後，在步驟2中，根據曝光量之分布之資訊，補正下載的輔助曝光用之資料，記憶該補正後的輔助曝光用之資料，在下一個輔助曝光處理時，在步驟2中，讀出補正後的輔助曝光用之資料，根據此，算出雷射光源135之驅動資料亦可。在此情況下，可以使光阻圖案之線寬之面內均勻性更確實地成為期待值。 　　[0082] 再者，若藉由輔助曝光裝置123時，因在攝像裝置143之受光部受光被照射至晶圓W且從該晶圓W反射之光，故可以判別輔助曝光之時之曝光量是否不足。判別之結果，曝光量不足之情況，即使再次藉由輔助曝光裝置123再次進行輔助曝光亦可。再次之輔助曝光之時的曝光量係考慮在先前之輔助曝光的曝光量之後而決定。 　　[0083] 在以上之例中，雖然相對於晶圓W之Y方向之光的掃描藉由使多面鏡139旋轉來進行，但是即使藉由使電流計鏡之鏡部分之角度變化來進行亦可。再者，雖然相對於晶圓W之X方向之光的掃描藉由使晶圓在X方向來進行，但是即使藉由使電流計鏡之鏡部分之角度變化來進行亦可。 　　[0084] 另外，與本實施型態有關之輔助曝光裝置亦可以適用於使用光增感化學增幅型光阻材料作為光阻材料之情況。使用光增感化學增幅型光阻材料之情況，具有對光阻膜之特定處照射游離放射線或具有400nm以下之波長的非游離放射線之圖案曝光工程，和對上述圖案曝光工程後的上述光阻材料膜照射相較於在圖案曝光工程中之非游離放射線之波長具有長波長的非游離放射線之另外的曝光工程。在該另外之曝光工程中即使使用與本實施型態有關之輔助曝光裝置進行的曝光處理亦可。 　　[0085] (第2實施型態) 　　圖10為說明與本發明之第2實施型態有關之輔助曝光裝置之構成之概略的圖示。 　　圖10之輔助曝光裝置123具有多重反射防止板150。多重反射防止板150係防止被照射至基板W且亂反射之光，藉由第1全反射鏡141及/或第2全反射鏡142，再次被反射且返回至基板之情形的多重反射防止材。 　　[0086] 圖11為說明多重反射防止板150之圖示，僅表示多重反射防止板150之剖面。 　　多重反射防止板150例如圖11所示般，具有被反射至多面鏡139(參照圖5)，且被反射至第1全反射鏡141朝向晶圓W之光通過的第1縫隙151，和藉由第1全反射鏡141被反射且藉由晶圓W被鏡面反射之光通過的第2縫隙152。 　　另外，多重反射防止板150係從吸收光之材料等所形成。 　　[0087] 藉由設置如此之多重反射防止板150，可以更確實地提升光阻圖案之線寬之面內均勻性。 　　[0088] 圖12為說明多重反射防止板之其他例的圖示。 　　在圖12之例中，從第1和第2之兩個多重反射防止板161、162所構成，第1和第2多重反射防止板161、162分別由僅穿透來自特定方向之光之構件所構成。 　　[0089] 第1多重反射防止板161係穿透被反射至多面鏡139(參照圖5)，且被反射至第1全反射鏡141朝向晶圓W之光。該第1多重反射防止板161被配設成不遮蔽穿透該板161，且被鏡面反射至晶圓W，朝向第2全反射鏡142之光，並且遮蔽被亂反射至晶圓W，且朝向第1全反射鏡141之光。 　　[0090] 第2多重反射防止板162穿透被反射至晶圓W且朝向第2反射鏡142之光。該第2多重反射防止板162被配設成遮蔽穿透該板162且藉由第2全反射鏡142例如該鏡142之端部被反射且朝向晶圓W之光。 　　[0091] 藉由設置如此之第1及第2多重反射防止板161、162，可以更確實地提升光阻圖案之線寬之面內均勻性。 　　[0092] 以上，雖然一面參照附件圖面一面針對本發明之最佳實施形態予以說明，但是本發明並不限定於如此之例。若為該領域技術者在記載於申請專利範圍之思想範疇內應該能夠思及各種變更例或是修正例，即使針對該些變更例或修正例當然也屬於本發明之技術範圍。 [產業上之利用可行性] 　　[0093] 本發明對在基板上曝光光阻膜之技術有效。
[0094]
1‧‧‧基板處理系統
12‧‧‧曝光站
122‧‧‧曝光裝置
123‧‧‧輔助曝光裝置
130‧‧‧框體
131‧‧‧晶圓夾具
132‧‧‧夾具驅動部
133‧‧‧導軌
134‧‧‧掃描曝光單元
135‧‧‧雷射光源
136～138‧‧‧反射鏡
139‧‧‧多面鏡
140‧‧‧fθ透鏡
141‧‧‧第1全反射鏡
142‧‧‧第2全反射鏡
143‧‧‧攝像裝置
144‧‧‧位置檢測感測器
200‧‧‧控制部
[0023] 　　圖1為表示與本發明之第1實施型態有關之基板處理系統之構成之概略的俯視圖。 　　圖2為表示與本發明之第1實施型態有關之基板處理系統之構成之概略的前視圖。 　　圖3為表示與本發明之第1實施型態有關之基板處理系統之構成之概略的後視圖。 　　圖4為表示圖1之輔助曝光裝置之構成之概略的橫剖面圖。 　　圖5為表示圖1之輔助曝光裝置之構成之概略的縱剖面圖。 　　圖6為用以說明輔助曝光處理之一例的時序圖。 　　圖7為表示輔助曝光處理中之輔助曝光裝置內之樣子的圖示。 　　圖8為表示輔助曝光處理中之輔助曝光裝置內之樣子的其他圖示。 　　圖9為表示輔助曝光處理中之輔助曝光裝置內之樣子的另外圖示。 　　圖10為說明與本發明之第2實施型態有關之輔助曝光裝置之構成之概略的圖示。 　　圖11為說明圖10之輔助曝光裝置所具有之多重返射防止板之一例的圖示。 　　圖12為說明多重反射防止板之其他例的圖示。

Claims (11)

  1. 一種輔助曝光裝置，其係與在被塗佈於基板上之光阻膜轉印光罩之圖案的曝光處理不同，另外對上述基板上之光阻膜照射來自光源之特定波長的光，該輔助曝光裝置之特徵在於，具備： 　　第1反射構件，朝向上述基板反射來自上述光源之上述光；和 　　受光部，其係受光被反射至基板之後的光。
  2. 如請求項1所記載之輔助曝光裝置，其中 　　具備反射被反射至上述第1反射構件且被反射至上述基板之光的第2反射構件。
  3. 如請求項1所記載之輔助曝光裝置，其中 　　具備根據在上述受光部之受光結果，取得朝上述基板上之光阻膜的曝光量之分布的取得部。
  4. 如請求項1～3中之任一項所記載之輔助曝光裝置，其中 　　具備使上述基板移動至特定方向之移動機構，和 　　朝向上述第1反射構件反射來自上述光源之上述光的多面鏡， 　　藉由利用上述移動機構使上述基板移動，以在上述多面鏡反射且在上述第1反射構件反射之光，在上述特定方向掃描上述基板，藉由使上述多面鏡旋轉，以在該多面鏡反射且在上述第1反射構件反射之光，在與上述特定方向正交之方向掃描上述基板。
  5. 如請求項1或2中所記載之輔助曝光裝置，其中 　　上述第1反射構件被設置成藉由該第1反射構件被反射之光以對上述基板呈非垂直之角度射入。
  6. 如請求項1～3中之任一項所記載之輔助曝光裝置，其中 　　上述受光部為線感測器。
  7. 如請求項1～3中之任一項所記載之輔助曝光裝置，其中 上述受光部具有對紫外線的敏感度。
  8. 一種曝光量分布取得方法，其係與在被塗佈於基板上之光阻膜轉印光罩之圖案之曝光處理不同另外進行的輔助曝光處理中，取得相對於上述基板上之光阻膜的曝光量之分布，該曝光量分布取得方法之特徵在於， 　　在上述輔助曝光處理中，藉由第1反射構件使來自射出特定波長之光的光源的上述光，朝向上述基板反射，使受光部受光被反射至基板之後的光， 　　根據在該受光部之受光結果，取得相對於上述基板上之光阻膜的曝光量之分布。
  9. 如請求項8所記載之曝光量分布取得方法，其中 　　使被反射至上述第1反射構件且被反射至上述基板之光藉由第2反射構件反射，且使在受光部受光。
  10. 如請求項8所記載之曝光量分布取得方法，其中 　　在上述輔助曝光處理中，藉由使上述基板移動至特定方向之移動機構，使上述基板移動，同時使來自上述光源之上述光朝向上述第1反射構件反射之多面鏡旋轉， 　　使在上述多面鏡反射且在上述第1反射構件反射之光在上述受光部受光， 　　根據該受光結果，取得相對於上述基板上之光阻膜的曝光量之分布。
  11. 如請求項8～10中之任一項所記載之曝光量分布取得方法，其中 　　藉由上述第1反射構件被反射之光以對上述基板呈非垂直之角度射入之方式，在該第1反射構件反射。
TW106132194A 2016-10-04 2017-09-20 輔助曝光裝置及曝光量分布取得方法 TWI753945B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016196342A JP2018060001A (ja) 2016-10-04 2016-10-04 補助露光装置及び露光量分布取得方法
JP2016-196342 2016-10-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201826038A true TW201826038A (zh) 2018-07-16
TWI753945B TWI753945B (zh) 2022-02-01

Family

ID=61758795

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106132194A TWI753945B (zh) 2016-10-04 2017-09-20 輔助曝光裝置及曝光量分布取得方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10642168B2 (zh)
JP (1) JP2018060001A (zh)
KR (1) KR102437083B1 (zh)
TW (1) TWI753945B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7221736B2 (ja) * 2019-03-04 2023-02-14 株式会社荏原製作所 研磨方法および研磨装置
WO2023282211A1 (ja) * 2021-07-05 2023-01-12 株式会社ニコン 露光装置、デバイス製造方法およびフラットパネルディスプレイの製造方法
TW202410142A (zh) * 2022-04-28 2024-03-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理方法、電腦記憶媒體、基板處理系統及基板處理裝置

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05315217A (ja) * 1992-05-07 1993-11-26 Fuji Electric Co Ltd 半導体フォトプロセス用露光装置
JPH05343294A (ja) * 1992-06-10 1993-12-24 Nec Corp 縮小投影露光装置
JPH0864518A (ja) * 1994-06-14 1996-03-08 Canon Inc 露光方法
JP3647100B2 (ja) * 1995-01-12 2005-05-11 キヤノン株式会社 検査装置およびこれを用いた露光装置やデバイス生産方法
JPH0945604A (ja) * 1995-07-28 1997-02-14 Nec Corp 露光方法及び露光装置
JPH1012533A (ja) * 1996-06-27 1998-01-16 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JPH10142538A (ja) * 1996-11-12 1998-05-29 Asahi Optical Co Ltd マルチヘッド走査光学系を持つレーザ描画装置
JPH11162830A (ja) * 1997-11-21 1999-06-18 Nikon Corp 露光方法
JP2001144004A (ja) * 1999-11-16 2001-05-25 Nikon Corp 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2001330966A (ja) * 2000-05-19 2001-11-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd レーザ描画装置
JP2001345245A (ja) * 2000-05-31 2001-12-14 Nikon Corp 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
JPWO2002029869A1 (ja) * 2000-10-04 2004-02-19 株式会社ニコン 投影露光装置及びこの装置を用いたデバイスの製造方法
AU2003289272A1 (en) * 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method
JP4125205B2 (ja) * 2003-09-19 2008-07-30 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ エッジ露光装置およびそれを備える基板処理装置
KR100550352B1 (ko) * 2004-07-02 2006-02-08 삼성전자주식회사 반도체 기판의 노광방법 및 이를 이용하는 노광 장치
JP4546198B2 (ja) * 2004-09-24 2010-09-15 キヤノン株式会社 光変調素子を利用したマスクレス露光装置、及び、光変調素子によるパターン生成性能の監視方法
JP4477482B2 (ja) * 2004-12-21 2010-06-09 株式会社ブイ・テクノロジー 露光パターン形成方法及び露光装置
JP2006330441A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Nikon Corp 投影露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP2006337551A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Hitachi Via Mechanics Ltd レーザ直描装置およびその描画方法
JP4928979B2 (ja) * 2007-02-23 2012-05-09 株式会社東芝 露光装置およびリソグラフィシステム
JP4310349B2 (ja) * 2007-04-20 2009-08-05 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2009170663A (ja) * 2008-01-16 2009-07-30 Nikon Corp 投影光学ユニット、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
JP5165731B2 (ja) * 2010-06-30 2013-03-21 東京エレクトロン株式会社 局所露光装置及び局所露光方法
KR20130083901A (ko) * 2010-07-20 2013-07-23 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치 및 세정 방법
JP2012220896A (ja) 2011-04-13 2012-11-12 Tokyo Electron Ltd 周辺露光方法及び周辺露光装置
CN103034062B (zh) * 2011-09-29 2014-11-26 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 用于晶片边缘曝光的方法、光学模块和自动聚焦系统
JP5836848B2 (ja) * 2012-03-06 2015-12-24 東京エレクトロン株式会社 補助露光装置
BR112014029923A2 (pt) * 2012-05-30 2017-06-27 Rolic Ag geração rápida de elementos com anisotropia individualmente padronizada
JP2014229802A (ja) * 2013-05-23 2014-12-08 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、リソグラフィシステム、及び物品の製造方法
US9268210B2 (en) * 2013-08-12 2016-02-23 Micron Technology, Inc. Double-exposure mask structure and photolithography method thereof
US9416667B2 (en) 2013-11-22 2016-08-16 General Electric Company Modified turbine components with internally cooled supplemental elements and methods for making the same
KR101878578B1 (ko) 2013-11-27 2018-07-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 광학 프로젝션을 이용한 기판 튜닝 시스템 및 방법
JP6337757B2 (ja) * 2014-01-20 2018-06-06 東京エレクトロン株式会社 露光装置、レジストパターン形成方法及び記憶媒体
KR102240655B1 (ko) * 2014-02-13 2021-04-16 삼성디스플레이 주식회사 노광 장치 및 이를 이용한 노광 방법
US20150253674A1 (en) * 2014-03-10 2015-09-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Exposure apparatus, exposure method and manufacturing method of semiconductor device
JP2015210517A (ja) * 2014-09-09 2015-11-24 株式会社ニコン パターン描画装置、パターン描画方法、および、デバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI753945B (zh) 2022-02-01
US10642168B2 (en) 2020-05-05
KR20180037590A (ko) 2018-04-12
US20180095370A1 (en) 2018-04-05
KR102437083B1 (ko) 2022-08-26
JP2018060001A (ja) 2018-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI487897B (zh) A substrate processing apparatus, a substrate processing method, a program and a computer memory medium
JP3237522B2 (ja) ウエハ周辺露光方法および装置
TWI334061B (zh)
KR20170098695A (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
US9810989B2 (en) Edge exposure apparatus, edge exposure method and non-transitory computer storage medium
CN109564853B (zh) 基板检查装置、基板处理装置、基板检查方法以及基板处理方法
TW201826038A (zh) 輔助曝光裝置及曝光量分布取得方法
US11378388B2 (en) Substrate inspection method, substrate inspection apparatus and recording medium
CN111856886A (zh) 直描式曝光装置
JPH09139342A (ja) プリアライメント方法及び装置
KR20160070687A (ko) 레지스트막 제거 방법, 레지스트막 제거 장치 및 기억 매체
JP5825268B2 (ja) 基板検査装置
JP7407960B2 (ja) 周縁処理装置、周縁処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2017102280A (ja) デバイス形成装置、パターン形成装置、デバイス形成方法、およびパターン形成方法
KR102675711B1 (ko) 주연 처리 장치, 주연 처리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
JP2019164380A (ja) パターン形成装置
CN107193185B (zh) 辅助曝光装置
JP6723672B2 (ja) 補助露光装置
JP7314237B2 (ja) 基板撮像装置及び基板撮像方法
KR20240096875A (ko) 주연 처리 장치 및 주연 처리 방법
JP2019050417A (ja) 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体