JP4431634B2 - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。

リソグラフィ装置は、基板の目標部分に所望のパターンを施す機械である。例えば、リソグラフィ装置は、集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。その場合、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニング・デバイスを使用して、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することができ、このパターンを、放射感応材料（レジスト）の層を有する基板（例えば、シリコン・ウェハ）上の目標部分（例えば、単一のダイの一部分、或いは１つ又は複数のダイを含む部分）に結像することができる。一般に、１枚の基板は、次々と露光される隣接した目標部分からなるネットワークを含む。周知のリソグラフィ装置は、１回の動作でパターン全体を露光させることによって各目標部分を照射する、いわゆるステッパと、パターンを所与の方向（「走査」方向）の投影ビームを介して走査することによって各目標部分を照射し、これと同時にこの方向と平行又は逆平行に基板を走査する、いわゆるスキャナとを含む。

二酸化硫黄、有機リン酸塩、アミン及び酸素は、リソグラフィ装置内にみられる典型的な汚染物質であり、これらが基板、リソグラフィ装置の投影システム、又はリソグラフィ装置の他の高感度要素に付着することによって良好なダイの歩留りが低下することがある。このような汚染物質による汚染のレベルを低減するために、一般にリソグラフィ装置の内部及び外部雰囲気が調整されるが、それでもリソグラフィ装置の高感度要素の汚染、又はリソグラフィ装置に供給される材料の汚染は常にある程度存在する。例えば、汚染物質は、導入される基板、材料のガス放出、リソグラフィ装置内への汚染ガスの漏れ、作業員によるリソグラフィ装置のメインテナンスなどを介して雰囲気内へ導入されることがある。

従って、例えば、汚染の低減を可能にするリソグラフィ装置を提供することが有利である。

一態様によれば、
放射ビームを提供するように構成された照明器と、
ビームの断面にパターンが付与されるように構成されたパターニング・デバイスを保持するように構成された支持構造と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
基板の目標部分にパターニングされたビームを投影するように構成された投影システムと、
投影システム、基板テーブル、又はその両方の上に、粒子を引き付けるための電荷を有するように構成された帯電体と
を含むリソグラフィ装置が提供される。

一実施例では、帯電体は、正に荷電された粒子を引き付けるための負の電荷を有し、かつ／又は、負に荷電された粒子を引き付けるための正の電荷を有する。

任意選択で、帯電体に引き付けられた粒子を保持、除去、又はそのどちらもが行われるように構成された粒子処分機構が設けられる。一実施例では、粒子処分機構は、帯電体に引き付けられた粒子を保持するために帯電体に設けられた保持物質を含む。一実施例では、保持物質は、粒子を保持するための、中性ゲル又は接着材からなる層を含む。

一実施例では、保持物質が撤去又は洗浄されるように基板ハンドラを構成することができる。

一実施例では、帯電体は、基板テーブル上に設けられ、基板テーブル上に置かれたときに基板を囲むリングとして構成されている。代替に又は加えて、帯電体を投影システム上に設け、基板テーブル前の投影システムの先端光学素子（ｌａｓｔ ｏｐｔｉｃａｌ ｅｌｅｍｅｎｔ）を囲むリングとして構成することもできる。

一実施例では、基板テーブル、投影システム、又はそのどちらにも電荷が提供されないように帯電体が少なくとも一部分絶縁されている。

さらなる態様によれば、
リソグラフィ装置の投影システムを使用して、リソグラフィ装置の基板テーブル上に保持された基板の目標部分に、パターニングされた放射ビームを投影する段階と、
投影システム上、基板テーブル上、又はその両方の上で、そこに粒子を引き付けるために電荷を使用する段階と
を含むデバイス製造方法が提供される。

本明細書では特に、ＩＣ製造の際にリソグラフィ装置を使用することに関して述べるが、本明細書に記載するリソグラフィ装置は、集中光学システム、磁気ドメイン・メモリ用誘導検出パターン、液晶表示装置（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドの製造など、他の用途も可能である。このような代替用途との関連で、本明細書で「ウェハ」又は「ダイ」という用語を使用する場合はいつも、より一般的な用語である「基板」又は「目標部分」とそれぞれ同義語と見なすことができることを当業者であれば理解するであろう。本明細書で言う基板は、例えばトラック・ツール（通常、基板にレジスト層を施し露光されたレジストを現像するツール）、計測ツール又は検査ツール内で露光の前又は後に処理することができる。該当する場合には、本明細書の開示は、このような基板処理ツール及び他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために２回以上処理することができ、従って本明細書で使用する基板という用語は、複数回処理され
た層を既に含む基板も意味することがある。

本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば、波長が３６５，２４８，１９３，１５７又は１２６ｎｍ）及び極紫外（ＥＵＶ）放射（例えば、波長が５〜２０ｎｍの範囲）並びにイオン・ビーム又は電子ビームなどの粒子ビームを含むあらゆるタイプの電磁放射を包含する。

本明細書で使用する「パターニング・デバイス」は、基板の目標部分にパターンを形成するなどのための、ビームの断面へのパターン付与に使用することのできるどんなデバイスをも意味するものとして広く解釈すべきである。ビームに付与されるパターンは、基板の目標部分において所望されるパターンに厳密に対応しないことがあることに留意されたい。一般に、ビームに付与されるパターンは、集積回路など、目標部分内に形成されているデバイス内の特定の機能層に対応する。

パターニング・デバイスは透過性又は反射性を有することができる。パターニング・デバイスの例としては、マスク、プログラム可能なミラー・アレイ、及びプログラム可能なＬＣＤパネルなどがある。リソグラフィでは、種々のマスクがよく知られており、マスクのタイプとしては、バイナリ・マスク、交互位相シフトマスク、及び減衰位相シフトマスク、並びに様々なハイブリッド・マスクなどがある。プログラム可能なミラー・アレイの一例は、様々な方向から入射する放射を反射するようにそれぞれを個別に傾斜させることのできる、小ミラーからなるマトリックス構成を使用している。反射ビームは、このような方法でパターニングされる。

支持構造は、パターニング・デバイスを支える。つまり支持構造は、パターニング・デバイスの重量を支える。支持構造は、パターニング・デバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、並びに、例えばパターニング・デバイスが真空状態内で保持されているか否かなどの他の状態に応じた形で、パターニング・デバイスを保持している。支持は、機械的締付け、真空式締付け、又は例えば真空状態下での静電的締付けなどの他の締付け法を利用して行うことができる。支持構造は、例えば、必要に応じて固定又は移動可能であり、例えば投影システムに対してパターニング・デバイスが所望の位置にくるようにすることができるフレーム又はテーブルでよい。本明細書で「レチクル」又は「マスク」という用語を使用する場合はいつも、より一般的な用語の「パターニング・デバイス」と同義語と見なすことができる。

本明細書で使用する「投影システム」という用語は、例えば、使用される露光放射、或いは浸漬液の使用又は真空の使用などの他のファクターに適した屈折光学系、反射光学系、及び反射屈折光学系を含む様々なタイプの投影システムを包含するものとして広く解釈すべきである。本明細書で「投影レンズ」という用語を使用する場合はいつも、より一般的な用語の「投影システム」と同義語と見なすことができる。

照明システムも、基板上に投影される放射を導き、形作り、又は調節するための屈折光学系構成要素、反射光学系構成要素、及び反射屈折光学系構成要素を含む様々なタイプの光学系構成要素を包含することができる。そしてこのような構成要素は、以下では、まとめて又は単独で「レンズ」と呼ぶこともできる。

リソグラフィ装置は、２つ（２段）以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスク・テーブル）を有するタイプのものでよい。このような「多段」機械では、追加のテーブルを並行して使用してもよいし、１つ又は複数のテーブル上で予備の段階を実行し、その間１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用することもできる。

リソグラフィ装置は、投影システムの先端要素（ｆｉｎａｌ ｅｌｅｍｅｎｔ）と基板の間の空間が満たされるように、基板表面の全体又は一部を、例えば水などの比較的高屈折率を有する液体に浸漬させるタイプのものでもよい。浸漬液は、例えば投影システムのマスクと１番目の要素（ｆｉｒｓｔ ｅｌｅｍｅｎｔ）との間など、リソグラフィ装置の他の空間にも適用することができる。浸漬法は、投影システムの開口数を増加させる技術分野でではよく知られている。

本発明の実施例による、リソグラフィ装置を示す図である。 本発明の実施例による、帯電体を有する投影システムを示す図である。 本発明の実施例による、帯電体を有する基板テーブルを示す図である。 本発明の実施例による、帯電体を有する基板テーブルを示す図である。 図３及び図４の帯電体の詳細を示す図である。

本発明の実施例を、ほんの一例として添付の概略図面を参照しながら説明する。図面では、対応する参照符号は対応する部分を示す。

図１は、本発明の特定の実施例によるリソグラフィ装置を概略的に示す図である。この装置は、
− 放射ビームＰＢ（例えば、ＵＶ又はＥＵＶ放射）を提供するように構成された照明システム（照明器）ＩＬと、
− パターニング・デバイス（例えば、マスク）ＭＡを保持するように構成され、アイテムＰＬに対しパターニング・デバイスを正確に位置決めするように構成された第１の位置決め装置ＰＭに接続された支持構造（例えば、マスク・テーブル）ＭＴと、
− 基板（例えば、レジスト被膜のウェハ）Ｗを保持するように構成され、アイテムＰＬに対し基板を正確に位置決めするように構成された第２の位置決め装置ＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェハ・テーブル）ＷＴと、
− パターニング・デバイスＭＡによってビームＰＢに付与されたパターンを基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つ又は複数のダイを含む部分）に結像するように構成された投影システム（例えば、反射投影レンズ）ＰＬとを含む。

本明細書に記載するように、装置は透過性タイプのものである（例えば、透過性マスクを使用したもの）。或いは、装置は、反射性タイプのものでもよい（例えば、先に述べたようなタイプのプログラム可能なミラー・アレイを使用したもの）。

照明器ＩＬは、放射ソースＳＯから放射ビームを受け取る。ソース及びリソグラフィ装置は、例えばソースがエキシマ・レーザの場合、別個に設けることができる。このような場合、ソースはリソグラフィ装置の一部を形成するものとは見なされないので、例えば適切な方向付けミラー及び／又はビーム拡大器を含むビーム配送システムＢＤを用いて、放射をソースＳＯから照明器ＩＬへ通過させる。別の場合、例えばソースが水銀ランプのとき、ソースは装置と一体な部分とすることができる。ソースＳＯ及び照明器ＩＬは、ビーム配送システムＢＤが必要とされる場合はそれとともに、放射システムと呼ぶことができる。

照明器ＩＬは、ビームの角強度分布を調整する調整手段ＡＭを含むことができる。一般に、照明器のひとみ平面における強度分布の少なくとも外径及び／又は内径の長さ（通常、それぞれ外σ及び内σと呼ばれる）は調整することができる。さらに、照明器ＩＬは、一般に積分器ＩＮ及び集光器ＣＯなど、いくつかの他の構成要素も含む。照明器は、断面に所望の均一性及び強度分布を有する調節された放射ビームＰＢを提供する。

ビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡに入射する。マスクＭＡを横切った後、ビームＰＢは、パターニングされたビームを基板Ｗの目標部分Ｃ上に収束させるレンズＰＬを通り抜ける。第２の位置決め装置ＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉デバイス）を用いて、例えばビームＰＢの経路内のそれぞれの目標部分Ｃに位置決めされるように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、例えばマスク・ライブラリからの機械的検索の後、又は走査中に、第１の位置決め装置ＰＭ及びもう１つの位置センサ（図１にははっきりとは示していない）を使用して、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、対象テーブルＭＴ及びＷＴの移動は、位置決め装置ＰＭ及びＰＷの一部を形成するロング・ストローク・モジュール（大雑把な位置決め）及びショート・ストローク・モジュール（精密な位置決め）を用いて行われる。ただし、ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスク・テーブルＭＴはショート・ストローク・アクチュエータのみに接続してもよいし固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクの位置合わせマークＭ１及びＭ２、並びに基板の位置合わせマークＰ１及びＰ２を使用して位置合わせすることができる。

図示した装置は以下のモードで使用することができる。

ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止が保たれ、投影ビームに付与されたパターン全体が目標部分Ｃに一気に（つまり１回の静止露光で）投影される。次いで、別の目標部分Ｃが露光されるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップ・モードでは、露光範囲の最大サイズによって１回の静止露光で結像される目標部分Ｃのサイズが制約される。

走査モードでは、投影ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影（つまり１回の動的露光）される間、マスク・テーブルＭＴと基板テーブルＷＴとが同時に走査される。マスク・テーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＬの拡大（縮小）特性及び像反転特性によってきまる。走査モードでは、露光範囲の最大サイズによって１回の動的露光における目標部分の（非走査方向の）幅が制約されるが、目標部分の（走査方向の）高さは、走査動作の長さによってきまる。

別のモードでは、マスク・テーブルＭＴは、プログラム可能なパターニング・デバイスを保持しながら基本的に静止が保たれ、基板テーブルＷＴは、投影ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間移動又は走査される。このモードでは、一般に、パルス化された放射ソースが使用され、プログラム可能なパターニング・デバイスは、基板テーブルＷＴの移動が終わるたびに、又は走査中の連続的な放射パルスの合間に、必要に応じて更新される。この操作のモードは、先に述べたようなタイプのプログラム可能なミラー・アレイなど、プログラム可能なパターニング・デバイスを利用しマスクを利用しないリソグラフィに容易に適用することができる。

上述の使用モード又は全く異なる使用モードを組み合わせて、かつ／又は変更して使用することもできる。

図２は、図１の投影システムＰＬをより詳細に示している。帯電体１１０が投影システムＰＬ上に設けられている。一実施例では、帯電体１１０は、粒子を導線に引き付けることのできる負電荷を有する導線リングである。一態様によれば、負の帯電体１１０は、リソグラフィ装置内の物体、特に粒子による汚染の悪影響を受けるであろう投影システムＰＬの光学素子及び／又は基板Ｗなどの物体から、プロトン化された塩類などの正の荷電粒子を引き付ける。図２では、帯電導線リング１１０は、投影システムＰＬの最終光学素子１００を囲み、それによって素子１００近傍の雰囲気中の粒子による素子１００の汚染が主に低減又は解消される。一実施例では、帯電体１１０は、負の荷電粒子（例えばアミン）などの粒子を引き付けることのできる正電荷を有することができる。

図３は、図１の基板テーブルＷＴをより詳細に示している。帯電体２００が基板テーブルＷＴ上に設けられている。一実施例では、帯電体２００は、正の荷電粒子（例えば、プロトン化された塩類）などの粒子を引き付けることのできる負電荷を有する導線リングである。図３では、帯電導線リング２００は、基板テーブルＷＴによって保持される基板Ｗを囲み、それによって基板Ｗ近傍の雰囲気中の粒子による基板Ｗの汚染が主に低減又は解消される。一実施例では、帯電体２００は、負の荷電粒子（例えばアミン）などの粒子を引き付けることのできる正電荷を有することができる。

図４は、図１の基板テーブルＷＴをより詳細に示している。第１の帯電体３００及び第２の帯電体３１０を含む帯電体が基板テーブルＷＴ上に設けられている。一実施例では、第１の帯電体３００は、正の荷電粒子（例えば、プロトン化された塩類）などの粒子を引き付けることのできる負電荷を有する導線リングであり、第２の帯電体３１０は、負の荷電粒子（例えば、アミン）などの粒子を導線に引き付けることのできる正電荷を有する導線リングである。或いは、第１の帯電体３００が正の荷電で、第２の帯電体３１０が負の荷電でもよい。図４では、帯電導線リング３００及び３１０は、基板テーブルＷＴによって保持される基板Ｗを囲み、それによって基板Ｗ近傍の雰囲気中の粒子による基板Ｗの汚染が主に低減又は解消される。負の帯電体及び正の帯電体の双方を使用し、あらゆるタイプの粒子を各帯電体に引き付け、それによって基板Ｗ（及びリソグラフィ装置内の他の物体）からこうした粒子を引き離すことができる。一実施例では、図２に示す投影システム
ＰＬに帯電体３００よび３１０を適用することができる。帯電体３００及び３１０の構成及び配置は、基板Ｗ近傍の全てとは言わないまでもほとんどの粒子を引き付けるためのリソグラフィ装置の物理的設計に準じて、例えば、帯電体３１０が収集した粒子が帯電体３００によって干渉されないように（及びその逆）、かつ／又は、リソグラフィ装置の動作への干渉が回避されるように選択する必要がある。

図５は、図３及び／又は図４に示したような帯電体の詳細な断面図である。図から明らかなように、投影システムＰＬ上に、追加又は代替の帯電体４００を設けることもできる。

図５において、及び一実施例によれば、帯電体４００は、基板テーブルＷＴの表面に埋め込まれた導線リング４００の形をとっている。導線リング４００は、少なくとも部分的に絶縁体４１０によって取り囲まれているので、基板テーブルＷＴの残りの部分は、帯電体４００によって荷電されることはない。

さらに、一実施例では、帯電体に引き付けられた粒子を保持及び／又は除去するために粒子処分機構が設けられている。例えば、図５に関して、ゲル又は接着材（例えば、アガロース又はポリアクリルアミド）からなる薄い層などの保持物質４２０を帯電体４００に設け（帯電体４００上でも、及び／又はそれに隣接してでも）、リソグラフィ装置内の雰囲気に晒し、それによって帯電体４００との接触部に引き付けられた粒子を保持物質４２０に保持する。一実施例では、保持物質は、ＵＶ放射に対して中性（つまり電荷を持たない）、不揮発性であり、かつ耐性を有し、ガスを放出しない。

保持物質に加え、他の粒子処分機構も使用することができる。例えば、低圧又は真空ソースに接続された低圧出口部を帯電体に、又は帯電体に隣接して設けて粒子の除去を促進させることができる。従って、帯電体に引き付けられた粒子が帯電体に近づくと、粒子は低圧出口部に引き込まれ、適切な流路によってリソグラフィ装置から放出、又はリソグラフィ装置内に溜められた後除去される。

保持物質４２０は、溜まった粒子の蓄積を除去するために時々撤去又は洗浄することができる。一実施例では、メインテナンス作業員によって保持物質４２０の撤去又は洗浄を行うことができる。代替に又は加えて、リソグラフィ装置の基板ハンドラを使用することもできる。従来、基板ハンドラは、リソグラフィ装置の基板テーブルＷＴ上へ基板を供給、かつそこから基板を取り除くためのロボット・アームを含む。この実施例によれば、次いで、基板ハンドラをプログラミングして、基板テーブルＷＴ及び／又は投影システムＰＬ上の保持物質４２０を撤去又は洗浄することができる。例えば、基板ハンドラは、基板テーブルＷＴ及び／又は投影システムＰＬ上の、汚染された保持物質４２０を保有する容器をつかみ、リソグラフィ装置の出口へ運ぶことによってそれをリソグラフィ装置から撤去し、基板テーブルＷＴ及び／又は投影システムＰＬに、保持物質４２０を含む新しい容器を供給することができる。別の実施例では、基板ハンドラは、洗浄ツールを使用して保
持物質４２０を撤去又は洗浄し、必要であれば、追加の保持物質４２０を塗布することができる。

図２から図４では連続したリングとして示されているが、帯電体はこうである必要はない。例えば、不連続であってもよい。帯電体は、１つ又は複数の離散されたものでもよい。さらに、帯電体は導線である必要もない。例えば、帯電体は、１つ又は複数のプレートでもよい。さらに、帯電体は、リングであろうとなかろうと、形は円形、方形、長方形、又は他のどんなものでもよい。

さらに、投影システム及び基板テーブルに関して帯電体を説明してきたが、追加又は代替で、帯電体をリソグラフィ装置の他の要素、つまり干渉型構成要素（例えば、干渉ミラー）又はセンサなどの特に高感度要素に適用することができる。

それぞれの場合において、帯電体用に選択される電荷のタイプ（正／負）及び量は、リソグラフィ装置の関連する要素内の粒子を引き付けるに足り、かつリソグラフィ装置の残りの部分と干渉し合わない程度のものでなければならない。また、帯電体の構成及び配置は、帯電体がそのために設計されるリソグラフィ装置の各要素から粒子が有効に引き離されるように選択する必要がある。同様に、帯電体の電荷のタイプ及び量、並びに帯電体の構成及び配置は、リソグラフィ装置内の粒子をはねのけ、それによってリソグラフィ装置の関連する高感度要素から粒子が遠ざかるように選択することができる。例えば、図２に関して、帯電体１１０は、光学素子１００から粒子がはねのけられ、随意、保持物質又は低圧出口部などの粒子処分機構に向くように設計することができる。

さらに、帯電体は極性を負から正へ、及びその逆に切り換えることができる。例えば、帯電体は、一定の期間だけ正の荷電粒子を引き付けるように負の電荷を有し、次いで、次の期間は負の荷電粒子を引き付けるように正の電荷に切り換えることができる。それぞれの期間において、粒子処分機構は、帯電体に引き付けられた粒子を保持及び／又は除去することができる。

本発明の特定の実施例を説明してきたが、本発明は、説明した以外の方法でも実施することができることが理解されるであろう。これまでの説明は、本発明を限定するものではない。

ＳＯ 放射ソース
ＢＤ ビーム配送システム
ＩＬ 照明器
ＡＭ 調整手段
ＩＮ 積分器
ＣＯ 集光器
ＰＢ 放射ビーム
ＭＡ パターニング・デバイス
ＭＴ マスク・テーブル
ＰＭ 第１の位置決め装置
Ｍ１、Ｍ２ マスクの位置合わせマーク
ＰＬ 投影システム
Ｗ 基板
Ｐ１、Ｐ２ 基板の位置合わせマーク
ＷＴ 基板テーブル
ＩＦ 位置センサ
ＰＷ 第２の位置決め装置
１００ 先端光学素子
１１０ 帯電体
２００ 帯電体
３００ 第１の帯電体
３１０ 第２の帯電体
４００ 帯電体
４１０ 絶縁体
４２０ 保持物質

Claims (14)

1. リソグラフィ装置であって、
   放射ビームを提供するように構成された照明器と、
   前記ビームの断面にパターンを付与するように構成されたパターニング・デバイスを保持するように構成された保持構造と、
   基板を保持するように構成された基板テーブルと、
   前記基板の目標部分に前記パターニングされたビームを投影するように構成された投影システムと、
   前記基板テーブルに設けられ、粒子を引き付けるための電荷を有するように、かつ前記基板テーブル上に配置される基板を囲むリングとして構成された帯電体と、
   前記帯電体に引き付けられた粒子を除去するように構成された粒子処分機構を含み、
   前記粒子処分機構は、低圧源又は真空源に接続され、且つ前記帯電体に設けられた又は前記帯電体に隣接して設けられた低圧出口部を含み、さらに前記帯電体に引き付けられた粒子を保持するために前記帯電体に設けられた保持物質を含み、
   前記リソグラフィ装置は、前記保持物質を撤去又は洗浄するように構成された基板ハンドラを含む、リソグラフィ装置。
2. 前記帯電体が、正の荷電粒子を引き付けるための負電荷を有する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. 前記帯電体が、負の荷電粒子を引き付けるための正電荷を有する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
4. 前記帯電体が、負の荷電粒子を引き付けるための正電荷を有する第１の帯電体と、正の荷電粒子を引き付けるための負電荷を有する第２の帯電体とを含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
5. さらに、前記投影システム上に設けられ、前記基板テーブル前の前記投影システムの最終光学素子を囲むリングとして構成される帯電体を含む、請求項１乃至４のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
6. 前記帯電体が、前記基板テーブルに電荷が提供されないように、少なくとも部分的に絶縁されている、請求項１乃至５のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
7. 前記保持物質が、前記粒子を保持するためのゲル又は接着材からなる層を含む、請求項１乃至６のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
8. 前記基板ハンドラは、前記保持物質を撤去又は洗浄した後、前記帯電体に追加の保持物質を塗布するように構成されている、請求項１乃至７のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
9. デバイス製造方法であって、
   リソグラフィ装置の投影システムを使用して、リソグラフィ装置の基板テーブル上に保持された基板の目標部分に、パターニングされた放射ビームを投影する段階と、
   前記基板テーブルにおいて、該基板テーブル上に粒子を引き付けるために、前記基板を囲むリングとして構成される帯電体によって電荷を使用する段階と、
   前記電荷に引き付けられた粒子を、低圧源又は真空源に接続され、且つ前記電荷に設けられた又は前記電荷に隣接して設けられた低圧出口部に引き込むことにより除去する段階と、
   前記電荷を有する帯電体に設けられた保持物質を使用して前記電荷に引き付けられた粒子を保持する段階と、
   基板ハンドラを使用して前記保持物質を撤去又は洗浄する段階と、
   を含む方法。
10. 前記電荷が、正の荷電粒子を引き付けるための負電荷若しくは負の荷電粒子を引き付けるための正電荷である、又は負の荷電粒子を引き付けるための正電荷を有する第１の電荷と、正の荷電粒子を引き付けるための負電荷を有する第２の電荷とを含む、請求項９に記載の方法。
11. 前記電荷を使用する段階では、さらに、前記投影システム上に存在し、前記基板テーブル前の前記投影システムの最終光学素子を囲むリングとして構成される帯電体によって電荷を使用する、請求項９又は１０に記載の方法。
12. 前記帯電体を前記基板テーブルから絶縁する段階を含む、請求項９乃至１１のいずれかに記載の方法。
13. 前記保持物質が、前記粒子を保持するための、ゲル又は接着材からなる層を含む、請求項９乃至１２のいずれかに記載の方法。
14. 前記保持物質を撤去又は除去する段階の後、前記基板ハンドラを使用して、前記帯電体に追加の保持物質を塗布する段階を含む、請求項９乃至１３のいずれかに記載の方法。

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